JPS59199508A - テルル−ガリウム系非晶質化合物材料及びその製造法 - Google Patents
テルル−ガリウム系非晶質化合物材料及びその製造法Info
- Publication number
- JPS59199508A JPS59199508A JP7483683A JP7483683A JPS59199508A JP S59199508 A JPS59199508 A JP S59199508A JP 7483683 A JP7483683 A JP 7483683A JP 7483683 A JP7483683 A JP 7483683A JP S59199508 A JPS59199508 A JP S59199508A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gallium
- amorphous compound
- compound material
- melt
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/008—Salts of oxyacids of selenium or tellurium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/02—Amorphous compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/82—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by IR- or Raman-data
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/80—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases
- C01P2004/82—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases
- C01P2004/84—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases one phase coated with the other
- C01P2004/86—Thin layer coatings, i.e. the coating thickness being less than 0.1 time the particle radius
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/40—Electric properties
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規なテルル−ガリウム系非晶質化合物材料
及びその製造法に関する。
及びその製造法に関する。
近年エレクトロニクス及びその関連技術の発展に伴って
、二酸化テルル(Te02)を主とする酸化物系セラミ
クス及びその単結晶の研究が活発に行なわれており、特
に光−電気、音−電気、雰囲気ガス−電気、光音偏光、
X線分光等の分野における変換素子材料として、又触媒
材料、磁性材料等として研究が行なわれている。TeO
2とGa2e3との安定な化合物としては、数種の結晶
体について2〜3の文献に記載されてbるのみで、これ
等の単結晶化の研究はさかんに行なわれているものの、
非晶質化合物についての研究は行なわれていない。
、二酸化テルル(Te02)を主とする酸化物系セラミ
クス及びその単結晶の研究が活発に行なわれており、特
に光−電気、音−電気、雰囲気ガス−電気、光音偏光、
X線分光等の分野における変換素子材料として、又触媒
材料、磁性材料等として研究が行なわれている。TeO
2とGa2e3との安定な化合物としては、数種の結晶
体について2〜3の文献に記載されてbるのみで、これ
等の単結晶化の研究はさかんに行なわれているものの、
非晶質化合物についての研究は行なわれていない。
本発明は、従来全く知られていないテルル−ガリウム系
非晶質酸化物を提供するものである。即ち、本発明は、
(Te02)1−x −(Ga20s)X(但しO,1
,; 0≧X〉0)なる糸11成を有する新規なデルル
ーガリウノ・系非易灯化合物祠才F、及び(TeO2)
、 −、−(G a 203 ) X (但し冶よ
上記に同じ)に相当する二酸化テルル との混合物を加熱融解した後、超急冷することを特徴と
するテルル−ガリウム系非晶質化合物材料の製造方2ノ
、に係るものである。
非晶質酸化物を提供するものである。即ち、本発明は、
(Te02)1−x −(Ga20s)X(但しO,1
,; 0≧X〉0)なる糸11成を有する新規なデルル
ーガリウノ・系非易灯化合物祠才F、及び(TeO2)
、 −、−(G a 203 ) X (但し冶よ
