JPS59211289A - アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JPS59211289A JPS59211289A JP58085607A JP8560783A JPS59211289A JP S59211289 A JPS59211289 A JP S59211289A JP 58085607 A JP58085607 A JP 58085607A JP 8560783 A JP8560783 A JP 8560783A JP S59211289 A JPS59211289 A JP S59211289A
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- Japan
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- thickness
- resistance
- electrodes
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は金属基板上に異なる性質のアモルファスシリコ
ン薄膜を順次積層してｐｉｎ接合を形成し、上面には光
の入射する領域を残して集電金属電極を設けるアモルフ
ァスシリコン太陽電池の製造方法に関する。
ン薄膜を順次積層してｐｉｎ接合を形成し、上面には光
の入射する領域を残して集電金属電極を設けるアモルフ
ァスシリコン太陽電池の製造方法に関する。
アモルファスシリコン太陽電池は、低コスト太陽電池の
有力候補として注目を集めている。それは、アモルファ
スシリコン太陽電池が低温気相成長法で接合を形成する
ために作成上のエネルギー消費が少ないこと、吸収係数
が単結晶シリコンに比較して一桁以上大きいのでセル形
成上ガス消費、量が少なくてすむこと等、いくつかの利
点がおるためである。ところがまだ開発途上のためセル
効率が低い、歩留りが低い等単結晶シリコン太陽電池に
比較して、幾つかの欠点も有している。このアモルファ
スシリコン（以下ａ−８ｉと記す）太陽電池のセル効率
にはアモルファスシリコンの膜厚に依存することが分か
っている。第１図はａ−８ｌ太陽電池の構造を示す。例
えばステンレス鋼板を用いる導電状基板１を１〜１０Ｔ
ｏｒｒの真空中で約２００〜８００℃に加熱した電極上
におき、シランガスとジボランガスの混合ガスを導入し
、前記電極と対向電極との間に高周波電圧を印加してグ
ロー放電を発生させ、混合ガスを分解することによりｐ
形層−８層層２を約５０ＯＡの厚さに形成する。次に真
空度を−たん１Ｏ−３Ｔｏｒｒ以下にした後、シランガ
スを１〜１０Ｔｏｒｒの条件で導入して同様にグロー放
電分解によりノンドープミー８層層８を約０．５μｍの
厚さに堆積する。再び１Ｏ−３Ｔｏｒｒ以下に排気の後
、シランガスとフォスフインガスの混合ガスを１〜１０
Ｔｏｒｒで導入し、グロー放電分解することによってｎ
形層−８層層４を約１００ｘの厚さに形成する。すなわ
ち、ａ Ｓｉ層１０は、ｐ形層２、ノンドープ層８、ｎ
形層４の３層から成る。
有力候補として注目を集めている。それは、アモルファ
スシリコン太陽電池が低温気相成長法で接合を形成する
ために作成上のエネルギー消費が少ないこと、吸収係数
が単結晶シリコンに比較して一桁以上大きいのでセル形
成上ガス消費、量が少なくてすむこと等、いくつかの利
点がおるためである。ところがまだ開発途上のためセル
効率が低い、歩留りが低い等単結晶シリコン太陽電池に
比較して、幾つかの欠点も有している。このアモルファ
スシリコン（以下ａ−８ｉと記す）太陽電池のセル効率
にはアモルファスシリコンの膜厚に依存することが分か
っている。第１図はａ−８ｌ太陽電池の構造を示す。例
えばステンレス鋼板を用いる導電状基板１を１〜１０Ｔ
ｏｒｒの真空中で約２００〜８００℃に加熱した電極上
におき、シランガスとジボランガスの混合ガスを導入し
、前記電極と対向電極との間に高周波電圧を印加してグ
ロー放電を発生させ、混合ガスを分解することによりｐ
形層−８層層２を約５０ＯＡの厚さに形成する。次に真
空度を−たん１Ｏ−３Ｔｏｒｒ以下にした後、シランガ
