JPS59194501A - Trap circuit - Google Patents
Trap circuitInfo
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- JPS59194501A JPS59194501A JP58070313A JP7031383A JPS59194501A JP S59194501 A JPS59194501 A JP S59194501A JP 58070313 A JP58070313 A JP 58070313A JP 7031383 A JP7031383 A JP 7031383A JP S59194501 A JPS59194501 A JP S59194501A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
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- Electromagnetism (AREA)
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- Microwave Amplifiers (AREA)
- Noise Elimination (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高周波回路における不要波を除去するのに利
用するトラップ回路に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a trap circuit used to remove unnecessary waves in a high frequency circuit.
従来例の構成とその問題点
第１図は無損失のへ波長、先端開放線路（または（６波
長先端短絡線路）である。図においてａ −ｂ端から見
たインピーダンスＺｉｎは以下の式で与えられる。The configuration of the conventional example and its problems Figure 1 shows a lossless 6-wavelength, open-ended line (or (6-wavelength short-circuited line). In the figure, the impedance Zin seen from ends a and b is given by the following formula. It will be done.
ここでＺＲ：終端インピーダンス、λ：波長、Ｚ。Here, ZR: terminal impedance, λ: wavelength, Z.
二線路の特性インピーダンス、Ｘ ： ＺＲからの電気
長。Characteristic impedance of two lines, X: Electrical length from ZR.
λ
ｈ波長先端開放線路とはＺＲ−ψ、Ｌ＝７であるからこ
れを（１）式に代入すれば、
２π λ
Ｚｉｎ＝−１２０００１丁・１＝０
したがって、一定の特性インピーダンスを有する伝送線
路中に上記線路を挿入すれば、トラップ回路として動作
することは既知のことである。A λ h wavelength open-ended line is ZR-ψ, L=7, so by substituting this into equation (1), 2π λ Zin=-120001 d 1=0 Therefore, it is a transmission line with a constant characteristic impedance. It is known that if the above-mentioned line is inserted therein, it will operate as a trap circuit.
マイクロストリップライン（ガラスエポキシ材誘電率ε
ｒ−ｉ＝４．ｓ）や同軸リジッドケーブルで製作したへ
波長先端開放線路を６００系伝送線路に挿入すれば、第
２図のデータに示すようにＳＯＯＭＨｚ において約
ａ ｏ ｄＢの減衰量を得ることができる。しかしこの
方法では、９００ ＭＨｚ 付近において８〜１０ｄ
Ｂ程の損失があり、９００ＭＨｚ 付近の信号を必要
とするときは、この方法ではトラップ回路としては実用
的ではない。Microstrip line (glass epoxy material permittivity ε
ri=4. By inserting an open-ended wavelength line made of s) or coaxial rigid cable into a 600-series transmission line, it is possible to obtain an attenuation of about a o dB at SOOMHz, as shown in the data in Figure 2. However, with this method, 8 to 10 d around 900 MHz
This method has a loss of about B and is not practical as a trap circuit when a signal around 900 MHz is required.
発明の目的
本発明は、上記従来例の問題点を改善するものであり、
安価な部品（ガラスエポキシ材上のマイクロストリップ
ラインや同軸リジットケーブル）を用いて、ＩＧＨｚ位
までも十分有効なトラップ回路を実現するものである。Purpose of the Invention The present invention improves the problems of the above-mentioned conventional example,
Using inexpensive components (a microstrip line on glass epoxy material and a coaxial rigid cable), a trap circuit that is sufficiently effective up to about IGHz is realized.
発明の構成
本発明は上記目的を達成するために、出力回路の一端に
匙波長先端開放線路を接続することにより、例えば８０
０ ＭＨｚ で約３０ｄＢの減衰量を得て、９００Ｍ
Ｈｚ±５０ ＭＨｚにおいては、トラップ回路挿入によ
る損失をほとんど受けないような実用的トラップ回路を
実現するものである。Structure of the Invention In order to achieve the above object, the present invention connects an open line at the tip of the spoon wavelength to one end of the output circuit.
Approximately 30dB attenuation at 0MHz, 900M
At Hz±50 MHz, a practical trap circuit is realized which suffers almost no loss due to trap circuit insertion.
まだ、本発明によればトラップ回路の接続点を変えるこ
とにより、トラップ減衰量を任意に変えることもできる
。ただし、最大減衰量は、ｈ波長先端開放線路の選択度
により決まる。Furthermore, according to the present invention, the amount of trap attenuation can be arbitrarily changed by changing the connection point of the trap circuit. However, the maximum attenuation amount is determined by the selectivity of the h-wavelength open-ended line.