上記に同じ)に相当する二酸化テルル との混合物を加熱融解した後、超急冷することを特徴と
するテルル−ガリウム系非晶質化合物材料の製造方2ノ
、に係るものである。
本発明のテ/L/ )v−ガリウム系非晶質酸化物は、
磁性材料、光応答性磁性素子、温度応答性磁性素子、磁
気メモリ材料、イオン伝導材料、磁気テープ、触媒、゛
yC透過性導電材料、誘電体材料、光−電気スイッチン
グ素子、熱−電気スイッチング素子等として有用である
。
磁性材料、光応答性磁性素子、温度応答性磁性素子、磁
気メモリ材料、イオン伝導材料、磁気テープ、触媒、゛
yC透過性導電材料、誘電体材料、光−電気スイッチン
グ素子、熱−電気スイッチング素子等として有用である
。
本発明は、ガに(Te02)、 −X − (Ga2
es)X(1巨し0.60≧X〉0)なる組成を有する
チルμmガリウム系非晶質化合物材料を、その結晶化温
度以下で加熱処理することを特徴とする配向・け多結晶
薄膜材料の製造方法をも提供するものであろ0 この様VこしC弓られる配向性多旋j晶薄膜材料(徒、
元メモリー材料、磁気メモリー材料、エレクトロクロミ
ック材4′S)、光スィッチ、光変調素子、焦電素子、
ノしLr Jアバイス、光導波路素子、光学ミラー、、
&面波デバイス、圧[I¥トランスジューサー、化.j
!!セン・ノー−、温湿度センサ−、触媒等として有用
?1′るる。
es)X(1巨し0.60≧X〉0)なる組成を有する
チルμmガリウム系非晶質化合物材料を、その結晶化温
度以下で加熱処理することを特徴とする配向・け多結晶
薄膜材料の製造方法をも提供するものであろ0 この様VこしC弓られる配向性多旋j晶薄膜材料(徒、
元メモリー材料、磁気メモリー材料、エレクトロクロミ
ック材4′S)、光スィッチ、光変調素子、焦電素子、
ノしLr Jアバイス、光導波路素子、光学ミラー、、
&面波デバイス、圧[I¥トランスジューサー、化.j
!!セン・ノー−、温湿度センサ−、触媒等として有用
?1′るる。
同、・ド発明においては、′テルルーガリウム系非晶貢
比隆物″と1゛・よ、非易ff単独の場合のみならず、
非晶質中に多結晶、)目をよむ!易合をも包含するもの
とする。
比隆物″と1゛・よ、非易ff単独の場合のみならず、
非晶質中に多結晶、)目をよむ!易合をも包含するもの
とする。
7N元明のテルル−ガリウム
以下の、葎にして製造される。
不発明にノ9いて使用する原料1〆ま、二酸化アルシル
と酸化ガリウムとの混合物であシ、その組成割合Qよ、
( Te02 )1−x − ( Ga203 )
x (但し0、60;≦x〉0)となる量比である。
と酸化ガリウムとの混合物であシ、その組成割合Qよ、
( Te02 )1−x − ( Ga203 )
x (但し0、60;≦x〉0)となる量比である。
上記組成比の原料混合物を加熱溶融し、これを超急冷す
る。
る。
加熱溶融は、これ等原料混合物が充分に溶融する温度以
上で行なえば良く、好ましくは溶融温度よりも50〜2
00℃高い温度範囲特に好ましくは80〜150℃高す
温度範囲で加熱する。加熱時の雰囲気に対する制限は特
に無く、通常空気中で行う。次いで原料混合物の融液を
超急冷する。超急冷は、本発明方法の必須の要件であっ
て、これによシはじめて非晶質新規化合物を収得するこ
とが出来る。超急冷は通常104〜b の冷却速度で行う。この超急冷は、上記冷却速度で冷却
出来る手段であれば広い範囲で各種の手段が採用出来、
高速回転中のロール表面上に原料混合物の融液を噴出し
て液体状態の原子配置にて固化せしめる方法を代表例と
して挙げることが出来る。
上で行なえば良く、好ましくは溶融温度よりも50〜2
00℃高い温度範囲特に好ましくは80〜150℃高す
温度範囲で加熱する。加熱時の雰囲気に対する制限は特
に無く、通常空気中で行う。次いで原料混合物の融液を
超急冷する。超急冷は、本発明方法の必須の要件であっ
て、これによシはじめて非晶質新規化合物を収得するこ
とが出来る。超急冷は通常104〜b の冷却速度で行う。この超急冷は、上記冷却速度で冷却
出来る手段であれば広い範囲で各種の手段が採用出来、
高速回転中のロール表面上に原料混合物の融液を噴出し
て液体状態の原子配置にて固化せしめる方法を代表例と
して挙げることが出来る。
以下図面を参照しつつ本発明方法の実施に際し使用され
る融解原料混合物の急冷装置の一例を説明する。
る融解原料混合物の急冷装置の一例を説明する。
第1図は、架台+1+上に設置された急冷装置本体(3
)の正a11図を示す。急冷装置は、誘電加熱用コイル
i5) 、 +51・・・、原料加熱用チューブ(7)
、該チューブ(7)の支持体(9)、融解原料噴出用の
ノズル01)、急冷用ロール03)、ノズルtillの
冷却用ノズル(+51.渦流防止エアノズルaη、ノズ
ル圓の微調整機構σω、エアシリンダー(2D1冷却さ
れた材料の受は箱(ハ)、冷却材料取出口(ロ)等を主
要構成部としている。冷却用ロール03)の内部に該ロ
ール冷却用のファンを設置し且つロール表面側端部に空
