JPS59207513A - 電圧制限素子内蔵ブツシング - Google Patents
電圧制限素子内蔵ブツシングInfo
- Publication number
- JPS59207513A JPS59207513A JP8191083A JP8191083A JPS59207513A JP S59207513 A JPS59207513 A JP S59207513A JP 8191083 A JP8191083 A JP 8191083A JP 8191083 A JP8191083 A JP 8191083A JP S59207513 A JPS59207513 A JP S59207513A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage limiting
- limiting element
- insulating cylinder
- bushing
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- Prior art date
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- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Insulators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電圧制限素子内蔵ブッシング、特にその電圧
制限素子の構成に関するものである。
制限素子の構成に関するものである。
従来の電圧制限素子内蔵ブッシングの姓要を第１図に示
す。
す。
この図において（１）は絶縁性円筒、［２） 、 ＋３
１はその両端に設けられた端子、（４）は上方の端子（
２）に電気的に接続された導電性のばね受け、（５）は
絶縁性円筒の中間部に設けられたブッシング取付フラン
ジで、絶縁性円筒＋１１を図示しない電気機器の外箱等
に取付けるためのものである。（６）は絶縁円筒内に収
納された電圧制限素子で第３図の（ｍｌに平面図を、ま
た第３図の（ｂ）に正面図を示す如く、平たいリング状
に構成された素子片（６Ａ）を複数個積み重ねて構成し
たものである。しかも複数個′の素子片は総て同一径の
ものを使用していた。（７）は、電圧制限素子（６）の
上端と、ばね受け（４）との間に装着された圧縮ばねで
、電圧制限素子（６）を第１図において下方に押圧する
と共に、電圧制限素子の上端を上方の端子＋２１に電気
的に接続している。（８）はブッシング取付フランジ（
５）と電圧制限素子（６）の下端との間に装着された圧
縮ばねで、電圧制限素子（６）を第１図において上方に
押圧すると共に電圧制限素子（６）の下端をブッシング
取付フランジ（５）に電気的に接続し、アース電位に保
持するものである。（９）は絶縁性円筒の内部において
、電圧制限素子（６）の中空部を貫通し上下の端子（２
） 、 （３１に結合された中心導体である。なお、絶
縁性円筒（１）には油。
１はその両端に設けられた端子、（４）は上方の端子（
２）に電気的に接続された導電性のばね受け、（５）は
絶縁性円筒の中間部に設けられたブッシング取付フラン
ジで、絶縁性円筒＋１１を図示しない電気機器の外箱等
に取付けるためのものである。（６）は絶縁円筒内に収
納された電圧制限素子で第３図の（ｍｌに平面図を、ま
た第３図の（ｂ）に正面図を示す如く、平たいリング状
に構成された素子片（６Ａ）を複数個積み重ねて構成し
たものである。しかも複数個′の素子片は総て同一径の
ものを使用していた。（７）は、電圧制限素子（６）の
上端と、ばね受け（４）との間に装着された圧縮ばねで
、電圧制限素子（６）を第１図において下方に押圧する
と共に、電圧制限素子の上端を上方の端子＋２１に電気
的に接続している。（８）はブッシング取付フランジ（
５）と電圧制限素子（６）の下端との間に装着された圧
縮ばねで、電圧制限素子（６）を第１図において上方に
押圧すると共に電圧制限素子（６）の下端をブッシング
取付フランジ（５）に電気的に接続し、アース電位に保
持するものである。（９）は絶縁性円筒の内部において
、電圧制限素子（６）の中空部を貫通し上下の端子（２
） 、 （３１に結合された中心導体である。なお、絶
縁性円筒（１）には油。
ガス等の絶縁媒体（１０）が封入されている。
このような構成において電圧制限素子を構成する各素子
片と、中心導体との間の電位差を考えると第２図に示す
ようになる。
片と、中心導体との間の電位差を考えると第２図に示す
ようになる。
