JPS5921948B2 - インジウムメツキ方法 - Google Patents
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は全く新規なインジウムメッキ方法に関する。
近年、メッキ粉体の需要増加に伴ない種々のメッキ方法
が提案されているが、これらのうち置換法によるメッキ
法はその操作の簡易性の故に広く利用されている。粉体
のメッキ法として従来公知の置換メッキ法は、被メッキ
粉体と還元用金属粉体との混合粉に対し又はこれらの混
合過程に対し該混合粉を攪拌しながらメッキ金属含有溶
液を添加するかもしくはメッキ金属含有溶液中に攪拌下
で被メッキ粉体と還元用金属粉体とを一緒に又は各別に
添加することにより行なわれている。
が提案されているが、これらのうち置換法によるメッキ
法はその操作の簡易性の故に広く利用されている。粉体
のメッキ法として従来公知の置換メッキ法は、被メッキ
粉体と還元用金属粉体との混合粉に対し又はこれらの混
合過程に対し該混合粉を攪拌しながらメッキ金属含有溶
液を添加するかもしくはメッキ金属含有溶液中に攪拌下
で被メッキ粉体と還元用金属粉体とを一緒に又は各別に
添加することにより行なわれている。
しかしながら、上述した置換法によるメッキ法ではメッ
キしようとする金属をそれより卑な金属粉で還元するこ
とを反応上の基本とするものであるから金、白金、パラ
ジウム、銀のごとき標準電極電位が非常に貴な金属を対
象とする粉体のメッキにおいては還元効率およびメッキ
仕上りともに良好であるが、亜鉛、錫、ニッケル、コバ
ルト、インジウムのごとき標準電極電位が卑な金属粉を
メッキする場合においては還元効率、メッキ仕上りがと
もに悪く実用的でない。
キしようとする金属をそれより卑な金属粉で還元するこ
とを反応上の基本とするものであるから金、白金、パラ
ジウム、銀のごとき標準電極電位が非常に貴な金属を対
象とする粉体のメッキにおいては還元効率およびメッキ
仕上りともに良好であるが、亜鉛、錫、ニッケル、コバ
ルト、インジウムのごとき標準電極電位が卑な金属粉を
メッキする場合においては還元効率、メッキ仕上りがと
もに悪く実用的でない。
しかして最近この対策としてニッケル、コバルト、亜鉛
等のメッキにおいてそれより卑なるマグネシウム、アル
ミニウムのごとき還元用金属粉と被メッキ体とを混合す
る過程もしくは両者の混合物にメッキ金属の塩化物結晶
粉末を添加し反応開始後若干の水および／又は塩酸を添
加するメッキ方法が提案されている。
等のメッキにおいてそれより卑なるマグネシウム、アル
ミニウムのごとき還元用金属粉と被メッキ体とを混合す
る過程もしくは両者の混合物にメッキ金属の塩化物結晶
粉末を添加し反応開始後若干の水および／又は塩酸を添
加するメッキ方法が提案されている。
しかし上述したいずれのメッキ方法においても還元用金
属粉はメッキ金属よりも卑なものでなければならないの
で、両者の金属は必然的に異種のものであり、従つてメ
ッキ終了後の液の処理が問題となる。
属粉はメッキ金属よりも卑なものでなければならないの
で、両者の金属は必然的に異種のものであり、従つてメ
ッキ終了後の液の処理が問題となる。
例えば銅粉を亜鉛メッキする際銅粉とアルミニウム粉の
混合物に塩化亜鉛の結晶及び水又は希塩酸を添加してメ
ッキを行なうと下記反応式により塩化アルミニウムと塩
化亜鉛を含む溶液がメッキ処理後液として得られること
になる。
混合物に塩化亜鉛の結晶及び水又は希塩酸を添加してメ
ッキを行なうと下記反応式により塩化アルミニウムと塩
化亜鉛を含む溶液がメッキ処理後液として得られること
になる。
Ｃｕ＋Ａｌ＋ＺｎＣｌ２→Ｃｕ−Ｚｎ−１−ＡｌＣｌ３
＋ＺｎＣｌ２すなわち上記メッキ処理後液はそのままで
は銅粉の亜鉛メッキ用溶液として再利用できないのでそ
の処理が問題となり、また亜鉛の還元率が低い等の欠点
がある。
＋ＺｎＣｌ２すなわち上記メッキ処理後液はそのままで
は銅粉の亜鉛メッキ用溶液として再利用できないのでそ
の処理が問題となり、また亜鉛の還元率が低い等の欠点
がある。
本発明者は、粉体のメッキについて種々検討をＪ 重ね
た結果、従来の置換法とは異なる全く新規な方法を見い
だした。
た結果、従来の置換法とは異なる全く新規な方法を見い
だした。
すなわち本発明は、メッキ媒体用金属粉（金属粉の添加