スを１〜１０Ｔｏｒｒの条件で導入して同様にグロー放
電分解によりノンドープミー８層層８を約０．５μｍの
厚さに堆積する。再び１Ｏ−３Ｔｏｒｒ以下に排気の後
、シランガスとフォスフインガスの混合ガスを１〜１０
Ｔｏｒｒで導入し、グロー放電分解することによってｎ
形層−８層層４を約１００ｘの厚さに形成する。すなわ
ち、ａ Ｓｉ層１０は、ｐ形層２、ノンドープ層８、ｎ
形層４の３層から成る。
又２をｎ形層、４をｐ形層とすることも可能であるが、
この場合はｎ形層２、ｐ形層４の膜厚をそれぞれ約５０
ＯＡ、約１０ＯＡとする必要があるｏａ−ｓｉ層１０の
上に透明電極５を形成する。透明電極５はインジラム錫
酸化物（ＩＴＯ） 、Ｓ、ｎ０２等からなる透明導電膜
で蒸着等によ多形成される。膜厚は反射率を最／Ｊ％に
するため７００〜８００Ａに設定される。この上に部分
的に集１！電極６が設けられ、これは真空蒸着または印
刷等によって形成された条状金属薄膜である。
この場合はｎ形層２、ｐ形層４の膜厚をそれぞれ約５０
ＯＡ、約１０ＯＡとする必要があるｏａ−ｓｉ層１０の
上に透明電極５を形成する。透明電極５はインジラム錫
酸化物（ＩＴＯ） 、Ｓ、ｎ０２等からなる透明導電膜
で蒸着等によ多形成される。膜厚は反射率を最／Ｊ％に
するため７００〜８００Ａに設定される。この上に部分
的に集１！電極６が設けられ、これは真空蒸着または印
刷等によって形成された条状金属薄膜である。
このａ−８ｒ太陽電池の出力特性の１層４、すなわち光
７の入射する側のａ−８層窓層の膜厚依存性を示したも
のが第２図である。Ｊｓｃは短絡電流で、１層膜厚が約
１００Ａのとき最大とな、Ｄ 、１１７Ｍ〜の値を与え
ている。Ｖｏｃは開放電圧で、−１層膜厚の増大と共に
増加するが、１層膜厚約１０ＯＡで最大に達し以後一定
の値を示す。ηは変換効率で、０層膜厚増大と共に増加
するが、０層膜厚１００Ａのところで最大値を示し、１
層膜厚がさらに増大すると低下する。
７の入射する側のａ−８層窓層の膜厚依存性を示したも
のが第２図である。Ｊｓｃは短絡電流で、１層膜厚が約
１００Ａのとき最大とな、Ｄ 、１１７Ｍ〜の値を与え
ている。Ｖｏｃは開放電圧で、−１層膜厚の増大と共に
増加するが、１層膜厚約１０ＯＡで最大に達し以後一定
の値を示す。ηは変換効率で、０層膜厚増大と共に増加
するが、０層膜厚１００Ａのところで最大値を示し、１
層膜厚がさらに増大すると低下する。
これらの結果から、１層膜厚を１００Ａ近辺に制御性よ
く再現することがセルの効率および歩留シを向上させる
上で重要である。骨噸÷噸導考噂セ→噂鰺恭命＝しかし
ａ−８膜生成装置が大きくなるとａ−Ｓｔの膜厚制御が
困難となる度合が増加する。また現在の生成装置では、
窓層の形成の際はａ−８ｉ膜の成長速度を一定に抑え１
成長時間を調整することによって膜厚を決めている。寮
際に、例えば１０ット４枚、１０ロツトのａ−８ｉ膜層
１０００Ａ付着させた場合、成長時間による制御では膜
厚が９００〜ｌ１００Ａの範囲にはらついた。これは膜
厚の制御性が±１０チであることを意味する。すなわち
第２図に、おいて最高値である１００Ａの厚さを得るつ
もシでも９０層程度の１層膜厚を有するものができるこ
とになシ、特性はそれだけ悪くなる。こういう状態でａ
−８ｉ太陽電池の光入射側の窓層を形成すると、セルが
大面積の場合には全面において効率のばらつきが存在し
、全体として効率が低くなる。
く再現することがセルの効率および歩留シを向上させる
上で重要である。骨噸÷噸導考噂セ→噂鰺恭命＝しかし
ａ−８膜生成装置が大きくなるとａ−Ｓｔの膜厚制御が
困難となる度合が増加する。また現在の生成装置では、
窓層の形成の際はａ−８ｉ膜の成長速度を一定に抑え１
成長時間を調整することによって膜厚を決めている。寮
際に、例えば１０ット４枚、１０ロツトのａ−８ｉ膜層
１０００Ａ付着させた場合、成長時間による制御では膜
厚が９００〜ｌ１００Ａの範囲にはらついた。これは膜
厚の制御性が±１０チであることを意味する。すなわち
第２図に、おいて最高値である１００Ａの厚さを得るつ
もシでも９０層程度の１層膜厚を有するものができるこ
とになシ、特性はそれだけ悪くなる。こういう状態でａ
