JPS59208889A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS59208889A JPS59208889A JP59093091A JP9309184A JPS59208889A JP S59208889 A JPS59208889 A JP S59208889A JP 59093091 A JP59093091 A JP 59093091A JP 9309184 A JP9309184 A JP 9309184A JP S59208889 A JPS59208889 A JP S59208889A
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- large optical
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4043—Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は一般に半導体レーザ、特に大きな光学空胴内に
複数の活性層を有するようなレーザに係る。
複数の活性層を有するようなレーザに係る。
本発明の背景
多くの商業的用途に対し、比較的高パワー、すなわち数
ワット以上の強度において放射を放出可能な半導体レー
ザが望せしい。そのようなレーザは、長距離光通信シス
テム及び光記録用の光源のような用途に有用であろう、
。
ワット以上の強度において放射を放出可能な半導体レー
ザが望せしい。そのようなレーザは、長距離光通信シス
テム及び光記録用の光源のような用途に有用であろう、
。
半導体注入レーザからのパワー出力は、レーザを流れる
電流を増し、それにより放射を誘導する電子〜正孔再結
合を増すことにより、容易に増すことができることは、
自然に考えられる。しかし、この解は比較的限られた電
流範囲以上では容易に得られない。なせならば、単一半
導体レーザから最大パワー出力は、光密度が閾値を越え
た時、レーザの光学空胴を形成するべき開鏡面に、破滅
的損傷が生じるという事実を観察することにより、制限
されるからである。破滅的損傷に対する閾値は、レーザ
毎に異るが、典型的な場合３ないし５ＭＷ／ｃＡ ｆ
ある。従って、なおより高パワー出力を放出可能な半導
体レーザを考案することに、努力が向けられてきた。
電流を増し、それにより放射を誘導する電子〜正孔再結
合を増すことにより、容易に増すことができることは、
自然に考えられる。しかし、この解は比較的限られた電
流範囲以上では容易に得られない。なせならば、単一半
導体レーザから最大パワー出力は、光密度が閾値を越え
た時、レーザの光学空胴を形成するべき開鏡面に、破滅
的損傷が生じるという事実を観察することにより、制限
されるからである。破滅的損傷に対する閾値は、レーザ
毎に異るが、典型的な場合３ないし５ＭＷ／ｃＡ ｆ
ある。従って、なおより高パワー出力を放出可能な半導
体レーザを考案することに、努力が向けられてきた。
そのような努力の一つは、当業者には３犬型光学空胴レ
ーザ″とよばれるもので、たとえばアプライド・フィジ
ックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ ）、１７ 、４９９−５０２頁、１９
７０年１２月１日に述べられている。上で述べた構造に
おいて、再結合又は活性領域すなわち電子及び正孔の再
結合が放射を生じる領域は、光エネルギーが閉じ込めら
れる領域より、はるかに小さく、従ってゝゝ大型元学空
胴“とよけれる。大型光学空胴は、放射が大型光学空胴
の比較的大きな端面から放出される鏡面に、破滅的損傷
を生じることなく、より高い放射パワーの放射が可能で
ある。しかし、大型光学空胴レーザは著しい数のキャリ
ヤが活性領域を離打るＶｔＣつれ、常に高効率でキャリ
ヤを使うわけではなく、従って放出される放射には寄Ｊ
−ｊシない（１従って、大型光学卒胴内の活性層の配置
を、キャリヤの利用に関して最適化することにも、努力
が向けられてきた。
ーザ″とよばれるもので、たとえばアプライド・フィジ
ックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ ）、１７ 、４９９−５０２頁、１９
７０年１２月１日に述べられている。上で述べた構造に
おいて、再結合又は活性領域すなわち電子及び正孔の再
結合が放射を生じる領域は、光エネルギーが閉じ込めら
れる領域より、はるかに小さく、従ってゝゝ大型元学空
胴“とよけれる。大型光学空胴は、放射が大型光学空胴
の比較的大きな端面から放出される鏡面に、破滅的損傷
を生じることなく、より高い放射パワーの放射が可能で
ある。しかし、大型光学空胴レーザは著しい数のキャリ
ヤが活性領域を離打るＶｔＣつれ、常に高効率でキャリ
ヤを使うわけではなく、従って放出される放射には寄Ｊ