気吹込み口を設けることにより、融解原料の急冷を安定
して行なうことが出来る。第2図は、支持体(9)の詳
細を示す。
)の正a11図を示す。急冷装置は、誘電加熱用コイル
i5) 、 +51・・・、原料加熱用チューブ(7)
、該チューブ(7)の支持体(9)、融解原料噴出用の
ノズル01)、急冷用ロール03)、ノズルtillの
冷却用ノズル(+51.渦流防止エアノズルaη、ノズ
ル圓の微調整機構σω、エアシリンダー(2D1冷却さ
れた材料の受は箱(ハ)、冷却材料取出口(ロ)等を主
要構成部としている。冷却用ロール03)の内部に該ロ
ール冷却用のファンを設置し且つロール表面側端部に空
気吹込み口を設けることにより、融解原料の急冷を安定
して行なうことが出来る。第2図は、支持体(9)の詳
細を示す。
第2図において、支持体(9)は、パルプ(イ)を備え
た冷却水排出路凶、冷却水排出路+311、ニードルパ
ルプ時ヲ備えたブローエア導入路(至)、ロール(l(
至)の表面とノズル(11)との間隔微調整機構国及び
原料融液を」勾−に押出す為の整流用目皿G9)をイn
#えている。
た冷却水排出路凶、冷却水排出路+311、ニードルパ
ルプ時ヲ備えたブローエア導入路(至)、ロール(l(
至)の表面とノズル(11)との間隔微調整機構国及び
原料融液を」勾−に押出す為の整流用目皿G9)をイn
#えている。
第1図及び第2図に示す急冷装置(3)を使用して本発
明方法を実施する場合、まず所定組成の原料混合物を内
液吹出し用ノズ/i/(Illを有するチューブ(7)
内に収納する。このチューブ(7)は、高温酸化雰囲気
状態で充分耐久性のある材質で作られ、たとえば白金、
白金−ロジウム、イリジウム、窒化ケイ素、窒化ボロン
等で作られたものが好ましす。
明方法を実施する場合、まず所定組成の原料混合物を内
液吹出し用ノズ/i/(Illを有するチューブ(7)
内に収納する。このチューブ(7)は、高温酸化雰囲気
状態で充分耐久性のある材質で作られ、たとえば白金、
白金−ロジウム、イリジウム、窒化ケイ素、窒化ボロン
等で作られたものが好ましす。
尚、原料1融液と直接接触しない部分の材質は高融点の
セラミックス、ガラス、金属でも良b0ノズルロの形状
は目的製品に応じて適宜決定され、たとえば細騒線状材
料の場合は円い形状で、1】の広い製品の場合はスリッ
ト状の形状のものを使用する。ノズル口の形状は、楕円
形その他の形状であっても良い。チューブ(7)内に収
納された原料混合物は、次いでその融点以上の温度に加
熱され、融液とされた後ノズル(11の口部から高速回
転しているロール0国の面上に一定ガス圧にて吹出され
、ロール表面上で急冷せしめられる。ノズル口とロール
面における原料融液の吹出し角度は、目的化合物の巾が
約3mm以下の場合はロール面に対して垂直で良く、丑
だその巾が約3mm以上の場合はロール田i垂線に対し
て00〜45°である0これ等の吹出し角度調整西オj
・Yは、装置自体に所定の角度を設定可能な岐4’Jと
して組み込むことも出来るが、好まし7くはノズル自体
を加工しておくのが良い。
セラミックス、ガラス、金属でも良b0ノズルロの形状
は目的製品に応じて適宜決定され、たとえば細騒線状材
料の場合は円い形状で、1】の広い製品の場合はスリッ
ト状の形状のものを使用する。ノズル口の形状は、楕円
形その他の形状であっても良い。チューブ(7)内に収
納された原料混合物は、次いでその融点以上の温度に加
熱され、融液とされた後ノズル(11の口部から高速回
転しているロール0国の面上に一定ガス圧にて吹出され
、ロール表面上で急冷せしめられる。ノズル口とロール
面における原料融液の吹出し角度は、目的化合物の巾が
約3mm以下の場合はロール面に対して垂直で良く、丑
だその巾が約3mm以上の場合はロール田i垂線に対し
て00〜45°である0これ等の吹出し角度調整西オj
・Yは、装置自体に所定の角度を設定可能な岐4’Jと
して組み込むことも出来るが、好まし7くはノズル自体
を加工しておくのが良い。
1’ic料混合物の加熱方法は、特に制限されないが、
通常発熱体を有する炉、誘電加熱炉または集光加熱炉で
行う。原料融液の温度は、そのPツ(煮より50〜20
0℃好ましくは80〜150℃程度高い温度とするのが
良い。との際融点にあま、り遅過き゛ろと、融液4:ロ
ール面」二に吹き出している間にノズル附近で冷却固化
する恐れがあり、逆にあまり(竹も高くなりすぎると、
ロール面上での急冷が困難となる傾向がある。
通常発熱体を有する炉、誘電加熱炉または集光加熱炉で
行う。原料融液の温度は、そのPツ(煮より50〜20
0℃好ましくは80〜150℃程度高い温度とするのが
良い。との際融点にあま、り遅過き゛ろと、融液4:ロ
ール面」二に吹き出している間にノズル附近で冷却固化
する恐れがあり、逆にあまり(竹も高くなりすぎると、
ロール面上での急冷が困難となる傾向がある。
ロール面上に融液を吹き出すために使用する加圧用ガス