実施例の説明
以下に本発明の一実施例の構成について、図面とともに
説明する。第３図は本発明の一実施例のトラップ回路を
採用した高周波回路、第４図は第３図の具体回路図であ
シ、図において、１は入力部のインピーダンス整合およ
び同調をとる入力整合・同調回路で、マイクロストリッ
プラインＬ１（ガラスエポキシ材使用）に集中定数素子
の容量Ｃ１（積層型チップコンデンサ）を装荷した共振
器である。コンデンサＣ２は結合用である。２は高周波
用トランジスタＱ１ よりなる高周波増幅器、３は増
幅器２のバイアス供給回路、４は増幅器２の出力側に接
続されかつコンデンサｃ３．ｃ４．マイクロストリップ
ラインＬ２ で構成された出力部のインピーダンス整合
および同調を行う出方整合・同調回路である。以上１〜
４で同調増幅器を構成している。５はマイクロストリッ
プラインによるへ波長先端開放線路Ｌ３（％波長先端短
絡線路、集中定数素子の容量を装荷したへ波長未満先端
開放線路でも等価）からなるトラップ回路である。DESCRIPTION OF EMBODIMENTS The configuration of an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Fig. 3 shows a high frequency circuit employing a trap circuit according to an embodiment of the present invention, and Fig. 4 shows a specific circuit diagram of Fig. 3. In the figure, 1 indicates an input matching which performs impedance matching and tuning of the input section.・This is a tuned circuit, which is a resonator in which a microstrip line L1 (using glass epoxy material) is loaded with a lumped element capacitor C1 (multilayer chip capacitor). Capacitor C2 is for coupling. 2 is a high frequency amplifier consisting of a high frequency transistor Q1, 3 is a bias supply circuit for the amplifier 2, and 4 is connected to the output side of the amplifier 2 and includes a capacitor c3. c4. This is an output matching/tuning circuit that performs impedance matching and tuning of the output section composed of the microstrip line L2. Above 1~
4 constitutes a tuned amplifier. Reference numeral 5 denotes a trap circuit consisting of a microstrip line with an open line at the end of the wavelength L3 (equivalent to a short-circuit line at the end of the wavelength, or an open line at the end less than the wavelength loaded with the capacitance of a lumped constant element).
本発明による実施例は、出力整合・同調回路４の出力取
り出し点をＲ，アースと接続している点をＰとすると、
点Ｐと点Ｒとの間の点Ｓにトラップ回路６を接続する。In the embodiment according to the present invention, let R be the output point of the output matching/tuning circuit 4, and P be the point connected to the ground.
A trap circuit 6 is connected to a point S between points P and R.
このように接続すると、トラ、プ周波数伺近では同調増
幅器としての負荷が極めて小さくなるため、増幅作用が
なくなり減衰する。一方、トラップ周波数付近以外では
、同調増幅器としての負荷となるため、充分利得が得ら
れる。しかも出力取り出し点Ｒから見ると、トラップ回
路５の接続点Ｓは、出力整合・同調回路４の中でタップ
をとったことに等しいので、トラップ周波数（近傍含む
）以外の領域では、見がけ上トラップ回路５の選択度が
高くなったと等価になり、第５図に示すように減衰量は
少なくなる。したがってトラップ回路単独のときよりも
、見かけ土、高選択度のトラップ回路として動作するの
である。土た点Ｓの位置を変えることにより、トラップ
の減衰量を任意に変えることができる。ただし最大減衰
量は、！・ラップ回路５の選択度により決する。When connected in this way, the load on the tuned amplifier becomes extremely small near the high and low frequencies, so the amplification effect disappears and attenuation occurs. On the other hand, at frequencies other than the vicinity of the trap frequency, sufficient gain can be obtained since it becomes a load for the tuned amplifier. Moreover, when viewed from the output extraction point R, the connection point S of the trap circuit 5 is equivalent to a tap in the output matching/tuning circuit 4, so in the region other than the trap frequency (including the vicinity), it appears that This is equivalent to increasing the selectivity of the trap circuit 5, and the amount of attenuation decreases as shown in FIG. Therefore, it operates as a trap circuit with higher selectivity than when the trap circuit is used alone. By changing the position of the soil point S, the amount of attenuation of the trap can be changed arbitrarily. However, the maximum attenuation is! -Determined by the selectivity of the wrap circuit 5.
