JPS59224185A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS59224185A JPS59224185A JP58098848A JP9884883A JPS59224185A JP S59224185 A JPS59224185 A JP S59224185A JP 58098848 A JP58098848 A JP 58098848A JP 9884883 A JP9884883 A JP 9884883A JP S59224185 A JPS59224185 A JP S59224185A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- emitting device
- terminals
- pellet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
- H10H20/856—Reflecting means
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体発光装置に関し、特に発光素子用リード
フレームに関するものである。
フレームに関するものである。
半導体発光素子、特に発光ダイオードは長寿命、低消費
電力、さらに小型、軽量、高輝度であるという長所を有
するため、近年各方面において用いられるようになって
いる。しかし、発光ダイオードペレットは通常６面体の
構造を有しておシ、光は上面のみではなく側面からも出
るようになっているため前方への光の取シ出し効率を上
げるため、第１図に示すような構造をリードフレームに
持たせていた。即ち、発光ダイオードベレットをダイボ
ンディングする面１２を反射面１１で囲むようにして、
ペレット側面からの光を前方へ効率よく取シ出していた
。しかしながら、リードフレームのダイボンディング部
への反射面を設けたため、使用するダイオードペレット
の寸法が反射面の径で制限されるという不具合が生じて
いた。現在発光ダイオードは５ｍｍφのドーム型形状の
ものに代表される大型と、３ｍｍφ ドーム型に代表さ
れる小型との２種類に大別され、使用されるリードフレ
ームも通常夫々異った径のものが使用され、特に小型用
にはリードフレーム厚の薄いものが使用されている。従
ってダイボンディング部の反射面の径も小さく々らざる
を得なくなる。ゆえに、使用される発光ダイオードベレ
ットもそれに合わせて小型のものを使用しなければなら
ない。しかしペレットを小型化すると電流密度が大きく
なシ、一定電流値では、発光輝度が高くなるという長所
も−面としであるが、その反面通電劣化が増大する。さ
らに電流対発光出力（輝度）の線型性が悪化するという
短所がクローズアップされてくる。
電力、さらに小型、軽量、高輝度であるという長所を有
するため、近年各方面において用いられるようになって
いる。しかし、発光ダイオードペレットは通常６面体の
構造を有しておシ、光は上面のみではなく側面からも出
るようになっているため前方への光の取シ出し効率を上
げるため、第１図に示すような構造をリードフレームに
持たせていた。即ち、発光ダイオードベレットをダイボ
ンディングする面１２を反射面１１で囲むようにして、
ペレット側面からの光を前方へ効率よく取シ出していた
。しかしながら、リードフレームのダイボンディング部
への反射面を設けたため、使用するダイオードペレット
の寸法が反射面の径で制限されるという不具合が生じて
いた。現在発光ダイオードは５ｍｍφのドーム型形状の
ものに代表される大型と、３ｍｍφ ドーム型に代表さ
れる小型との２種類に大別され、使用されるリードフレ
ームも通常夫々異った径のものが使用され、特に小型用
にはリードフレーム厚の薄いものが使用されている。従
ってダイボンディング部の反射面の径も小さく々らざる
を得なくなる。ゆえに、使用される発光ダイオードベレ
ットもそれに合わせて小型のものを使用しなければなら
ない。しかしペレットを小型化すると電流密度が大きく
なシ、一定電流値では、発光輝度が高くなるという長所
も−面としであるが、その反面通電劣化が増大する。さ
らに電流対発光出力（輝度）の線型性が悪化するという
短所がクローズアップされてくる。
特に、赤外発光ダイオードについてはこの短所が顕著に
現われる。すなわち、赤外発光ダイオードは近年、テレ
ビジョンセット等家庭電化製品に使われるリモートコン
トロール装置用発光源として多くが使用され、この使用
状態は電流が数百ｍＡ程度まで通電するので、通電劣化
・線型性が大きな問題となる。しかし、近年はあらゆる
製品に於いて小型化が叫ばれているが、発光ダイオード
の形状も例外ではなく小型のものが主流となシっつあシ
、そこに矛盾する問題点を有していた。
現われる。すなわち、赤外発光ダイオードは近年、テレ
ビジョンセット等家庭電化製品に使われるリモートコン
トロール装置用発光源として多くが使用され、この使用
状態は電流が数百ｍＡ程度まで通電するので、通電劣化
・線型性が大きな問題となる。しかし、近年はあらゆる
製品に於いて小型化が叫ばれているが、発光ダイオード
の形状も例外ではなく小型のものが主流となシっつあシ
、そこに矛盾する問題点を有していた。
そこで本発明は小型でかつ通電劣化が小さく、発光出力
の線型性も優れた発光ダイオード装置を提供するもので
