JPS59214277A - リン化ガリウム純緑色発光素子 - Google Patents
リン化ガリウム純緑色発光素子Info
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- JPS59214277A JPS59214277A JP58087728A JP8772883A JPS59214277A JP S59214277 A JPS59214277 A JP S59214277A JP 58087728 A JP58087728 A JP 58087728A JP 8772883 A JP8772883 A JP 8772883A JP S59214277 A JPS59214277 A JP S59214277A
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- gallium phosphide
- light emitting
- emitting device
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＶ化合物半導体素子に係り、特に発光波長が５
６００′Ａ以下のリン化ガリウム（ＧａＰ）純緑色発光
素子に関する。
６００′Ａ以下のリン化ガリウム（ＧａＰ）純緑色発光
素子に関する。
ＧａＰ結晶を用いた発光素子は、赤色から緑色までの発
光色を得ることができるため、広く使用されている。Ｇ
ａＰ緑色発光素子は、添加する窒素原子の量によって発
光波長が５５５０人から５７００′Ａまで変化する。Ｇ
ａＰ結晶中の窒素は、発光中心として作用する為、窒素
濃度を増すにつれて発光効率も向上するので、通常のＧ
ａＰ緑色発光素子は、発光領域に窒素を高濃度に添加し
ている。しかし窒素を高濃度に添加したＧａＰ緑色発光
素子の発光波長は５６５０人〜５７００人で緑色発光と
は云うものの、実際には黄緑色ないし黄色発光となる不
都合がある。一方、窒素を故意に添加していないＧａＰ
純緑色発光素子は、発光波長が５５５０Ｘ〜５５７０人
と視感度ピークとほぼ一致し、鮮明な純緑色発光が得ら
れる。
光色を得ることができるため、広く使用されている。Ｇ
ａＰ緑色発光素子は、添加する窒素原子の量によって発
光波長が５５５０人から５７００′Ａまで変化する。Ｇ
ａＰ結晶中の窒素は、発光中心として作用する為、窒素
濃度を増すにつれて発光効率も向上するので、通常のＧ
ａＰ緑色発光素子は、発光領域に窒素を高濃度に添加し
ている。しかし窒素を高濃度に添加したＧａＰ緑色発光
素子の発光波長は５６５０人〜５７００人で緑色発光と
は云うものの、実際には黄緑色ないし黄色発光となる不
都合がある。一方、窒素を故意に添加していないＧａＰ
純緑色発光素子は、発光波長が５５５０Ｘ〜５５７０人
と視感度ピークとほぼ一致し、鮮明な純緑色発光が得ら
れる。
しかし発光中心となる窒素を高濃度に添加していない為
、残留不純物や各種の結晶欠陥の影響を受は易く、発光
効率が極めて低いと云う欠点がある。
、残留不純物や各種の結晶欠陥の影響を受は易く、発光
効率が極めて低いと云う欠点がある。
これらの欠点を解決する方法として、例えば、特公昭５
Ｇ−３２７７９がありこれによれば、蒸気圧制御温度差
法と呼ぶ特殊な方法により、実用的な明るさを有するＧ
ａＰ純緑色発光素子が得られている。この中で適正なリ
ンの蒸気圧下で温度差による成長を行うことにより、ま
たドナー濃度を低て高い発光効率を得られるとしている
。しかしながらこれらの方法は、蒸気圧制御温度差法と
呼ぶ複雑な装置を用いており、量産性に乏しいと云う欠
点がある。
Ｇ−３２７７９がありこれによれば、蒸気圧制御温度差
