JPS59224128A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS59224128A JPS59224128A JP15781183A JP15781183A JPS59224128A JP S59224128 A JPS59224128 A JP S59224128A JP 15781183 A JP15781183 A JP 15781183A JP 15781183 A JP15781183 A JP 15781183A JP S59224128 A JPS59224128 A JP S59224128A
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- JP
- Japan
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- plasma
- wafer
- gas
- plasma cvd
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、たとえば膜厚及び膜質が均一な堆積膜を大量
の被処理体表面に効果的に形成することのできる改良さ
れたプラズマ処理（化学気相反応）装置゛などに関する
ものである。
の被処理体表面に効果的に形成することのできる改良さ
れたプラズマ処理（化学気相反応）装置゛などに関する
ものである。
従来、たとえばプラズマＣＶＤ装置としてはいくつかの
タイプのものが提案されているが、そのいずれの装置に
おいてもウェハの如き被処理体が平坦なホルダ表面上に
載置された状態でプラズマ−ＣＶＤ反応を生じさせて被
処理体表面上に堆積膜を形成するようになっている。こ
のような装置は。
タイプのものが提案されているが、そのいずれの装置に
おいてもウェハの如き被処理体が平坦なホルダ表面上に
載置された状態でプラズマ−ＣＶＤ反応を生じさせて被
処理体表面上に堆積膜を形成するようになっている。こ
のような装置は。
一度に処ｉできる被処理体の数が低く制限されるため、
特に大量生産ラインなどで使用するには必ずしも好適で
ないという問題点をもっているう本発明の目的は、膜厚
及びｉ質の均一性と大量生産性とを両立させうる新規な
プラズマ処理装置を提供することにある。
特に大量生産ラインなどで使用するには必ずしも好適で
ないという問題点をもっているう本発明の目的は、膜厚
及びｉ質の均一性と大量生産性とを両立させうる新規な
プラズマ処理装置を提供することにある。
本発明の特徴の１つは、ウニ７％ホルダを円筒状に構成
した点にある。このような円筒状ホルダの内部にはプラ
ズマ反応発生機構が配置される。そして、ホルダの内壁
面に沿って多数の被処理ウェハが配置されるうこのよう
にすると、膜厚・膜質の均一性をそこなうことなく大量
処理が可能になる。
した点にある。このような円筒状ホルダの内部にはプラ
ズマ反応発生機構が配置される。そして、ホルダの内壁
面に沿って多数の被処理ウェハが配置されるうこのよう
にすると、膜厚・膜質の均一性をそこなうことなく大量
処理が可能になる。
次に、添付図面に示す実施例について本発明を詳述する
。
。
第１図は１本発明の第１の実施例によるプラズマＣＶＤ
装置を示すもので、１０は、ガス吹出孔ｔＯａを有し内
部にＮ、ガスが矢印の方向に流通されるガス導入管、１
２はガス流通孔１２ａを有する円筒状の高周波シールド
筒、１４は円筒状のウェハホルダであり、これらガス導
入管１ｏ、シールド筒１２及びホルダ１４は同軸的に配
置されている。ホルダ１４の内壁面には多数のウェハ（
例えばシリコンウェハ）が配置すれ、 ’／ −／ｌ／
）−筒１２とホルダ内壁面との間には下方から５ｉＴ
（４ガスが供給されるようになっている。ボルダ１４は
、内部にウェハ１６を装着したまま後述のＣＶＤプロセ
スの間欠印Ｒに示す方向に回転しつるようになっている
。ガス導入管ｌｏ及びウェハボルダ１６の各々の周囲に
はコイル１８及び２２がそれぞれ巻回されており、各々
のコイル１８．２２には高周波を源２０．２４がそれぞ
れ接続されている。
装置を示すもので、１０は、ガス吹出孔ｔＯａを有し内
部にＮ、ガスが矢印の方向に流通されるガス導入管、１
２はガス流通孔１２ａを有する円筒状の高周波シールド
筒、１４は円筒状のウェハホルダであり、これらガス導
入管１ｏ、シールド筒１２及びホルダ１４は同軸的に配
置されている。ホルダ１４の内壁面には多数のウェハ（
例えばシリコンウェハ）が配置すれ、 ’／ −／ｌ／
）−筒１２とホルダ内壁面との間には下方から５ｉＴ
（４ガスが供給されるようになっている。ボルダ１４は
、内部にウェハ１６を装着したまま後述のＣＶＤプロセ
スの間欠印Ｒに示す方向に回転しつるようになっている