−８ｉ太陽電池の光入射側の窓層を形成すると、セルが
大面積の場合には全面において効率のばらつきが存在し
、全体として効率が低くなる。
本発明は、ｐｉｎｍ造のａ−８＋薄膜を有する太陽電池
の窓層の膜厚制御を改善し、ａ−８＋太陽電池、特に大
面積のａ−８ｉ太陽電池の効率を向上せしめることを目
的とする。
の窓層の膜厚制御を改善し、ａ−８＋太陽電池、特に大
面積のａ−８ｉ太陽電池の効率を向上せしめることを目
的とする。
本発明はｐｉｎ構造のａ−８ｉ薄膜の最上層である窓層
形成の際、予め所定の窓層厚さより厚い層を形成後集電
電極として利用できる二つの金属電極をその上に設け、
両電極間の抵抗測定によシ膜厚を検知しながら最上層の
エツチングを行って所定の窓層厚さを得ることによって
上記の目的を達成する。
形成の際、予め所定の窓層厚さより厚い層を形成後集電
電極として利用できる二つの金属電極をその上に設け、
両電極間の抵抗測定によシ膜厚を検知しながら最上層の
エツチングを行って所定の窓層厚さを得ることによって
上記の目的を達成する。
第８図において第１図と共通の部分には同一の符号が付
されている。７（ＦＩＩＩＸ７０＋１のステンレス鋼基
板１を２００〜８００℃に加熱し、１〜１０Ｔｏｒｒの
真空状態でｐ形層−８ｉＪｉ ２ ｔ 約５０ＯＡ、
／ ７ Ｆ ７ ）（ｉｌａ−８層層８を約０．５μｍ
の厚さにそれぞれ堆積する。次にｎ形層−８層層１４を
所望の窓層厚さ１ｏｏＸの倍の約２ｏｏＫの厚さに成長
させる。次いで真空蒸着法によってチタンまたはアルミ
ニウム膜からなる金属電極１５および１６を形成する・
この金属電極の膜厚は２０００〜５ｏｏｏＸで・般社ら
れるべき集電電極と同じパターンにマスク蒸着される。
されている。７（ＦＩＩＩＸ７０＋１のステンレス鋼基
板１を２００〜８００℃に加熱し、１〜１０Ｔｏｒｒの
真空状態でｐ形層−８ｉＪｉ ２ ｔ 約５０ＯＡ、
／ ７ Ｆ ７ ）（ｉｌａ−８層層８を約０．５μｍ
の厚さにそれぞれ堆積する。次にｎ形層−８層層１４を
所望の窓層厚さ１ｏｏＸの倍の約２ｏｏＫの厚さに成長
させる。次いで真空蒸着法によってチタンまたはアルミ
ニウム膜からなる金属電極１５および１６を形成する・
この金属電極の膜厚は２０００〜５ｏｏｏＸで・般社ら
れるべき集電電極と同じパターンにマスク蒸着される。
この金属電極１５．１６は第４図に示すように二つの分
離されたパターンであることが必要である。このａ−８
１層と金属電極パターンを形成した４つのセル２０を第
５図に示すような形でプラズマエツチング装置のサセプ
タ２１に置き、サセプタ２１にとルつけである端子２２
で金属電極１５．１６をおさえる。この端子２２は碍子
等の絶縁体２８でサセプタとは絶縁されている。この端
子２２からはそれぞれリード線がとシ出されておシ、装
置の反応槽外でこの両端子の抵抗を測定できるようＫな
っている。この時、真空槽は光のはいらぬように光から
遮断され、ａｌｔ層に光が入射しないようにされる。こ
うして抵抗を測定したところ、抵抗値は１７０順から１
３０ＭΩにばらついた。
離されたパターンであることが必要である。このａ−８
１層と金属電極パターンを形成した４つのセル２０を第
５図に示すような形でプラズマエツチング装置のサセプ
タ２１に置き、サセプタ２１にとルつけである端子２２
で金属電極１５．１６をおさえる。この端子２２は碍子
等の絶縁体２８でサセプタとは絶縁されている。この端
子２２からはそれぞれリード線がとシ出されておシ、装
置の反応槽外でこの両端子の抵抗を測定できるようＫな
っている。この時、真空槽は光のはいらぬように光から
遮断され、ａｌｔ層に光が入射しないようにされる。こ
うして抵抗を測定したところ、抵抗値は１７０順から１
３０ＭΩにばらついた。
この反応槽を１Ｏ−３Ｔｏｒｒ以下に排気した後、８ｔ
Ｆ４ガスを導入して０，２〜０．８Ｔｏｒｒの条件で高
周波を印加して放電を行った。この際の放電パワーは２
００Ｗで、８ｉＨ４ガスの場合の放電パワーの約４倍で
ある。放電中は端子２２から外部に引き出されているリ
ード線を短絡し、サセプタ２１と同電位に保持した。１
０秒放電毎に放電をとめ暗状態にして、この電極１５．