法と呼ぶ特殊な方法により、実用的な明るさを有するＧ
ａＰ純緑色発光素子が得られている。この中で適正なリ
ンの蒸気圧下で温度差による成長を行うことにより、ま
たドナー濃度を低て高い発光効率を得られるとしている
。しかしながらこれらの方法は、蒸気圧制御温度差法と
呼ぶ複雑な装置を用いており、量産性に乏しいと云う欠
点がある。
本発明は、一般的に用いられる徐冷性液相エピタキシャ
ルによりｎ型ＧａＰ基板上にｎ型ＧａＰ層を成長し、該
層上にＰ型ＧａＰ層を成長して、Ｐ−ｎ接合を形成した
ＧａＰ発光素子において、前記ｎ型ＧａＰ層の成長層厚
を７０μｍ以上とし、かつＰ−ｎ接合近傍のｎ層側の正
味のドナー濃度（Ｎｄ）を０７〜３Ｘ１０１７．ｚ７と
したことにより、実用的な明るさを有するＧａＰ純緑色
発光素子を提供することを目的としたものである。
ルによりｎ型ＧａＰ基板上にｎ型ＧａＰ層を成長し、該
層上にＰ型ＧａＰ層を成長して、Ｐ−ｎ接合を形成した
ＧａＰ発光素子において、前記ｎ型ＧａＰ層の成長層厚
を７０μｍ以上とし、かつＰ−ｎ接合近傍のｎ層側の正
味のドナー濃度（Ｎｄ）を０７〜３Ｘ１０１７．ｚ７と
したことにより、実用的な明るさを有するＧａＰ純緑色
発光素子を提供することを目的としたものである。
ＧａＰ緑色発光素子の発光はＰ−ｎ接合近傍のｎ層側で
主に起り、その発光効率は、電子濃度ｎ１発光中心濃度
Ｎｔ及びｎ層に注入された正孔のライフタイムτｈの積
に比例することが知られている。たとえば、発光中心で
ある窒素を高濃度に添加したＧａＰ緑色発光素子におい
ては、特公昭５７７５４９５１によれば発光領域のＮＤ
を１〜５×１０１６／ｃｍにすることにより、発光中心
である窒素濃度（Ｎｔ ）が増加すると共にライフタイ
ムτｈが長くなり、結果と発光効率の向上が計られると
している。
主に起り、その発光効率は、電子濃度ｎ１発光中心濃度
Ｎｔ及びｎ層に注入された正孔のライフタイムτｈの積
に比例することが知られている。たとえば、発光中心で
ある窒素を高濃度に添加したＧａＰ緑色発光素子におい
ては、特公昭５７７５４９５１によれば発光領域のＮＤ
を１〜５×１０１６／ｃｍにすることにより、発光中心
である窒素濃度（Ｎｔ ）が増加すると共にライフタイ
ムτｈが長くなり、結果と発光効率の向上が計られると
している。
本発明者等は、発光波長５６００Å以下のＧａＰ純緑色
発光素子では、発光中心濃度Ｎｔが極めて少ないため、
ｎＸｒｈの最適化により、発光効率の向上が計られると
云う観点で、種々の実験及び検討を行った。
発光素子では、発光中心濃度Ｎｔが極めて少ないため、
ｎＸｒｈの最適化により、発光効率の向上が計られると
云う観点で、種々の実験及び検討を行った。
第２図は、本発明者等の実験結果であり、ＮＤを１、
＝ ２ Ｘ １０１７／ｉとした時のｎ型ＧａＰ層の成
長層厚と発光効率ηｅｘ及び正孔の拡散長Ｌｈの関係を
示しである。（拡散長とライフタイムの関係は次式で表
わされる。Ｌｈ押ＩＷ品ここでＤｈは拡散定数）図から
明らかなように成長層厚を厚くするにつれてＬｈが長く
なりηｅｘも向上している。特に成長層厚を７０μｍ以
上とした時平均発光−効率０．０６％（モールドなし８
Ａ／ｃりが得られる。発光効率の向上の理由としては基
板として用いたＬＥＣ法（Ｌｉｇｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓ
ｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）によるｎ型Ｇ
ａＰ基板からｎ型ＧａＰ層に引き継がれる転位、点欠陥
等の非発光中心となる各種結晶欠陥がｎ型ＧａＰ層を厚
くすることにより減少し、Ｌｈすなわちτｈが長くなっ
た為と考えられる。
