JPS59195546A - プラズマｃｖｄ法におけるプラズマ発生方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ法におけるプラズマ発生方法Info
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- JPS59195546A JPS59195546A JP6617083A JP6617083A JPS59195546A JP S59195546 A JPS59195546 A JP S59195546A JP 6617083 A JP6617083 A JP 6617083A JP 6617083 A JP6617083 A JP 6617083A JP S59195546 A JPS59195546 A JP S59195546A
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- JP
- Japan
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- plasma
- magnetic field
- waveguide
- pipe
- glass pipe
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
- C03B37/01815—Reactant deposition burners or deposition heating means
- C03B37/01823—Plasma deposition burners or heating means
- C03B37/0183—Plasma deposition burners or heating means for plasma within a tube substrate
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- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマＣＶＤ法におけるプラズマ発生方法に
関する。
関する。
光フアイバ用、ロンドレンズ用などの母材を製造する手
段の１つにプラズマＣＶＤ法がある。
段の１つにプラズマＣＶＤ法がある。
一般的なプラズマＣＶＤ法では、サブストレイト（基材
）としてのガラスパイプ内にガラス成分、酸素等を含む
原料ガスを供給してこれをプラズマ発生熱により酸化反
応させ、その反応生成物たるスート状のガラス微粉末を
上記ガラスパイプ内周に堆積させると同時にガラス化し
てガラス層を形成し、以下、こうして所定厚のガラス層
が内周に形成された後のガラスフζイブを高温の熱処理
によりフラプスして棒状のガラス制（前述した母材）と
している。
）としてのガラスパイプ内にガラス成分、酸素等を含む
原料ガスを供給してこれをプラズマ発生熱により酸化反
応させ、その反応生成物たるスート状のガラス微粉末を
上記ガラスパイプ内周に堆積させると同時にガラス化し
てガラス層を形成し、以下、こうして所定厚のガラス層
が内周に形成された後のガラスフζイブを高温の熱処理
によりフラプスして棒状のガラス制（前述した母材）と
している。
従来、この種のＣＶＤ法におけるプラズマの発生手段と
しては第１図、第２図に例示する方法が採用されている
。
しては第１図、第２図に例示する方法が採用されている
。
第１図の場合は長手方向に移動自在な空洞共１辰器（ギ
ャビテイ）１を外周に備えた電気加熱炉２内にガラスパ
イプ３を配ｊ４するとどもに上記空洞共振器１を介した
高周波電界の印加によりガラスパイプ３内にプラズマＰ
を発生させ、その空洞共振器１の移動によりプラズマｐ
ｆニガラスバイブ１の長手方向へ移動させている。
ャビテイ）１を外周に備えた電気加熱炉２内にガラスパ
イプ３を配ｊ４するとどもに上記空洞共振器１を介した
高周波電界の印加によりガラスパイプ３内にプラズマＰ
