JPS59213174A - 太陽電池用基板 - Google Patents
太陽電池用基板Info
- Publication number
- JPS59213174A JPS59213174A JP58085773A JP8577383A JPS59213174A JP S59213174 A JPS59213174 A JP S59213174A JP 58085773 A JP58085773 A JP 58085773A JP 8577383 A JP8577383 A JP 8577383A JP S59213174 A JPS59213174 A JP S59213174A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light
- nickel
- alloy
- unevenness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
- H10F77/42—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H10F77/488—Reflecting light-concentrating means, e.g. parabolic mirrors or concentrators using total internal reflection
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、太陽電池に関し、特に太陽電池の出力特性を
向上させた太陽電池用基板に関するものである。
向上させた太陽電池用基板に関するものである。
太陽電池のエネルギー変換効率を決定する要因としては
、光キャリアの収集効率、光の利用効率、電圧因子、曲
線因子の4つがある。このうち光キャリアの収集効率及
び光の利用効率について着目すると、収集効率とは太陽
電池に入射した光に対する外部回路に取り181.得る
電流の割合を表わすもので、次式で定義される。
、光キャリアの収集効率、光の利用効率、電圧因子、曲
線因子の4つがある。このうち光キャリアの収集効率及
び光の利用効率について着目すると、収集効率とは太陽
電池に入射した光に対する外部回路に取り181.得る
電流の割合を表わすもので、次式で定義される。
波長λの光が半導体中に入射したとすると、表面からの
距離すなわち光路長Xの曲数として電子と正孔の対の発
生率(G(λ))は次式で与えられる1゜G(λ)−α
(λ)F内exp (−α(λ)・X〕ここでF(λ)
二人射光子数、α(λ):吸収係数光はexp (−α
(λ)・X〕の形で吸収されるため、吸収係数α(λ)
の・1\さな長波畏の光は、光路長Xを長くすることが
有効である。
距離すなわち光路長Xの曲数として電子と正孔の対の発
生率(G(λ))は次式で与えられる1゜G(λ)−α
(λ)F内exp (−α(λ)・X〕ここでF(λ)
二人射光子数、α(λ):吸収係数光はexp (−α
(λ)・X〕の形で吸収されるため、吸収係数α(λ)
の・1\さな長波畏の光は、光路長Xを長くすることが
有効である。
まだ、光の利用効率を高めるためには、入射する大陽光
の一部が反射されるだめの損失を防止する必要がある。
の一部が反射されるだめの損失を防止する必要がある。
第を図U、pi−n5アモルファスシリコン太陽電池の
一般的構造を示したものである。1は基板でステンレス
、アルミニウム、銅等の金属板まタハシリコン層5が形
成されている、16は透明導電膜、7は格子電極である
。
一般的構造を示したものである。1は基板でステンレス
、アルミニウム、銅等の金属板まタハシリコン層5が形
成されている、16は透明導電膜、7は格子電極である
。
従来は例えはステンレス基板の場合、表面を鏡面仕上げ
しており、このため入射する太陽光は基板の平滑部によ
って一部が反射されて損失する。
しており、このため入射する太陽光は基板の平滑部によ
って一部が反射されて損失する。
このため基板表面に反射防止膜をコーティングする等の
対策がとられていたが、干渉効果によるため波長範囲に
制限があり、異なった屈折率の反射防止膜を多層形成す
れば工程が多くなりコスト高となる。
対策がとられていたが、干渉効果によるため波長範囲に
制限があり、異なった屈折率の反射防止膜を多層形成す
れば工程が多くなりコスト高となる。
以上のことから基板表面に凹凸を設けることによって光
路長を長くするとともに光の反射回数を多くして吸収量
をふやしその損失を防止することが提案されている。し
かし従来提案されているものは単結晶シリコン基板表面
に異方性エツチング技術を用いて凹凸を形成するなどの
方法であって、量産性に適する方法は末だ提案されてい
なかった。
路長を長くするとともに光の反射回数を多くして吸収量
をふやしその損失を防止することが提案されている。し
かし従来提案されているものは単結晶シリコン基板表面
に異方性エツチング技術を用いて凹凸を形成するなどの
方法であって、量産性に適する方法は末だ提案されてい
なかった。
本発明の目的は、基板表面の粒度制御を行なうととによ
って基板表面に凹凸を形成した太陽電池〔実施例1〕 アルミナステンレス等のセラミック基板の表面に粒径0
.05〜l Q ttmの範囲で均一粒径の金属ベース
トを塗布する。金属ペーストの種類としてはタングステ
ン、モリブデン、ニッケル、アA/ミニウム、銀、チタ
ン、マンガン、クロム、コバルト、又はこれらの合金を
用いる。その後、基板を焼成して本発明の基板を得る。
って基板表面に凹凸を形成した太陽電池〔実施例1〕 アルミナステンレス等のセラミック基板の表面に粒径0
.05〜l Q ttmの範囲で均一粒径の金属ベース
トを塗布する。金属ペーストの種類としてはタングステ
ン、モリブデン、ニッケル、アA/ミニウム、銀、チタ
ン、マンガン、クロム、コバルト、又はこれらの合金を
用いる。その後、基板を焼成して本発明の基板を得る。
このとき基板(こさらにニッケル、チタン−銀合金をメ
ッキしてもよい。
ッキしてもよい。
このようにして得られた基板の表面は、凹凸状態を呈し
ている。
ている。
〔実施例2〕
粒径0.05〜10μmの範囲で粒度制御がされている
セラミック原料粒子を用いて基板を形成する。
セラミック原料粒子を用いて基板を形成する。