１６間の抵抗を測定したところ抵抗は徐々に増大した。
Ｆ４ガスを導入して０，２〜０．８Ｔｏｒｒの条件で高
周波を印加して放電を行った。この際の放電パワーは２
００Ｗで、８ｉＨ４ガスの場合の放電パワーの約４倍で
ある。放電中は端子２２から外部に引き出されているリ
ード線を短絡し、サセプタ２１と同電位に保持した。１
０秒放電毎に放電をとめ暗状態にして、この電極１５．
１６間の抵抗を測定したところ抵抗は徐々に増大した。
そしてこの抵抗が８００順になるところまでエツチング
を続けた。同一サセプタ上ではほとんど同じ速度でｎ形
層がエツチングされることが確かめられた。これはガス
圧力をａ”ｓｉ層形成の場合の７１８にしてエツチング
するので、放電の均一性が良好々ためと思われる。両電
極間の抵抗８００Ｍ１１は１層膜厚が１００Ａの浮名に
相当する。このとき１層８の膜厚は０．５μｍあるが抵
抗は１が１Ω以上ら９て大きいので、両電極間の抵抗か
ら１層膜厚を検知することができる。セルの１層膜厚は
各セル毎にばらついているので１つ毎セルの電極間抵抗
をモニタし１層膜厚を１００λになるようコントロール
していく必要がある。膜厚が最初に最適化された０層４
を有するセルについては槽内に予め用意してあったステ
ンレスの基板をそのセルを被覆した。こうして−エツチ
ングの進展を防ぐことが出きた。真空を破るのは、すべ
てのセルの１層膜厚が最適化されてからでおる。
を続けた。同一サセプタ上ではほとんど同じ速度でｎ形
層がエツチングされることが確かめられた。これはガス
圧力をａ”ｓｉ層形成の場合の７１８にしてエツチング
するので、放電の均一性が良好々ためと思われる。両電
極間の抵抗８００Ｍ１１は１層膜厚が１００Ａの浮名に
相当する。このとき１層８の膜厚は０．５μｍあるが抵
抗は１が１Ω以上ら９て大きいので、両電極間の抵抗か
ら１層膜厚を検知することができる。セルの１層膜厚は
各セル毎にばらついているので１つ毎セルの電極間抵抗
をモニタし１層膜厚を１００λになるようコントロール
していく必要がある。膜厚が最初に最適化された０層４
を有するセルについては槽内に予め用意してあったステ
ンレスの基板をそのセルを被覆した。こうして−エツチ
ングの進展を防ぐことが出きた。真空を破るのは、すべ
てのセルの１層膜厚が最適化されてからでおる。
こうして得られた４つのセルに第６図に示すように透明
電極１７を蒸着した。このようにしてでき上った太陽電
池セルは金属基板１と金属電極１６の直上の透明電極１
７から光起電力を取り出すことができ、抵抗測定に用い
られた金属電極１６が集電電極としても役立つ。でき上
った太陽電池セルの特性を測定したところ、セル特性の
ばらつきはほとんどなく 、７．５％以上の効率を達成
した。この結果は一従来の方法でつくられた１０ロツト
の太陽電池セルの効率が６．５〜７．５チの範囲でばら
ついたのに対して極めてすぐれているものであることは
容易に理解できる。
電極１７を蒸着した。このようにしてでき上った太陽電
池セルは金属基板１と金属電極１６の直上の透明電極１
７から光起電力を取り出すことができ、抵抗測定に用い
られた金属電極１６が集電電極としても役立つ。でき上
った太陽電池セルの特性を測定したところ、セル特性の
ばらつきはほとんどなく 、７．５％以上の効率を達成
した。この結果は一従来の方法でつくられた１０ロツト
の太陽電池セルの効率が６．５〜７．５チの範囲でばら
ついたのに対して極めてすぐれているものであることは
容易に理解できる。
第７図は第二の実施例を示す。金属電極１５．１６を設
けたのちｎ層１４をエツチングすると電極の下部はその
まま残シ、他の部分は１００Ａ程度となる。
けたのちｎ層１４をエツチングすると電極の下部はその
まま残シ、他の部分は１００Ａ程度となる。
この場合、電極１５．１６とエツチングされた０層４と
の間の段差が大きくなると透明電極１７がその段差部に
おいて中断されるおそれがあるので、電極１５．１６の
膜厚は２００Ａ程度にされる。このような薄い電極では
シート抵抗が大きくなるので、特に大面積の太陽電池セ
ルにおいては、第４図に示す金属電極１５ 、１６の幹
部２４ 、２５の上に透明電極層１７を介して印刷電極