を発生させ、その空洞共振器１の移動によりプラズマｐ
ｆニガラスバイブ１の長手方向へ移動させている。
もちろんこの際、原料供給系からガラスパイプ１内に原
料ガスが供給され、さらに排気系を升してガラスパイプ
１が真空吸引される。
料ガスが供給され、さらに排気系を升してガラスパイプ
１が真空吸引される。
上記第１図の場合、電気加熱炉２１こよるガラスパイプ
加熱効果は得られるが、空洞共振器１とガラスパイプ３
との間に当該加熱炉２すなわち導体が介在しているため
、放電プラズマに−Ｉうえられる高周波電力が正確に測
定できないばかりか、空洞共振器１、ガラスパイプ３相
互の口径差が必然的に大きくなってしまい、その結果、
ガラスパイプ３のプラズマ発生箇所に電界が集中し難く
、低出力状態での放電が満足に行なえなくなっている。
加熱効果は得られるが、空洞共振器１とガラスパイプ３
との間に当該加熱炉２すなわち導体が介在しているため
、放電プラズマに−Ｉうえられる高周波電力が正確に測
定できないばかりか、空洞共振器１、ガラスパイプ３相
互の口径差が必然的に大きくなってしまい、その結果、
ガラスパイプ３のプラズマ発生箇所に電界が集中し難く
、低出力状態での放電が満足に行なえなくなっている。
また、電気加熱炉２の外周を断熱材で覆ったりすると上
記口径差がさらに大きくなり、その断熱材を省略した場
合には該加熱炉２による加熱効果が低下し、ガラスパイ
プ３の温度ムラも生じる。
記口径差がさらに大きくなり、その断熱材を省略した場
合には該加熱炉２による加熱効果が低下し、ガラスパイ
プ３の温度ムラも生じる。
一方、第２図の場合は、ガラスパイプ３の外周に直接空
洞共振器１を配置し、かつ、該空洞共振器１の両端に短
尺の電気加熱炉２．２を備えつけたものであるが、この
第２図の場合、前述した外径差は解消されるものの、電
気加熱ハ２．２が短尺であるため強力なガラスパイプ加
熱効果が期待できず、したがって空洞共振器１の移動速
度は低速化せざるを得す、それ故製造能率が低下する。
洞共振器１を配置し、かつ、該空洞共振器１の両端に短
尺の電気加熱炉２．２を備えつけたものであるが、この
第２図の場合、前述した外径差は解消されるものの、電
気加熱ハ２．２が短尺であるため強力なガラスパイプ加
熱効果が期待できず、したがって空洞共振器１の移動速
度は低速化せざるを得す、それ故製造能率が低下する。
オた、第２図において電気加熱炉２．２付空洞共振器１
のストロークをＬとした場合、その加熱炉２．２の長さ
分だけ空洞共振器１の有効ストロークが減じられてし寸
い、これにともないガラスパイプ３の有効長も減少する
ので、製品の歩と１りも悪くなる。
のストロークをＬとした場合、その加熱炉２．２の長さ
分だけ空洞共振器１の有効ストロークが減じられてし寸
い、これにともないガラスパイプ３の有効長も減少する
ので、製品の歩と１りも悪くなる。
本発明は上記の問題点に対処すべく、安定したプラズマ
発生とその発生熱による充分なガラスパイプ加熱効果と
が確保でき、プラズマＣＶＩ）法が効率よ〈実施できる
方法を提供せんとするイ）のである。
発生とその発生熱による充分なガラスパイプ加熱効果と
が確保でき、プラズマＣＶＩ）法が効率よ〈実施できる
方法を提供せんとするイ）のである。
以下、本発明の具体的方法を図示の実施１＋υζこ基づ
いて説明する。
いて説明する。
第３図において、１ｏは非磁性体からなる導θＶ管であ
り、その一端にはマイクロ波の発生源（図示せず）が接
続され、他端にはダミーロード（図）Ｊミせず）が備え
られている。
り、その一端にはマイクロ波の発生源（図示せず）が接
続され、他端にはダミーロード（図）Ｊミせず）が備え
られている。
１１は導波管１０の外周に設けられ、ｌと加熱炉てあり
、この加熱炉１１け既述の電気加熱式となっている。
、この加熱炉１１け既述の電気加熱式となっている。
１２は後述するマイクロ波の電子サイクロトロン共鳴（
Ｅ ＣＲ）現象を起こさせるため、上記導波管１０を被