によつてメッキが進行するのでメッキ液中の金属イオン
成分と同種の金属粉をメッキ媒体・ 用金属粉と称する
）としてメッキ金属と同一の金属を用いることにより全
く新規で有利なインジウムメッキ方法を提供することを
目的とする。
によつてメッキが進行するのでメッキ液中の金属イオン
成分と同種の金属粉をメッキ媒体・ 用金属粉と称する
）としてメッキ金属と同一の金属を用いることにより全
く新規で有利なインジウムメッキ方法を提供することを
目的とする。
以下本発明を詳しく説明する。本発明でメツキの対象と
なる被メツキ体はインジウムよりも標準電極電位が貴な
金属、例えば金、銀、白金、銅、鉛、ニツケル、コバル
ト、モリブデンのごとき金属あるいは該金属の一種以上
を含有する合金のほかに炭素質物質、金属炭化物、金属
酸化物、金属硫化物、窒化物などを上記金属あるいは合
金で予め被覆処理したものも包含する。
なる被メツキ体はインジウムよりも標準電極電位が貴な
金属、例えば金、銀、白金、銅、鉛、ニツケル、コバル
ト、モリブデンのごとき金属あるいは該金属の一種以上
を含有する合金のほかに炭素質物質、金属炭化物、金属
酸化物、金属硫化物、窒化物などを上記金属あるいは合
金で予め被覆処理したものも包含する。
なお、この被覆処理には金属薄層の蒸着、パラジウム析
出のごとき公知の手法が適用し得る。これらの被メツキ
体の形状については特に制限はなく、目的、用途に応じ
て粉体、線体、板体等が適宜使用される。本発明でメツ
キ媒体用金属粉として用いられるインジウム粉の粒度は
被メツキ体の種類、大きさ、さらにはこれに対するメツ
キ厚さ等を考慮して選択し得る。
出のごとき公知の手法が適用し得る。これらの被メツキ
体の形状については特に制限はなく、目的、用途に応じ
て粉体、線体、板体等が適宜使用される。本発明でメツ
キ媒体用金属粉として用いられるインジウム粉の粒度は
被メツキ体の種類、大きさ、さらにはこれに対するメツ
キ厚さ等を考慮して選択し得る。
例えば被メツキ体として平均粒径４０μの銅粉を用い、
これに３０重量パーセントのメツキを施す場合には、上
記インジウムの粒度は数μ程度が適当である。
これに３０重量パーセントのメツキを施す場合には、上
記インジウムの粒度は数μ程度が適当である。
インジウム粉の使用量はメツキ所要量の１．０〜１．０
５倍（重量）でよい。また本発明で用いるインジウムイ
オンを含む水溶液としては塩酸、硫酸もしくは硝酸水溶
液であつてＰＨが１〜３のものが好ましく、その使用量
は該水溶液中のインジウム量がメツキ所要量より過剰に
なるごとく調整するとよい。本発明では上述したごとき
被メ６ツキ体をインジウム粉およびインジウムイオンを
含む水溶液の存在下で加熱処理することによりインジウ
ムメツキを行なうものであるが、例えば被メツキ体とし
て粉体を使用する場合には、被メツキ体にインジウム粉
を混合する過程もしくは被メツキ体にインジウム粉を混
合した後、上記水溶液を添加しメツキ反応を均一に遂行
するべく攪拌下に加熱するとよい。
５倍（重量）でよい。また本発明で用いるインジウムイ
オンを含む水溶液としては塩酸、硫酸もしくは硝酸水溶
液であつてＰＨが１〜３のものが好ましく、その使用量
は該水溶液中のインジウム量がメツキ所要量より過剰に
なるごとく調整するとよい。本発明では上述したごとき
被メ６ツキ体をインジウム粉およびインジウムイオンを
含む水溶液の存在下で加熱処理することによりインジウ
ムメツキを行なうものであるが、例えば被メツキ体とし
て粉体を使用する場合には、被メツキ体にインジウム粉
を混合する過程もしくは被メツキ体にインジウム粉を混
合した後、上記水溶液を添加しメツキ反応を均一に遂行
するべく攪拌下に加熱するとよい。
メツキ反応はインジウムイオンを含む水溶液を添加し数
分間加熱することにより完遂する。
分間加熱することにより完遂する。
なお加熱は８０〜１００℃程度でよい。反応が終了した
メツキ生成物はＰ過して液分を除去した後洗浄してイン
ジウムメツキ粉体を回収する。
メツキ生成物はＰ過して液分を除去した後洗浄してイン
ジウムメツキ粉体を回収する。
上記沢過で得られる液分はインジウムイオンを含む水溶
液であるからそのままメツキ工程へ循環して再利用でき
る。
液であるからそのままメツキ工程へ循環して再利用でき
る。