−ｊシない（１従って、大型光学卒胴内の活性層の配置
を、キャリヤの利用に関して最適化することにも、努力
が向けられてきた。
別の努力は、たとえばともに合金化されたＧａＡｓ Ｚ
＃ＸＧａ、−ＸＡＳ の複数の単一へテロ構造を有
するデバイスにあった。この努力により改善された点に
ついては、アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐ
ｐｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ １４１
、４９９〜５０ ］貞、１９８２年９月１５日に述べら
れている。この実施例においては、逆バイアスされたｐ
−ｉ−ｎｌ結晶トンネル接合が、合金化接合に代ってい
る。１しかし、上で述べた後者の方法（Ｃば、いくつか
の欠点がある。たとえば、発光すなわち活性層は、合金
接合又はトンネル接合のいずれかによる材料吸収を避け
るため、比較的遠く離れていなければならない。この比
較的人きな間隔は、個々のレーザからの光出力は、相互
には結合されず、従って可干渉性ではなく、同じスペク
トル特性をもたないことを意味する。加えて、もし複数
のレーザから成るデバイスが、線形の光出力対電流特性
をもたなければならないならば、すべてのレーザは本質
的に同一でなければならず、同時にレーザ発振しなけれ
ばならない。これはきわめて厳密な条件で、実際に実現
するのはしばしば困難である。
＃ＸＧａ、−ＸＡＳ の複数の単一へテロ構造を有
するデバイスにあった。この努力により改善された点に
ついては、アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐ
ｐｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ １４１
、４９９〜５０ ］貞、１９８２年９月１５日に述べら
れている。この実施例においては、逆バイアスされたｐ
−ｉ−ｎｌ結晶トンネル接合が、合金化接合に代ってい
る。１しかし、上で述べた後者の方法（Ｃば、いくつか
の欠点がある。たとえば、発光すなわち活性層は、合金
接合又はトンネル接合のいずれかによる材料吸収を避け
るため、比較的遠く離れていなければならない。この比
較的人きな間隔は、個々のレーザからの光出力は、相互
には結合されず、従って可干渉性ではなく、同じスペク
トル特性をもたないことを意味する。加えて、もし複数
のレーザから成るデバイスが、線形の光出力対電流特性
をもたなければならないならば、すべてのレーザは本質
的に同一でなければならず、同時にレーザ発振しなけれ
ばならない。これはきわめて厳密な条件で、実際に実現
するのはしばしば困難である。
本発明の目的は、上で述べた欠点の影響を除くかあるい
は小さくするレーザからの高パワー出力を得ることであ
る。
は小さくするレーザからの高パワー出力を得ることであ
る。
本発明の要約
大型光学空胴から成シ、更に、第２の禁制帯を有する複
数のスペーサ層を伴った間にはさまれた第１の禁制帯を
有する複数の活性層から成る半導体レーザは、比較的高
パワー出力能力を有する。第１の禁制帯は第２の禁制帯
より小さい。大型光学空胴の全厚は、キャリヤの拡散長
より小さい。これは”ｘＧａ＋−ｘＡｓでは約３μｍ
である。レーザは更に、それぞれ第１及び第２の伝導形
を有し、レーザ光空胴の相対する側に配置された第１及
び第２のクラッド層から成る。クラッド層は光を閉じ込
めるために、大型光学空胴レーザの誘電定数よシ小さな
誘電定数を有する。たとえばレーザはＩＩｌ、 −■化
合物半導体で作られる。本発明に従って作られるレーザ
は、高パワー出力を放出するという目的を達成する。
数のスペーサ層を伴った間にはさまれた第１の禁制帯を
有する複数の活性層から成る半導体レーザは、比較的高
パワー出力能力を有する。第１の禁制帯は第２の禁制帯
より小さい。大型光学空胴の全厚は、キャリヤの拡散長
より小さい。これは”ｘＧａ＋−ｘＡｓでは約３μｍ
である。レーザは更に、それぞれ第１及び第２の伝導形
を有し、レーザ光空胴の相対する側に配置された第１及
び第２のクラッド層から成る。クラッド層は光を閉じ込
めるために、大型光学空胴レーザの誘電定数よシ小さな
誘電定数を有する。たとえばレーザはＩＩｌ、 −■化
合物半導体で作られる。本発明に従って作られるレーザ
は、高パワー出力を放出するという目的を達成する。
詳細な記述
本発明に従い、複数の活性層を有する大型光学空胴レー
ザの実施例が、第１図に断面で示されている。明瞭にす
るため、デバイスの要素の相対的寸法は実際と異なる。
ザの実施例が、第１図に断面で示されている。明瞭にす
るため、デバイスの要素の相対的寸法は実際と異なる。
デバイスは基板１、第１のクラッド層３、大型光学空胴
５、第２のクラッド層７及び電極層９から成る。基板１
及び電極層９にはそれぞれオーム性電極１１及び１３に