この図において、縦軸は軸方向高さ、即ち中心導体（９
）の延長方向の高さを、ブッシング取付フランジ（５）
の位置を基準にして示しており、横軸は電位差の値を示
している。この図からも明らかなように、電圧制限素子
（６）の上端は、中心導体（９）と同電位であるため電
位差は零であり、電圧制限素子（６）の下端およびブッ
シング取付フランジはアース電位に保持されているため
最大の電位差となる。このため中心導体（９）と電圧制
限素子（６）との間の絶縁寸法は電圧制限素子（６）の
上端から下端に向かって次第に大きく取る必要があるが
、従来の装置においては、第１図に示すように、電圧制
限素子の下端における最大絶縁距離を、電圧制限素子の
総ての部分において確保しているため電圧制限素子の上
部においては過大な絶縁距離が取られていることになり
ブッシング全体の構成が大型化する原因となっていた。
）の延長方向の高さを、ブッシング取付フランジ（５）
の位置を基準にして示しており、横軸は電位差の値を示
している。この図からも明らかなように、電圧制限素子
（６）の上端は、中心導体（９）と同電位であるため電
位差は零であり、電圧制限素子（６）の下端およびブッ
シング取付フランジはアース電位に保持されているため
最大の電位差となる。このため中心導体（９）と電圧制
限素子（６）との間の絶縁寸法は電圧制限素子（６）の
上端から下端に向かって次第に大きく取る必要があるが
、従来の装置においては、第１図に示すように、電圧制
限素子の下端における最大絶縁距離を、電圧制限素子の
総ての部分において確保しているため電圧制限素子の上
部においては過大な絶縁距離が取られていることになり
ブッシング全体の構成が大型化する原因となっていた。
この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、電圧制限素子を、おおむねテーパ状に構成し
得るようにしたものである。
たもので、電圧制限素子を、おおむねテーパ状に構成し
得るようにしたものである。
以下、図Ｉこ示すこの発明の実施例について説明する。
第４図はこの発明の主要部を構成する電圧制限素子の構
造を示すもので、同図ｔａ） 、 ［ｂ）は電圧制限素
子（１１）を構成する素子片の構造を示しくａ−１）、
（ｂ−１）はそれぞれの平面図、（ａ−２）、（ｂ−２
）はそれぞれの正面図を示している。即ち円錐台状の外
形を有する素子片（ＩＩＡ）、（ＩＩＢ）を作り、中空
部の壁面（１２）は外周面とほぼ平行に形成する。また
、外径および内径寸法は、異なる寸法のものを２種以上
作成する。第４図（ｍｌは外径および内径の大きいもの
、また第４図ｆｂ）は外径および内径の小さいものの例
を示す。これらを第４図Ｌｃｌに示す如く中心導体（９
）の軸方向に複数個積み重ねて電圧制限素子（１１）を
形成する。この場合、外径および内径の大きい素子片（
ＩＩＡ、）を下方とし、外径および内径の小さい素子片
ＣＩＩＢ）を上方として、その間は外径および内径の大
きさに従って順次積み重ねるものである。第５図は電圧
制限素子の他の例を示すもので、同図（ｍｌは外径およ
び内径の大きいもので、（ａ−１）が平面図、（ａ−２
）が正面図である。また、同図ｆｂ）は外径および内径
の小さいもので、（ｂ−ｉ）が平面図、（ｂ−２）が正
面図である。即ち外周面がそれぞれの中心軸と平行に形
成されたもので、外径および内径の異なるものを複数個
積み重ねた状態を同図（ｃ）に示す。
造を示すもので、同図ｔａ） 、 ［ｂ）は電圧制限素
子（１１）を構成する素子片の構造を示しくａ−１）、
（ｂ−１）はそれぞれの平面図、（ａ−２）、（ｂ−２
）はそれぞれの正面図を示している。即ち円錐台状の外
形を有する素子片（ＩＩＡ）、（ＩＩＢ）を作り、中空
部の壁面（１２）は外周面とほぼ平行に形成する。また
、外径および内径寸法は、異なる寸法のものを２種以上
作成する。第４図（ｍｌは外径および内径の大きいもの
、また第４図ｆｂ）は外径および内径の小さいものの例
を示す。これらを第４図Ｌｃｌに示す如く中心導体（９
）の軸方向に複数個積み重ねて電圧制限素子（１１）を
形成する。この場合、外径および内径の大きい素子片（
ＩＩＡ、）を下方とし、外径および内径の小さい素子片
ＣＩＩＢ）を上方として、その間は外径および内径の大
きさに従って順次積み重ねるものである。第５図は電圧
制限素子の他の例を示すもので、同図（ｍｌは外径およ
び内径の大きいもので、（ａ−１）が平面図、（ａ−２
）が正面図である。また、同図ｆｂ）は外径および内径
の小さいもので、（ｂ−ｉ）が平面図、（ｂ−２）が正
面図である。即ち外周面がそれぞれの中心軸と平行に形