としては、不活性ガスが好1しく、たとえばアルゴン、
窒素、ヘリウム等でも良いが、融液原料を酸化状態に維
持する為には、乾燥圧縮空気が好ましい。ガス圧は、ノ
ズル口の大きさにもよるが、通常o、 1〜2.0 K
g/c m2 好ましくは0.5〜l、Q Kg/c
m2程度である。また原料融液を吹き出す際のノズル口
とロール面間の距離は、0、O1〜1.□mm程度が良
く、より好ましくは0.05〜0.5mm程度である。
としては、不活性ガスが好1しく、たとえばアルゴン、
窒素、ヘリウム等でも良いが、融液原料を酸化状態に維
持する為には、乾燥圧縮空気が好ましい。ガス圧は、ノ
ズル口の大きさにもよるが、通常o、 1〜2.0 K
g/c m2 好ましくは0.5〜l、Q Kg/c
m2程度である。また原料融液を吹き出す際のノズル口
とロール面間の距離は、0、O1〜1.□mm程度が良
く、より好ましくは0.05〜0.5mm程度である。
o、oimmよシも小さな場合、パドル量が非常に少な
くなシ、均一な材料が得られず、一方1.□mmよシも
大きい場合、パドル遣が過剰になったシ、又組成融液の
界面張力により形成されるパドル厚さ以上の場合には、
パドルが形成され難くなる傾向が生する場合がある。
くなシ、均一な材料が得られず、一方1.□mmよシも
大きい場合、パドル遣が過剰になったシ、又組成融液の
界面張力により形成されるパドル厚さ以上の場合には、
パドルが形成され難くなる傾向が生する場合がある。
ロールの材質は、熱伝導性の良い銅及びその合金、硬質
クロムメッキ層を有する上記材料、さらには鋼、ステン
レススチール等である。ロールの周速度を5m/秒〜3
6m/秒、好ましくは10m/秒〜20m/秒とし、原
料融液を急冷するととにより目的とする良質の非晶質化
合物材料が得られZ)。この際ロール周速度が5m/秒
以下の場合には、非晶π(化し難い傾向が生じるので、
あまり好4しくない。ロール周速度が35m/秒よシも
犬1くなる七、得られる目的物材料の形状が非′1・゛
ぐに薄に:¥化し、すべて鱗片状もしくは細粉状となる
が、材料イkr造的にはやけシ本発明の非晶質化合物材
料である。
クロムメッキ層を有する上記材料、さらには鋼、ステン
レススチール等である。ロールの周速度を5m/秒〜3
6m/秒、好ましくは10m/秒〜20m/秒とし、原
料融液を急冷するととにより目的とする良質の非晶質化
合物材料が得られZ)。この際ロール周速度が5m/秒
以下の場合には、非晶π(化し難い傾向が生じるので、
あまり好4しくない。ロール周速度が35m/秒よシも
犬1くなる七、得られる目的物材料の形状が非′1・゛
ぐに薄に:¥化し、すべて鱗片状もしくは細粉状となる
が、材料イkr造的にはやけシ本発明の非晶質化合物材
料である。
徹液原料を回転ロール面上へ吹き出す雰囲気として減圧
下乃至高真空下、又は不活性ガス雰囲気中で本発明化合
物の製造を行なう場合には、高温状態での原料僧液の還
元が発生し、組成原子中の酸素原子の減少が起り、得ら
れる材料に紫色もしくは黒色等の着色が発生する。しか
し乍ら、このX[色生成物も物性的には本発明化合物で
あシ、着色さiまた状態で使用可能である。
下乃至高真空下、又は不活性ガス雰囲気中で本発明化合
物の製造を行なう場合には、高温状態での原料僧液の還
元が発生し、組成原子中の酸素原子の減少が起り、得ら
れる材料に紫色もしくは黒色等の着色が発生する。しか
し乍ら、このX[色生成物も物性的には本発明化合物で
あシ、着色さiまた状態で使用可能である。
原料64合物をチューブ内で加熱溶融せしめるに際して
は、該混合物をすべて完全に融液化することが必要であ
る。しかし乍ら、該混合物が完全に融液化する前に、一
部融液化したものが、ノズル先端から流出してしまう恐
れがあるため、ノズル先端を局部的に冷却して融液の流
出を防止することが好ましい。ノズルを局部的に冷却す
る代表的手段は、ノズル先端に冷却用ガスを吹きつける
手段であシ、ガスとしてはアルゴン、ヘリウム、窒素等
の不活性ガスでも良いが、乾燥冷圧縮空気がよシ好まし
い。
は、該混合物をすべて完全に融液化することが必要であ
る。しかし乍ら、該混合物が完全に融液化する前に、一
部融液化したものが、ノズル先端から流出してしまう恐
れがあるため、ノズル先端を局部的に冷却して融液の流
出を防止することが好ましい。ノズルを局部的に冷却す
る代表的手段は、ノズル先端に冷却用ガスを吹きつける
手段であシ、ガスとしてはアルゴン、ヘリウム、窒素等
の不活性ガスでも良いが、乾燥冷圧縮空気がよシ好まし
い。
本発明に係る新規なる非晶質化合物材料は、通常50〜
10μm程度の厚さであり、非常にもろい材料である。
10μm程度の厚さであり、非常にもろい材料である。
このためロール面で急冷され、固体化された後、できる
限シ材料に応力が加えられな込状態にすることが好まし
い。応力付加となる原因の−?に大気中でのロール回転
により発生する風切シ現象からくるロール表面空気層の
大きな乱流がある。この乱流を防止するとともに急冷却