より、電気的接触が作られており、良好な電気的接触の
形成を容易にするために、両方とも高濃度ドープされて
いる。基板及び第１のクラッド層は、第１の伝導形を有
し、第２のクラッド層及び電極層は、第２の伝導形を有
する。
５、第２のクラッド層７及び電極層９から成る。基板１
及び電極層９にはそれぞれオーム性電極１１及び１３に
より、電気的接触が作られており、良好な電気的接触の
形成を容易にするために、両方とも高濃度ドープされて
いる。基板及び第１のクラッド層は、第１の伝導形を有
し、第２のクラッド層及び電極層は、第２の伝導形を有
する。
大型光学空胴は複数の活性層１５及び複数のスペーサ層
１７から成る。活性層１５及びスペーサ層は、交互には
さまれている。すなわち、大型光学空胴中の層は、順に
活性、スペーサ、活性等である。活性層及びスペーサ層
の精密な数は、厳密でなくてよい。クラッド層は光場の
閉じ込めをするために、大型光学空胴よシ小さな誘電定
数を有する。大型光学空胴内の層は、キャリヤの拡散を
容易にするため、名目上ドープされていない。活性層は
第１の禁制帯を有し、スペーサ層は第２の禁制帯を有す
る。第１の禁制帯は第２の禁制帯より／ＪＳさい。活性
層とスペーサ層の禁制帯の差は、一つの活性層から別の
活性層へ、熱放出によりキャリヤが移動できるよう、十
分小さいことが望ましい。活性層は量子効果が著しくな
いように、十分大きな厚さをもつ。
１７から成る。活性層１５及びスペーサ層は、交互には
さまれている。すなわち、大型光学空胴中の層は、順に
活性、スペーサ、活性等である。活性層及びスペーサ層
の精密な数は、厳密でなくてよい。クラッド層は光場の
閉じ込めをするために、大型光学空胴よシ小さな誘電定
数を有する。大型光学空胴内の層は、キャリヤの拡散を
容易にするため、名目上ドープされていない。活性層は
第１の禁制帯を有し、スペーサ層は第２の禁制帯を有す
る。第１の禁制帯は第２の禁制帯より／ＪＳさい。活性
層とスペーサ層の禁制帯の差は、一つの活性層から別の
活性層へ、熱放出によりキャリヤが移動できるよう、十
分小さいことが望ましい。活性層は量子効果が著しくな
いように、十分大きな厚さをもつ。
スペーサ層はキャリヤトンネル長より大きく、キャリヤ
拡散長よりは小さい厚さをもつことが望ましい。
拡散長よりは小さい厚さをもつことが望ましい。
一実施例において、第１の伝導形はｎ形で、 −第２
の伝導形はｐ形である。デバイスの層は、たとえばＡ／
！ＸＧａ１−ｘＡｓ又はＩｎＧａＡｓＰのような■１−
■化合物半導体から成シ、二元、゛三元又は四元化合物
でもよい。レーザはエピタキシャル層の一般的で周知の
技術のいずれかで成長させればよい。しかし、比較的薄
い活性及びスペーサ層をはさむためには、たとえば分子
線エピタキシーといった技術を選択することが必要で、
それはそのような構造を製作するのに適しており、望ま
しい。層は少くとも相互にほぼ格子整合がとられる。
の伝導形はｐ形である。デバイスの層は、たとえばＡ／
！ＸＧａ１−ｘＡｓ又はＩｎＧａＡｓＰのような■１−
■化合物半導体から成シ、二元、゛三元又は四元化合物
でもよい。レーザはエピタキシャル層の一般的で周知の
技術のいずれかで成長させればよい。しかし、比較的薄
い活性及びスペーサ層をはさむためには、たとえば分子
線エピタキシーといった技術を選択することが必要で、
それはそのような構造を製作するのに適しており、望ま
しい。層は少くとも相互にほぼ格子整合がとられる。
大型光学空胴レーザは大型光学空胴内でのキャリヤの拡
散長を増すため、名目上アンドープである。大型光学空
胴の全厚は、キャリヤの拡散長より小さくすべきである
。活性層及びスペーサ層間の禁制帯の差は、キャリヤが
熱放出により活性層から活性層へ移動できるよう十分小
さいため、いくつかの活性層中には、木質的に一様なキ
ャリヤ注入が行われる。ＡＩ ＸＧａ ｌ−ＸＡＳから
成る活性層と＃ｙＧａ１−ｙＡｓから成るスペーサ層の
場合、ｙは約０．２＋ｘより小さくすべきである。活性
層の厚さ及びスペーサ層の厚さは、活性層が光学的に相
互に密接に結合されるように、すなわち光陽が全大型光
学空胴に渡り、二つのクラッド層間に延びるように選択
される。その結果、複数の活性層及びスペーサ層から成
る全大型光学空胴は、単一波長を形成する。
散長を増すため、名目上アンドープである。大型光学空
胴の全厚は、キャリヤの拡散長より小さくすべきである
。活性層及びスペーサ層間の禁制帯の差は、キャリヤが
熱放出により活性層から活性層へ移動できるよう十分小
さいため、いくつかの活性層中には、木質的に一様なキ
ャリヤ注入が行われる。ＡＩ ＸＧａ ｌ−ＸＡＳから
成る活性層と＃ｙＧａ１−ｙＡｓから成るスペーサ層の
場合、ｙは約０．２＋ｘより小さくすべきである。活性
層の厚さ及びスペーサ層の厚さは、活性層が光学的に相