成されたもので、外径および内径の異なるものを複数個
積み重ねた状態を同図（ｃ）に示す。
外面は階段状ではあるが、おおむねチー／Ｎ６状となる
。また、第６図は更に他の例を示すもので（ａ）は外径
および内径の大きいもので（ａ−１）が平面図、（ａ−
２）が正面図、（ｂｌは外径および内径の小さいもので
（ｂ−１）か平面図、（ｂ−２）が正面図である。図示
の如く各素子片の上面に凹部（１３）が形成され、下面
番こ凸部（１４）が形成される。
。また、第６図は更に他の例を示すもので（ａ）は外径
および内径の大きいもので（ａ−１）が平面図、（ａ−
２）が正面図、（ｂｌは外径および内径の小さいもので
（ｂ−１）か平面図、（ｂ−２）が正面図である。図示
の如く各素子片の上面に凹部（１３）が形成され、下面
番こ凸部（１４）が形成される。
複数個積み重ねた状態を同図（ｃｌに示すが、この例の
特徴は積み重ね時の各素子片の位置決めが容易であり横
方向にずれないという点にある。
特徴は積み重ね時の各素子片の位置決めが容易であり横
方向にずれないという点にある。
第７図は上述の電圧制限素子を内蔵したこの発明の一実
施例を示すものである。電圧制限素子（１１）としては
第４図に示す構造のものを示している。個々の構成につ
いては説明を省略する。
施例を示すものである。電圧制限素子（１１）としては
第４図に示す構造のものを示している。個々の構成につ
いては説明を省略する。
また、第８図はこの発明の別の実施例を示すもので絶縁
性円筒（１）の内部において、中心導体（９）の囲りに
静電箔と絶縁紙とを交互に巻回してコンデンサ錐（１５
）を形成し、中心導体（９）と対地電位間の電界分布を
均等化するようにしたタイプのものにこの発明を実施し
たものである。
性円筒（１）の内部において、中心導体（９）の囲りに
静電箔と絶縁紙とを交互に巻回してコンデンサ錐（１５
）を形成し、中心導体（９）と対地電位間の電界分布を
均等化するようにしたタイプのものにこの発明を実施し
たものである。
電圧制限素子（１１）としては第４図に示す構造のもの
を使用しそれぞれの中空部の内側にコンデンサ錐（１５
）を位置させている。
を使用しそれぞれの中空部の内側にコンデンサ錐（１５
）を位置させている。
なお、この図において（１６）はブッシング取付フラン
ジ（５）の下方に設けられた別の絶縁性円筒であり、第
７図のものに比して絶縁性円筒が２分割されているが機
能上の差異はほとんどない。
ジ（５）の下方に設けられた別の絶縁性円筒であり、第
７図のものに比して絶縁性円筒が２分割されているが機
能上の差異はほとんどない。
この発明は以上のように構成されているため、特に電圧
制限素子の上部において電圧制限素子と中心導体との寸
法を大幅に短縮することが出来るためブッシング全体の
構成をコンパクトにすることが可能となるものである。
制限素子の上部において電圧制限素子と中心導体との寸
法を大幅に短縮することが出来るためブッシング全体の
構成をコンパクトにすることが可能となるものである。
＄１図は従来の装置の構造を示す概略断面図、第２図は
電圧制限素子の各部と中心導体との電位差を示す図、第
３図は従来の電圧制限素子を構成する素子片の構造を示
す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。第４
図はこの発明の主要部を構成する電圧制限素子の一例を
示すもので、（ａ）、（ｂｌは外径の異なるものを示し
くａ−１）。 （ｂ−１）はそれぞれ平面図、（ａ−２）。 （ｂ−２）はそれぞれ正面図、（ｃ）は積み重ねた状態
を示す略図、第５図は電圧制限素子の他の例を示すもの
で、（ａ） 、 （ｂ）は外径の異なるものを示しくａ
−１）、（ｂ−１）はそれぞれ平面図、（ａ−２）、（
ｂ−２）はそれぞれ正面図、（ｃ）は積み重ねた状態を
示す略図、第６図は電圧制限素子の更に他の例を示すも
ので（ａｔ 、 （ｂｌは外径の異なるものを示しくａ
−１）、（ｂ−１）はそれぞれ平面図、（ａ−２）、（
ｂ−２）はそれぞれ正面図、（ｃｌは積み重ねた状態を
示す略図、第７図および第８図はそれぞれこの発明の実
施例を示す概略断面図である。 図中、（１）は絶縁性円筒、＋２＋ 、 （３＋は端子
、（６）。 （１１）は電圧制限素子、（７１、（８］は圧縮ばねで
ある。 なお、同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄第４図 （ａ） （ｂ） （ｃ）第５１ｚ１ 第６図
電圧制限素子の各部と中心導体との電位差を示す図、第
３図は従来の電圧制限素子を構成する素子片の構造を示