＝ ２ Ｘ １０１７／ｉとした時のｎ型ＧａＰ層の成
長層厚と発光効率ηｅｘ及び正孔の拡散長Ｌｈの関係を
示しである。（拡散長とライフタイムの関係は次式で表
わされる。Ｌｈ押ＩＷ品ここでＤｈは拡散定数）図から
明らかなように成長層厚を厚くするにつれてＬｈが長く
なりηｅｘも向上している。特に成長層厚を７０μｍ以
上とした時平均発光−効率０．０６％（モールドなし８
Ａ／ｃりが得られる。発光効率の向上の理由としては基
板として用いたＬＥＣ法（Ｌｉｇｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓ
ｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）によるｎ型Ｇ
ａＰ基板からｎ型ＧａＰ層に引き継がれる転位、点欠陥
等の非発光中心となる各種結晶欠陥がｎ型ＧａＰ層を厚
くすることにより減少し、Ｌｈすなわちτｈが長くなっ
た為と考えられる。
第３図には、ｎ型ＧａＰ層の成長層厚を７０〜９０μｍ
とした時のＰ−ｎ接合近傍のｎ層側の正味ドナー濃度Ｎ
Ｄ と発光効率がｅＸ及び正孔の拡散長Ｌｈ の関係を
示す。先に述べたごと〈従来技術ではＮＤ の最適値は
、１〜５×１０１６／ｄあるいはｌＸｌ０１６／ｃ＋１
ｆ以下とされていたが、図から明らかなように、ＮＤ＝
０７〜３×１０１７７ｄとしｎＸｒｈの最適化を計るこ
とにより、平均発光効率０．０６％（モールドなし８
Ａ ；’ ｃｒｌ ）が得られる。ＮＤが０、７ Ｘ
１０１７／ａｒｉ以下の場合、Ｌｈ がほぼ一定である
にもかかわらず発光効率が低下する理由は、電子濃度ｎ
が低下した結果ｎ×τｈが減少したことによると考えら
れる。また、ＮＤが３ Ｘ １０’７／ ｃｒ＆以上の
発光効率の低下の理由は、Ｌｈ の急激な減少による
と推定される。
とした時のＰ−ｎ接合近傍のｎ層側の正味ドナー濃度Ｎ
Ｄ と発光効率がｅＸ及び正孔の拡散長Ｌｈ の関係を
示す。先に述べたごと〈従来技術ではＮＤ の最適値は
、１〜５×１０１６／ｄあるいはｌＸｌ０１６／ｃ＋１
ｆ以下とされていたが、図から明らかなように、ＮＤ＝
０７〜３×１０１７７ｄとしｎＸｒｈの最適化を計るこ
とにより、平均発光効率０．０６％（モールドなし８
Ａ ；’ ｃｒｌ ）が得られる。ＮＤが０、７ Ｘ
１０１７／ａｒｉ以下の場合、Ｌｈ がほぼ一定である
にもかかわらず発光効率が低下する理由は、電子濃度ｎ
が低下した結果ｎ×τｈが減少したことによると考えら
れる。また、ＮＤが３ Ｘ １０’７／ ｃｒ＆以上の
発光効率の低下の理由は、Ｌｈ の急激な減少による
と推定される。
以下、本発明の一実施例を説明する。
成長用治具には、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の液相エピ
タキシャル成長に一般に用いられる黒鉛製スライドボー
トを用いた。該治具中に金属ガリウム（Ｇａ）３０ｇと
ＧａＰ多結晶２ｇ及び硫黄（Ｓ）をドープしたｌ〕型Ｇ
ａＰ基板を配置する。成長装置は成長炉本体と亜鉛（Ｚ
ｎ）添加用のＺｎｎ気化上から構成され、内径１００朋
の石英管が貫通している。
タキシャル成長に一般に用いられる黒鉛製スライドボー
トを用いた。該治具中に金属ガリウム（Ｇａ）３０ｇと
ＧａＰ多結晶２ｇ及び硫黄（Ｓ）をドープしたｌ〕型Ｇ
ａＰ基板を配置する。成長装置は成長炉本体と亜鉛（Ｚ
ｎ）添加用のＺｎｎ気化上から構成され、内径１００朋
の石英管が貫通している。
第１図に成長炉とＺｎｎ気化上温度プログラムを示す。
まず上記黒鉛製スライドボートを成長炉の均熱部に設置
し、Ｚｎｎ気化上はＺｎ３．９を装入し、真空置換後水
素（Ｈ２）ガス２０００ＣＣ７分を流入しながら１０５