包している加熱炉１１の外周に設けられたリング状のマ
グネントであり、このマグネット１２は直流磁場発生用
の磁気コイル１３を中ノし・に備え、かつ、ミラー磁場
発生用の磁気コイル１４ａ、１４ｂｆ：両側に備えてお
り、しかもこのマグネット１２は導波管１ｏの長手方向
に沿って移動自在となっている。
Ｅ ＣＲ）現象を起こさせるため、上記導波管１０を被
包している加熱炉１１の外周に設けられたリング状のマ
グネントであり、このマグネット１２は直流磁場発生用
の磁気コイル１３を中ノし・に備え、かつ、ミラー磁場
発生用の磁気コイル１４ａ、１４ｂｆ：両側に備えてお
り、しかもこのマグネット１２は導波管１ｏの長手方向
に沿って移動自在となっている。
１６は石英系のガラスパイプである。
本発明では第３図において号ゲストレイトとしてのガラ
スパイプ１５をＴＥ１１１ モード伝送型とした導波
管１ｏ内に配置しておき、該導波管１ｏを介してマイク
ｄ波発生源からのマイクロ波（２４５０ＭＨｚ）をガラ
スパイプ１６すなわち放電管内に導入してマイクロ波放
電を８こさせ、同時にマダイ・ット１２の磁気コイル１
３によりガラスパイプ１５＋こ直流磁界を印加してその
パイプ１６内を有磁場の状態とする。
スパイプ１５をＴＥ１１１ モード伝送型とした導波
管１ｏ内に配置しておき、該導波管１ｏを介してマイク
ｄ波発生源からのマイクロ波（２４５０ＭＨｚ）をガラ
スパイプ１６すなわち放電管内に導入してマイクロ波放
電を８こさせ、同時にマダイ・ット１２の磁気コイル１
３によりガラスパイプ１５＋こ直流磁界を印加してその
パイプ１６内を有磁場の状態とする。
こうした有磁場マイクロ放電では、電子のすイクロトロ
ン運動とマイクロ波との共鳴現象（ｇｃ＊を現象）によ
りガラスパイプ１６内にプラズマＰが発生する。
ン運動とマイクロ波との共鳴現象（ｇｃ＊を現象）によ
りガラスパイプ１６内にプラズマＰが発生する。
したがって原料供給系からガラスパイプ１６内へ供給さ
れた原料ガスは上記プラズマＰの発生熱を介して酸化反
応し、かつ、ガラス化されてガラスパイプ１５の内周面
に堆積されるが、この際、マグネット１２はガラスパイ
プ１５の長手方向に往復動されることとなり、これによ
りガラスパイプ１６の内周長手方向にガラス層が形成さ
れる。
れた原料ガスは上記プラズマＰの発生熱を介して酸化反
応し、かつ、ガラス化されてガラスパイプ１５の内周面
に堆積されるが、この際、マグネット１２はガラスパイ
プ１５の長手方向に往復動されることとなり、これによ
りガラスパイプ１６の内周長手方向にガラス層が形成さ
れる。
上記において２４５０ Ｍ Ｈｚのマイクロ波電源を用
いた場合、ＥＣＲ条件を満す磁界は次式で明らかなよう
に８７５ガウス（Ｇａｕｓｓ ） であり、放電管で
あるガラスパイプ１６には約８７５ガウスの直流磁界を
加える。
いた場合、ＥＣＲ条件を満す磁界は次式で明らかなよう
に８７５ガウス（Ｇａｕｓｓ ） であり、放電管で
あるガラスパイプ１６には約８７５ガウスの直流磁界を
加える。
ｗ−ｗｃ串・・・・ｅ（１）
一皿・・・・・・（２）
Ｃ−ｍ
なお、上記式中、ＷＩｌ’１マイクロ波角周波数、ｗｃ
は電子サイクロトロン角周波数、ｅは電荷、Ｂは磁
束密度、ｍは電子質量である。
は電子サイクロトロン角周波数、ｅは電荷、Ｂは磁
束密度、ｍは電子質量である。
上記プラズマＣＶＤ法を実施するとき、ガラスパイプ１
６は加熱炉１１を介して加熱され、さらにこの際ガラス
パイプ１６が回転されることもある。
６は加熱炉１１を介して加熱され、さらにこの際ガラス
パイプ１６が回転されることもある。
ガラスパイプ１５内に供給される原料ガスとしては５ｉ
Ｃ６４、ＳｉＨ４、ＳｉＢｒ４．５ｉＨＣ６３、Ｓ ｉ
（００２Ｈ５） などが用いられ、かつ、該原料中
にはこれをガラス化した際の所望屈折率や熱的特性を得
るため、Ｇｅｓ Ｐｓ Ｂｓ Ｔｉ５Ｔａｓ Ｚｒ、、
、Ａｔｓ Ｓｂｓ Ｆなどによる気相のビー５プ剤（
化合物）が用いられ、さらにこれら原料、ドープ剤のキ
