JPS59218002A - ストリツプ線路用無反射終端 - Google Patents
ストリツプ線路用無反射終端Info
- Publication number
- JPS59218002A JPS59218002A JP59053243A JP5324384A JPS59218002A JP S59218002 A JPS59218002 A JP S59218002A JP 59053243 A JP59053243 A JP 59053243A JP 5324384 A JP5324384 A JP 5324384A JP S59218002 A JPS59218002 A JP S59218002A
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- JP
- Japan
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- thin film
- film resistor
- characteristic impedance
- resistor
- capacitance
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- Granted
Links
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- SYOKIDBDQMKNDQ-XWTIBIIYSA-N vildagliptin Chemical compound C1C(O)(C2)CC(C3)CC1CC32NCC(=O)N1CCC[C@H]1C#N SYOKIDBDQMKNDQ-XWTIBIIYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/24—Terminating devices
- H01P1/26—Dissipative terminations
- H01P1/268—Strip line terminations
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波１０等に使用されるストリップ線路
用無反射終端に関する。
用無反射終端に関する。
現在マイクロ波装置は、マイクｄストリップ線路等を用
いたＩＣ化により大幅な小形化、高信頼化が計られつつ
ある。このようなマイクロ波ＩＣ回路中にはサーキュレ
ータをアイソレータ化するため、あるいは方向性結合器
のアイソレーションポート等に非常に厳密な特性の無反
射終端が必要である。
いたＩＣ化により大幅な小形化、高信頼化が計られつつ
ある。このようなマイクロ波ＩＣ回路中にはサーキュレ
ータをアイソレータ化するため、あるいは方向性結合器
のアイソレーションポート等に非常に厳密な特性の無反
射終端が必要である。
例えばサーキュレータをアイソレータ化する場合の無反
射終端では無反射終端の反射特性がそのままアイソレー
ジ日ン特性になり、非常に良好な特性のものが要求され
る。例えば無反射終端の入力ｖＳＷ几が１．２ であれ
ばもはや２０ｄＢ以上のアイソレーションは得られない
。また同軸−ストリップ線路変換部の特性を測定する場
合にＩＣ化無反射終端が使用できると良いが、その場合
これらの変換部の反射Ｖ８ＷＲ１，１〜１．２ 程度
よりはるかに良好な無反射終端が必要である。
射終端では無反射終端の反射特性がそのままアイソレー
ジ日ン特性になり、非常に良好な特性のものが要求され
る。例えば無反射終端の入力ｖＳＷ几が１．２ であれ
ばもはや２０ｄＢ以上のアイソレーションは得られない
。また同軸−ストリップ線路変換部の特性を測定する場
合にＩＣ化無反射終端が使用できると良いが、その場合
これらの変換部の反射Ｖ８ＷＲ１，１〜１．２ 程度
よりはるかに良好な無反射終端が必要である。
第１図は従来の薄膜無反射終端を示すもので、誘電体基
板１上の下面に接地用導体膜２および線路導体膜３を形
成したマイクロストリップ線路の終端に特性インピーダ
ンス（通常は５０Ω）に等しい抵抗値を有する薄膜抵抗
４を形成し、短絡用導体５を用いて、接地を行っていた
。この場合、薄膜抵抗の形状は高周波特性と無関係に設
計されており、（ａ）のよう番こマイクロストリップ導
体と同じ幅にして、簡単化したり、（ｂｌのように網目
状の菱形として電力特性を良好にしていた。しかし、抵