すべき溶融原料混合物とロール面との密着性をより良好
とするために、風切シ防止用向流吹出しノズル即ちm1
図に示す渦流防止エアノズル171を設置1)1するか
、ロール内部にファンを固定設置する。
限シ材料に応力が加えられな込状態にすることが好まし
い。応力付加となる原因の−?に大気中でのロール回転
により発生する風切シ現象からくるロール表面空気層の
大きな乱流がある。この乱流を防止するとともに急冷却
すべき溶融原料混合物とロール面との密着性をより良好
とするために、風切シ防止用向流吹出しノズル即ちm1
図に示す渦流防止エアノズル171を設置1)1するか
、ロール内部にファンを固定設置する。
後者の場合は、ロールの自転によシロール表面側端部に
設けられた口径可変式の空気導入口よりロール内部へ発
生する乱流をすい込み、ロール軸正面よシ排出し、ロー
ル表面上空気をロール内部へ移動せしめ、これによシ溶
融物をロール面へよシ押しつけ密着させ、さらに空気の
吹込み移動によりロール自体をも空冷することが出来る
。また得られる材料の寸法均一性を保持させるために、
ロール表面に回転方向とは直角に材料切断用の溝を設け
ておけば、一定寸法で切断された材料が得られる。
設けられた口径可変式の空気導入口よりロール内部へ発
生する乱流をすい込み、ロール軸正面よシ排出し、ロー
ル表面上空気をロール内部へ移動せしめ、これによシ溶
融物をロール面へよシ押しつけ密着させ、さらに空気の
吹込み移動によりロール自体をも空冷することが出来る
。また得られる材料の寸法均一性を保持させるために、
ロール表面に回転方向とは直角に材料切断用の溝を設け
ておけば、一定寸法で切断された材料が得られる。
本発明のテ/I//L/−ガリウム系化合物は、その原
料混合比によシ化合物の原子配列構造が大きく変化し、
具体的には以下の如くに大別される。先ず、0.35≧
x ) Qの場合には非晶質化合物i 00 tlpの
ものが得られ、0.60≧X:>0.35の範囲ではG
a2e3結晶相を含む配向性多結晶混在非晶質化合物が
得られ、又X)0.60ではGa2Og結晶相を主体と
する材料が得られる。第3図に本発明材料の生成範囲を
示す。
料混合比によシ化合物の原子配列構造が大きく変化し、
具体的には以下の如くに大別される。先ず、0.35≧
x ) Qの場合には非晶質化合物i 00 tlpの
ものが得られ、0.60≧X:>0.35の範囲ではG
a2e3結晶相を含む配向性多結晶混在非晶質化合物が
得られ、又X)0.60ではGa2Og結晶相を主体と
する材料が得られる。第3図に本発明材料の生成範囲を
示す。
使用する急冷装置の急冷用ロールの周速度が、5m/秒
〜35m/秒の範囲内では、各組成域に1・いて得もれ
る材料の構造自体には大きな変化は認められない。
〜35m/秒の範囲内では、各組成域に1・いて得もれ
る材料の構造自体には大きな変化は認められない。
本発明の配向性多結晶薄膜材料VX、、上述の様にして
得られl= (Te02)、−X −(Ga2es )
x(但し0.60≧X>’0)なる組成のテルル−ガリ
ウム 晶化源jぜ(Tc)を求めた後、該化合物祠料を・結晶
化温度以下の温度で所是時間熱処理することにより得ら
れる。尚、結晶化温度以下においても熱処理時間が長過
ぎる場合には非配向性の多結晶体となるので、この点に
関する留意が必要である。
得られl= (Te02)、−X −(Ga2es )
x(但し0.60≧X>’0)なる組成のテルル−ガリ
ウム 晶化源jぜ(Tc)を求めた後、該化合物祠料を・結晶
化温度以下の温度で所是時間熱処理することにより得ら
れる。尚、結晶化温度以下においても熱処理時間が長過
ぎる場合には非配向性の多結晶体となるので、この点に
関する留意が必要である。
例えば、(Te02) 1 x ・ (Ga203
)Xにおり−rX=0.30なるテルル−ガリウム系非
晶質fヒ合物材料の結晶化温度は、500℃であシ、こ
れを大気中で熱・肌理すると、条件によって下記の如き
14月/バ1′Nられる。
)Xにおり−rX=0.30なるテルル−ガリウム系非
晶質fヒ合物材料の結晶化温度は、500℃であシ、こ
れを大気中で熱・肌理すると、条件によって下記の如き
14月/バ1′Nられる。
1.500℃XIO分:配向性多結晶体2.500℃×
30分:多結晶体 3゜ 450℃XtO分:非晶質材料 4.41M]℃X30分=1・己向イ′L多:清[゛1
.−イホ5.450℃×60分:多結晶体 尚、本発明材料の構造の同定に際しでは、X線回折及び
飼光頑徴鏡により結晶性の翁1!(の確認及び構造解析
を行ない、走査型電子顕微i:χにより極少815分の
観察をjうなった。
30分:多結晶体 3゜ 450℃XtO分:非晶質材料 4.41M]℃X30分=1・己向イ′L多:清[゛1
.−イホ5.450℃×60分:多結晶体 尚、本発明材料の構造の同定に際しでは、X線回折及び
飼光頑徴鏡により結晶性の翁1!(の確認及び構造解析
を行ない、走査型電子顕微i:χにより極少815分の