ャリアガスとしてはＡ ｒ ｓＨｅ １Ｎ ２などの不
活性ガス、あるいは０２ガス、もしくはこれらの混合ガ
スが用いられる。
Ｃ６４、ＳｉＨ４、ＳｉＢｒ４．５ｉＨＣ６３、Ｓ ｉ
（００２Ｈ５） などが用いられ、かつ、該原料中
にはこれをガラス化した際の所望屈折率や熱的特性を得
るため、Ｇｅｓ Ｐｓ Ｂｓ Ｔｉ５Ｔａｓ Ｚｒ、、
、Ａｔｓ Ｓｂｓ Ｆなどによる気相のビー５プ剤（
化合物）が用いられ、さらにこれら原料、ドープ剤のキ
ャリアガスとしてはＡ ｒ ｓＨｅ １Ｎ ２などの不
活性ガス、あるいは０２ガス、もしくはこれらの混合ガ
スが用いられる。
一方、上記プラズマＣＶＤ法を実施する際の排気系は、
線系に備えられた真空ポンプによりガラスパイプ１５内
を排気することとなり、該排気系はそのパイプ１６内を
所定圧に減圧する。
線系に備えられた真空ポンプによりガラスパイプ１５内
を排気することとなり、該排気系はそのパイプ１６内を
所定圧に減圧する。
電離用ガスとしてはＡｒがガラスパイプ１６内に供給さ
れる。
れる。
さらにマグネット１２の磁気コイル１４ａ１１４ｂはミ
ラー磁場をつくることとなり、そのミラー磁場合は発生
した前記プラズマＰを有効に集めるととも（こ定在波の
立ち上がりを抑制してマイクロ波放電を安定化させる。
ラー磁場をつくることとなり、そのミラー磁場合は発生
した前記プラズマＰを有効に集めるととも（こ定在波の
立ち上がりを抑制してマイクロ波放電を安定化させる。
具体例
ガラスパイプ１６として全長１４００ｍｍ、内径１７ｍ
＋ｎ、外径２０＋ｍｎの高純度石英ガラス管を用いた。
＋ｎ、外径２０＋ｍｎの高純度石英ガラス管を用いた。
加熱炉１１の温度は約１２１１０ ℃に設定した。
はじめ、ガラスパイプ１６内にＨ８１Ｃｔ。
（原料ガス） ： ３０ ｓｅｃｍを０２ （酸素ガ
ス）： ３００ ｓｅｃｍ とともに供給し、ついで
０２流亀を一定に保持しながら５ｉＣｔ４ ：２１ｓｃ
ｃｍＳＳｉＦ４（低屈折率ドープ剤） ： ９ ｓｅｃ
ｍ を供給し、これらを既］ホのごとくプラズマＣＶＤ
反応させるとともにガラス化してクラッド用ガラス層を
上記ガラスパイプ１６の内周に堆積させ、その後、０２
流電はそのままとし、５ｉＣ６２を徐々に増加させると
ともにＳ ｉ Ｆ４を徐々に減少させてプラズマＣＶＤ
反応ならびにガラス化し、これにより上記クラッド用ガ
ラス層の内周に２垂分布の屈折率をもつコア用ガラス層
を堆積させた。
ス）： ３００ ｓｅｃｍ とともに供給し、ついで
０２流亀を一定に保持しながら５ｉＣｔ４ ：２１ｓｃ
ｃｍＳＳｉＦ４（低屈折率ドープ剤） ： ９ ｓｅｃ
ｍ を供給し、これらを既］ホのごとくプラズマＣＶＤ
反応させるとともにガラス化してクラッド用ガラス層を
上記ガラスパイプ１６の内周に堆積させ、その後、０２
流電はそのままとし、５ｉＣ６２を徐々に増加させると
ともにＳ ｉ Ｆ４を徐々に減少させてプラズマＣＶＤ
反応ならびにガラス化し、これにより上記クラッド用ガ
ラス層の内周に２垂分布の屈折率をもつコア用ガラス層
を堆積させた。
この際、電離用ガスとしてＡ ｒ ： ５０ ｓｅｃｍ
をガラスパイプ１６内に供給し、同パイプ１６内が常時
１０ ｔｏｒｒ となるよう、排気系の真空ポンプで排
気した。
をガラスパイプ１６内に供給し、同パイプ１６内が常時
１０ ｔｏｒｒ となるよう、排気系の真空ポンプで排
気した。
さらにマイクロ波電源は前記のとと（２４５０ＭＨｚと
し、導波管１ｏへの入力は３５０Ｗとした。
し、導波管１ｏへの入力は３５０Ｗとした。
クラッド用ガラス層の堆積回数は１２００回、コア用ガ
ラス層の堆積回数は１５００回であり、磁気コイル１３
および１４ａ、１４ｂを装備したマグネット１２のガラ
スパイプ長手方向に沿、う移動速度は４．５戦−とした
。
ラス層の堆積回数は１５００回であり、磁気コイル１３
および１４ａ、１４ｂを装備したマグネット１２のガラ
スパイプ長手方向に沿、う移動速度は４．５戦−とした
。
上記ガラス堆積後のガラスパイプ１６を熱処理によりコ