抗膜自体にも微少なインダクタンス分があり、また、そ
れと接地導体間にも微少な容量分が存在する。従って非
常に低い周波数では、これらの不要リアクタンス分は無
視できるが、マイクロ波のような高周波においては、抵
抗値に対して無視できなくなり、不要な反射を生ずるの
で問題である。
板１上の下面に接地用導体膜２および線路導体膜３を形
成したマイクロストリップ線路の終端に特性インピーダ
ンス（通常は５０Ω）に等しい抵抗値を有する薄膜抵抗
４を形成し、短絡用導体５を用いて、接地を行っていた
。この場合、薄膜抵抗の形状は高周波特性と無関係に設
計されており、（ａ）のよう番こマイクロストリップ導
体と同じ幅にして、簡単化したり、（ｂｌのように網目
状の菱形として電力特性を良好にしていた。しかし、抵
抗膜自体にも微少なインダクタンス分があり、また、そ
れと接地導体間にも微少な容量分が存在する。従って非
常に低い周波数では、これらの不要リアクタンス分は無
視できるが、マイクロ波のような高周波においては、抵
抗値に対して無視できなくなり、不要な反射を生ずるの
で問題である。
ＵＨＦ帯のような低い周波数においても、大電力用無反
射終端は、寸法が大きくなり、それにともなって、その
不要インダクタンスあるいは不要容量は無視できなくな
る。
射終端は、寸法が大きくなり、それにともなって、その
不要インダクタンスあるいは不要容量は無視できなくな
る。
従来、これらを含めた無反射終端の設計法が不明であっ
たため、マイクロ波帯で充分良好な、保証された特性の
ＩＣ用無反射終端を用いることができなかった。従って
、第１図のような無反射終端は、それほど厳密な特性を
要求されない箇所でのみ使用され、厳密な特性の必要な
所では一度コネクタを用いて同軸に変換した後、同軸型
無反射終端を用いる場合が多かった。
たため、マイクロ波帯で充分良好な、保証された特性の
ＩＣ用無反射終端を用いることができなかった。従って
、第１図のような無反射終端は、それほど厳密な特性を
要求されない箇所でのみ使用され、厳密な特性の必要な
所では一度コネクタを用いて同軸に変換した後、同軸型
無反射終端を用いる場合が多かった。
本願の目的は、不要リアクタンス分を含めた無反射終端
の設計法に基づき、回路的にも、製作的にもマイクロ波
ＩＣに適用が可能な、極めて良好な特性の無反射終端を
提供することにある。
の設計法に基づき、回路的にも、製作的にもマイクロ波
ＩＣに適用が可能な、極めて良好な特性の無反射終端を
提供することにある。
本発明によれば、特性インピーダンスＺｏのストリップ
線路の終端を薄膜抵抗を通して短絡した無反射終端にお
いて、薄膜抵抗の抵抗値を特性インピーダンスｚｏに合
せ、かつ該薄膜抵抗部に並列に、該薄膜抵抗を同一形状
の導体膜で置き換えたときの単位長当りのインダクタン
スを■）０、キャパシタンスをｃｏ、長さをｌとして、
概略が成り立つごとく容量Ｃａを挿入したことを特徴と
するストリップ線路用無反射終端が得られる。
線路の終端を薄膜抵抗を通して短絡した無反射終端にお
いて、薄膜抵抗の抵抗値を特性インピーダンスｚｏに合
せ、かつ該薄膜抵抗部に並列に、該薄膜抵抗を同一形状
の導体膜で置き換えたときの単位長当りのインダクタン
スを■）０、キャパシタンスをｃｏ、長さをｌとして、
概略が成り立つごとく容量Ｃａを挿入したことを特徴と
するストリップ線路用無反射終端が得られる。
以下本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第２図は本発明の説明に用いる無反射終端を示す斜視図
である。同図において無反射終端は、誘電体基板１、接
地用導体膜２、線路用導体膜３、薄膜抵抗４、短絡用導
体５からなっている。
である。同図において無反射終端は、誘電体基板１、接
地用導体膜２、線路用導体膜３、薄膜抵抗４、短絡用導
体５からなっている。
今、長さｌの図（ａ）のような薄膜抵抗を損失ある分布
定数線路と考え、その入力インピーダンスＺ。
定数線路と考え、その入力インピーダンスＺ。
を計算すると、
ｚｉ＝ＺＢ ｔａｎｈ ｒｌｌ （
１）となる、但し、ＺＲはこの抵抗値特性インピーダン
ス、γはその伝播定数であり、角周波数をω、薄膜抵抗
の単位長当りの抵抗を式、インダクタンスをＬｏ、接地
との容量をｃｏとすれば ） γ＝６−訳ｌ冒■δ （３）とな
る。但しｖ”Ｔ＝ｊである。
