JPS59201360A - 螢光ランプ - Google Patents
螢光ランプInfo
- Publication number
- JPS59201360A JPS59201360A JP7377683A JP7377683A JPS59201360A JP S59201360 A JPS59201360 A JP S59201360A JP 7377683 A JP7377683 A JP 7377683A JP 7377683 A JP7377683 A JP 7377683A JP S59201360 A JPS59201360 A JP S59201360A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mercury
- alloy
- airtight container
- fluorescent lamp
- indium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/24—Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
Landscapes
- Discharge Lamp (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は扁温雰囲気においても光束の低下の少ない蛍光
ランプの構成の改良に関する。
ランプの構成の改良に関する。
蛍光ランプなどの低圧水銀蒸気放電灯は、その気密容器
内における水銀蒸気圧が６ Ｘ １０−３ないし７ Ｘ
１０−３ｍｍＨ，Ｐで比較的低い放電電流のときに。
内における水銀蒸気圧が６ Ｘ １０−３ないし７ Ｘ
１０−３ｍｍＨ，Ｐで比較的低い放電電流のときに。
供給電気エネルギーが水銀の２５３．７ｎｍの紫外域放
射線へ転換される効率が最も高くなることが知られてい
る。上記２５３．７ｎｍの紫外域の放射線は蛍光体励起
効率が高いから、上記６ Ｘ １０−３ないし７ Ｘ
１０−３ｍｍＨｇに水銀蒸気圧を維持することが好まし
く、このときの気密容器壁の温度は約４０℃である。し
かしながら、蛍光ランプなどの低圧水銀蒸気放電灯は、
近時管径が細く気密容器壁の負荷が筒いものが増加して
おり、気密容器壁の温度が高＜、１００℃を越すものが
ある。このように気密容器壁温度が高温になると、気密
容器の水銀蒸気圧が６ Ｘ Ｉ Ｆ” ｍｍＨＪ９程度
よりいちじるしく高くなり、放射された２ ５３．７
ｎｍを主とする紫外域の放射線が水銀によって自己吸収
され供給電気エネルギーの紫外域放射線への転換効率が
低下し。
射線へ転換される効率が最も高くなることが知られてい
る。上記２５３．７ｎｍの紫外域の放射線は蛍光体励起
効率が高いから、上記６ Ｘ １０−３ないし７ Ｘ
１０−３ｍｍＨｇに水銀蒸気圧を維持することが好まし
く、このときの気密容器壁の温度は約４０℃である。し
かしながら、蛍光ランプなどの低圧水銀蒸気放電灯は、
近時管径が細く気密容器壁の負荷が筒いものが増加して
おり、気密容器壁の温度が高＜、１００℃を越すものが
ある。このように気密容器壁温度が高温になると、気密
容器の水銀蒸気圧が６ Ｘ Ｉ Ｆ” ｍｍＨＪ９程度
よりいちじるしく高くなり、放射された２ ５３．７
ｎｍを主とする紫外域の放射線が水銀によって自己吸収
され供給電気エネルギーの紫外域放射線への転換効率が
低下し。
したがって光出力が低下する問題があった。
この対策として、インジウムとビスマスとを主体とする
合金を水銀とともに気密容器内に封入した蛍光ランプが
提案された。この蛍光ランプは気密容器内で合金が水銀
とアマルガムを形成するから、アマルガムを気密容器内
に配設する方法のようにアマルガムが蛍光ランプの排気
工程中に加熱されて水銀が排出されアマルガムの組成が
変動して特性がばらつくという欠点は少ないが、気密容
器内の水銀量を一定にすることが難しく、シたがって気
密容器内で形成される７マルガムの組成がばらつき、安
定した高い光束を放射するという効果は得られなかった
。
合金を水銀とともに気密容器内に封入した蛍光ランプが
提案された。この蛍光ランプは気密容器内で合金が水銀
とアマルガムを形成するから、アマルガムを気密容器内
に配設する方法のようにアマルガムが蛍光ランプの排気
工程中に加熱されて水銀が排出されアマルガムの組成が
変動して特性がばらつくという欠点は少ないが、気密容
器内の水銀量を一定にすることが難しく、シたがって気