本発明により上述したごとくして得られるインジウムメ
ツキ粉体は被メツキ粉体へのインジウムの析着が粒子状
とならずほぼ均一な厚さを有する被覆が形成される。
ツキ粉体は被メツキ粉体へのインジウムの析着が粒子状
とならずほぼ均一な厚さを有する被覆が形成される。
以上被メツキ体としてその形状が粉体の場合を説明した
が、その形状が線体あるいは板体のものについても全く
同様のことがいえる。
が、その形状が線体あるいは板体のものについても全く
同様のことがいえる。
但し板体の場合は加熱処理前に被メツキ板体をインジウ
ム粉が懸濁したインジウムイオンを含む水溶液中に浸漬
する点、および反応終了後の▲過が不要な点が粉体ある
いは線体の場合と異なる。本発明のメツキ方法における
反応機構は未だ明らかではないが反応過程でインジウム
粉が一旦溶解し水溶液中のインジウムイオンが被メツキ
体の表面に析出するものと推定される。
ム粉が懸濁したインジウムイオンを含む水溶液中に浸漬
する点、および反応終了後の▲過が不要な点が粉体ある
いは線体の場合と異なる。本発明のメツキ方法における
反応機構は未だ明らかではないが反応過程でインジウム
粉が一旦溶解し水溶液中のインジウムイオンが被メツキ
体の表面に析出するものと推定される。
以上述べたごとく本発明によるとメツキ処理後液をその
ままメツキ工程へ循環して再利用し得るので従来法にみ
られる前述した問題点は解消される。
ままメツキ工程へ循環して再利用し得るので従来法にみ
られる前述した問題点は解消される。
以下実施例を例示して本発明をさらに具体的に説明する
。実施例 １ 平均粒径４０μを有する銅粉１０９、平均粒径数μを有
するインジウム粉４９およびインジウム濃度５０９／ｔ
の塩化インジウム水溶液２００ｄをメツキ槽に仕込み（
仕込液のＰＨ２〜３）、攪拌下に９０℃で５分間加熱し
て反応させる。
。実施例 １ 平均粒径４０μを有する銅粉１０９、平均粒径数μを有
するインジウム粉４９およびインジウム濃度５０９／ｔ
の塩化インジウム水溶液２００ｄをメツキ槽に仕込み（
仕込液のＰＨ２〜３）、攪拌下に９０℃で５分間加熱し
て反応させる。
得られた反応生成物を沢別しＰＨ２〜３の希薄硫酸で塩
素イオンの存在が認められなくなるまで洗浄し水洗した
のち乾燥する。その結果１３．９８９のインジウムメツ
キ粉が得られた。
素イオンの存在が認められなくなるまで洗浄し水洗した
のち乾燥する。その結果１３．９８９のインジウムメツ
キ粉が得られた。
このインジウムメツキ粉はインジウムの白色光沢を有し
顕微鏡下の観察ではメツキ前の銅粉の粉形に相似してお
りインジウム粉そのものと思われる微小粉体は認められ
なかつた。上記沢過により得られるｐ液は塩化インジウ
ム水溶液であるので上記メツキ槽へ循環してメツキ反応
に再利用する。
顕微鏡下の観察ではメツキ前の銅粉の粉形に相似してお
りインジウム粉そのものと思われる微小粉体は認められ
なかつた。上記沢過により得られるｐ液は塩化インジウ
ム水溶液であるので上記メツキ槽へ循環してメツキ反応
に再利用する。
実施例 ２
濃度２００９／ｔの硝酸インジウム水溶液２００ｄと平
均粒径数μのインジウム粉５ｆ！および被メツキ体とし
て直径２１Ｌ１Ｌ長さ４ｍｍのニツケル線２０本をメツ
キ槽に入れ攪拌下で８５℃に加熱し５分間メツキを行な
つた。
均粒径数μのインジウム粉５ｆ！および被メツキ体とし
て直径２１Ｌ１Ｌ長さ４ｍｍのニツケル線２０本をメツ
キ槽に入れ攪拌下で８５℃に加熱し５分間メツキを行な
つた。
以下実施例１と同様の操作を行なつた。得られたメツキ
体は４００倍の顕微鏡下でもニツケル素地面の全く見ぇ
ぬ美麗なインジウムメツキ面を有していた。実施例 ３ 濃度２００９／ｔの硫酸インジウム水溶液２５０ｍ１中
に平均粒径数μのインジウム粉２０９を添加し８０℃に
加熱したのち攪拌し乍ら巾２へ長さ５（１７７１１厚さ
２ｍｍの銅板を５分間浸漬しインジウムメツキを行なつ
た。
体は４００倍の顕微鏡下でもニツケル素地面の全く見ぇ
ぬ美麗なインジウムメツキ面を有していた。実施例 ３ 濃度２００９／ｔの硫酸インジウム水溶液２５０ｍ１中
に平均粒径数μのインジウム粉２０９を添加し８０℃に
加熱したのち攪拌し乍ら巾２へ長さ５（１７７１１厚さ
２ｍｍの銅板を５分間浸漬しインジウムメツキを行なつ
た。