１）となる、但し、ＺＲはこの抵抗値特性インピーダン
ス、γはその伝播定数であり、角周波数をω、薄膜抵抗
の単位長当りの抵抗を式、インダクタンスをＬｏ、接地
との容量をｃｏとすれば ） γ＝６−訳ｌ冒■δ （３）とな
る。但しｖ”Ｔ＝ｊである。
今ｌは充分小さく、薄膜抵抗が集中定数的と考え、γｌ
＜Ａとすればｆ２） 、 ｆ３）式を用いて（１）式は
次のように変形される、 （４） さらに（４）式において、伝播定数値は小さいので次の
ように変形される。
＜Ａとすればｆ２） 、 ｆ３）式を用いて（１）式は
次のように変形される、 （４） さらに（４）式において、伝播定数値は小さいので次の
ように変形される。
上式より薄膜抵抗部は完全に集中定数几ＬＣ素子を用い
て第３図のような等画回路で表わされる。
て第３図のような等画回路で表わされる。
この場合
几ｏｚ ＝ ｚｏ＋６１
の関係を保てば良好な無反射終端が得られる。５゜Ωス
） ＩＪツブ線路導体と同一軸の薄膜抵抗を用いたとき
、不要のりアクタンスが生ずるのは、この場合の容量、
Ｃｏｌ が（７）式を満足するだけ充分大きくないか
らと考えられる。
） ＩＪツブ線路導体と同一軸の薄膜抵抗を用いたとき
、不要のりアクタンスが生ずるのは、この場合の容量、
Ｃｏｌ が（７）式を満足するだけ充分大きくないか
らと考えられる。
したがって、薄膜抵抗部に〃［シ＜第３図点線で示した
ごとく別の並列調整用容量Ｃａを付加しく６）式ととも
に となるようにすれば、薄膜抵抗部の幅が任意の場合にも
、良好な無反射終端が得られる。
ごとく別の並列調整用容量Ｃａを付加しく６）式ととも
に となるようにすれば、薄膜抵抗部の幅が任意の場合にも
、良好な無反射終端が得られる。
第４図１ａ）は上記の原理による本発明の第１の実施例
を示す図で、薄膜抵抗４の幅を任意に広げ凸部９により
（８）式を満だＶ所要の容量Ｃａを設けたものである。
を示す図で、薄膜抵抗４の幅を任意に広げ凸部９により
（８）式を満だＶ所要の容量Ｃａを設けたものである。
（ｂｌは薄膜抵抗４上に別の誘電体ｌｏを置いて、所要
の容量Ｃａを設けたもの、ｔｃ）はこの調整用誘電体ｌ
Ｏ上に薄膜抵抗４を形成したもので、誘電体１０の厚み
および比誘電率を調整しく８）式を満たせば、実用し易
い。
の容量Ｃａを設けたもの、ｔｃ）はこの調整用誘電体ｌ
Ｏ上に薄膜抵抗４を形成したもので、誘電体１０の厚み
および比誘電率を調整しく８）式を満たせば、実用し易
い。
第５図は、さらに別の第２の実施例を示す図で、式（６
）を満たす薄膜抵抗４の上番こ、調整ねじ１１を接近さ
せ、式（８）を満たす所要の容量Ｃａを付加するもので
ある。この場合にはＬｏｌ も変動するが。
）を満たす薄膜抵抗４の上番こ、調整ねじ１１を接近さ
せ、式（８）を満たす所要の容量Ｃａを付加するもので
ある。この場合にはＬｏｌ も変動するが。
パターンの厳密な設計をしなくても、ねじ番こより特性
を観測しつつ必要ｉＣａを与えることができるので実用
的である。５５は短絡用端子である。
を観測しつつ必要ｉＣａを与えることができるので実用
的である。５５は短絡用端子である。
第４図、第５図においてマイクロストリップ型式あるい
はサスペンド型トリプレート型式どちらかの実施ψｌし
か示さなかったが、本願の原理が図示以外のそれぞれト
リプレート型式、マイクロストリップ型式のものにも適
用できることは言うまでもない。
はサスペンド型トリプレート型式どちらかの実施ψｌし
か示さなかったが、本願の原理が図示以外のそれぞれト
リプレート型式、マイクロストリップ型式のものにも適
用できることは言うまでもない。
第１図は従来の薄膜無反射終端を示す図で、（ａ）。
（ｂｌは別々の平面図、（Ｃ）はそれらの中心線ＡＡ’
に関する断面図である。１は誘電体基板、２は接地用導
体膜、３は線路導体膜、４は薄膜抵抗、５は短絡用導体
膜である。 第２図は本発明の説明に用いる無反射終端を示す斜視図
である。第１因と同一の構成要素は同一記号を付して示
した。（以下同様） 第３図は説明用等価回路図である。 第４図は第１の実施例を示す図で、ｔａ） 、 （ｂｌ
は平面図、（Ｃ）は断面図である。９は線路導体凸部、
１０は誘電体である。 第５図は第２の実施例を示す断面図で、６．６’は接地
導体、１１は調整ねじ、５５は短絡用端子である。 ７１図 ＡＡ’断面図 第２図 ７３図
に関する断面図である。１は誘電体基板、２は接地用導