密容器内で形成される７マルガムの組成がばらつき、安
定した高い光束を放射するという効果は得られなかった
。
本発明は上記の背穿技術の問題点を解決するためになさ
れたもので、所望のアマルガムを形成するに必要な量の
水銀を気密容器内に供給して安定した特性を有する改良
された蛍光ランプを提供することを目的とする。
れたもので、所望のアマルガムを形成するに必要な量の
水銀を気密容器内に供給して安定した特性を有する改良
された蛍光ランプを提供することを目的とする。
本発明は透光性気密容器内に水銀放出構外と。
インジウムとビスマスとを主体とするアマルガムを形成
する合金とを内蔵し、上記気密容器の両端部に電子放射
ｗＪ質が被着された電極を具備する蛍光ランプである。
する合金とを内蔵し、上記気密容器の両端部に電子放射
ｗＪ質が被着された電極を具備する蛍光ランプである。
本発明の詳細について述べる。
本発明者らはインジウムとビスマスとを主体とを主体と
するアマルガムを形成する合金としてインジウム、ビス
マスならびにすすからなる合金。
するアマルガムを形成する合金としてインジウム、ビス
マスならびにすすからなる合金。
（以下「合金（Ｉ）」と称する。）およびインジウム。
ビスマスならびに鉛からなる合金（以下「合金（■）」
と称する。）について試験した。本発明者らは上記合金
（Ｉ）または合金（ｎ）を気密容器内に内蔵させ。
と称する。）について試験した。本発明者らは上記合金
（Ｉ）または合金（ｎ）を気密容器内に内蔵させ。
従来のように水銀を気密容器内に滴下させたもの。
ならびに上記合金を使用せず水銀のみを気密容器内に滴
下させたものについて蛍光ランプの気密容器表面温度を
変化させて初光束の変化を試験した。
下させたものについて蛍光ランプの気密容器表面温度を
変化させて初光束の変化を試験した。
その結果を第１表に示しである。初光束は最高値を１０
０とした比光束（％）で示しである。曲線（イ）は合金
（Ｉ）と水銀滴下のもの２曲線（ロ）は合金（■）と水
銀滴下のもの２曲線（ハ）は水銀のみを滴下したものの
特性である。第１図から明らかなとおり９曲線（イ）お
よび（ロ）は水銀のみの曲線（ハ）に比べて気密容器表
面温度が６０℃以上になったときの光束が８ないし８３
％程度向上している。
０とした比光束（％）で示しである。曲線（イ）は合金
（Ｉ）と水銀滴下のもの２曲線（ロ）は合金（■）と水
銀滴下のもの２曲線（ハ）は水銀のみを滴下したものの
特性である。第１図から明らかなとおり９曲線（イ）お
よび（ロ）は水銀のみの曲線（ハ）に比べて気密容器表
面温度が６０℃以上になったときの光束が８ないし８３
％程度向上している。
しかしながら、気密容器内に封入された水銀量が変動す
ると、第２図示のように光束がいちじるしく変動するこ
とが判った。すなわち、第２図は横軸に気密容器内に封
入された水銀の重量（Ｉｎ９）をとり、ｓ＠ａに比光束
をとった特性曲線図であって。
ると、第２図示のように光束がいちじるしく変動するこ
とが判った。すなわち、第２図は横軸に気密容器内に封
入された水銀の重量（Ｉｎ９）をとり、ｓ＠ａに比光束
をとった特性曲線図であって。
曲線に）は全台（１）と水仙ヲ摘下した蛍光ランプ、曲
線（イ）は合金（ＩＩ）と水銀を滴下した蛍光ランプの
特性を示している。水銀の量が多くなり、１０１ｎ９以
上になると合金（１１を使用したものは光束が低下し。
線（イ）は合金（ＩＩ）と水銀を滴下した蛍光ランプの
特性を示している。水銀の量が多くなり、１０１ｎ９以
上になると合金（１１を使用したものは光束が低下し。
１５１ｎ９程度以上になると合金（ＩＩ）を使用したも
のも光束が低下し始め２０ないし２５ｍｇ程度に水銀量
が増加すると最高光束の３０ないし７０％程度に光束が
低下してしまう。これは、前記技術的背景の問題点で述
べたように気密容器内の水銀量のばらつきと、さらに合
金を気密容器内に導入する際に僅かながら空気などの不
純ガスが導入されるためと思われる。
のも光束が低下し始め２０ないし２５ｍｇ程度に水銀量
が増加すると最高光束の３０ないし７０％程度に光束が
低下してしまう。これは、前記技術的背景の問題点で述
べたように気密容器内の水銀量のばらつきと、さらに合
金を気密容器内に導入する際に僅かながら空気などの不
純ガスが導入されるためと思われる。
本発明者らは上記合金（１）または合金（Ｉｆ）を使用
し。
し。
さらに水銀供給源として水銀放出構体、たとえば５ＡＥ
Ｓ社の商品名ＧＥＭＥＤＩＳのようなＴｉ３Ｈ９合金を