互に密接に結合されるように、すなわち光陽が全大型光
学空胴に渡り、二つのクラッド層間に延びるように選択
される。その結果、複数の活性層及びスペーサ層から成
る全大型光学空胴は、単一波長を形成する。
説明のため、二つの実施例について述べる。
両方の実施例において、クラッド層は
Ａｌｏ、５ Ｇ ａｏ、５ Ａ ｓから成り、電極層及
び基板はＧａＡｓ から成った。第］の伝導形はｎ形
で、第２の伝導形はｐ形であった。一実施例において、
それぞれ７００オングストロームの厚さをもつ４つのＧ
ａＡｓ 活性層があり、それらはＡｌＯ，Ｉ Ｇａｏ
、ｏ Ａ”から成る３２００オンクストローム厚のスペ
ーサ層により分離された。、大型光学空胴全体の厚さは
、１．、２４． ｉｌｍ であった、。
び基板はＧａＡｓ から成った。第］の伝導形はｎ形
で、第２の伝導形はｐ形であった。一実施例において、
それぞれ７００オングストロームの厚さをもつ４つのＧ
ａＡｓ 活性層があり、それらはＡｌＯ，Ｉ Ｇａｏ
、ｏ Ａ”から成る３２００オンクストローム厚のスペ
ーサ層により分離された。、大型光学空胴全体の厚さは
、１．、２４． ｉｌｍ であった、。
第２の実施例は、それぞれ９００オンクストロームの厚
さをもち、３４０．０オングストロームの厚さのＡｌｏ
、＋ Ｇａｏ、ｇ Ａｓのスペーサ層をもつ６個のＧａ
Ａｓ 活性層から成った。得られた大型光学空胴の全
厚は、２．２４． ｔｔｍ であった。
さをもち、３４０．０オングストロームの厚さのＡｌｏ
、＋ Ｇａｏ、ｇ Ａｓのスペーサ層をもつ６個のＧａ
Ａｓ 活性層から成った。得られた大型光学空胴の全
厚は、２．２４． ｔｔｍ であった。
エピタキシャル層は分子線エピタキシーにより、成長さ
せた。オーム性接触は周知の一般的な方法で形成した。
せた。オーム性接触は周知の一般的な方法で形成した。
長さ４００μｍで、幅２５０μｍ のソーカット側壁を
有するタイオードを形成するため、標準的なへき開プロ
セスを用いた。タイオードは銅ヒートシンク」−に、イ
ンジウムでｐ形の側を下りこして接着した。
有するタイオードを形成するため、標準的なへき開プロ
セスを用いた。タイオードは銅ヒートシンク」−に、イ
ンジウムでｐ形の側を下りこして接着した。
第２図は４個のＧａＡＳ 活性層を有する本発明に従
うレーザの場合の、ワット単位で表しり出力パワーのピ
ークを縦軸に、アン／＜ ７ 即位で表した電流を水平
軸にプロットした図である。電流はｌ ＫＨｚにおいて
、５００ｎｓ のパルス持続時間のパルスとした。図
かられかるように、飽和特性を示すことなく、４ワツト
／ミラーもの高いパワー出力まで、非常に直線的な光出
力と電流曲線が得られている。
うレーザの場合の、ワット単位で表しり出力パワーのピ
ークを縦軸に、アン／＜ ７ 即位で表した電流を水平
軸にプロットした図である。電流はｌ ＫＨｚにおいて
、５００ｎｓ のパルス持続時間のパルスとした。図
かられかるように、飽和特性を示すことなく、４ワツト
／ミラーもの高いパワー出力まで、非常に直線的な光出
力と電流曲線が得られている。
斗だ、レーザの発振はきわめて急激に起り、それによっ
て個々の活性層がすべて同時にレーザ発振を開始するこ
とが示されていることにも、注意すべきである。
て個々の活性層がすべて同時にレーザ発振を開始するこ
とが示されていることにも、注意すべきである。
これらの広い領域のダイオード内では、内部循環モード
が存在する可能性があるが、外部微分量子効率は、約６
０パーセントと測定され、それは比較的高い。複数の活
性層により、効率よくキャリヤが利用されるため、効率
は高いと信じられる。閾値電流密度は、約４３ｒ＜ＡＩ
ｃｔｄ で、比較的低い。高外部量子効率と低閾値電流
密度が組合さるということは、大型光学空胴中に注入さ
れたキャリヤが、活性層により効率よく利用され、再結
合によってフォトンを発生することを示す。もし、複数
の活性層のすべてが組合さり、等価な全厚をもつ単一の
活性層を形成するならば、キャリヤは活性層から導波路
中に漏れ、それ以上利用されないであろう。その結果、
閾値電流は著しく高くなるであろう。しが１〜、キャリ
ヤが大型光学空胴内の第１の活性層を離れた時、それら
はそれに続く活性層により、更に集められ、利用される
。加えて、活性層の相互のフォト−ポンピンクがある可
能性がある。
が存在する可能性があるが、外部微分量子効率は、約６
０パーセントと測定され、それは比較的高い。複数の活
性層により、効率よくキャリヤが利用されるため、効率
は高いと信じられる。閾値電流密度は、約４３ｒ＜ＡＩ
ｃｔｄ で、比較的低い。高外部量子効率と低閾値電流
密度が組合さるということは、大型光学空胴中に注入さ
れたキャリヤが、活性層により効率よく利用され、再結
合によってフォトンを発生することを示す。もし、複数
の活性層のすべてが組合さり、等価な全厚をもつ単一の
活性層を形成するならば、キャリヤは活性層から導波路
