JPS59198726A - Ｍｉｃ装置の製造方法 - Google Patents
Ｍｉｃ装置の製造方法Info
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- JPS59198726A JPS59198726A JP58073206A JP7320683A JPS59198726A JP S59198726 A JPS59198726 A JP S59198726A JP 58073206 A JP58073206 A JP 58073206A JP 7320683 A JP7320683 A JP 7320683A JP S59198726 A JPS59198726 A JP S59198726A
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- circuit
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/07331—Connecting techniques
- H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/351—Materials of die-attach connectors
- H10W72/352—Materials of die-attach connectors comprising metals or metalloids, e.g. solders
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- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（］）発明の技術分野
本発明は、ＭＩＣ装置の製造方法に係シ、特にＭＩＣ回
路とこれを搭載するメタルキャリアとのロー付け、若し
くはハンダ付けによる接合の冷却工程に関する。
路とこれを搭載するメタルキャリアとのロー付け、若し
くはハンダ付けによる接合の冷却工程に関する。
（２）技術の背景
Ｍ Ｉ Ｃ回路は、誘電体基板の一表面にマイクロスト
リップ・ライン及び必要な高周波回路を配し、一方裏面
には接地導体を形成した、マイクロ波、ミリ波等の高周
波回路である。また、斯かるＭＩｃ回路をメタルキャリ
アに搭載してＭＩＣ装置を梼成し、所定の筐体に設置し
ている。
リップ・ライン及び必要な高周波回路を配し、一方裏面
には接地導体を形成した、マイクロ波、ミリ波等の高周
波回路である。また、斯かるＭＩｃ回路をメタルキャリ
アに搭載してＭＩＣ装置を梼成し、所定の筐体に設置し
ている。
上記ｉｓ’ｉ Ｉ Ｃ回路は、セラミック等の硬質の基
板を用いるもので、ここに応力が加ることは、基板の機
械強度からみて好ましくない。また上述の如＜ＭＩＣ回
路のメタルキャリアとの接合面には、接地導体が形成さ
れておシ、装置の特性上両者の接合が均一で且つ密に行
なわれる必要がある。従って、特性に優れ、信頼性の高
いＭＩＣ装置を製造するためには、十分に注意を支払い
、ＭＩＣ回路とメタルキャリアとの接合を行う必要があ
る。
板を用いるもので、ここに応力が加ることは、基板の機
械強度からみて好ましくない。また上述の如＜ＭＩＣ回
路のメタルキャリアとの接合面には、接地導体が形成さ
れておシ、装置の特性上両者の接合が均一で且つ密に行
なわれる必要がある。従って、特性に優れ、信頼性の高
いＭＩＣ装置を製造するためには、十分に注意を支払い
、ＭＩＣ回路とメタルキャリアとの接合を行う必要があ
る。
（３）従来技術と問題点
通常、上記ＭＩＣ回路で用いられる誘電体基板は、アル
ミナセラミック、サファイア、フェライト等から成り、
またメタルキャリアとしては、放熱特性に優れた銅、銅
合金、及びアルミニューム等の材料が用いられる。両者
を接合するロー材としては（Ａｕ−８ｎ ） 、 （Ａ
ｕ −Ｇｅ ） ｔ （Ａｕ−３ｉ）合金、またノ・ン
ダ材としては（Ｓｎ −Ｐｂ ） ＝ （Ｉ ｎ −Ａ
ｇ −Ｐｂ ）合金が使用される。
ミナセラミック、サファイア、フェライト等から成り、
またメタルキャリアとしては、放熱特性に優れた銅、銅
合金、及びアルミニューム等の材料が用いられる。両者
を接合するロー材としては（Ａｕ−８ｎ ） 、 （Ａ
ｕ −Ｇｅ ） ｔ （Ａｕ−３ｉ）合金、またノ・ン
ダ材としては（Ｓｎ −Ｐｂ ） ＝ （Ｉ ｎ −Ａ
ｇ −Ｐｂ ）合金が使用される。
とこで、上記誘電体基板の熱膨率が、上記メタル・キャ