体膜、３は線路導体膜、４は薄膜抵抗、５は短絡用導体
膜である。 第２図は本発明の説明に用いる無反射終端を示す斜視図
である。第１因と同一の構成要素は同一記号を付して示
した。（以下同様） 第３図は説明用等価回路図である。 第４図は第１の実施例を示す図で、ｔａ） 、 （ｂｌ
は平面図、（Ｃ）は断面図である。９は線路導体凸部、
１０は誘電体である。 第５図は第２の実施例を示す断面図で、６．６’は接地
導体、１１は調整ねじ、５５は短絡用端子である。 ７１図 ＡＡ’断面図 第２図 ７３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 特性インピーダンスＺｏのストリップ線路の終端を薄膜
抵抗を通して短絡した無反射終端において薄膜抵抗の抵
抗値を特性インピーダンスＺｏに合せ、かつ該薄膜抵抗
部に並列に、該薄膜抵抗を同一形状の導体膜で置き換え
たときの単位長当りのインダクタンスをＬｏ、キャパシ
タンスをｃｏ、長さをｌとして、概略 が成り立つごとく容量Ｃａを挿入したことを特徴とする
ストリップ線路用無反射終端。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59053243A JPS59218002A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | ストリツプ線路用無反射終端 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59053243A JPS59218002A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | ストリツプ線路用無反射終端 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51158856A Division JPS5930323B2 (ja) | 1976-12-27 | 1976-12-27 | ストリツプ線路用無反射終端 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59218002A true JPS59218002A (ja) | 1984-12-08 |
| JPS6320042B2 JPS6320042B2 (ja) | 1988-04-26 |
Family
ID=12937348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59053243A Granted JPS59218002A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | ストリツプ線路用無反射終端 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59218002A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62247603A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-28 | Fujitsu Ltd | チツプ抵抗器の実装構造 |
| JPH02111101A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | Ｒｆ整合終端装置 |
-
1984
- 1984-03-19 JP JP59053243A patent/JPS59218002A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62247603A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-28 | Fujitsu Ltd | チツプ抵抗器の実装構造 |
| JPH02111101A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | Ｒｆ整合終端装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6320042B2 (ja) | 1988-04-26 |
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