JPS59213174A - 太陽電池用基板 - Google Patents

太陽電池用基板

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Publication number
JPS59213174A
JPS59213174A JP58085773A JP8577383A JPS59213174A JP S59213174 A JPS59213174 A JP S59213174A JP 58085773 A JP58085773 A JP 58085773A JP 8577383 A JP8577383 A JP 8577383A JP S59213174 A JPS59213174 A JP S59213174A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
light
nickel
alloy
unevenness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58085773A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiteru Nitsuta
新田 佳照
Hiroaki Kubo
裕明 久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
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Filing date
Publication date
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
Priority to JP58085773A priority Critical patent/JPS59213174A/ja
Publication of JPS59213174A publication Critical patent/JPS59213174A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40Optical elements or arrangements
    • H10F77/42Optical elements or arrangements directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H10F77/488Reflecting light-concentrating means, e.g. parabolic mirrors or concentrators using total internal reflection
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、太陽電池に関し、特に太陽電池の出力特性を
向上させた太陽電池用基板に関するものである。
太陽電池のエネルギー変換効率を決定する要因としては
、光キャリアの収集効率、光の利用効率、電圧因子、曲
線因子の4つがある。このうち光キャリアの収集効率及
び光の利用効率について着目すると、収集効率とは太陽
電池に入射した光に対する外部回路に取り181.得る
電流の割合を表わすもので、次式で定義される。
波長λの光が半導体中に入射したとすると、表面からの
距離すなわち光路長Xの曲数として電子と正孔の対の発
生率(G(λ))は次式で与えられる1゜G(λ)−α
(λ)F内exp (−α(λ)・X〕ここでF(λ)
二人射光子数、α(λ):吸収係数光はexp (−α
(λ)・X〕の形で吸収されるため、吸収係数α(λ)
の・1\さな長波畏の光は、光路長Xを長くすることが
有効である。
まだ、光の利用効率を高めるためには、入射する大陽光
の一部が反射されるだめの損失を防止する必要がある。
第を図U、pi−n5アモルファスシリコン太陽電池の
一般的構造を示したものである。1は基板でステンレス
、アルミニウム、銅等の金属板まタハシリコン層5が形
成されている、16は透明導電膜、7は格子電極である
従来は例えはステンレス基板の場合、表面を鏡面仕上げ
しており、このため入射する太陽光は基板の平滑部によ
って一部が反射されて損失する。
このため基板表面に反射防止膜をコーティングする等の
対策がとられていたが、干渉効果によるため波長範囲に
制限があり、異なった屈折率の反射防止膜を多層形成す
れば工程が多くなりコスト高となる。
以上のことから基板表面に凹凸を設けることによって光
路長を長くするとともに光の反射回数を多くして吸収量
をふやしその損失を防止することが提案されている。し
かし従来提案されているものは単結晶シリコン基板表面
に異方性エツチング技術を用いて凹凸を形成するなどの
方法であって、量産性に適する方法は末だ提案されてい
なかった。
本発明の目的は、基板表面の粒度制御を行なうととによ
って基板表面に凹凸を形成した太陽電池〔実施例1〕 アルミナステンレス等のセラミック基板の表面に粒径0
.05〜l Q ttmの範囲で均一粒径の金属ベース
トを塗布する。金属ペーストの種類としてはタングステ
ン、モリブデン、ニッケル、アA/ミニウム、銀、チタ
ン、マンガン、クロム、コバルト、又はこれらの合金を
用いる。その後、基板を焼成して本発明の基板を得る。
このとき基板(こさらにニッケル、チタン−銀合金をメ
ッキしてもよい。
このようにして得られた基板の表面は、凹凸状態を呈し
ている。
〔実施例2〕 粒径0.05〜10μmの範囲で粒度制御がされている
セラミック原料粒子を用いて基板を形成する。
かかる基板もその表面が凹凸状態を呈している。
以上、基板表面には凹凸が形成されるが、いずれも粒子
の形状が丸みをもちなめらかなものであ次に本発明で得
られた基板の特性について説明する。
は、粒度制御がされていない、粒径が2 =3μ〃Iの
基板である。写真で明らかなように、(a)の方が粒子
形状が均一であ妙(t))はバラツキをもっている。
さらにta+の粒子は丸みをもちなめらかな形状をして
いるのに対し、(b)は形状にバラツキを有している。
これら基板(a)及び(blを用いてアモルファスシリ
コン太陽電池を製作し、その出力特性を比較したものを
第3図に示す。第3図から明らかなよう向上した。
本発明は、以上のように構成されるから粒度制御された
基板表面の凹凸により長波長の光を有効に利用でき、光
の反射損失を小さくできるので、平滑表面の基板を用い
た場合に比べて15〜20%易であることがら承産にも
適し製造工程も簡単で基板表面の走査型電子顕微鏡写真
であり、(alは本発明により粒度制御された基板、(
b)は粒度制御がされていない基板である。第3図は第
2図の爪板(al及び(b) t 用いたアモルファス
シリコン太陽電池の出力特性を示す電流−°直圧線図で
ある。
1・・・基板   5・・・アモルファスシリコン層出
願人 工業技術院長 川 1)裕 部第1図 第8図 開放電圧(Vl (α) (b)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 丸みをもった凹凸状態の表面を有する太陽電池用基板。
JP58085773A 1983-05-18 1983-05-18 太陽電池用基板 Pending JPS59213174A (ja)

Priority Applications (1)

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JP58085773A JPS59213174A (ja) 1983-05-18 1983-05-18 太陽電池用基板

Applications Claiming Priority (1)

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JP58085773A JPS59213174A (ja) 1983-05-18 1983-05-18 太陽電池用基板

Publications (1)

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JPS59213174A true JPS59213174A (ja) 1984-12-03

Family

ID=13868192

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58085773A Pending JPS59213174A (ja) 1983-05-18 1983-05-18 太陽電池用基板

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5244509A (en) * 1990-08-09 1993-09-14 Canon Kabushiki Kaisha Substrate having an uneven surface for solar cell and a solar cell provided with said substrate
US5282902A (en) * 1991-05-09 1994-02-01 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell provided with a light reflection layer

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5861678A (ja) * 1981-10-08 1983-04-12 Taiyo Yuden Co Ltd 非晶質シリコン太陽電池

Patent Citations (1)

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