観察をjうなった。
J−7、下′実施f′/ll(・てF、シ水うr;明の
特r□文とするところをより )’、il明Cつかに
する。
特r□文とするところをより )’、il明Cつかに
する。
ジざM、i例I
TaO2(純度99.9 % )及びGaz03(純度
99.996)を所定の組成で配合し、均一に混合した
後、850℃で30分間仮焼して組成物原料とした。得
られた組成物原料を白金チューブ(直径10mmX長さ
150 mm )に充填し、誘電加熱コイル内に設置し
て、発振管繊条電圧13V、陽極電圧IQKV、格子電
流120〜150mA。
99.996)を所定の組成で配合し、均一に混合した
後、850℃で30分間仮焼して組成物原料とした。得
られた組成物原料を白金チューブ(直径10mmX長さ
150 mm )に充填し、誘電加熱コイル内に設置し
て、発振管繊条電圧13V、陽極電圧IQKV、格子電
流120〜150mA。
@極電流1.2〜1.8Aの条件下に誘電加熱した0完
全に融液化した原料を急冷用回転ロール表面上に乾燥圧
縮空気によシ吹き出し、急冷させた。
全に融液化した原料を急冷用回転ロール表面上に乾燥圧
縮空気によシ吹き出し、急冷させた。
第1表及び第2表に組成及び製造時の諸条件を示す。第
1表及び第2表中試料No、l〜20.25及び29は
、リボン状の本発明の非晶質酸化物材料を示す。又、N
o、24はロールの回転速度が大きい為、薄片となって
いるが、形状に制約がない触媒等の分野では使用可能で
ある。
1表及び第2表中試料No、l〜20.25及び29は
、リボン状の本発明の非晶質酸化物材料を示す。又、N
o、24はロールの回転速度が大きい為、薄片となって
いるが、形状に制約がない触媒等の分野では使用可能で
ある。
尚、ノズル形状Aとあるのは、0.2 mm X 4m
mのスリット状ノズルを示し、ノズル形状Bとあるのは
径0.2mmの円形ノズルを示す。
mのスリット状ノズルを示し、ノズル形状Bとあるのは
径0.2mmの円形ノズルを示す。
参考例1
(Te02)、−x −(Ga2es)X においてx
=0.35に相当する上記実施例1の試料N008.1
0.12.13及び15につ込てのX線回折結果を第4
図に示す。急冷用ロールの周速度が5.18m/秒(N
o、8)から34.54m/秒(No、15)の範囲内
で得られた材料の原子配列構造には、大きな変化がない
ことが明らかである。
=0.35に相当する上記実施例1の試料N008.1
0.12.13及び15につ込てのX線回折結果を第4
図に示す。急冷用ロールの周速度が5.18m/秒(N
o、8)から34.54m/秒(No、15)の範囲内
で得られた材料の原子配列構造には、大きな変化がない
ことが明らかである。
参考例2
(Te02)、−X −(Ga2e3)x においてX
−0゜30に相当する上記実施例1の試料No、17の
示差熱分析結果を第5図に示す。
−0゜30に相当する上記実施例1の試料No、17の
示差熱分析結果を第5図に示す。
第5図において、Tcは結晶化温度、Tgはガラス転位
点、mpは融点を夫々示す。
点、mpは融点を夫々示す。
参考例3
(Te02)1−x −(Gas+0a)x において
X=0.25に相当する上記実施例1の試料No。7の
外観を示す写真を参考図面Iとして示す。
X=0.25に相当する上記実施例1の試料No。7の
外観を示す写真を参考図面Iとして示す。
参考例4
上記実施例1の試料N017の走査型電子顯徴鏡写真(
20000倍及び830倍)を夫々参考図面I及び■と
じて示す。
20000倍及び830倍)を夫々参考図面I及び■と
じて示す。
参考例5
(Te02)、 −x −(Ga2es)x において
X=0.30に相当する上記実施例1の試料No、16
の赤外線吸収スペクトルを第6図として示す。
X=0.30に相当する上記実施例1の試料No、16
の赤外線吸収スペクトルを第6図として示す。
実施例2
実施例1の試料No、3を空気中450℃で30分間熱
処理した後、Xls回折を行なったところ、回折角(2
θ)に1本の鋭い回折ピークを示し、非晶質構造から配
向性多結晶構造への変化が#i認された。
処理した後、Xls回折を行なったところ、回折角(2
θ)に1本の鋭い回折ピークを示し、非晶質構造から配
向性多結晶構造への変化が#i認された。
第1図は、本発明方法において使用される融解原料の急
冷装置の一例の正面図、第2図は、第1図の急冷装置の
一部拡大詳細図面、第3図は、本発・uJ祠科の組成範
囲を示す図面、第4図は、本発明4.4科のわ干のXか
Jf回新図面、第5図は、本発明(〆C」二る一材料の
示差熱分析図、第6図r、J:、本96明による他の一
材料の赤外線吸収スペクトル忙夫々示す0 (1)・・・架台、 (3)・・・急冷装研本
体、(5)、(5)・・・誘電加熱用コイル、(7)・
・・原料加熱用チューブ、 (9)・・・原料加熱用チューブの支持体、υ1)・・
