JPS59190363A - 金属薄膜の形成方法 - Google Patents

金属薄膜の形成方法

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JPS59190363A
JPS59190363A JP6313983A JP6313983A JPS59190363A JP S59190363 A JPS59190363 A JP S59190363A JP 6313983 A JP6313983 A JP 6313983A JP 6313983 A JP6313983 A JP 6313983A JP S59190363 A JPS59190363 A JP S59190363A
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JP
Japan
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electrode
high frequency
thin film
target material
sputtering
Prior art date
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JP6313983A
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English (en)
Inventor
Satoru Itabashi
板橋　哲
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Orient Watch Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、高周波スパッタリングによる金属薄膜の形成
方法に関する。
従来、金属薄膜抵抗器等における金属薄膜の形成には、
第１図に示したような装置、つまり真空槽を形成するベ
ルジャＡ内に薄膜形成用の基板Ｂと、薄膜を形成すべき
金属材料からなる高周波平板電極Ｃを対向配設してなる
高周波スパッタ装置を用い、平板電極Ｃに高周波電力を
供給してグロー放電を発生させ、プラズマ内で励起され
たイオン化ガスを電極Ｃに衝突させることにより、電極
をターゲト材にして金属分子や原子を放出、飛散させて
基板上にイ＋ｊＭさせて薄膜を形成させていた。
ところが、イオン化ガス発生源をなす電極が平板状に形
成されている関係上、イオン化ガスが放散しやすくて電
極に衝突する確率が低く、特に薄膜抵抗器に使用するタ
ンタル等の難溶材ではスパッタリング速度が非常に遅い
という問題があった。
一方、スパッタリング速度を向」ニさせるべくターゲツ
ト材に磁界を作用させてイオン化カスにマグ４トロン運
動を与え、ターゲツト材へのイオン化ガスの衝突確率を
上げたマグネトロンスパッタ法も提案されているが、強
力な磁石部材を必要とするばかりでなく、イオン化ガス
がビーム状になってターゲツト材に衝突するため、ター
ゲツト材が局部的にスパッタされ、ターゲト材の有効な
利用が困難であるという問題があった。
さらに、これらの手法では、高周波電極が平板状に形成
されているため、電極のインピーダンスが高くて高周波
電源とのマツチングが取り＆こくりＸという問題があっ
た。
本発明は、このような事情に鑑み、ターゲ・ント材をコ
イル状に形成し、これを高周波電極しこ用１．Ｘること
によりターゲット領域でのイオン他力′スの滞留と、イ
ンピーダンスマ・ンチングの最適化を図り、もってＨり
形成速度を向上させた薄膜の製造方法を提案することを
目的とする。
そこで、以下に抵抗器用金属薄膜の製造（こ例を採り１
本発明の詳細を実施例に基づｌ、）て説明する。
第２図は、本発明に使用する装置の一例を示す構成図で
あって、図示されていない排気ポンプ系に接続された排
気口１とガス導入口２とを備えた底面板３と、これに係
合するヘルジャ４と番こより形成された真空槽内の中央
には、本発明の特徴部分をなすターゲツト材を兼ねる高
周波コイル電極５が配設されている。この高周波コイル
電極５は、抵抗皮膜を構成するタンタル等の金属材料を
線材に加工して数ターンのコイルに形成し、その一端を
底面板に配設されたブッシング６に自立状態で着脱可能
に取り付け、下端を高周波電源７に接続している。高周
波コイル電極５の」三方には、抵抗皮膜の形成を受ける
基板Ｔを保持するホルダー８を電極５に対向して配設し
、ブンシュング９を介して高周波電源７のアース側に接
続して構成されている。
このように構成された装置において、ベルジャ４内を所
定の真空度に引いてアルゴンガス等のスパッタリング用
ガスを所定の分圧で導入し、高周波コイル電極５に高周
波電力を供給すると、アルゴンガスは、高周波電磁界の
作用を受け、高周波コイル電極５を包むようにして高周
波グロー放電を行なう。このため、高周波コイル電極５
は、グロー放電により発生したアルゴンガスイオンの粒
子によって包囲され、その表面全体がイオン化ガス粒子
の衝英を受ける。これにより、電極５を構成しているタ
ーゲト材は、均一にスパッタリングされて分子状になっ
て飛散し、上方の基板Ｔに付着してターゲト材による薄
膜を形成する。
［実　　施　　例　　コ タンクルをターゲツト材とする高周波平板電極と基板を
対向配設したスパッタ装置を用い、高周波平板電極に２
００Ｗの高周波電力を供給してＩＸ　１０　　Ｔｏｒｒ
のアルゴンガス雰囲気中で３０分間のスパッタリングを
行なったところ、５００オングストロームのタンタル薄
膜が形成された。
一方、タンタルの線材により構成した数ターンのコイル
を高周波コイル電極として用い、この高周波コイル電極
に２００Ｗの高周波電力を供給してＩ　Ｘ　１０　　Ｔ
ｏｒｒのアルゴンガス雰囲気中で、３０分間のスパッタ
リングを行なったところ、厚さ２０００オングストロー
ムのタンタル薄膜を基板に形成することができた。
以上、説明したように本発明によれば、金属薄膜を形成
すべきターゲツト材により構成したコイルを高周波電極
とし、これをスパッタリングさせるようにしたので、タ
ーゲツト材全体にイオン化ガスを作用させて大きな面積
を均一にスパッタリングすることができ、ターゲト材の
有効な利用を図りつつ、安定した高い速度により金属薄
膜を形成することができるばかりでなく、高周波電力源
とのインピーダンスマツチングが取りゃすく、高周波電
力の有効な利用を図ることができるばかりでなく高周波
漏洩の虞れがない。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来のスパッタリング装置を示す概要図、第
２図は、本発明に使用するスパッタリング装置の一例を
示す装置の構成図である。 １・・・・排気口　　　　　２・・・・ガス導入口５・
・・・ターゲツト材をなす高周波コイル電極出願人　オ
リエント時計株式会社 代理人　弁理士　西　川　慶　冶 同　　　木　　村　　勝　　彦

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 薄膜を形成すべき金属材料によりコイル状電極を構成し
    、該電極と膜形成を受ける基板をスパッタリングガスが
    導入された真空槽内に対向して配設し、前記電極に高周
    波電力を供給して前記ガスをイオン化し、このイオン化
    ガスにより前記電極をターゲツト材にしてスパッタリン
    グする金属薄膜の形成方法。
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