０℃まで昇温する。１０５０℃で１２０分保持し、Ｇａ
中にＧａＰ多結晶を飽和させる。この時）■２ガスで希
釈した硫化水素（Ｈ２Ｓ ）ガスを所望の量流入し、Ｓ
添加を行う。１２０分経過後Ｇａ溶液と基板とを接触さ
せ、成長炉を一定の冷却速度（例えば、０．５〜２°Ｃ
／分）で所定の温度（例えば、９２０°Ｃ）迄冷却する
。この温度で冷却を１時停止し、あらかじめ７２０℃に
保持されたＺｎ気化炉にＺｎを入れたるつぼを挿入しＺ
ｎを気化する。３０分間保持した後、再び成長炉の冷却
を開始し、７５０℃まで冷却し成長炉の電源を切り自然
放冷させる。この工程で、ｎ型ＧａＰ基板上に７０〜９
０μｍのｎ型ＧａＰ層と２０〜３０μｍのＰ型ＧａＰ層
が順次成長する。
し、Ｚｎｎ気化上はＺｎ３．９を装入し、真空置換後水
素（Ｈ２）ガス２０００ＣＣ７分を流入しながら１０５
０℃まで昇温する。１０５０℃で１２０分保持し、Ｇａ
中にＧａＰ多結晶を飽和させる。この時）■２ガスで希
釈した硫化水素（Ｈ２Ｓ ）ガスを所望の量流入し、Ｓ
添加を行う。１２０分経過後Ｇａ溶液と基板とを接触さ
せ、成長炉を一定の冷却速度（例えば、０．５〜２°Ｃ
／分）で所定の温度（例えば、９２０°Ｃ）迄冷却する
。この温度で冷却を１時停止し、あらかじめ７２０℃に
保持されたＺｎ気化炉にＺｎを入れたるつぼを挿入しＺ
ｎを気化する。３０分間保持した後、再び成長炉の冷却
を開始し、７５０℃まで冷却し成長炉の電源を切り自然
放冷させる。この工程で、ｎ型ＧａＰ基板上に７０〜９
０μｍのｎ型ＧａＰ層と２０〜３０μｍのＰ型ＧａＰ層
が順次成長する。
Ｐ−ｎ接合近傍のｎ層側のドナー濃度ＮＤは０．７〜３
Ｘ １０１７／弓（クセブタ−濃度ＮＡは３〜１５×
１０１７／ ｃｙ＆であった。ｎ型ＧａＰ層の成長層厚
は、成長開始温度を変えることにより、ＮＤはＨＳガス
の流入量及び時間により、またＮＡはＺｎ気化炉の温度
により種々変えることができる。
Ｘ １０１７／弓（クセブタ−濃度ＮＡは３〜１５×
１０１７／ ｃｙ＆であった。ｎ型ＧａＰ層の成長層厚
は、成長開始温度を変えることにより、ＮＤはＨＳガス
の流入量及び時間により、またＮＡはＺｎ気化炉の温度
により種々変えることができる。
以上のようにして得られたＧａＰ＠ｇ色発光素子は、発
光波長５５５０Ｘ〜５５７０人の鮮明な純緑色発光を有
し、平均発光効率０．０６％（モールドなし８Ａ／ｃ＋
＋ｆ）と実用的に十分な明るさを持っていた。
光波長５５５０Ｘ〜５５７０人の鮮明な純緑色発光を有
し、平均発光効率０．０６％（モールドなし８Ａ／ｃ＋
＋ｆ）と実用的に十分な明るさを持っていた。
以下本発明の作用効果について述べる。
ｎ型ＧａＰ基板上に成長させたｎ型ＧａＰ層の成長層厚
を７０μ祇上とすることにより、ｎ型ＧａＰ基板から導
入される非発光中心となる各種結晶欠陥の影響を少なく
したこと。また、Ｐ−ｎ接合近傍の１１層側の正味ドナ
ー濃度を０７〜３ Ｘ ｌ ０１７／ｃｒ＆と最適化を
計ったことにより、通常の徐冷性液相エピタキシャル成
長により、実用的に十分な明るさを有するＧａＰ純緑色
発光素子が歩留りよく得られるようになった。また装置
的に単純な徐冷法を用いている為量産性も極めて良いと
云う効果もある。上記実施例では、窒素は無添加であっ
たが、ｎｑ ＧａＰ Ｎを成長させる時にアンモニア（
ＮＩ（３）を微量（例えば、ｉ９〜２Ｘ１０−３ ％）
添加しても良い。これにより、発光波長５５７０〜５６
００人のＧａＰ緑色発光素子を得ることができる。
を７０μ祇上とすることにより、ｎ型ＧａＰ基板から導
入される非発光中心となる各種結晶欠陥の影響を少なく
したこと。また、Ｐ−ｎ接合近傍の１１層側の正味ドナ
ー濃度を０７〜３ Ｘ ｌ ０１７／ｃｒ＆と最適化を