す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。第４
図はこの発明の主要部を構成する電圧制限素子の一例を
示すもので、（ａ）、（ｂｌは外径の異なるものを示し
くａ−１）。 （ｂ−１）はそれぞれ平面図、（ａ−２）。 （ｂ−２）はそれぞれ正面図、（ｃ）は積み重ねた状態
を示す略図、第５図は電圧制限素子の他の例を示すもの
で、（ａ） 、 （ｂ）は外径の異なるものを示しくａ
−１）、（ｂ−１）はそれぞれ平面図、（ａ−２）、（
ｂ−２）はそれぞれ正面図、（ｃ）は積み重ねた状態を
示す略図、第６図は電圧制限素子の更に他の例を示すも
ので（ａｔ 、 （ｂｌは外径の異なるものを示しくａ
−１）、（ｂ−１）はそれぞれ平面図、（ａ−２）、（
ｂ−２）はそれぞれ正面図、（ｃｌは積み重ねた状態を
示す略図、第７図および第８図はそれぞれこの発明の実
施例を示す概略断面図である。 図中、（１）は絶縁性円筒、＋２＋ 、 （３＋は端子
、（６）。 （１１）は電圧制限素子、（７１、（８］は圧縮ばねで
ある。 なお、同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄第４図 （ａ） （ｂ） （ｃ）第５１ｚ１ 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 絶縁性円筒と、その内部に収納されリング状の素
子片を複数個積み重ねて構成された電圧制限素子と、上
記電圧制限素子の中空部を貫通し上記絶縁性円筒内部に
装着された導体と、上記絶縁性円筒の両端に装着され上
記導体の両端にそれぞれ電気的に接続された端子を有す
るものにおいて、上記電圧制限素子は外径および内径寸
法の異なる少なくとも２種類の素子片にて構成されたこ
とを特徴とする電圧制限素子内蔵ブッシング。 ２、電圧制限素子は外径の大きさの順に積み重ねられ、
導体の延長方向にテーパ状に構成されたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の電圧制限素子内蔵ブッシ
ング。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8191083A JPS59207513A (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | 電圧制限素子内蔵ブツシング |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8191083A JPS59207513A (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | 電圧制限素子内蔵ブツシング |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59207513A true JPS59207513A (ja) | 1984-11-24 |
Family
ID=13759596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8191083A Pending JPS59207513A (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | 電圧制限素子内蔵ブツシング |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59207513A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10020129C1 (de) * | 2000-04-14 | 2001-11-15 | Siemens Ag | Baugruppe mit Überspannungsableiter für eine Hochspannungsanlage |
-
1983
- 1983-05-09 JP JP8191083A patent/JPS59207513A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10020129C1 (de) * | 2000-04-14 | 2001-11-15 | Siemens Ag | Baugruppe mit Überspannungsableiter für eine Hochspannungsanlage |
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