リアの約１／３〜１／４程度であるため、上記接合材の
硬化時（冷却工程時）に、周知のペイメタル現象でＭＩ
Ｃ回路及びメタルキャリアに反りを生ずることとなる。
リアの約１／３〜１／４程度であるため、上記接合材の
硬化時（冷却工程時）に、周知のペイメタル現象でＭＩ
Ｃ回路及びメタルキャリアに反りを生ずることとなる。
斯かるメタルキャリアの反りによシ両者間に間隙を生じ
た場合、回路の動作時に意図しない共振現象等を起こす
ことになる。また、上記ＭＩＣ回路の反りにより、引張
曲げ応力が基板表面に加わった場合、パターン調整時等
にＭ、ＩＣ回路につけられたキズに該応力が集中し、基
板を破壊することになる。
た場合、回路の動作時に意図しない共振現象等を起こす
ことになる。また、上記ＭＩＣ回路の反りにより、引張
曲げ応力が基板表面に加わった場合、パターン調整時等
にＭ、ＩＣ回路につけられたキズに該応力が集中し、基
板を破壊することになる。
尚、ＭＩＣ回路基板と、熱膨張率差の小さい材料、例え
ばコバール、アンバー、ニッケル合金を用いてメタルキ
ャリアを構成した場合、これらの材料はいずれも熱伝導
率の低いものであるため、メタルキャリアの放熱機能を
十分に発（ホさせることができない。
ばコバール、アンバー、ニッケル合金を用いてメタルキ
ャリアを構成した場合、これらの材料はいずれも熱伝導
率の低いものであるため、メタルキャリアの放熱機能を
十分に発（ホさせることができない。
（４）発明の目的
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み為されだもので
あって、ＭＩＣ回路及びメタルキャリアの反りを小さく
することを目的としている。。
あって、ＭＩＣ回路及びメタルキャリアの反りを小さく
することを目的としている。。
（５）発明の構成
まだ、上記発明の目的を達成するために、本発明に係る
ＭＩＣ装置の製造方法では、ＭＩＣ回路とメタルキャリ
アとのロー付け、若しくはノ・ンダ付けによる接合の冷
却工程に於いて、該メタルキャリアを放熱台上に置き冷
却するとともに、該ＭＩＣ回路上に加熱した高熱ブロッ
クを載せ、高温に保つようにしたことを特徴としている
。
ＭＩＣ装置の製造方法では、ＭＩＣ回路とメタルキャリ
アとのロー付け、若しくはノ・ンダ付けによる接合の冷
却工程に於いて、該メタルキャリアを放熱台上に置き冷
却するとともに、該ＭＩＣ回路上に加熱した高熱ブロッ
クを載せ、高温に保つようにしたことを特徴としている
。
（６）発明の実施例
以下、図面を参照して本発明の一笑雄側について説明を
する。
する。
第１図はＭＩＣ回路１とメタルキャリア５との接合工程
を示す図で、Ｍ■Ｃ回路１は、表面にマイクロストリッ
プライン４、共面に接地導体３が夫々形成された誘電体
基板２より成る。
を示す図で、Ｍ■Ｃ回路１は、表面にマイクロストリッ
プライン４、共面に接地導体３が夫々形成された誘電体
基板２より成る。
このＭＩＣ回路１をメタルキャリア５上に接合するに際
し、ロー材として使用される（Ａｕ−８ｎ）合金０の溶
融点（２８０℃）よりも高い温度にメタルキャリア５を
加熱する。斯かるメタルキャリア５の加熱は、ビータ７
を用いた加熱台８て行なわれ、また（Ａｕ−８ｎ）合金
６の酸化を防止するため、上記の加熱−接合工程は皇素
雰囲気中で行なわれる。その後、（Ａｕ −８ｎ ）合
金６が溶融した時点で、ＭＩＣ回路１を載せ、接合を行
なう。
し、ロー材として使用される（Ａｕ−８ｎ）合金０の溶
融点（２８０℃）よりも高い温度にメタルキャリア５を
加熱する。斯かるメタルキャリア５の加熱は、ビータ７
を用いた加熱台８て行なわれ、また（Ａｕ−８ｎ）合金
６の酸化を防止するため、上記の加熱−接合工程は皇素
雰囲気中で行なわれる。その後、（Ａｕ −８ｎ ）合
金６が溶融した時点で、ＭＩＣ回路１を載せ、接合を行
なう。
第２図は、上記接合工程後に行なわれる冷却工程を示す
図で、図中９は冷却のだめの放熱台、１０はＭＩＣ回路
１を加熱する加熱ブロックである。。
図で、図中９は冷却のだめの放熱台、１０はＭＩＣ回路
１を加熱する加熱ブロックである。。
（Ａｕ −Ｓｎ ）合金６′の溶融点は、前述の如く、
約２８０℃であるが、ＭＩＣ回路１とメタルキャリア５
の接合を拘束するのは、約２０゛０℃程度のロー材の硬
化時である。従って、斯かる硬化時にＭＩＣ回路１とメ
タルキャリア５が同一の温度であった場合、その後室温
にまで冷却した際に、両者の熱膨張の差が熱応力として
発生する。
約２８０℃であるが、ＭＩＣ回路１とメタルキャリア５
の接合を拘束するのは、約２０゛０℃程度のロー材の硬
