JPS59224121A - レ−ザアニ−リング装置 - Google Patents
レ−ザアニ−リング装置Info
- Publication number
- JPS59224121A JPS59224121A JP58097959A JP9795983A JPS59224121A JP S59224121 A JPS59224121 A JP S59224121A JP 58097959 A JP58097959 A JP 58097959A JP 9795983 A JP9795983 A JP 9795983A JP S59224121 A JPS59224121 A JP S59224121A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- laser beam
- section
- beams
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P34/00—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体薄膜等の製造に用いるれるレーザアニ
ーリング装置に関する。
ーリング装置に関する。
近年、半導体集積回路の高密度化が進むに伴い、半導体
集積回路の各素子寸法の微細化をはかって横方向の集積
度を向上させる他に、いったん形成された素子構造の上
に絶縁膜を全面にわたって形成し、さらに、この絶縁膜
上に半導体薄膜を設けて、この半導体薄膜を用いて素子
を形成するというようない゛わゆる三次・元構造が盛ん
に研究開発されている。とくに絶縁膜上に形成した多結
晶シリコン膜をレーザビームによシ照射し再結晶化させ
る方法が注目されている。また、半導体集積回路の高速
化が進むに伴い、半導体集積回路の各素子あるいは配線
部分と基板シリコンとの間の電気容量を小さくすること
が重要な課題となっている。
集積回路の各素子寸法の微細化をはかって横方向の集積
度を向上させる他に、いったん形成された素子構造の上
に絶縁膜を全面にわたって形成し、さらに、この絶縁膜
上に半導体薄膜を設けて、この半導体薄膜を用いて素子
を形成するというようない゛わゆる三次・元構造が盛ん
に研究開発されている。とくに絶縁膜上に形成した多結
晶シリコン膜をレーザビームによシ照射し再結晶化させ
る方法が注目されている。また、半導体集積回路の高速
化が進むに伴い、半導体集積回路の各素子あるいは配線
部分と基板シリコンとの間の電気容量を小さくすること
が重要な課題となっている。
こｔｌまでによく用いられているｐｎ接合分離と比較す
ると絶縁膜上に形成したシリコン膜を用いれば寄生容器
を小さくできるので、この意味でもレーザビームによる
再結晶化技術すなわちレーザアニーリング技術が注目さ
れている。しかし、現在の段階ではレーザアニーリング
には長時間を要し半導体集積回路用の半導体薄膜製造に
応用するのに十分とはいえない。
ると絶縁膜上に形成したシリコン膜を用いれば寄生容器
を小さくできるので、この意味でもレーザビームによる
再結晶化技術すなわちレーザアニーリング技術が注目さ
れている。しかし、現在の段階ではレーザアニーリング
には長時間を要し半導体集積回路用の半導体薄膜製造に
応用するのに十分とはいえない。
以上説明ヒた一レーザアニーリング処理に長時間を要す
る原因の一つはレーザビームを走査する方式では、試料
上の走査領域を一本のレーザビートで順次走査していく
ためである。
る原因の一つはレーザビームを走査する方式では、試料
上の走査領域を一本のレーザビートで順次走査していく
ためである。
本発明の目的はレーザビームで走査する際に、これまで
のレーザアニーリング装置にくらべ、十分処理時間を短
縮でさるようなレーザアニーリング装置を提供すること
にある。
のレーザアニーリング装置にくらべ、十分処理時間を短
縮でさるようなレーザアニーリング装置を提供すること
にある。
本発明によればレーザビームを発生するレーザ光源部ｆ
復故個備え、さらに該ｔ〜を数値リレーザ光源部から出
射されるレーザビーム、組み、１・】わせるレーザビー
ム組みあわせ部、レーザビームを試料上で走査するレー
ザビーム走査部、ｈ−よび試料保持部を儂えでいること
を特徴とするレーザアニーリング装置が得られる。。
復故個備え、さらに該ｔ〜を数値リレーザ光源部から出
射されるレーザビーム、組み、１・】わせるレーザビー
ム組みあわせ部、レーザビームを試料上で走査するレー
ザビーム走査部、ｈ−よび試料保持部を儂えでいること
を特徴とするレーザアニーリング装置が得られる。。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
本発明の一実施例Ｃま、躬１図（ａ）に示すように第１
のレージ”光源部１１から出射され／ζ弔１のレーザビ
ーム５１および第２のレーザ光源部ｊ２から出射された
第２のレーザビーム５２はレーザビーム組みあわ上部２
０において組与あわされ、近接した２本のレーザビーム
５３と左る。次いで該レーザビーム５３はレーザビーム
走査部３０によシ任意の速就−Ｃ走亘され、試・科保持
ｓ４０に保持された試料の近接した２か所に照射される
。このとき第１図ｔｂ＋に示すように第１のレーザ光源
部１１から出射された第１のレーザビーム５１および第
２のレーザ光源部１２から出射された第２のレーザビー
ム５２けレーザビーム組みあわせ部２０において組みあ
わされ、レーザビーム５３となって試料保持部４０に保
持された試料に照射され、一方試料保持部４０はレーザ
ビーム走査部３０によって駆動され、結果としてレーザ
ビーム走査を実現してもかまわない。
のレージ”光源部１１から出射され／ζ弔１のレーザビ
ーム５１および第２のレーザ光源部ｊ２から出射された
第２のレーザビーム５２はレーザビーム組みあわ上部２
０において組与あわされ、近接した２本のレーザビーム
５３と左る。次いで該レーザビーム５３はレーザビーム