。ガス導入管ｌｏ及びウェハボルダ１６の各々の周囲に
はコイル１８及び２２がそれぞれ巻回されており、各々
のコイル１８．２２には高周波を源２０．２４がそれぞ
れ接続されている。
いま、電源２０からの高周波出方によりガス導入管１０
内でＮ２ガスをプラズマ化すると、励起された窒素の原
子や分子が孔１０ａ、１２ａを介シテウェハ１２の表面
に到達し、そこテ５ｉＨ４ト反応し、ウェハ１２上には
シリコンナイトライド＜ ｓ ｉ３Ｎ４ ）の堆積層を
得ることができる。このよ５な堆積処理の前または後に
は、＠源２４の高周波出力を用いてホルダ１４の内側で
フレオンガスをプラズマ化してプラズマエツチングを実
施し。
内でＮ２ガスをプラズマ化すると、励起された窒素の原
子や分子が孔１０ａ、１２ａを介シテウェハ１２の表面
に到達し、そこテ５ｉＨ４ト反応し、ウェハ１２上には
シリコンナイトライド＜ ｓ ｉ３Ｎ４ ）の堆積層を
得ることができる。このよ５な堆積処理の前または後に
は、＠源２４の高周波出力を用いてホルダ１４の内側で
フレオンガスをプラズマ化してプラズマエツチングを実
施し。
それによって内部を清浄化することができる、第１図の
装置においては１円筒状ホルダ１４の内壁面に沿ってウ
ェハを配置するようにしたので。
装置においては１円筒状ホルダ１４の内壁面に沿ってウ
ェハを配置するようにしたので。
ウェハのチャージ枚数を従来装置に比べて大幅に増大さ
せることができる上、膜厚、膜質の均一性は−ウエハ内
でも複数ウェハ間でも良好である。
せることができる上、膜厚、膜質の均一性は−ウエハ内
でも複数ウェハ間でも良好である。
このような膜厚、膜質の均一性は、ウエノ・ホルダ１４
を回転させることと相俟って、多数の孔１０ａ。
を回転させることと相俟って、多数の孔１０ａ。
１２ａを分布させることにより一層改善される。
また、ウェハ１２は直接プラズマにさらされることがな
いので、プラズマ中の電子の衝撃などによりダメージを
受けることが殆んどない。さらにＮ、ガスとＳｉＨ４ガ
スとを分離して導入しているので、Ｎ、とＳｉＨ，とが
同時にプラズマ化されず、従って堆積膜中に不要な誘導
生成物（例えばＳｉｓ ）（ｓ ＊ Ｓ ｉ ＠ Ｎ５
など、これは同時プラズマ化により生ずることが多い）
が混入し℃膜質な悪化させることがなく、良質のシリコ
ンナイトライド膜を得ることができる。
いので、プラズマ中の電子の衝撃などによりダメージを
受けることが殆んどない。さらにＮ、ガスとＳｉＨ４ガ
スとを分離して導入しているので、Ｎ、とＳｉＨ，とが
同時にプラズマ化されず、従って堆積膜中に不要な誘導
生成物（例えばＳｉｓ ）（ｓ ＊ Ｓ ｉ ＠ Ｎ５
など、これは同時プラズマ化により生ずることが多い）
が混入し℃膜質な悪化させることがなく、良質のシリコ
ンナイトライド膜を得ることができる。
第２図は１本発明をキャパシタ型ＣＶＤ装置に適用した
他の実施例を示すものである。同図において、ガス導入
管を兼ねた内外の電ｉ３０，３２の間には高周波電源４
０が接続されており、内側電極３０のガス吹出孔３０ａ
から吹出されたＮ。
他の実施例を示すものである。同図において、ガス導入
管を兼ねた内外の電ｉ３０，３２の間には高周波電源４
０が接続されており、内側電極３０のガス吹出孔３０ａ
から吹出されたＮ。
ガスをプラズマ化しつるようになっている。外側電極３
２のガス吹出孔３２ａからは放射状にＳｉＨ。
２のガス吹出孔３２ａからは放射状にＳｉＨ。
ガスが吹出されるようになっており、外側を極３２の外
側には、これを取囲むように、矢印Ｒ方向に回転自在な
円筒状のウェハホルダ３４が設けられている。ホルダ３
４の内壁面には前述側同様多数の被処理ウェハ３６が配
置されているうｔ極３０゜３２間に発生されるプラズマ
により励起された窒素の原子又は分子は矢印ＥＡに示す
ようにｔ極３２に設けた多数の貫通孔３２Ａを介してウ
ェハ１２側へ到達し、そこでＳｉＨ，と反応してシリコ
ンナイトライド堆積を生じさせ５る。
側には、これを取囲むように、矢印Ｒ方向に回転自在な
円筒状のウェハホルダ３４が設けられている。ホルダ３
４の内壁面には前述側同様多数の被処理ウェハ３６が配
置されているうｔ極３０゜３２間に発生されるプラズマ
により励起された窒素の原子又は分子は矢印ＥＡに示す
ようにｔ極３２に設けた多数の貫通孔３２Ａを介してウ
ェハ１２側へ到達し、そこでＳｉＨ，と反応してシリコ
ンナイトライド堆積を生じさせ５る。
第２図の装置もウェハホルダ３４が筒状になっているこ
とにより膜厚・膜質の均一性をそこなうことなく大量の
ウェハを一括して被膜付着処理しうるものであり、その
龍笛１図の装置と同様の作用効果を奏するものであろう 以上１本発明をいくつかの実施例について述べたが、本
発明は、上記実施例に限定されることなく１種々の改変