発明の効果
本発明は上記のような構成であり、以下に示す効果が得
られるものである。Effects of the Invention The present invention has the above-described configuration, and provides the following effects.
（ａ）トラップ回路に空洞共振器などの高価な部品を使
用せずに、安価な部品（同軸リジンドケーブル、ガラス
エポキシ材上のマイクロストリップラインあるいは積層
型チップコンデンサなど）で、十分実用的（８００ＭＨ
ｚ減衰量約３０ｄＢ、３ｄＢ帯域幅９００ ＭＨｚ±５
０’ ＭＨｚ ）な特性が得られる。(a) The trap circuit does not use expensive components such as cavity resonators, but is sufficiently practical ( 800MH
Z attenuation approximately 30dB, 3dB bandwidth 900MHz±5
0' MHz) characteristics are obtained.
（ｂ）トラップ回路の接続点を変えることにより、減衰
量と必要帯域幅を変えることができる。(b) By changing the connection point of the trap circuit, the amount of attenuation and required bandwidth can be changed.
第１図は特性インピーダンスｚ０の伝送線路をインピー
ダンスＺＲで終端した結線図、第２図は明の一実施例の
トラップ回路を採用した高周波回路のブロック図、第４
図は第３図の具体的回路図、１・・・・・・入力整合・
同調回路、２・・・・・高周波増幅器、３・・・・・・
バイアス結合回路、４・・・・・・出力整合・結合回路
、５・・・・トラップ回路、Ｃ１〜Ｃ４・・・・・コン
デンサ、Ｑｌ・・・トランジスタ、Ｌ１〜Ｌ３ ・・
マイクロストリップライン。
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
α
第２図
第３図
４図
第５０Fig. 1 is a connection diagram in which a transmission line with characteristic impedance z0 is terminated with impedance ZR, Fig. 2 is a block diagram of a high-frequency circuit employing a trap circuit according to an embodiment of the present invention, and Fig. 4
The figure is a specific circuit diagram of Figure 3, 1... Input matching
Tuned circuit, 2...High frequency amplifier, 3...
Bias coupling circuit, 4...Output matching/coupling circuit, 5...Trap circuit, C1-C4...Capacitor, Ql...Transistor, L1-L3...
microstrip line. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and 1 other person No. 1
Figure α Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 50
Claims (2)
を出力整合同調増幅器に接続してなるトラップ回路。(1) A trap circuit consisting of a 3A wavelength open-ended line or an equivalent line connected to an output matching tuned amplifier.
、出力整合同調増幅器を構成するマイクロストリップラ
インの一部に接続してなる特許請求の範囲第１項記載の
トラップ回路。(2) The trap circuit according to claim 1, wherein a C wavelength open-ended line or a line equivalent thereto is connected to a part of a microstrip line constituting an output matching tuned amplifier.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070313A JPS59194501A (en) | 1983-04-20 | 1983-04-20 | Trap circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070313A JPS59194501A (en) | 1983-04-20 | 1983-04-20 | Trap circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59194501A true JPS59194501A (en) | 1984-11-05 |
| JPH0134483B2 JPH0134483B2 (en) | 1989-07-19 |
Family
ID=13427834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58070313A Granted JPS59194501A (en) | 1983-04-20 | 1983-04-20 | Trap circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59194501A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6314501A (en) * | 1986-07-07 | 1988-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | high frequency filter |
| EP0614242A1 (en) * | 1993-03-03 | 1994-09-07 | Lk-Products Oy | Electrical filter |
| EP0614243A1 (en) * | 1993-03-03 | 1994-09-07 | Lk-Products Oy | Electrical filter |
-
1983
- 1983-04-20 JP JP58070313A patent/JPS59194501A/en active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6314501A (en) * | 1986-07-07 | 1988-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | high frequency filter |
| EP0614242A1 (en) * | 1993-03-03 | 1994-09-07 | Lk-Products Oy | Electrical filter |
| EP0614243A1 (en) * | 1993-03-03 | 1994-09-07 | Lk-Products Oy | Electrical filter |
| US5467065A (en) * | 1993-03-03 | 1995-11-14 | Lk-Products Oy | Filter having resonators coupled by a saw filter and a duplex filter formed therefrom |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0134483B2 (en) | 1989-07-19 |
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