走査部３０によシ任意の速就−Ｃ走亘され、試・科保持
ｓ４０に保持された試料の近接した２か所に照射される
。このとき第１図ｔｂ＋に示すように第１のレーザ光源
部１１から出射された第１のレーザビーム５１および第
２のレーザ光源部１２から出射された第２のレーザビー
ム５２けレーザビーム組みあわせ部２０において組みあ
わされ、レーザビーム５３となって試料保持部４０に保
持された試料に照射され、一方試料保持部４０はレーザ
ビーム走査部３０によって駆動され、結果としてレーザ
ビーム走査を実現してもかまわない。
またこの実施例では、組みあわされたレーザビーム５３
は試料上の近接した２か所に同時に照射されるが２本の
レーザビーム５３０１本１本が試料上で遠く離れて照射
されてもよい。逆に２本のレーザビーム５３が試料上で
互いに一部重なυありてもより０また組みあわせるレー
ザビームは２本とは限らず一般に複数本組みあわせるこ
とができるから、特定の２本は試料上で一部分互いに重
なシ合い他は近接あるいは遠く離れているというような
ことも可能である。
は試料上の近接した２か所に同時に照射されるが２本の
レーザビーム５３０１本１本が試料上で遠く離れて照射
されてもよい。逆に２本のレーザビーム５３が試料上で
互いに一部重なυありてもより０また組みあわせるレー
ザビームは２本とは限らず一般に複数本組みあわせるこ
とができるから、特定の２本は試料上で一部分互いに重
なシ合い他は近接あるいは遠く離れているというような
ことも可能である。
次に本発明の要点をさらに詳しく説明するために、２つ
のレーザビームを合成５するレーザビーム合成部の実施
例について図を用いて説明する。
のレーザビームを合成５するレーザビーム合成部の実施
例について図を用いて説明する。
第２図に示すように、レーザビーム合成部においては、
第１のレーザビーム５１は、弔１の反射ｌ ミラーにお
いて曲けられ、第１のレーザビーム補正部２２１におい
て強度および偏光特性が第２のレーザビーム５２と同等
になるように、強度減衰板等および］／４波長板等を用
い°Ｃ補正された後、レーザビーム組みあわせ用ミラー
２３０に入射する。
第１のレーザビーム５１は、弔１の反射ｌ ミラーにお
いて曲けられ、第１のレーザビーム補正部２２１におい
て強度および偏光特性が第２のレーザビーム５２と同等
になるように、強度減衰板等および］／４波長板等を用
い°Ｃ補正された後、レーザビーム組みあわせ用ミラー
２３０に入射する。
一方、第２のレーザビーム５２は、第２の反射ミラー２
１２において曲げられ、第２のレーザビーム補正部２２
２において強度および偏光特性が第１のレーザビーム５
１と同等になるように、強度減衰板等および１／４波長
板等を用いて補正された後レーザビーム組みあわせ用ミ
ラー２３０に入射する。
１２において曲げられ、第２のレーザビーム補正部２２
２において強度および偏光特性が第１のレーザビーム５
１と同等になるように、強度減衰板等および１／４波長
板等を用いて補正された後レーザビーム組みあわせ用ミ
ラー２３０に入射する。
このようにしてレーザビーム組みあわせ用ミラー２３０
に入射した第１のレーザビーム５１および第２のレーザ
ビーム５２は同一方向に反射され、組みあわされたレー
ザビーム５３を得ることができる。第１のレーザビーム
５１と第２のレーザビーム５２との相対位置は、第１の
反射ミラー２１１および第２の反射ミラー２１２とを適
当に調整することによ’）、Ｊ３丁望の相対位置関係に
することが可能である。従ってレーザビーム５３を用い
て試料を走査する場合に第１のレーザビーム５１による
走査領域と第２のレーザビーム５２による走査領域とが
相貫ならないよりに、第１のレーザビーム５１と第２の
レーザビーム５２との相対位置関係を調整することが可
能となシ、１本のレーザビームで走査する場合にくらべ
ほぼ１／２ の走査時間で同じ面積を走査することが可
能となる。
に入射した第１のレーザビーム５１および第２のレーザ
ビーム５２は同一方向に反射され、組みあわされたレー
ザビーム５３を得ることができる。第１のレーザビーム
５１と第２のレーザビーム５２との相対位置は、第１の
反射ミラー２１１および第２の反射ミラー２１２とを適
当に調整することによ’）、Ｊ３丁望の相対位置関係に
することが可能である。従ってレーザビーム５３を用い
て試料を走査する場合に第１のレーザビーム５１による
走査領域と第２のレーザビーム５２による走査領域とが
相貫ならないよりに、第１のレーザビーム５１と第２の
レーザビーム５２との相対位置関係を調整することが可
能となシ、１本のレーザビームで走査する場合にくらべ
ほぼ１／２ の走査時間で同じ面積を走査することが可
能となる。
以上の説明では、第１のレーザビーム１１と第２のレー
ザビーム１２はほぼ同一平面上にある場合につい７て説
明したが、必ずしもこれに限られることなく、レーザビ
ーム組みあわせ部２０において反射ミラー、組みられせ
用ミラー等の角度および相対位置を適正に配置すれは、
上下に傑れている場合にも所望の組みあわされたレーザ
ビームを得ることができる。
ザビーム１２はほぼ同一平面上にある場合につい７て説
明したが、必ずしもこれに限られることなく、レーザビ
ーム組みあわせ部２０において反射ミラー、組みられせ
用ミラー等の角度および相対位置を適正に配置すれは、
上下に傑れている場合にも所望の組みあわされたレーザ
ビームを得ることができる。
また、以上の説明では、２つのレーザビームを組みあわ
せる場合について説明したが、これに限られることなく
、２本のレーザビームを組みあわせた彼にさらに他のレ
ーザビームを前述の説明と同様にし°Ｃ組みあわせ１１
は多数本のレーザビームを組みあわせることも可能であ
る。
せる場合について説明したが、これに限られることなく
、２本のレーザビームを組みあわせた彼にさらに他のレ
ーザビームを前述の説明と同様にし°Ｃ組みあわせ１１
は多数本のレーザビームを組みあわせることも可能であ
