JPS5922443A - 半導体入力バツフア装置 - Google Patents
半導体入力バツフア装置Info
- Publication number
- JPS5922443A JPS5922443A JP57131788A JP13178882A JPS5922443A JP S5922443 A JPS5922443 A JP S5922443A JP 57131788 A JP57131788 A JP 57131788A JP 13178882 A JP13178882 A JP 13178882A JP S5922443 A JPS5922443 A JP S5922443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inverter circuit
- input
- buffer device
- terminal
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/003—Modifications for increasing the reliability for protection
- H03K19/00346—Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents
- H03K19/00361—Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents in field effect transistor circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0175—Coupling arrangements; Interface arrangements
- H03K19/0185—Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
- H03K19/018507—Interface arrangements
- H03K19/018521—Interface arrangements of complementary type, e.g. CMOS
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- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気信号を供給され、該信号を整形してこれを
他の電子回路へ供給するいわゆるンリヅドステート入カ
パッファ装置(便宜上、半導体人力バッファ装置と称す
)に係シ、特に0MO8技術による複数のインバータ回
路を備える半導偉人カバッンア装置に関するものである
。
他の電子回路へ供給するいわゆるンリヅドステート入カ
パッファ装置(便宜上、半導体人力バッファ装置と称す
)に係シ、特に0MO8技術による複数のインバータ回
路を備える半導偉人カバッンア装置に関するものである
。
この種の従来装置として、入力インバータ回路と出力イ
ンバータ回路との間に多数のインバータ回路を直列に接
続するものが知られている。しかしながら、この伽来方
式では必要とされるインバータ回路の個数は実験的また
は経験的に決定される。すなわち許容し得る遅延時間に
おいて所望のパルスが得られるまで随意多数のインバー
タ回路を縦続接続するため多数のインバータ回路の個々
の遅延時間の総和が不当に大きくなったり、使用すべき
回路の総量が過大になるという重大な欠点があった。
ンバータ回路との間に多数のインバータ回路を直列に接
続するものが知られている。しかしながら、この伽来方
式では必要とされるインバータ回路の個数は実験的また
は経験的に決定される。すなわち許容し得る遅延時間に
おいて所望のパルスが得られるまで随意多数のインバー
タ回路を縦続接続するため多数のインバータ回路の個々
の遅延時間の総和が不当に大きくなったり、使用すべき
回路の総量が過大になるという重大な欠点があった。
このため、入力インバータ回路と出力インバータ回路と
の間に入力インバータ回路による11#から0”への遷
移時間を効果的に短縮する第1ラッチ回路と10#から
”1′への遷移速度を効果的に増大する第2ラッチ回路
を設けることにより上記欠点を解消した回路が考えられ
ている。しかしながら、この回路ではインバータ回路を
少なくとも5つは必要とするため面積の増大を招き、ま
た過渡電流が大き°いため消費電力が高くなるという欠
点があった。更に抵抗やトランジスタで帰還をかける方
式もあるが、上記欠点は避けらnなかった。
の間に入力インバータ回路による11#から0”への遷
移時間を効果的に短縮する第1ラッチ回路と10#から
”1′への遷移速度を効果的に増大する第2ラッチ回路
を設けることにより上記欠点を解消した回路が考えられ
ている。しかしながら、この回路ではインバータ回路を
少なくとも5つは必要とするため面積の増大を招き、ま
た過渡電流が大き°いため消費電力が高くなるという欠
点があった。更に抵抗やトランジスタで帰還をかける方
式もあるが、上記欠点は避けらnなかった。
本発明は上記欠点を除去して、簡単な構成(小面積)で
ノイズに強く、過渡電流が非常に小さい低消費電、力の
半導体人力バッファ装置を提供することを目的とする。
ノイズに強く、過渡電流が非常に小さい低消費電、力の
半導体人力バッファ装置を提供することを目的とする。
この目的は本発明によれば、 0MO8技術による複数
のインバータ回路を備える半導体人力バッ7ア装置にお
いて、少なくとも入力インバータ回路’を構成するPc
h FETのしきい値電圧の絶対値とNch FETの