１８を付加することによりセルの直列抵抗を小さくする
ことが有効である。金属電極１５．１６の枝部２６，２
７は電流が小さいので付加電極を設けてもほとんど効果
がない。
の間の段差が大きくなると透明電極１７がその段差部に
おいて中断されるおそれがあるので、電極１５．１６の
膜厚は２００Ａ程度にされる。このような薄い電極では
シート抵抗が大きくなるので、特に大面積の太陽電池セ
ルにおいては、第４図に示す金属電極１５ 、１６の幹
部２４ 、２５の上に透明電極層１７を介して印刷電極
１８を付加することによりセルの直列抵抗を小さくする
ことが有効である。金属電極１５．１６の枝部２６，２
７は電流が小さいので付加電極を設けてもほとんど効果
がない。
ｎ層を形成する場合シランガス１フオスフインガス、水
素ガスを１：０．０１：２０の比率で導入し、約２００
Ｗのパワーでグロー放電分解すると、ｎ層は約１０ＯＡ
の結晶粒の集まった微結晶構造となる。この層線比抵抗
で１Ω備程度の値をもっている。従って、第８図に示し
た左右の金属電極１５．１６間の抵抗は２０臥の０層形
成後１８ＫＱ−１７ＫＯの値となった。この場合１００
Ａのｎ層を得るには、この両者の抵抗が８０ＫＯとなる
までｎ層をエツチングするとよいことがわかった。
素ガスを１：０．０１：２０の比率で導入し、約２００
Ｗのパワーでグロー放電分解すると、ｎ層は約１０ＯＡ
の結晶粒の集まった微結晶構造となる。この層線比抵抗
で１Ω備程度の値をもっている。従って、第８図に示し
た左右の金属電極１５．１６間の抵抗は２０臥の０層形
成後１８ＫＱ−１７ＫＯの値となった。この場合１００
Ａのｎ層を得るには、この両者の抵抗が８０ＫＯとなる
までｎ層をエツチングするとよいことがわかった。
上記の実施例では最上層としてｎ層を有する場合につい
て述べたが、基板側から順にａ−８ｉ薄膜のｎ層、ｉ層
、ｐ層を積層してｐｉｎ接合を形成する場合にも最上層
のｐ層の最適厚さを得るために本発明を適用することが
できる。
て述べたが、基板側から順にａ−８ｉ薄膜のｎ層、ｉ層
、ｐ層を積層してｐｉｎ接合を形成する場合にも最上層
のｐ層の最適厚さを得るために本発明を適用することが
できる。
以上述べたように本発明はｐｉｎ構造を有するａ−８１
薄膜の窓層の厚さを最適値にするために、予め最上層を
厚く形成しておきその上に設けた二つの金属電極間の抵
抗を測定しながらエツチングするもので、これによシ所
望の窓層厚さを容易に得るこトカでき、特性の良好なア
モルファスシリコン太陽電池の製造方法として極めて有
効である＠
薄膜の窓層の厚さを最適値にするために、予め最上層を
厚く形成しておきその上に設けた二つの金属電極間の抵
抗を測定しながらエツチングするもので、これによシ所
望の窓層厚さを容易に得るこトカでき、特性の良好なア
モルファスシリコン太陽電池の製造方法として極めて有
効である＠
第１図は従来のａ−８ｉ太陽電池の断面図、第２図はａ
−８ｉ太陽電池の出力特性の１層膜厚依存性を示す１＃
！図、第３図は本発明の一実施例大面積ａ−８１太陽電
池の製造中間段階での断面図、第４図は第８図と同じ段
階での平面図、第５図はその実施例におけるプラズマエ
ツチング操作を示す平面図、第６図はその実施例による
太陽電池の断面図、第７図は別の実施例によるａ ５ｉ
太陽電池の断面図である。 １・・・金属基板、２・・・ａ−８ｉｐ層、８・・・ａ
−８ｉｉ層、４−ａ−８ｉｎ層（窓層）、１４−ａ−８
ｉｎ層、１５．１６・・・金属電極。 オ １ 図 ？２４ ａ −ｓｏ Ｒ’ｋ ’＃ 才 、 図 １１２１ オ ３ 関 で ４ 図
−８ｉ太陽電池の出力特性の１層膜厚依存性を示す１＃
！図、第３図は本発明の一実施例大面積ａ−８１太陽電
池の製造中間段階での断面図、第４図は第８図と同じ段
階での平面図、第５図はその実施例におけるプラズマエ
ツチング操作を示す平面図、第６図はその実施例による
太陽電池の断面図、第７図は別の実施例によるａ ５ｉ
太陽電池の断面図である。 １・・・金属基板、２・・・ａ−８ｉｐ層、８・・・ａ
−８ｉｉ層、４−ａ−８ｉｎ層（窓層）、１４−ａ−８