ラプスして外径１８ｗｎ５長さ１０００咽のプリフォー
ムロッドとし、さらにジルコニア製炉、シ・びをもつ誘
電加熱炉を介して上記プリフォームロッドを紡糸して外
径１２５ ｐｍ 、コアｉ％ ４５７ｂｍの光ファイバ
をつくったところ、その開口数Ｖ１０．２２であり、そ
の最低損失は２ ｄＢ／Ｋｍ （λ＝ １．０５１ｂｍ
）であった。
ラプスして外径１８ｗｎ５長さ１０００咽のプリフォー
ムロッドとし、さらにジルコニア製炉、シ・びをもつ誘
電加熱炉を介して上記プリフォームロッドを紡糸して外
径１２５ ｐｍ 、コアｉ％ ４５７ｂｍの光ファイバ
をつくったところ、その開口数Ｖ１０．２２であり、そ
の最低損失は２ ｄＢ／Ｋｍ （λ＝ １．０５１ｂｍ
）であった。
この光ファイバの場合、高屈折率用ドープ剤を全くイイ
することなしに所定の屈折率分布を備え−Ｃいる。
することなしに所定の屈折率分布を備え−Ｃいる。
以上説明した通り、本発明はガラス成分、酸素等を含む
原料ガスをガラスパイプ内へ供給し、該ガラスパイプ内
の原料ガスをプラズマの発生熱により酸化反応ならび（
こガラス化してそのパイプ内周にガラス層を堆積させる
プラズマＣＶＤ法（こおいて、磁気コイルを有するマグ
ネットを外周ｌこ備えた導波管内に上記ガラスパイプを
配置しておき、導波ｖｆ：介して導入したマイクロ波に
よりガラスパイプ内にマイクロ波放電を起こさせるとと
もにマグネットを介してガラス層 ・イブ内に直流磁場
を発生させ、その有磁場でのマイクロ波放電により電子
サイクロトロン共鳴現象を起こさせて上記ガラスパイプ
内にプラズマを発生させることを特徴としているから、
低出力のマイクロ波放電であってもＥＣＲ現象により加
熱効果の高いプラズマを発生させることができ、したが
つＣマグネットを早い速度で移動させながら効率のよい
ＣＶＤ反応が行なえ、ミラー磁場を併用することもでき
るから、プラズマを有効に集めたり、マイクロ波放電を
安定化させることも簡易に実施できる。
原料ガスをガラスパイプ内へ供給し、該ガラスパイプ内
の原料ガスをプラズマの発生熱により酸化反応ならび（
こガラス化してそのパイプ内周にガラス層を堆積させる
プラズマＣＶＤ法（こおいて、磁気コイルを有するマグ
ネットを外周ｌこ備えた導波管内に上記ガラスパイプを
配置しておき、導波ｖｆ：介して導入したマイクロ波に
よりガラスパイプ内にマイクロ波放電を起こさせるとと
もにマグネットを介してガラス層 ・イブ内に直流磁場
を発生させ、その有磁場でのマイクロ波放電により電子
サイクロトロン共鳴現象を起こさせて上記ガラスパイプ
内にプラズマを発生させることを特徴としているから、
低出力のマイクロ波放電であってもＥＣＲ現象により加
熱効果の高いプラズマを発生させることができ、したが
つＣマグネットを早い速度で移動させながら効率のよい
ＣＶＤ反応が行なえ、ミラー磁場を併用することもでき
るから、プラズマを有効に集めたり、マイクロ波放電を
安定化させることも簡易に実施できる。
さらにＣＶＤ反応時にガラスパイプの加熱を要するとき
、導波管外周に加熱炉を備えておくだけでよく１、該加
熱炉がプラズマの発生を阻害するようなこともなく、シ
かもマグネットは導波管内にあるガラスパイプの有効長
全域にわたって移動させることができるから、製品の歩
どまりも向上する〇
、導波管外周に加熱炉を備えておくだけでよく１、該加
熱炉がプラズマの発生を阻害するようなこともなく、シ
かもマグネットは導波管内にあるガラスパイプの有効長
全域にわたって移動させることができるから、製品の歩
どまりも向上する〇
第１図、第２図は従来法の略示説明図、第３図は本発明
方法の１実施例を略示した説明図である。 １０・・・・・導波管 １１・・・・・加熱炉 １２・・Φψ・マグネット １３＠・−・磁気コイル １４ａ、 １４ｂ ｅ・・９・ミラー磁場発生用磁気コ
イル１６・・・・・ガラスパイプ
方法の１実施例を略示した説明図である。 １０・・・・・導波管 １１・・・・・加熱炉 １２・・Φψ・マグネット １３＠・−・磁気コイル １４ａ、 １４ｂ ｅ・・９・ミラー磁場発生用磁気コ