電極構体に配設し、蛍光ランプ完成後高周波加熱して水
銀を遊離させる方法により蛍光ランプを製造し、試験し
た。
Ｓ社の商品名ＧＥＭＥＤＩＳのようなＴｉ３Ｈ９合金を
電極構体に配設し、蛍光ランプ完成後高周波加熱して水
銀を遊離させる方法により蛍光ランプを製造し、試験し
た。
第３図は横軸に蛍光ランプの点灯時間（時間）をとり、
縦軸に初光束を１００とした光束維持率（％）をとった
特性曲線図であって、それぞれの特性曲線は下表に示す
構成の蛍光ランプの特性である。
縦軸に初光束を１００とした光束維持率（％）をとった
特性曲線図であって、それぞれの特性曲線は下表に示す
構成の蛍光ランプの特性である。
表
第３図から明らかなよう九曲線（男および（ヌ）に示す
特性の蛍光ランプは２，０００時間において初光束の９
１ないし９２％の光束を示し、３，０００時間において
も８８ないし８８．５％程度の光束を示した。これに対
し従来の曲線（へ）、（ト）および（ト）に示す特性の
蛍光ランプは初光束に対し２，０００時間で８４ないし
８７．５％、３，０００時間では８０ないし８５．２％
のように光束の低下がいちじるしい。
特性の蛍光ランプは２，０００時間において初光束の９
１ないし９２％の光束を示し、３，０００時間において
も８８ないし８８．５％程度の光束を示した。これに対
し従来の曲線（へ）、（ト）および（ト）に示す特性の
蛍光ランプは初光束に対し２，０００時間で８４ないし
８７．５％、３，０００時間では８０ないし８５．２％
のように光束の低下がいちじるしい。
このことはＧＥＭＥＤＩＳのような水銀放出構体を使用
することによって気密容器内の水銀量が安定し、しかも
蛍光ランプ動作時の気密容器内の温度によって所喪せの
水銀が放出され合金とアマルガムを形成して蛍光ランプ
の水銀蒸気圧を好適値の６ Ｘ １０−３ないし７ Ｘ
１０−３ｍｍＨｇに維持することができる。ためと思
われる。すなわち、上記第３図の曲線（男および■）の
特性の蛍光ランプが本発明の実施例である。上記本発明
蛍光ランプは初光束ならびに光束維持率が改良されただ
けでなく、放電開始電圧か上昇せず、また光出力の安定
時間が短いという結果が得られた。前記発明の技術的背
景で述べたように最近の蛍光ランプに使用されている管
径が細く気密容器の管壁温度が１００℃またはそれ以上
になる管壁負荷の高い蛍光ランプでは上記インジウムお
よびビスマスを主体とする合金の存在する位置の近傍は
少なくとも６０℃で１５０℃を上廻らない程度に温度が
上昇する。したがって、上記合金のアマルガムは上記６
０ないし１５０℃において水銀を放出することが好まし
く、この温度は合金の固液共存温度に相当する。６０な
いし１５０℃に固液共存温度を有する合金としては。
することによって気密容器内の水銀量が安定し、しかも
蛍光ランプ動作時の気密容器内の温度によって所喪せの
水銀が放出され合金とアマルガムを形成して蛍光ランプ
の水銀蒸気圧を好適値の６ Ｘ １０−３ないし７ Ｘ
１０−３ｍｍＨｇに維持することができる。ためと思
われる。すなわち、上記第３図の曲線（男および■）の
特性の蛍光ランプが本発明の実施例である。上記本発明
蛍光ランプは初光束ならびに光束維持率が改良されただ
けでなく、放電開始電圧か上昇せず、また光出力の安定
時間が短いという結果が得られた。前記発明の技術的背
景で述べたように最近の蛍光ランプに使用されている管
径が細く気密容器の管壁温度が１００℃またはそれ以上
になる管壁負荷の高い蛍光ランプでは上記インジウムお
よびビスマスを主体とする合金の存在する位置の近傍は
少なくとも６０℃で１５０℃を上廻らない程度に温度が
上昇する。したがって、上記合金のアマルガムは上記６
０ないし１５０℃において水銀を放出することが好まし
く、この温度は合金の固液共存温度に相当する。６０な
いし１５０℃に固液共存温度を有する合金としては。
たとえはインジウムとビスマスとすす、またはインジウ
ムとビスマスと鉛などの合金などがあり。
ムとビスマスと鉛などの合金などがあり。
４ないし５０重量％のインジウムと３０ないし７２重量
％のビスマスにすず１５ないし５７重量％、または上記
すずと１ないし１２重量％の鉛、または上記インジウム
とビスマスとに５なし４０重量％の鉛を加えた合金など
があり、いずれも本発明のアマルガムを形成する合金と
して使用することができる。本発明者らの実験によれば
上記水銀放出構体とインジウムとを気密容器内に内蔵し
た蛍光ランプは、蛍光ランプの管径が細くなり気密容器