形態において実施できるものである。例えば、上記実施
例では装置が全体として縦形であったが、これは横形に
することもでき、それによってウェハホルダを横方向に
一層長（してさらにウェハチャージ枚数を増大させ５る
ようにしてもよいう
とにより膜厚・膜質の均一性をそこなうことなく大量の
ウェハを一括して被膜付着処理しうるものであり、その
龍笛１図の装置と同様の作用効果を奏するものであろう 以上１本発明をいくつかの実施例について述べたが、本
発明は、上記実施例に限定されることなく１種々の改変
形態において実施できるものである。例えば、上記実施
例では装置が全体として縦形であったが、これは横形に
することもでき、それによってウェハホルダを横方向に
一層長（してさらにウェハチャージ枚数を増大させ５る
ようにしてもよいう
第１図は１木兄°明の一実施例によるプラズマＣＶＤ装
置を示す要部縦断面図、第２図は１本発明の他の実施例
によるプラズマＣＶＤ装置を示″ｆ′要部横断面図であ
ろう 符号の説明 １０・・・ガス導入管、１２・・・高周波シールド筒。 １４・・・ウェハホルダ、１６・・・ウェハ、１８．２
２・・・コイル、３０．３２・・・ガス導入管兼′ＲＬ
極、３４・・・ウェハホルダ、３６・・・＋７．１／Ｓ
つ第 １ 図 Ａ／、７ １４３− 第 ２ 図
置を示す要部縦断面図、第２図は１本発明の他の実施例
によるプラズマＣＶＤ装置を示″ｆ′要部横断面図であ
ろう 符号の説明 １０・・・ガス導入管、１２・・・高周波シールド筒。 １４・・・ウェハホルダ、１６・・・ウェハ、１８．２
２・・・コイル、３０．３２・・・ガス導入管兼′ＲＬ
極、３４・・・ウェハホルダ、３６・・・＋７．１／Ｓ
つ第 １ 図 Ａ／、７ １４３− 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ｉａｌ 被処理体をほぼ中心方向に向けて、
その壁面にそって保持するほぼ筒状のホルダｆｂｌ
上記ホルダ内部に設けられたプラズマ発生部 。 よりなり、上記ホルダの被処理体保持領域と上記プラズ
マ発生領域は間隔をおいて設けられたことを特徴とする
プラズマ処理装置う
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15781183A JPS59224128A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15781183A JPS59224128A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | プラズマｃｖｄ装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52005932A Division JPS5931977B2 (ja) | 1977-01-24 | 1977-01-24 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59224128A true JPS59224128A (ja) | 1984-12-17 |
| JPH0241901B2 JPH0241901B2 (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=15657804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15781183A Granted JPS59224128A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59224128A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5141031A (ja) * | 1974-10-05 | 1976-04-06 | Tomota Fukuda | Setsuchakuzaisoseibutsu |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP15781183A patent/JPS59224128A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5141031A (ja) * | 1974-10-05 | 1976-04-06 | Tomota Fukuda | Setsuchakuzaisoseibutsu |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0241901B2 (ja) | 1990-09-19 |
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