しきい値電圧との和がインバータ回路の電源電圧よ、り
も犬となる関係をもたせることにより、ヒステリシス特
性を有する半導体人力バッファ装置を構成することによ
シ達成される。
のインバータ回路を備える半導体人力バッ7ア装置にお
いて、少なくとも入力インバータ回路’を構成するPc
h FETのしきい値電圧の絶対値とNch FETの
しきい値電圧との和がインバータ回路の電源電圧よ、り
も犬となる関係をもたせることにより、ヒステリシス特
性を有する半導体人力バッファ装置を構成することによ
シ達成される。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図でラシ、入
カインバータ回路1と出力インバータ回路2からなる極
めて簡単な回路である。
カインバータ回路1と出力インバータ回路2からなる極
めて簡単な回路である。
第2図は第1図の具体的構成を示す回路図であり1人力
インバータ回路1および出力インバータ回路2は、それ
ぞれ0MO8によシ構成されている。
インバータ回路1および出力インバータ回路2は、それ
ぞれ0MO8によシ構成されている。
源正端子に接続し、そのドレインを出力インバータ回路
2の入力端子へ接続している。i7’cNチャンネル形
MO8FE’l’ 4は、そのソースを電源負端子7に
接続し、そのドレインをMOSFET 3のト°レイン
およびインバータ回路2の入力端子へ接続している。M
OSFET 3および4のゲートは互に接続さitかつ
入力端子5に導かれている。
2の入力端子へ接続している。i7’cNチャンネル形
MO8FE’l’ 4は、そのソースを電源負端子7に
接続し、そのドレインをMOSFET 3のト°レイン
およびインバータ回路2の入力端子へ接続している。M
OSFET 3および4のゲートは互に接続さitかつ
入力端子5に導かれている。
一方、出力インバータ回路2を構成するPチャンネル形
MO8FET 6およびNチャンネル形MO8FET7
も入力インバータ回路1と同様に接続されておυ、 M
O3FE’l’6および7のゲートは互に接続され入力
インバータ回路1の出力端子に接続されている。またM
OSFET 6のドレインとMOSFET 7のドレイ
ンは互に接続され出力端子8に導かれている。
MO8FET 6およびNチャンネル形MO8FET7
も入力インバータ回路1と同様に接続されておυ、 M
O3FE’l’6および7のゲートは互に接続され入力
インバータ回路1の出力端子に接続されている。またM
OSFET 6のドレインとMOSFET 7のドレイ
ンは互に接続され出力端子8に導かれている。
このような構成において、いま半導体の本体とゲート電
極間の仕事関数をφMS、酸化膜の界面電荷をQss、
フェルミ電位をφf、空乏層中に誘起した電荷をQs+
と設定すると一般KMO3)ランジスタのしきい値電圧
V丁 は次式で表わされる。
極間の仕事関数をφMS、酸化膜の界面電荷をQss、
フェルミ電位をφf、空乏層中に誘起した電荷をQs+
と設定すると一般KMO3)ランジスタのしきい値電圧
V丁 は次式で表わされる。
V 7==φMs −Q s s /Co+2 dr
f−Qe/C。
f−Qe/C。
この式よりPチャンネルFE’lI’のしきい値電圧の
絶対値をIVTPI、NチャンネルFETのしきい値電
圧をVTN、電源電圧を1Voo l+lVs s l
として5!VTFI+VTN> 1VDDI+1Vs5
1 (1)となるように、ゲート電極や半導
体の不純物濃度を設定することは可能である。
絶対値をIVTPI、NチャンネルFETのしきい値電
圧をVTN、電源電圧を1Voo l+lVs s l
として5!VTFI+VTN> 1VDDI+1Vs5
1 (1)となるように、ゲート電極や半導
体の不純物濃度を設定することは可能である。
本発明は、少なくとも入力インバータ回路1を構成する
0MO8FETが上記条件(1)を満足することによシ
、ヒステリシス特性をもたせノイズに強く、低消費電力
、小面積の半導体人力I(ソファ装置を構成することを
特徴とする。
0MO8FETが上記条件(1)を満足することによシ
、ヒステリシス特性をもたせノイズに強く、低消費電力
、小面積の半導体人力I(ソファ装置を構成することを
特徴とする。
第3図に、第2図で示した回路図に訃ける入力電圧Vl
と入力インバータ回路1の出力電圧V!との関係を示す
。まず、入力電圧v1がOVから増加する場合は(簡単
のためVss =OVとする)、■0≦v、≦Voo−
IVtplでPチャンネル形MO8FET sが0−N
、Nチャンネル形MO8FET 4がOFFのためVz
=Voo、■YoI)−1VTPl<’Vl<VTNで
Ii’ET3゜FET4ともにOFFのため、V!はF
ET3 、 FET4のゲート容量による電圧に保持さ
れ、 ■、== y o o。
と入力インバータ回路1の出力電圧V!との関係を示す
。まず、入力電圧v1がOVから増加する場合は(簡単
のためVss =OVとする)、■0≦v、≦Voo−
IVtplでPチャンネル形MO8FET sが0−N
、Nチャンネル形MO8FET 4がOFFのためVz
=Voo、■YoI)−1VTPl<’Vl<VTNで
Ii’ET3゜FET4ともにOFFのため、V!はF
ET3 、 FET4のゲート容量による電圧に保持さ
れ、 ■、== y o o。
■VTN≦V、≦■oo−T:FET3が0FIi’、
FET4がONのためV、=OV。一方、■、がVo
oから減少する場合は、 FET3 、4は上記と逆の
ON、OFF’動作を行ない、■!は同図にて破線で示
すような変化を示す。したがって、上記条件(1)を満