の管壁負荷が大きい場合に、水銀放出構体から放出され
た水銀によって形成されたインジウムアマルガムは上記
アマルガムからの水銀放出量の規制が悪く、所要水銀量
以上の水銀が放出され、光出力低下を改良することがで
きなかった。
％のビスマスにすず１５ないし５７重量％、または上記
すずと１ないし１２重量％の鉛、または上記インジウム
とビスマスとに５なし４０重量％の鉛を加えた合金など
があり、いずれも本発明のアマルガムを形成する合金と
して使用することができる。本発明者らの実験によれば
上記水銀放出構体とインジウムとを気密容器内に内蔵し
た蛍光ランプは、蛍光ランプの管径が細くなり気密容器
の管壁負荷が大きい場合に、水銀放出構体から放出され
た水銀によって形成されたインジウムアマルガムは上記
アマルガムからの水銀放出量の規制が悪く、所要水銀量
以上の水銀が放出され、光出力低下を改良することがで
きなかった。
なお、気密容器内にインジウムとビスマスとを主体とす
るアマルガムを形成する合金を内蔵させる方法は、奄←
う比較的電極から動量した位置に上記合金を固定しても
よく、また、蛍光ランプの不活性気体導入の際に不活性
気体とともに合金の微粒を導入してもよい。
るアマルガムを形成する合金を内蔵させる方法は、奄←
う比較的電極から動量した位置に上記合金を固定しても
よく、また、蛍光ランプの不活性気体導入の際に不活性
気体とともに合金の微粒を導入してもよい。
本発明は気密容器内に水銀放出構体とともにインジウム
とビスマスとを主体とするアマルガムを形成する合金を
内蔵することを特徴とする蛍光ランプであって、水銀放
出構体によって気密容器壁の温度が上昇しても気密容器
内の水銀量を所要量に規制することができ、したがって
気密容器内で形成されるインジウムとビスマスとを主体
トスる合金のアマルガムの組成を所望の値に規制するこ
とができるから、蛍光ランプの気密容器の温度が高くて
も水銀の２５３．７ ｎｍの紫外域放射線へ供給電気エ
ネルギーを効率よく転換することができ。
とビスマスとを主体とするアマルガムを形成する合金を
内蔵することを特徴とする蛍光ランプであって、水銀放
出構体によって気密容器壁の温度が上昇しても気密容器
内の水銀量を所要量に規制することができ、したがって
気密容器内で形成されるインジウムとビスマスとを主体
トスる合金のアマルガムの組成を所望の値に規制するこ
とができるから、蛍光ランプの気密容器の温度が高くて
も水銀の２５３．７ ｎｍの紫外域放射線へ供給電気エ
ネルギーを効率よく転換することができ。
したがって安定した高い光束を放射することが可能で、
さらに放電開始電圧を低く維持することができ光出力安
定時間の短い改良された蛍光ランプを斯界に提供できる
という効果を有している。インジウムとビスマスとを主
体とする合金は実施例ではすすと鉛とを添加した合金で
説明したが実施例に限られるものではなく９合金の固液
共存温度が６０ないし１５０℃の上記合金であれば実施
例と同様の効果を発揮する。また、水銀放出構体は実施
例に示したＧｈ：ＭｇＤＩＳに限・るものではない。
さらに放電開始電圧を低く維持することができ光出力安
定時間の短い改良された蛍光ランプを斯界に提供できる
という効果を有している。インジウムとビスマスとを主
体とする合金は実施例ではすすと鉛とを添加した合金で
説明したが実施例に限られるものではなく９合金の固液
共存温度が６０ないし１５０℃の上記合金であれば実施
例と同様の効果を発揮する。また、水銀放出構体は実施
例に示したＧｈ：ＭｇＤＩＳに限・るものではない。
第１図は横軸に蛍光ランプの気密容器壁温度（’Ｃ）を
とり、縦軸に初光束の最高値を１００とした比光束（％
）をとったインジウムとビスマスと全主体とする合金を
内蔵し水銀を滴下した蛍光ランプの特性曲線図、第２図
は横軸に気密容器内の水銀量（Ｉｎ９）をとり縦軸に比
光束（％）をとった上記蛍光ランプの特性曲線図、第３
図は横軸に蛍光ランプの点灯時間（時間）をとり縦軸に
光束維持率（％）をとった特性曲線図である。 （７３１７） 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほ
か１名）
とり、縦軸に初光束の最高値を１００とした比光束（％
）をとったインジウムとビスマスと全主体とする合金を
内蔵し水銀を滴下した蛍光ランプの特性曲線図、第２図
は横軸に気密容器内の水銀量（Ｉｎ９）をとり縦軸に比
光束（％）をとった上記蛍光ランプの特性曲線図、第３
図は横軸に蛍光ランプの点灯時間（時間）をとり縦軸に