得られたインジウムメツキ銅板は均一なメツキ面を有し
顕微鏡下でも銅素地面は全く見えなかつた。電子膜厚計
で淘徒した平均メツキ厚みは約０．１μであつた。実施
例 ４ 被メツキ体を３２５メツシユアンダ一の真ちゆう粉（Ｃ
ｕ８Ｏ弧Ｚｎ２Ｏ％）とした以外は実施例１と同様の操
作を行なつた。
顕微鏡下でも銅素地面は全く見えなかつた。電子膜厚計
で淘徒した平均メツキ厚みは約０．１μであつた。実施
例 ４ 被メツキ体を３２５メツシユアンダ一の真ちゆう粉（Ｃ
ｕ８Ｏ弧Ｚｎ２Ｏ％）とした以外は実施例１と同様の操
作を行なつた。
その結果１３．５９のインジウムメツキ真ちゆう粉が得
られた。このメツキ粉を４００倍の顕微鏡下で観察した
ところ、表面は均一にインジウムで被覆されており真ち
ゆうの黄銅色は認められなかつた。
られた。このメツキ粉を４００倍の顕微鏡下で観察した
ところ、表面は均一にインジウムで被覆されており真ち
ゆうの黄銅色は認められなかつた。
Claims (1)
- １ 被メッキ体をインジウム粉およびインジウムイオン
を含む水溶液の存在下で加熱処理することを特徴とする
インジウムメッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32081A JPS5921948B2 (ja) | 1981-01-07 | 1981-01-07 | インジウムメツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32081A JPS5921948B2 (ja) | 1981-01-07 | 1981-01-07 | インジウムメツキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57114653A JPS57114653A (en) | 1982-07-16 |
| JPS5921948B2 true JPS5921948B2 (ja) | 1984-05-23 |
Family
ID=11470608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32081A Expired JPS5921948B2 (ja) | 1981-01-07 | 1981-01-07 | インジウムメツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5921948B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6164442U (ja) * | 1984-09-29 | 1986-05-01 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5497261B2 (ja) | 2006-12-15 | 2014-05-21 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | インジウム組成物 |
| JP2008265828A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Yamaha Motor Powered Products Co Ltd | 燃料タンク |
| EP2123799B1 (en) | 2008-04-22 | 2015-04-22 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Method of replenishing indium ions in indium electroplating compositions |
-
1981
- 1981-01-07 JP JP32081A patent/JPS5921948B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6164442U (ja) * | 1984-09-29 | 1986-05-01 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57114653A (en) | 1982-07-16 |
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