ある。
の線型性も優れた発光ダイオード装置を提供するもので
ある。
本発明による発光素子用リードフレームは、ダイボンデ
ィング部分のみではなく、他の１本のリード線にも反射
部を作シ、２つの反射部と対として１つの反射面を構成
させたものである。
ィング部分のみではなく、他の１本のリード線にも反射
部を作シ、２つの反射部と対として１つの反射面を構成
させたものである。
次に実施例に即して本発明の詳細な説明する。
第２図に本発明による発光素子用リードフレームの外形
図を示す。リードフレームの材質は鉄、厚さＱ、５ｍｍ
のものを使用する。通ｎ１反射面を有する発光素子用リ
ードフレームの製造方法は、まず第３図のように金型で
打ち抜いた後、反射面形成用のポンチで第３図の上部を
たたき、２本の端子の端面に反射面を一度に作る。本実
施例は、第３図の状態から、底面の径がＱ、８ｍｍのポ
ンチでただき、第２図のような構造を作った。この結果
ペレット寸法の制限を大幅に緩和し、大型発光ダイオー
ド用のベレットがそのｉｔ使用できるように々っだ。
図を示す。リードフレームの材質は鉄、厚さＱ、５ｍｍ
のものを使用する。通ｎ１反射面を有する発光素子用リ
ードフレームの製造方法は、まず第３図のように金型で
打ち抜いた後、反射面形成用のポンチで第３図の上部を
たたき、２本の端子の端面に反射面を一度に作る。本実
施例は、第３図の状態から、底面の径がＱ、８ｍｍのポ
ンチでただき、第２図のような構造を作った。この結果
ペレット寸法の制限を大幅に緩和し、大型発光ダイオー
ド用のベレットがそのｉｔ使用できるように々っだ。
本発明によシ、小型形状であシしかも、発光域シ出し効
率が高く、さらに通電劣化、発光出力対通電電流の線形
性に於いて大型発光ダイオードのものと同等の発光ダイ
オードが得られる。さらに、大型用リードフレームに本
発明を適用すれば、さらに一層太き々ベレットも使用可
能となり、通電劣化、発光出力線形性がさらに優れた発
光ダイオードが得られることは言うまでもない。
率が高く、さらに通電劣化、発光出力対通電電流の線形
性に於いて大型発光ダイオードのものと同等の発光ダイ
オードが得られる。さらに、大型用リードフレームに本
発明を適用すれば、さらに一層太き々ベレットも使用可
能となり、通電劣化、発光出力線形性がさらに優れた発
光ダイオードが得られることは言うまでもない。
また、本実施例では、シングルエンド型リードフレーム
について説明したが、ダブルエンド型リードフレームへ
も適用可能であることも言うまでもない。さらに、本発
明によシ、発光ダイオードベレット寸法を２種類作る必
要もなくなシ、標準化という面でも製造面へ大きく貢献
できるという効果もある。
について説明したが、ダブルエンド型リードフレームへ
も適用可能であることも言うまでもない。さらに、本発
明によシ、発光ダイオードベレット寸法を２種類作る必
要もなくなシ、標準化という面でも製造面へ大きく貢献
できるという効果もある。
第１図は従来の反射面付きリードフレーム外形図である
。 １１・・・・・・反射面、１２・・・・・・ダイボンデ
ィング部分、１３・・・・・・ワイヤーボンディング用
リード端子。 第２図は本発明の一実施例によるリードフレーム外形図
である。 ２１・・・・・・反射面、２２・・・・・・ダイボンデ
インク部分、２３・・・・・・ワイヤーボンディング用
リード端子。 第３図は本発明によるリードフレームを製造する際、反
射面を形成する直前の工程における構造断面図である。 筋１図 りｌ ＪＺ ％３図
。 １１・・・・・・反射面、１２・・・・・・ダイボンデ
ィング部分、１３・・・・・・ワイヤーボンディング用
リード端子。 第２図は本発明の一実施例によるリードフレーム外形図
である。 ２１・・・・・・反射面、２２・・・・・・ダイボンデ
インク部分、２３・・・・・・ワイヤーボンディング用
リード端子。 第３図は本発明によるリードフレームを製造する際、反
射面を形成する直前の工程における構造断面図である。 筋１図 りｌ ＪＺ ％３図
Claims (1)
- アノードとカソードとの２端子の画先端を皿状加工する
ことによって前記２端子を一組とする反射部を設け、こ
の反射部の底面に発光素子を搭載したことを特徴とする
半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58098848A JPS59224185A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58098848A JPS59224185A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59224185A true JPS59224185A (ja) | 1984-12-17 |
Family
ID=14230656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58098848A Pending JPS59224185A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59224185A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0178058U (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-25 | ||