光束維持率（％）をとった特性曲線図である。 （７３１７） 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほ
か１名）
Claims (1)
- 透光性気密容器内の両端部に電子放射物質が被着された
電極を具備し、上記気密容器内に水銀放出構体と、イン
ジウムとビスマスとを主体とするアマルガムを形成する
合金とを内蔵することを特徴とする蛍光ランプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7377683A JPS59201360A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 螢光ランプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7377683A JPS59201360A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 螢光ランプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59201360A true JPS59201360A (ja) | 1984-11-14 |
Family
ID=13527938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7377683A Pending JPS59201360A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 螢光ランプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59201360A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0669639A1 (en) * | 1994-02-24 | 1995-08-30 | Saes Getters S.P.A. | A combination of materials for mercury-dispensing devices, method of preparation and devices thus obtained |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5834555A (ja) * | 1981-08-25 | 1983-03-01 | Toshiba Corp | 低圧水銀蒸気放電灯 |
| JPS5834554A (ja) * | 1981-08-25 | 1983-03-01 | Toshiba Corp | 低圧水銀蒸気放電灯 |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP7377683A patent/JPS59201360A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5834555A (ja) * | 1981-08-25 | 1983-03-01 | Toshiba Corp | 低圧水銀蒸気放電灯 |
| JPS5834554A (ja) * | 1981-08-25 | 1983-03-01 | Toshiba Corp | 低圧水銀蒸気放電灯 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0669639A1 (en) * | 1994-02-24 | 1995-08-30 | Saes Getters S.P.A. | A combination of materials for mercury-dispensing devices, method of preparation and devices thus obtained |
| US5520560A (en) * | 1994-02-24 | 1996-05-28 | Saes Getters S.P.A. | Combination of materials for mercury-dispensing devices, method of preparation and devices thus obtained |
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