JPS59210681A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
- Publication number
- JPS59210681A JPS59210681A JP8412383A JP8412383A JPS59210681A JP S59210681 A JPS59210681 A JP S59210681A JP 8412383 A JP8412383 A JP 8412383A JP 8412383 A JP8412383 A JP 8412383A JP S59210681 A JPS59210681 A JP S59210681A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonator
- end surface
- wafer
- electrode
- face
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Weting (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は半導体レーザの製造方法に関するものである
。
。
（従来技術）
これまでの半導体レーザは、（、ｏ ｏ ｉ ）基板上
に＜１１０＞または＜ ｉ ｉ Ｏ＞方向に共振器を形
成し、襞間またはエツチングによシ端面を形成していた
。
に＜１１０＞または＜ ｉ ｉ Ｏ＞方向に共振器を形
成し、襞間またはエツチングによシ端面を形成していた
。
しかしながら、これらの方法のうち襞間による場合には
、刃による歪や傷をつけやすいという欠点があった。ま
た、エツチングによる場合には、面方位依存性により端
面が逆メサまたは順メサ状となシフアプリベロー共振器
としては損失が大きいという欠点があシ、さらに反応性
イオンエツチングなどドライエツチングでは、化学エツ
チングはど滑らかな端面が得られず損失が大きいという
欠点があった。
、刃による歪や傷をつけやすいという欠点があった。ま
た、エツチングによる場合には、面方位依存性により端
面が逆メサまたは順メサ状となシフアプリベロー共振器
としては損失が大きいという欠点があシ、さらに反応性
イオンエツチングなどドライエツチングでは、化学エツ
チングはど滑らかな端面が得られず損失が大きいという
欠点があった。
（発明の目的）
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、歪や傷をつ
けずに滑らかに、しかも垂直に共振器端面を形成できる
半導体レーザの製造方法を提供することを目的とする。
けずに滑らかに、しかも垂直に共振器端面を形成できる
半導体レーザの製造方法を提供することを目的とする。
（実施例）
以下、ＩｎＧａＡｓＰ／ ＩｎＰ半導体レーザを例にと
ってこの発明の一実施例を第１図および第２図を参照し
て説明する。
ってこの発明の一実施例を第１図および第２図を参照し
て説明する。
第１図（ａ）において、１はＩｎＰ（００１）基板であ
シ、まずこの基板１上にｓ ＧａＩｎＡｓＰよＱなる活
性領域２すなわちレーザ共振器が＜１００＞方向になる
ようにして成長層３を通常の方法で形成することによシ
、レーザウェハ４を作成する。ここで、レーザウェハ４
は、利得導波路形または屈折率導波路形のいずれの素手
を構成するようにしてもよい。
シ、まずこの基板１上にｓ ＧａＩｎＡｓＰよＱなる活
性領域２すなわちレーザ共振器が＜１００＞方向になる
ようにして成長層３を通常の方法で形成することによシ
、レーザウェハ４を作成する。ここで、レーザウェハ４
は、利得導波路形または屈折率導波路形のいずれの素手
を構成するようにしてもよい。
次に、そのレーデウェハ４上に電極５を形成し、さらに
その電極５上に、フォトワークによυ、共振器長を幅と
するストライプ状エツチングマスク６を＜ｏ ｉ ｏ＞
方向に形成する（第１図（ｂ））。
その電極５上に、フォトワークによυ、共振器長を幅と
するストライプ状エツチングマスク６を＜ｏ ｉ ｏ＞
方向に形成する（第１図（ｂ））。
しかる後、エツチングマスク６をマスクとして電極５を
エツチングし、さらに、臭素−メタノールなど面方位依
存性の強いエッチャントで活性領域２の下迄レーザウェ
ハ４をエツチングする（第１図（Ｃ））。すると、エツ
チング端面（その一部が共振器端面となる）は垂直すな
わち（ｉｏｏ）面となシ、７アプリ一ベロー鏡面が構成
される。
エツチングし、さらに、臭素−メタノールなど面方位依
存性の強いエッチャントで活性領域２の下迄レーザウェ
ハ４をエツチングする（第１図（Ｃ））。すると、エツ
チング端面（その一部が共振器端面となる）は垂直すな
わち（ｉｏｏ）面となシ、７アプリ一ベロー鏡面が構成
される。
以上の後、第１図（ｄ）に示すようにマスク６を除去す
る。そして、その上で、電極５付のレーザウェハ４を同
第１図（ｄ）に細線７．．７２で示すように＜１１０＞
および＜−１１ｏ＞方向に所定の大きさ−に−Ｊ！＃開
し、レーザチップを切り出す。この切シ出されｆｃｌつ
のチップを第２図に示す。
る。そして、その上で、電極５付のレーザウェハ４を同
第１図（ｄ）に細線７．．７２で示すように＜１１０＞
および＜−１１ｏ＞方向に所定の大きさ−に−Ｊ！＃開
し、レーザチップを切り出す。この切シ出されｆｃｌつ
のチップを第２図に示す。
（発明の効果）
以上の一実施例から明らかなようにこの発明の半導体レ
ーデの製造方法においては、（００１）面の基板上に半
導体レーザの共振器を＜ｉｏｏ＞方向に形成し、さらに
面方位依存性の強い化学エツチング液を用いて共振器端
面を（ｉｏｏ）面に、すなわち垂直に形成する。したが
って、この発明の方法によれば、共振器端面を骨間によ
らずに化学エツチングで垂直に形成することが可能とな
る。そして、化学エツチングによる方法であるから、共
振器端面にひずみや傷をつけることがない。捷た、端面
が滑らかであり、したがって得られた半導体レーザは、
前記端面が垂直であることと相まって損失が少なく、骨
間による場合と同程度の効率を保持できる。
ーデの製造方法においては、（００１）面の基板上に半
導体レーザの共振器を＜ｉｏｏ＞方向に形成し、さらに