| JPH0267663U (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-22 | ||
| WO2004107443A1 (de) * | 2003-06-03 | 2004-12-09 | Asetronics Ag | Isoliertes metallsubstrat mit wenigstens einer leuchtdiode, leuchtdiodenmatrix und herstellungsverfahren |
| JP2013161962A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレーム及び半導体装置 |
-
1983
- 1983-06-03 JP JP58098848A patent/JPS59224185A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0178058U (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-25 | ||
| JPH0267663U (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-22 | ||
| WO2004107443A1 (de) * | 2003-06-03 | 2004-12-09 | Asetronics Ag | Isoliertes metallsubstrat mit wenigstens einer leuchtdiode, leuchtdiodenmatrix und herstellungsverfahren |
| JP2013161962A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレーム及び半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8159000B2 (en) | LED package having an array of light emitting cells coupled in series | |
| US6921926B2 (en) | LED package and the process making the same | |
| US7985973B2 (en) | Semiconductor light-emitting device and method of fabricating the same | |
| US10686108B2 (en) | Semiconductor device package | |
| US20060050526A1 (en) | Light-emitting diode | |
| JP2003197972A (ja) | 高輝度発光ダイオード | |
| JP2790237B2 (ja) | 多色発光素子 | |
| US6091084A (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JP2001111119A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| JP2001077427A (ja) | 発光ダイオード及びそれを用いた表示装置 | |
| JP2003303936A (ja) | リードフレームとその製造方法ならびにそれを用いたチップ型ｌｅｄ | |
| WO2021134748A1 (zh) | 发光装置及发光设备 | |
| JP2006086178A (ja) | 樹脂封止型光半導体装置 | |
| KR20040044701A (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 | |
| JPS59224185A (ja) | 半導体発光装置 | |
| KR100788265B1 (ko) | 다수의 수직형 발광소자를 구비하는 발광 다이오드 패키지 | |
| JPH0563242A (ja) | 発光ダイオード用リードフレーム及び発光ダイオードランプ | |
| US20060243993A1 (en) | Light emitting diode chip and light emitting diode using the same | |
| TW506145B (en) | High Luminescence LED having transparent substrate flip-chip type LED die | |
| US20100296297A1 (en) | Light emitter | |
| US20050205889A1 (en) | Light emitting diode package with high power | |
| JP4366981B2 (ja) | 半導体発光装置およびその形成方法 | |
| JP2002151744A (ja) | 光源装置 | |
| CN1421936A (zh) | 具有透明基板覆晶式发光二极体晶粒的高亮度发光二极体 | |
| JP3834188B2 (ja) | 半導体発光装置 |