・融解原料噴出用ノズル、 (J3)・・・急冷用ロール、 口))・・・ノズル口1)の冷却用ノズル、ロア)・・
・渦流防止エアノズル、 (19)・・・ノズル111の微調整機構、12】)・
・・エアシリンダー、 (23)・・・冷却された材料の受は箱、崗・・・冷却
利料取り出口、 77+・・・バルブ、 (29)・・・冷却水
導入路、(31)・・・冷却水排出路、 (33)・
・・二一ドルノ(ルブ、鱈)・・・ブローエア導入路、 67.1・・・ロール(1(3)とノズル01)との間
隔従乱1M生賽(幾積パ、G9)・・・整流用目皿。 (以 上) 代3用人 弁理士 三 枝 英 二 。 第11(イ) 第3図 時間(分) 第1頁の続き 0発 明 者 大久保美香 徳島市佐古六番町3番20号 @出 願 人 増本謙爾 仙台市上杉3丁目8番22号 @出 願 人 鈴木謙爾 泉市将監11丁目12番11号 ■出 願 人 増田修二 徳島県板野郡北島町江尻字宮ノ 本27−8 ■出 願 人 太田進啓 徳島県板野郡藍住町東中富字長 江傍示86番中富団地F8−148 47一
冷装置の一例の正面図、第2図は、第1図の急冷装置の
一部拡大詳細図面、第3図は、本発・uJ祠科の組成範
囲を示す図面、第4図は、本発明4.4科のわ干のXか
Jf回新図面、第5図は、本発明(〆C」二る一材料の
示差熱分析図、第6図r、J:、本96明による他の一
材料の赤外線吸収スペクトル忙夫々示す0 (1)・・・架台、 (3)・・・急冷装研本
体、(5)、(5)・・・誘電加熱用コイル、(7)・
・・原料加熱用チューブ、 (9)・・・原料加熱用チューブの支持体、υ1)・・
・融解原料噴出用ノズル、 (J3)・・・急冷用ロール、 口))・・・ノズル口1)の冷却用ノズル、ロア)・・
・渦流防止エアノズル、 (19)・・・ノズル111の微調整機構、12】)・
・・エアシリンダー、 (23)・・・冷却された材料の受は箱、崗・・・冷却
利料取り出口、 77+・・・バルブ、 (29)・・・冷却水
導入路、(31)・・・冷却水排出路、 (33)・
・・二一ドルノ(ルブ、鱈)・・・ブローエア導入路、 67.1・・・ロール(1(3)とノズル01)との間
隔従乱1M生賽(幾積パ、G9)・・・整流用目皿。 (以 上) 代3用人 弁理士 三 枝 英 二 。 第11(イ) 第3図 時間(分) 第1頁の続き 0発 明 者 大久保美香 徳島市佐古六番町3番20号 @出 願 人 増本謙爾 仙台市上杉3丁目8番22号 @出 願 人 鈴木謙爾 泉市将監11丁目12番11号 ■出 願 人 増田修二 徳島県板野郡北島町江尻字宮ノ 本27−8 ■出 願 人 太田進啓 徳島県板野郡藍住町東中富字長 江傍示86番中富団地F8−148 47一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ (Te02)1−X 7 (Ga20a)X (
但1,0.60≧X〉0)なる組成を有するテ/I//
L/−ガリウム系非晶質化合物材料。 ■ 0.35≧x ) Qである特許請求の範囲第1項
のテ)v/L/−ガリウム系非晶質化合物材料。 ■ 0.60≧X)0.35である特許請求の範囲第1
項のチルμmガリウム系非晶質化合物材料。 ■ 二酸化テ/v/I/と酸化ガリウムとの混合物を加
熱融解した後、融解物を超急冷することを特徴とする(
Te02)、−X −(Ga2es)X (但し0.6
0≧x ) Qなる組成を有するテ/I//L/−ガリ
ウム系非晶質化合物材料の製造法。 ■ 104〜b る特許請求の範囲第4項のテルル−ガリウム非晶質化合
物材料の製造法0 ■ 原料融解物を固体に接触させることにより超急冷す
る特許請求の範囲第4項又は第5項のテ/I//I/ー
ガリウム系非晶質化合物材料の製造法。 ■ スリット状、円形又は楕円形の吹出し口を設けたノ
ズルを備えた加熱用チューブに原料混合物を投入し、該
混合物の融点よシも60〜200℃高い温度で加熱溶融
させた後、5m/秒〜35m/秒の周速度で回転するロ
ール表面上に上記ノズルを経て該融解物を吹き出して超
急冷させる特許請求の範囲第4項乃至第6項のいずれか
に記載のテ/9/レーガリウム系非晶質化合物材料の製
造法。 ■ (TeO2)1−X ・ (Ga203)X (但
し0.60≧X〉0)なる組成を有するテルル−ガリウ
ム系非晶質化合物材料をその結晶化温度以下で加熱処理
することを特徴とする配向性多結晶薄膜材料の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7483683A JPS59199508A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | テルル−ガリウム系非晶質化合物材料及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7483683A JPS59199508A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | テルル−ガリウム系非晶質化合物材料及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59199508A true JPS59199508A (ja) | 1984-11-12 |