たす入力インバータ回路は同図からヒステリシス特性を
有することが理解される。またCMOS回路によれば、
N形のFET3およびP形のFET4が直列につ、なが
れている7’Cめ、定常で動作している時はFET3ま
たはFET 4のどちらかが遮断状態となり、一般の0
MO8FETを使った時に見られる過渡的な大電流は流
れず、消lk%力が少なくてすむ。
FET4がONのためV、=OV。一方、■、がVo
oから減少する場合は、 FET3 、4は上記と逆の
ON、OFF’動作を行ない、■!は同図にて破線で示
すような変化を示す。したがって、上記条件(1)を満
たす入力インバータ回路は同図からヒステリシス特性を
有することが理解される。またCMOS回路によれば、
N形のFET3およびP形のFET4が直列につ、なが
れている7’Cめ、定常で動作している時はFET3ま
たはFET 4のどちらかが遮断状態となり、一般の0
MO8FETを使った時に見られる過渡的な大電流は流
れず、消lk%力が少なくてすむ。
第4図は、入力電圧V1と出力電圧■sとの関係を示す
ものであシ、同図から本発明がヒステリシス特性を有す
る半導体入力バッファ装置としての機能を有することが
理解されよう。なおこの場合。
ものであシ、同図から本発明がヒステリシス特性を有す
る半導体入力バッファ装置としての機能を有することが
理解されよう。なおこの場合。
出力インバータ回路2は上記条件(1)とは−無関係に
、単なる反転回路として動作するものとしているが。
、単なる反転回路として動作するものとしているが。
これは伺ら本発明を限定すべきものではない。
このように本発明によれば、回路f:CMO8FETで
構成することも相俟つて、ノイズに強く、低消費電力、
小面積の半導体人力バッファ装置を得ることが可能とな
る。
構成することも相俟つて、ノイズに強く、低消費電力、
小面積の半導体人力バッファ装置を得ることが可能とな
る。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第2図は
第1図の構成を説明する回路図、第3図乃至第4図は本
発明の詳細な説明するグラフである。 1・・・入力インバータ回路、2・・・出力インバータ
回路、3.6・・・Pチャンネル形MO8FET、
4゜7・・・Nチャンネル形MO8FET。 栄1 閃 VDD VD D いS VS3
第1図の構成を説明する回路図、第3図乃至第4図は本
発明の詳細な説明するグラフである。 1・・・入力インバータ回路、2・・・出力インバータ
回路、3.6・・・Pチャンネル形MO8FET、
4゜7・・・Nチャンネル形MO8FET。 栄1 閃 VDD VD D いS VS3
Claims (1)
- CMOS技術による複数のインバータ回路を備える半導
体人力バッファ装置において、少なくとも入力インバー
タ回路を構成する’PchFETのしきい値電圧の絶対
値とNch FETのしきい値電圧との和がインバータ
回路の電源電圧よシも大となる関係を有することを特徴
とする半導体人力バッファ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57131788A JPS5922443A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 半導体入力バツフア装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57131788A JPS5922443A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 半導体入力バツフア装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922443A true JPS5922443A (ja) | 1984-02-04 |
Family
ID=15066146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57131788A Pending JPS5922443A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 半導体入力バツフア装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922443A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0694391A3 (en) * | 1994-07-29 | 1996-05-15 | Canon Kk | Print head and printing device using the same |
-
1982
- 1982-07-28 JP JP57131788A patent/JPS5922443A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0694391A3 (en) * | 1994-07-29 | 1996-05-15 | Canon Kk | Print head and printing device using the same |
| US6054689A (en) * | 1994-07-29 | 2000-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Printing head and printing apparatus using same |
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