計ったことにより、通常の徐冷性液相エピタキシャル成
長により、実用的に十分な明るさを有するＧａＰ純緑色
発光素子が歩留りよく得られるようになった。また装置
的に単純な徐冷法を用いている為量産性も極めて良いと
云う効果もある。上記実施例では、窒素は無添加であっ
たが、ｎｑ ＧａＰ Ｎを成長させる時にアンモニア（
ＮＩ（３）を微量（例えば、ｉ９〜２Ｘ１０−３ ％）
添加しても良い。これにより、発光波長５５７０〜５６
００人のＧａＰ緑色発光素子を得ることができる。
ｎ型ＧａＰ層を１回で成長させたが、ｎ型ＧａＰ基板」
二にｎ型ＧａＰ層を成長させたものを基板として用いｎ
型ＧａＰ層を２層構造としても良い。
二にｎ型ＧａＰ層を成長させたものを基板として用いｎ
型ＧａＰ層を２層構造としても良い。
また、液相エピクキシャル成長をＨ２雰囲気中で行った
が、例えば、アルゴン（Ａｒ ）またはヘリウム（Ｈｅ
）雰囲気中で行っても良く、またｎ型ＧａＰ基板及びｎ
型ＧａＰ層のドナー不純物として硫黄を用イタカｆ ／
ｌ／ル（Ｔｅ）あるいはセレン（Ｓｅ）テあっても良い
。上記で示したＮＤとは正味のドナー濃度即ちＮＤ−Ｎ
Ａであり、ＮＡとは正味のアクセプタ濃度即ちＮＡ−Ｎ
Ｄであり、ショットキー接合を形成しいわゆるＣ−Ｖ法
で測定した値である。成長層厚は、ヘキ開面をＨＦ−Ｈ
２０２系液でエツチングした後、光学顕微鏡を用いて測
定した値である。
が、例えば、アルゴン（Ａｒ ）またはヘリウム（Ｈｅ
）雰囲気中で行っても良く、またｎ型ＧａＰ基板及びｎ
型ＧａＰ層のドナー不純物として硫黄を用イタカｆ ／
ｌ／ル（Ｔｅ）あるいはセレン（Ｓｅ）テあっても良い
。上記で示したＮＤとは正味のドナー濃度即ちＮＤ−Ｎ
Ａであり、ＮＡとは正味のアクセプタ濃度即ちＮＡ−Ｎ
Ｄであり、ショットキー接合を形成しいわゆるＣ−Ｖ法
で測定した値である。成長層厚は、ヘキ開面をＨＦ−Ｈ
２０２系液でエツチングした後、光学顕微鏡を用いて測
定した値である。
また拡散長は１９７２年６月発行のＪ、Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ、 Ｖｏｗ、 ４３ Ｎｏ、 ６の第２８５
７頁〜第２８６９頁に示す方法で走査電子顕微鏡（Ｓ□
）を用い電子線誘起電流（Ｅ、ＢＩＣ）の測定から求め
た値である。
７頁〜第２８６９頁に示す方法で走査電子顕微鏡（Ｓ□
）を用い電子線誘起電流（Ｅ、ＢＩＣ）の測定から求め
た値である。
第１図は、本発明の一実施例における成長工程の温度プ
ログラム図で、曲線１は成長炉の温度プログラムを、曲
線２はＺｎ気化炉の温度プログラムを示す。 第２図は、ｎ型ＧａＰ層の成長層厚と発光効率及び正孔
の拡散長の関係を示した図である。 第３図は、Ｐ−ｎ接合近傍のｎ層側の正味ドナー濃度と
発光効率及び正孔の拡散長の関係を示した図である。 符軒幼曵丸 １１（釦電又銖へ会ネ工 代理友 を工！士！ｌ吃＄１−
ログラム図で、曲線１は成長炉の温度プログラムを、曲
線２はＺｎ気化炉の温度プログラムを示す。 第２図は、ｎ型ＧａＰ層の成長層厚と発光効率及び正孔
の拡散長の関係を示した図である。 第３図は、Ｐ−ｎ接合近傍のｎ層側の正味ドナー濃度と
発光効率及び正孔の拡散長の関係を示した図である。 符軒幼曵丸 １１（釦電又銖へ会ネ工 代理友 を工！士！ｌ吃＄１−
Claims (1)
- ｎ型リン化ガリウム基板上に液相エピタキシャル成長に
より、ｎ型リン化ガリウム層を成長し、該層上にＰ型リ
ン化ガリウム層を成長してＰ−ｎ接合を形成したリン化
ガリウム発光素子において、前記ｎ型リン化ガリウム層
の成長層厚が７０μｍ以上であり、かつＰ−ｎ接合近傍
のｎ層側の正味ドｆ ’ａ 度カ０．７〜３ Ｘ １
ｏ１７／ａｉｌであることを特徴とするリン化ガリウ
ム純緑色発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58087728A JPS59214277A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | リン化ガリウム純緑色発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58087728A JPS59214277A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | リン化ガリウム純緑色発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59214277A true JPS59214277A (ja) | 1984-12-04 |
Family
ID=13922972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58087728A Pending JPS59214277A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | リン化ガリウム純緑色発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59214277A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6285480A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | リン化ガリウム緑色発光素子の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108785A (en) * | 1979-02-15 | 1980-08-21 | Toshiba Corp | Galium phosphide green luminous element |
| JPS5694678A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-31 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of lightemitting diode |
-
1983
- 1983-05-20 JP JP58087728A patent/JPS59214277A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108785A (en) * | 1979-02-15 | 1980-08-21 | Toshiba Corp | Galium phosphide green luminous element |
| JPS5694678A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-31 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of lightemitting diode |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6285480A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | リン化ガリウム緑色発光素子の製造方法 |
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