化時である。従って、斯かる硬化時にＭＩＣ回路１とメ
タルキャリア５が同一の温度であった場合、その後室温
にまで冷却した際に、両者の熱膨張の差が熱応力として
発生する。
そこで、本発明では熱膨張率の小さいＭｉＣ回路１を、
加熱ブロック１０を用いて加熱し、（Ａ、ｕ −８ｎ）
合金６が硬化する際に、Ｍ工Ｃ回路１（誘電体基板２）
の温度を褐＜、メタルキャリア５の温度を低く保つよう
にしている。
加熱ブロック１０を用いて加熱し、（Ａ、ｕ −８ｎ）
合金６が硬化する際に、Ｍ工Ｃ回路１（誘電体基板２）
の温度を褐＜、メタルキャリア５の温度を低く保つよう
にしている。
（７）発明の詳細
な説明したように、本発明にしれば、Ｍ■Ｃ回路とメタ
ルキャリアの熱膨張率の差に基く熱応力を小さくシ、接
合−冷却工程終了後のＭＩＣ回路とメタルキャリアの反
りを小さくすることができる。よって、熱伝導率の優れ
たメタルギヤリアを採用し、且つ反りの小ないＭＩＣ装
置が製造される。
ルキャリアの熱膨張率の差に基く熱応力を小さくシ、接
合−冷却工程終了後のＭＩＣ回路とメタルキャリアの反
りを小さくすることができる。よって、熱伝導率の優れ
たメタルギヤリアを採用し、且つ反りの小ないＭＩＣ装
置が製造される。
第１図は、Ｍ■−Ｃ回路と、メタルキャリアの接合工程
を、第２図は、その後の冷却工程を示す。 図中、１はＩｖＩＩＣ回路、２はお電体基板、３は接地
導体、４はマイクロストリップライン、５（ｄメタルキ
ャリア、６はロー材、１３ニヒータ、８は加熱台、９は
冷却台、ＩＩ］ｌ叶訓熱ブロックである。 代理人 弁理士 松 岡 宏四部 第１図 。 第２図
を、第２図は、その後の冷却工程を示す。 図中、１はＩｖＩＩＣ回路、２はお電体基板、３は接地
導体、４はマイクロストリップライン、５（ｄメタルキ
ャリア、６はロー材、１３ニヒータ、８は加熱台、９は
冷却台、ＩＩ］ｌ叶訓熱ブロックである。 代理人 弁理士 松 岡 宏四部 第１図 。 第２図
Claims (1)
- ＭＩＣ回路とメタルキャリアとのロー付け、遇しくけハ
ンダ付けによる接合の冷却工程に於いて、該メタルキャ
リアを放熱台上に置き冷却するとともに、該ＭＩＣ回路
上に加熱した高熱ブロックを載せ、高温に保つようにし
たことを特徴とするＭＩＣ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073206A JPS59198726A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | Ｍｉｃ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073206A JPS59198726A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | Ｍｉｃ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59198726A true JPS59198726A (ja) | 1984-11-10 |
Family
ID=13511440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58073206A Pending JPS59198726A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | Ｍｉｃ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59198726A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0357425A2 (en) | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | An exposure apparatus |
-
1983
- 1983-04-26 JP JP58073206A patent/JPS59198726A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0357425A2 (en) | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | An exposure apparatus |
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