かかる基板もその表面が凹凸状態を呈している。
以上、基板表面には凹凸が形成されるが、いずれも粒子
の形状が丸みをもちなめらかなものであ次に本発明で得
られた基板の特性について説明する。
の形状が丸みをもちなめらかなものであ次に本発明で得
られた基板の特性について説明する。
は、粒度制御がされていない、粒径が2 =3μ〃Iの
基板である。写真で明らかなように、(a)の方が粒子
形状が均一であ妙(t))はバラツキをもっている。
基板である。写真で明らかなように、(a)の方が粒子
形状が均一であ妙(t))はバラツキをもっている。
さらにta+の粒子は丸みをもちなめらかな形状をして
いるのに対し、(b)は形状にバラツキを有している。
いるのに対し、(b)は形状にバラツキを有している。
これら基板(a)及び(blを用いてアモルファスシリ
コン太陽電池を製作し、その出力特性を比較したものを
第3図に示す。第3図から明らかなよう向上した。
コン太陽電池を製作し、その出力特性を比較したものを
第3図に示す。第3図から明らかなよう向上した。
本発明は、以上のように構成されるから粒度制御された
基板表面の凹凸により長波長の光を有効に利用でき、光
の反射損失を小さくできるので、平滑表面の基板を用い
た場合に比べて15〜20%易であることがら承産にも
適し製造工程も簡単で基板表面の走査型電子顕微鏡写真
であり、(alは本発明により粒度制御された基板、(
b)は粒度制御がされていない基板である。第3図は第
2図の爪板(al及び(b) t 用いたアモルファス
シリコン太陽電池の出力特性を示す電流−°直圧線図で
ある。
基板表面の凹凸により長波長の光を有効に利用でき、光
の反射損失を小さくできるので、平滑表面の基板を用い
た場合に比べて15〜20%易であることがら承産にも
適し製造工程も簡単で基板表面の走査型電子顕微鏡写真
であり、(alは本発明により粒度制御された基板、(
b)は粒度制御がされていない基板である。第3図は第
2図の爪板(al及び(b) t 用いたアモルファス
シリコン太陽電池の出力特性を示す電流−°直圧線図で
ある。
1・・・基板 5・・・アモルファスシリコン層出
願人 工業技術院長 川 1)裕 部第1図 第8図 開放電圧(Vl (α) (b)
願人 工業技術院長 川 1)裕 部第1図 第8図 開放電圧(Vl (α) (b)
Claims (1)
- 丸みをもった凹凸状態の表面を有する太陽電池用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58085773A JPS59213174A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 太陽電池用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58085773A JPS59213174A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 太陽電池用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59213174A true JPS59213174A (ja) | 1984-12-03 |
Family
ID=13868192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58085773A Pending JPS59213174A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 太陽電池用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59213174A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5244509A (en) * | 1990-08-09 | 1993-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate having an uneven surface for solar cell and a solar cell provided with said substrate |
| US5282902A (en) * | 1991-05-09 | 1994-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell provided with a light reflection layer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5861678A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | 非晶質シリコン太陽電池 |
-
1983
- 1983-05-18 JP JP58085773A patent/JPS59213174A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5861678A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | 非晶質シリコン太陽電池 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5244509A (en) * | 1990-08-09 | 1993-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate having an uneven surface for solar cell and a solar cell provided with said substrate |
| US5282902A (en) * | 1991-05-09 | 1994-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell provided with a light reflection layer |
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