中に漏れ、それ以上利用されないであろう。その結果、
閾値電流は著しく高くなるであろう。しが１〜、キャリ
ヤが大型光学空胴内の第１の活性層を離れた時、それら
はそれに続く活性層により、更に集められ、利用される
。加えて、活性層の相互のフォト−ポンピンクがある可
能性がある。
パルス閾値の温度依存性が測定され、約８０℃以下の温
度に対しては、１７５にという高い温度係数が測定され
た。この値は良好な注入キャリヤ閉じ込めを有する別々
の閉じ込めをするためのへテロ構造レーザの場合に、通
常のタプルへテロ構造レーザて得られる値と同様である
。このことは更に、大型光学空胴は厚いが、注入された
キャリヤは複数の活性層により、放射発生に有効に利用
されることを示している。
度に対しては、１７５にという高い温度係数が測定され
た。この値は良好な注入キャリヤ閉じ込めを有する別々
の閉じ込めをするためのへテロ構造レーザの場合に、通
常のタプルへテロ構造レーザて得られる値と同様である
。このことは更に、大型光学空胴は厚いが、注入された
キャリヤは複数の活性層により、放射発生に有効に利用
されることを示している。
ここで述べた実施例の修正は、当業者には容易に考えら
れるであろう。たとえば、スペーサ層の組成及び厚さは
同一である必要はなく、活性層の組成及び厚さは同一で
ある必要はない。
れるであろう。たとえば、スペーサ層の組成及び厚さは
同一である必要はなく、活性層の組成及び厚さは同一で
ある必要はない。
第１図は本発明に従う複数の活性層を有する大型光学空
胴レーザの断面図、 第２図はワット単位の出力パワーを縦軸に、アンペア単
位の電流を横軸にとってプロットした図である。 〔主要部分のｒｊ号の説明〕 ３・・第１のクラッド層 ７−・第２のクラッド層 ５・大型光学空胴 １７・・スペーサ層 １５・・・活性層 ＦＩＧ、／ ＦＩＧ、２ 電流 ４２７
胴レーザの断面図、 第２図はワット単位の出力パワーを縦軸に、アンペア単
位の電流を横軸にとってプロットした図である。 〔主要部分のｒｊ号の説明〕 ３・・第１のクラッド層 ７−・第２のクラッド層 ５・大型光学空胴 １７・・スペーサ層 １５・・・活性層 ＦＩＧ、／ ＦＩＧ、２ 電流 ４２７
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１の伝導形を有する第１のクラッド層、第２の伝
導形を有する第２のクラッド層及び大型光学空胴から成
る半導体レーザにおいて、 該大型光学空胴は該第１のクラッド層と＃第２のクラッ
ド層間にあシ、該大型光学空胴は第２の禁制帯を有する
複数のスペーサ層を間にはさんだ第１の禁制帯を有する
複数の活性層から成り、該第１の禁制帯は該第２の禁制
帯より小さいことを特徴とする半導体レーザ。 ２、特許請求の範囲第１項に記載された半導体レーザに
おいて、 該スペーサ層はキャリヤの拡散長よシ小さな厚さを有す
ることを特徴とする半導体レーザ。 ３、特許請求の範囲第２項に記載された半導体レーザに
おいて、 該大型光学空胴はキャリヤの拡散長より小さな厚さを有
することを特徴とする半導体レーザ。 ４、特許請求の範囲第３項に記載された半導体レーザに
おいて、 該スペーサ層はキャリヤのトンネル距離よシ大きな厚さ
を有することを特徴とする半導体レーザ。 ５、特許請求の範囲第４項に記載された半導体レーザに
おいて、 該第１及び第２の禁制帯の差により、キャリヤは該大型
光学空胴中の活性層間で、熱放出により動くことができ
ることを特徴とする半導体レーザ。 ６、特許請求の範囲第５項に記載された半導体レーザに
おいて、 該層は■−ｖ族及び■−■族化合物半導体から成る群か
ら選択された材料から成ることを特徴とする半導体レー
ザ。 ７ 特許請求の範囲第６項に言己載された半導体レーザ
において、 該利料は川−Ｖ族化合物半導体から成る群から選択され
ることを特徴とラーる半導体レーザ。 ８ 特許請求の範囲第７項に記載さね、た半導体レーザ
において、 該ｌｌｌ−〜７族化合物半導体は、／１４ＧａＡｓ、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ及びＧａ／１ＪＩｎＡｓ から成る群力
）ら選択されることを特徴とする半導イ本し−サ。 ９、 特許請求の範囲第８項に言己載さｉｔだ半導体レ
ーザにおいて、 該活性層は＃ｘＧａ、−ｘＡｓから成９、該スペーサ層
はＡｌＸＧａ１−ｘＡ３から成ることを特徴とする半導
体レーザ。 １０ 特許請求の範囲第９項に記載された半導体レーザ
において、 ｙは約０２＋ｘより小さいことｆ：％徴とする半導体レ
ーザ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US493792 | 1983-05-12 | ||
