JPS5922443A - 半導体入力バツフア装置 - Google Patents

半導体入力バツフア装置

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Publication number
JPS5922443A
JPS5922443A JP57131788A JP13178882A JPS5922443A JP S5922443 A JPS5922443 A JP S5922443A JP 57131788 A JP57131788 A JP 57131788A JP 13178882 A JP13178882 A JP 13178882A JP S5922443 A JPS5922443 A JP S5922443A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inverter circuit
input
buffer device
terminal
power supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57131788A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Akanuma
赤沼 眞一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
Fuji Electric Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd, Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd, Fuji Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP57131788A priority Critical patent/JPS5922443A/ja
Publication of JPS5922443A publication Critical patent/JPS5922443A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/003Modifications for increasing the reliability for protection
    • H03K19/00346Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents
    • H03K19/00361Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents in field effect transistor circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H03K19/018507Interface arrangements
    • H03K19/018521Interface arrangements of complementary type, e.g. CMOS

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電気信号を供給され、該信号を整形してこれを
他の電子回路へ供給するいわゆるンリヅドステート入カ
パッファ装置(便宜上、半導体人力バッファ装置と称す
)に係シ、特に0MO8技術による複数のインバータ回
路を備える半導偉人カバッンア装置に関するものである
この種の従来装置として、入力インバータ回路と出力イ
ンバータ回路との間に多数のインバータ回路を直列に接
続するものが知られている。しかしながら、この伽来方
式では必要とされるインバータ回路の個数は実験的また
は経験的に決定される。すなわち許容し得る遅延時間に
おいて所望のパルスが得られるまで随意多数のインバー
タ回路を縦続接続するため多数のインバータ回路の個々
の遅延時間の総和が不当に大きくなったり、使用すべき
回路の総量が過大になるという重大な欠点があった。
このため、入力インバータ回路と出力インバータ回路と
の間に入力インバータ回路による11#から0”への遷
移時間を効果的に短縮する第1ラッチ回路と10#から
”1′への遷移速度を効果的に増大する第2ラッチ回路
を設けることにより上記欠点を解消した回路が考えられ
ている。しかしながら、この回路ではインバータ回路を
少なくとも5つは必要とするため面積の増大を招き、ま
た過渡電流が大き°いため消費電力が高くなるという欠
点があった。更に抵抗やトランジスタで帰還をかける方
式もあるが、上記欠点は避けらnなかった。
本発明は上記欠点を除去して、簡単な構成(小面積)で
ノイズに強く、過渡電流が非常に小さい低消費電、力の
半導体人力バッファ装置を提供することを目的とする。
この目的は本発明によれば、 0MO8技術による複数
のインバータ回路を備える半導体人力バッ7ア装置にお
いて、少なくとも入力インバータ回路’を構成するPc
h FETのしきい値電圧の絶対値とNch FETの
しきい値電圧との和がインバータ回路の電源電圧よ、り
も犬となる関係をもたせることにより、ヒステリシス特
性を有する半導体人力バッファ装置を構成することによ
シ達成される。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図でラシ、入
カインバータ回路1と出力インバータ回路2からなる極
めて簡単な回路である。
第2図は第1図の具体的構成を示す回路図であり1人力
インバータ回路1および出力インバータ回路2は、それ
ぞれ0MO8によシ構成されている。
源正端子に接続し、そのドレインを出力インバータ回路
2の入力端子へ接続している。i7’cNチャンネル形
MO8FE’l’ 4は、そのソースを電源負端子7に