イル１６・・・・・ガラスパイプ
Claims (3)
- （１） ガラス成分、酸素等を含む原料ガスをガラス
パイプ内へ供給し、該ガラス層ζイブ内の原料ガスをプ
ラズマの発生熱により酸化反応ならびにガラス化してそ
のノ（イブ内周にガラス層を堆積させるプラズマＣＶＤ
法において、（１Ｇ気コイルを有するマグネットを外周
に備えた導波管内に上記ガラスパイプを配置しておき、
導波管を介して導入したマイクロ波により、ガラスパイ
プ内にマイクロ波放電を起こさせるとともにマグネット
を介してガラス、Ｃイブ内に直流磁場を発生させ、その
有磁場でのマイクロ波放電により電子サイクロトロン共
鳴現象を起こさせて上記ガラス層くイブ内にプラズマを
発生させるプラズマＣＶＤ法に督けるプラズマ発生方法
。 - （２） マグネットは直流磁場を発生させるための磁
気コイルと、該磁気コイルの両側にあってミラー磁場を
発生させるための磁気コイルとを備えている特許請求の
範囲第１項記載のプラズマＣＶＤ法におけるプラズマ発
生方法。 - （３） 導波管はその外周に筒状の加熱炉を備えてい
る特許請求の範囲第１項記載のプラズマＣＶＤ法におけ
るプラズマ発生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6617083A JPS59195546A (ja) | 1983-04-14 | 1983-04-14 | プラズマｃｖｄ法におけるプラズマ発生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6617083A JPS59195546A (ja) | 1983-04-14 | 1983-04-14 | プラズマｃｖｄ法におけるプラズマ発生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59195546A true JPS59195546A (ja) | 1984-11-06 |
Family
ID=13308101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6617083A Pending JPS59195546A (ja) | 1983-04-14 | 1983-04-14 | プラズマｃｖｄ法におけるプラズマ発生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59195546A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008144271A (ja) * | 2006-11-14 | 2008-06-26 | Draka Comteq Bv | Ｐｃｖｄ堆積プロセスを実施する装置および方法 |
| CN104078724A (zh) * | 2014-07-04 | 2014-10-01 | 芜湖航飞科技股份有限公司 | 一种等离子体数字移相器 |
-
1983
- 1983-04-14 JP JP6617083A patent/JPS59195546A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008144271A (ja) * | 2006-11-14 | 2008-06-26 | Draka Comteq Bv | Ｐｃｖｄ堆積プロセスを実施する装置および方法 |
| CN104078724A (zh) * | 2014-07-04 | 2014-10-01 | 芜湖航飞科技股份有限公司 | 一种等离子体数字移相器 |
| CN104078724B (zh) * | 2014-07-04 | 2016-08-24 | 芜湖航飞科技股份有限公司 | 一种等离子体数字移相器 |
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