ｉｎ層、１５．１６・・・金属電極。 オ １ 図 ？２４ ａ −ｓｏ Ｒ’ｋ ’＃ 才 、 図 １１２１ オ ３ 関 で ４ 図
Claims (1)
- １）金属基板上に性質の異なるアモルファスシリコン薄
膜を順次積層してｐｉｎ接合を形成し、上面に光の入射
領域を残して集電金属電極を設ける方法において、アモ
ルファスシリコン薄膜の最上層を予め所定の窓層厚さよ
シ厚く形成後、その上に集電電極として利用できる二つ
に分離された金属電極を設け、両金属間の抵抗測定によ
如膜厚を検知しながら最上層のコツチングを行い所定の
窓層厚さを得ることを特徴とするアモルファスシリコン
太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58085607A JPS59211289A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58085607A JPS59211289A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59211289A true JPS59211289A (ja) | 1984-11-30 |
Family
ID=13863512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58085607A Pending JPS59211289A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59211289A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4584292A (en) * | 1984-10-19 | 1986-04-22 | Kotobuki Seiyaku Co., Ltd. | Antihypertensive 1,5-benzothiazepine derivatives and compositions thereof |
| JP2016535448A (ja) * | 2013-10-30 | 2016-11-10 | ベイジン アポロ ディン ロン ソーラー テクノロジー カンパニー リミテッド | 薄膜太陽電池モジュールの製造方法及び薄膜太陽電池モジュール |
| WO2019164444A1 (en) * | 2018-02-22 | 2019-08-29 | Solibro Research Ab | Optimized top contact grid design for thin film solar cells and method of producing the same |
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1983
- 1983-05-16 JP JP58085607A patent/JPS59211289A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4584292A (en) * | 1984-10-19 | 1986-04-22 | Kotobuki Seiyaku Co., Ltd. | Antihypertensive 1,5-benzothiazepine derivatives and compositions thereof |
| JP2016535448A (ja) * | 2013-10-30 | 2016-11-10 | ベイジン アポロ ディン ロン ソーラー テクノロジー カンパニー リミテッド | 薄膜太陽電池モジュールの製造方法及び薄膜太陽電池モジュール |
| WO2019164444A1 (en) * | 2018-02-22 | 2019-08-29 | Solibro Research Ab | Optimized top contact grid design for thin film solar cells and method of producing the same |
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