面方位依存性の強い化学エツチング液を用いて共振器端
面を（ｉｏｏ）面に、すなわち垂直に形成する。したが
って、この発明の方法によれば、共振器端面を骨間によ
らずに化学エツチングで垂直に形成することが可能とな
る。そして、化学エツチングによる方法であるから、共
振器端面にひずみや傷をつけることがない。捷た、端面
が滑らかであり、したがって得られた半導体レーザは、
前記端面が垂直であることと相まって損失が少なく、骨
間による場合と同程度の効率を保持できる。
また、一実施例では、最終工程で骨間によりチップに切
シ出しているが、その前に既に共、振器端面が化学エツ
チングによシ垂直に形成されているから、この弁開工程
を歩留りよく、かつ簡略化して行うことができる。
シ出しているが、その前に既に共、振器端面が化学エツ
チングによシ垂直に形成されているから、この弁開工程
を歩留りよく、かつ簡略化して行うことができる。
（他の例）
なお、一実施例ではレーザチップを作製する場合を説明
したが、半絶縁性基板上に素子を集積化する場合にもこ
の発明を適用できる。
したが、半絶縁性基板上に素子を集積化する場合にもこ
の発明を適用できる。
第１図および第２図はこの発明の半導体レーザの製造方
法の一実施例を説明するための斜視図である。 １・・・ＩｎＰ（００１）基板、２・・・活性領域、４
・・・レーザウェハ、６・・・エツチングマスク。 特許出願人 沖電気工業株式会社
法の一実施例を説明するための斜視図である。 １・・・ＩｎＰ（００１）基板、２・・・活性領域、４
・・・レーザウェハ、６・・・エツチングマスク。 特許出願人 沖電気工業株式会社
Claims (1)
- （００１）面の基板上に半導体レーザの共振器を＜１０
０＞方向に形成し、さらに面方位依存性の強い化学エツ
チング液を用いて共振器端面を（１００）面に形成する
ことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8412383A JPS59210681A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8412383A JPS59210681A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59210681A true JPS59210681A (ja) | 1984-11-29 |
Family
ID=13821735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8412383A Pending JPS59210681A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59210681A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06216106A (ja) * | 1992-03-17 | 1994-08-05 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 半導体素子およびその製造方法 |
| DE19527000A1 (de) * | 1994-07-25 | 1996-02-01 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterlaser und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterlasers |
| JP2024527953A (ja) * | 2021-08-02 | 2024-07-26 | エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 半導体レーザ及びプロジェクタ |
-
1983
- 1983-05-16 JP JP8412383A patent/JPS59210681A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06216106A (ja) * | 1992-03-17 | 1994-08-05 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 半導体素子およびその製造方法 |
| DE19527000A1 (de) * | 1994-07-25 | 1996-02-01 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterlaser und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterlasers |
| GB2292005A (en) * | 1994-07-25 | 1996-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor ridge laser |
| US5604764A (en) * | 1994-07-25 | 1997-02-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| US5656539A (en) * | 1994-07-25 | 1997-08-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating a semiconductor laser |
| GB2292005B (en) * | 1994-07-25 | 1998-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser and method of fabricating semiconductor laser |
| JP2024527953A (ja) * | 2021-08-02 | 2024-07-26 | エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 半導体レーザ及びプロジェクタ |
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