る。
第１図、ｗ、２図は本発明の詳細な説明するだめの図で
ある。 図において、１１・・・第１のレーザ光源部、１２・・
・１保持部、５１・・・第１のレーザビーム、５２・・
第２のレーデビーム、５３・・・組みあわされたレーザ
ビ・−ム、２１１・・・第１の反射ミラー、２１２・・
・第２の反射クラ−１２２１・・・第１のレーザビーム
補正部、２２２−・・第２のレーザビーム補正部、２３
０・・１／−ザビーノ・組みあわぜ用ミラー。 工業技術院長 オ １ 図 ９９− 才 ２ 図
ある。 図において、１１・・・第１のレーザ光源部、１２・・
・１保持部、５１・・・第１のレーザビーム、５２・・
第２のレーデビーム、５３・・・組みあわされたレーザ
ビ・−ム、２１１・・・第１の反射ミラー、２１２・・
・第２の反射クラ−１２２１・・・第１のレーザビーム
補正部、２２２−・・第２のレーザビーム補正部、２３
０・・１／−ザビーノ・組みあわぜ用ミラー。 工業技術院長 オ １ 図 ９９− 才 ２ 図
Claims (1)
- レーザビームを発生するレーザ光源部を複舷個備え、さ
らに該複数個のレーザ光源部から出射されるレーザビー
ムを組みあわせるレーザビーム組みあわせ部、レーザビ
ームを試料上で走査するレーザビーム走査部、および試
料保持部を備えていることを特徴とするレーザアニーリ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58097959A JPS59224121A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | レ−ザアニ−リング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58097959A JPS59224121A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | レ−ザアニ−リング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59224121A true JPS59224121A (ja) | 1984-12-17 |
Family
ID=14206205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58097959A Pending JPS59224121A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | レ−ザアニ−リング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59224121A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01246826A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Tokyo Electron Ltd | ビームアニール方法およびビームアニール装置 |
| JPH01246829A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Tokyo Electron Ltd | ビームアニール装置 |
| JPH01246828A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Tokyo Electron Ltd | ビームアニール装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57128024A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-09 | Fujitsu Ltd | Single crystallization for non-single crystalline semiconductor layer |
| JPS57183024A (en) * | 1981-05-02 | 1982-11-11 | Fujitsu Ltd | Laser annealing |
-
1983
- 1983-06-03 JP JP58097959A patent/JPS59224121A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57128024A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-09 | Fujitsu Ltd | Single crystallization for non-single crystalline semiconductor layer |
| JPS57183024A (en) * | 1981-05-02 | 1982-11-11 | Fujitsu Ltd | Laser annealing |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01246826A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Tokyo Electron Ltd | ビームアニール方法およびビームアニール装置 |
| JPH01246829A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Tokyo Electron Ltd | ビームアニール装置 |
| JPH01246828A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Tokyo Electron Ltd | ビームアニール装置 |
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