| US06/493,792 US4602370A (en) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | Large optical cavity laser having a plurality of active layers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59208889A true JPS59208889A (ja) | 1984-11-27 |
Family
ID=23961731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59093091A Pending JPS59208889A (ja) | 1983-05-12 | 1984-05-11 | 半導体レ−ザ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4602370A (ja) |
| JP (1) | JPS59208889A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005079580A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 複数の発光領域を有するレーザー装置 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256319A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Hitachi Ltd | 光変調器 |
| JPS62130581A (ja) * | 1985-11-30 | 1987-06-12 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザの製造方法 |
| JPS6395682A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 端面発光素子 |
| EP0280281B1 (en) * | 1987-02-27 | 1994-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Variable oscillation wavelength semiconductor laser device |
| US4882734A (en) * | 1988-03-09 | 1989-11-21 | Xerox Corporation | Quantum well heterostructure lasers with low current density threshold and higher TO values |
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| SE501722C2 (sv) * | 1993-09-10 | 1995-05-02 | Ellemtel Utvecklings Ab | Ytemitterande laseranordning med vertikal kavitet |
| SE501721C2 (sv) * | 1993-09-10 | 1995-05-02 | Ellemtel Utvecklings Ab | Laseranordning med i en optisk kavitet seriekopplade laserstrukturer |
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| JPS57176785A (en) * | 1981-04-22 | 1982-10-30 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
Family Cites Families (1)
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|---|---|---|---|---|
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-
1983
- 1983-05-12 US US06/493,792 patent/US4602370A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-05-11 JP JP59093091A patent/JPS59208889A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4602370A (en) | 1986-07-22 |
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