Family
ID=13558819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7483683A Pending JPS59199508A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | テルル−ガリウム系非晶質化合物材料及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59199508A (ja) |
-
1983
- 1983-04-26 JP JP7483683A patent/JPS59199508A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0435430B2 (ja) | ||
| JPS59213625A (ja) | 鉄―鉛系化合物材料及びその製造法 | |
| JPS59199507A (ja) | テルル−鉛系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
| JPH0422854B2 (ja) | ||
| JPS60118629A (ja) | ゲルマニウム−モリブデン系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
| JPS59199512A (ja) | テルル−マグネシウム系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
| JPS59203710A (ja) | テルル−モリブデン系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
| JPS5973438A (ja) | ビスマス−鉄系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
| JPS59199510A (ja) | テルル−チタン系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
| JPH0435403B2 (ja) | ||
| JPS59199511A (ja) | テルル−リチウム系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
| JPH0476930B2 (ja) | ||
| JPS60108305A (ja) | テルル−カリウム系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
| JPS59203706A (ja) | テルル−アルミニウム系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
| JPS605015A (ja) | テルル−ケイ素系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
| JPS59203730A (ja) | 鉄−バナジウム系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
| JPS60118614A (ja) | テルル−バリウム系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
| JPS59195509A (ja) | テルル−タンタル系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
| JPS59195539A (ja) | バナジウム−ニツケル系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
| JPS59203708A (ja) | テルル−亜鉛系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
| JPS59203712A (ja) | 鉄−テルル系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
| JPH0436094B2 (ja) | ||
| JPS59195537A (ja) | バナジウム―マンガン系化合物材料及びその製造法 | |
| JPS59203707A (ja) | テルル−クロム系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
| JPS59195535A (ja) | バナジウム―タリウム系化合物材料及びその製造方法 |