接続し、そのドレインをMOSFET 3のト°レイン
およびインバータ回路2の入力端子へ接続している。M
OSFET 3および4のゲートは互に接続さitかつ
入力端子5に導かれている。
一方、出力インバータ回路2を構成するPチャンネル形
MO8FET 6およびNチャンネル形MO8FET7
も入力インバータ回路1と同様に接続されておυ、 M
O3FE’l’6および7のゲートは互に接続され入力
インバータ回路1の出力端子に接続されている。またM
OSFET 6のドレインとMOSFET 7のドレイ
ンは互に接続され出力端子8に導かれている。
このような構成において、いま半導体の本体とゲート電
極間の仕事関数をφMS、酸化膜の界面電荷をQss、
フェルミ電位をφf、空乏層中に誘起した電荷をQs+
と設定すると一般KMO3)ランジスタのしきい値電圧
V丁  は次式で表わされる。
V 7==φMs −Q s s /Co+2 dr 
f−Qe/C。
この式よりPチャンネルFE’lI’のしきい値電圧の
絶対値をIVTPI、NチャンネルFETのしきい値電
圧をVTN、電源電圧を1Voo l+lVs s l
として5!VTFI+VTN> 1VDDI+1Vs5
1      (1)となるように、ゲート電極や半導
体の不純物濃度を設定することは可能である。
本発明は、少なくとも入力インバータ回路1を構成する
0MO8FETが上記条件(1)を満足することによシ
、ヒステリシス特性をもたせノイズに強く、低消費電力
、小面積の半導体人力I(ソファ装置を構成することを
特徴とする。
第3図に、第2図で示した回路図に訃ける入力電圧Vl
と入力インバータ回路1の出力電圧V!との関係を示す
。まず、入力電圧v1がOVから増加する場合は(簡単
のためVss =OVとする)、■0≦v、≦Voo−
IVtplでPチャンネル形MO8FET sが0−N
、Nチャンネル形MO8FET 4がOFFのためVz
=Voo、■YoI)−1VTPl<’Vl<VTNで
Ii’ET3゜FET4ともにOFFのため、V!はF
ET3 、 FET4のゲート容量による電圧に保持さ
れ、 ■、== y o o。
■VTN≦V、≦■oo−T:FET3が0FIi’、
 FET4がONのためV、=OV。一方、■、がVo
oから減少する場合は、 FET3 、4は上記と逆の
ON、OFF’動作を行ない、■!は同図にて破線で示
すような変化を示す。したがって、上記条件(1)を満
たす入力インバータ回路は同図からヒステリシス特性を
有することが理解される。またCMOS回路によれば、
N形のFET3およびP形のFET4が直列につ、なが
れている7’Cめ、定常で動作している時はFET3ま
たはFET 4のどちらかが遮断状態となり、一般の0
MO8FETを使った時に見られる過渡的な大電流は流
れず、消lk%力が少なくてすむ。
第4図は、入力電圧V1と出力電圧■sとの関係を示す
ものであシ、同図から本発明がヒステリシス特性を有す
る半導体入力バッファ装置としての機能を有することが
理解されよう。なおこの場合。
出力インバータ回路2は上記条件(1)とは−無関係に
、単なる反転回路として動作するものとしているが。
これは伺ら本発明を限定すべきものではない。
このように本発明によれば、回路f:CMO8FETで
構成することも相俟つて、ノイズに強く、低消費電力、
小面積の半導体人力バッファ装置を得ることが可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第2図は
第1図の構成を説明する回路図、第3図乃至第4図は本
発明の詳細な説明するグラフである。 1・・・入力インバータ回路、2・・・出力インバータ
回路、3.6・・・Pチャンネル形MO8FET、  
4゜7・・・Nチャンネル形MO8FET。 栄1 閃 VDD         VD D いS          VS3

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. CMOS技術による複数のインバータ回路を備える半導
    体人力バッファ装置において、少なくとも入力インバー
    タ回路を構成する’PchFETのしきい値電圧の絶対
    値とNch FETのしきい値電圧との和がインバータ
    回路の電源電圧よシも大となる関係を有することを特徴
    とする半導体人力バッファ装置。
JP57131788A 1982-07-28 1982-07-28 半導体入力バツフア装置 Pending JPS5922443A (ja)

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JPS5922443A true JPS5922443A (ja) 1984-02-04

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0694391A3 (en) * 1994-07-29 1996-05-15 Canon Kk Print head and printing device using the same

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0694391A3 (en) * 1994-07-29 1996-05-15 Canon Kk Print head and printing device using the same
US6054689A (en) * 1994-07-29 2000-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Printing head and printing apparatus using same

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