JPS59227014A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS59227014A JPS59227014A JP10144683A JP10144683A JPS59227014A JP S59227014 A JPS59227014 A JP S59227014A JP 10144683 A JP10144683 A JP 10144683A JP 10144683 A JP10144683 A JP 10144683A JP S59227014 A JPS59227014 A JP S59227014A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic
- melting point
- solder
- reinforcing body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＶＴＲ用磁気ヘッドに適用して好適な磁気ヘッ
ド、特にその軟磁性コアとして非晶質磁性薄膜コアが用
いられてなる磁気ヘッドに係わる。
ド、特にその軟磁性コアとして非晶質磁性薄膜コアが用
いられてなる磁気ヘッドに係わる。
背景技術とその問題点
非晶質磁性体、例えば（Ｆ’ｅ、Ｃｏ）−（Ｓｔ 、１
３）系非晶質合金いわゆるコバルト基非晶質合金は飽和
磁束密度１３ｓが高く、また高透磁率μを有しさらに特
に磁歪がないことによって磁気へラドコア材として用い
られて好適であり、このような非晶質磁性材料による磁
気ヘッドは、近時脚光を浴びるに至っている。
３）系非晶質合金いわゆるコバルト基非晶質合金は飽和
磁束密度１３ｓが高く、また高透磁率μを有しさらに特
に磁歪がないことによって磁気へラドコア材として用い
られて好適であり、このような非晶質磁性材料による磁
気ヘッドは、近時脚光を浴びるに至っている。
ところがこの非晶質磁性合金は、；ｍ常液体冷却法、ス
パッタリング法、メッキ法等で薄膜状に作成されるので
、これによって磁気ヘッドを構成する場合、この非晶質
磁性薄膜を挾んで補強体が配置される。
パッタリング法、メッキ法等で薄膜状に作成されるので
、これによって磁気ヘッドを構成する場合、この非晶質
磁性薄膜を挾んで補強体が配置される。
この場合この非晶質磁性薄膜コアと補強体とが機械的に
接合される必要が生じるが、非晶質磁７性材料はその結
晶化温度が４２０℃〜５２０℃であってこのような接合
にあたって結晶化温度以上はいうまでもなくこの結晶化
温度より例えば２００℃程度未満で低いような熱処理を
伴うようなことがあると、これによってその軟磁性が劣
化されるなど研気的特性低下を来す。従ってこの場合非
晶質薄膜コアとその補強体との接合をガラス融着等比較
的高い熱処理を伴うような通常の磁気ヘッドに用いられ
る接合技術によることは、その非晶質磁性薄膜コアの磁
気的特性知劣化を招来するので望１しくない。
接合される必要が生じるが、非晶質磁７性材料はその結
晶化温度が４２０℃〜５２０℃であってこのような接合
にあたって結晶化温度以上はいうまでもなくこの結晶化
温度より例えば２００℃程度未満で低いような熱処理を
伴うようなことがあると、これによってその軟磁性が劣
化されるなど研気的特性低下を来す。従ってこの場合非
晶質薄膜コアとその補強体との接合をガラス融着等比較
的高い熱処理を伴うような通常の磁気ヘッドに用いられ
る接合技術によることは、その非晶質磁性薄膜コアの磁
気的特性知劣化を招来するので望１しくない。
そこでこのような磁気ヘッドにおける非晶質磁性薄膜コ
アと補強体との接合に低温硬化ガラスによる融着などに
よる試みがなされている。
アと補強体との接合に低温硬化ガラスによる融着などに
よる試みがなされている。
ところがこのような方法によってもその処理温度は十分
低い温度ではなく、時にはこれによって非晶質磁性薄膜
コアめ磁気的特性に影響を及ぼす場合も生じてくる。
低い温度ではなく、時にはこれによって非晶質磁性薄膜
コアめ磁気的特性に影響を及ぼす場合も生じてくる。
発明の目的
本発明は上述した非晶質磁性薄膜コアケ用いたヘッドに
おいて、コアと補強体との接合によってその非晶′良磁
性薄膜コアに磁気的劣化ケ招来するような不都合を効果
的に回縫することができ、歩留り高く信頼性の高い、特
性に優れた磁気ヘッドを得ることができるようにするも
のである。
おいて、コアと補強体との接合によってその非晶′良磁
性薄膜コアに磁気的劣化ケ招来するような不都合を効果
的に回縫することができ、歩留り高く信頼性の高い、特
性に優れた磁気ヘッドを得ることができるようにするも
のである。
発明の概要
本発明においては、非晶質磁性薄膜コアを挾んでその両
面に補強体ン装置するものであるが、特忙本発明におい
ては、この薄膜コアと補強体との接合を低融点半田によ
って行う。この低融点半田は、市販の半田の融点が１２
３℃或いは１４３℃という低融点半田を用いる。この場
合、この低融点半田と非晶質磁性薄膜コアとの接着性、
さらにはこの低融点半田と補強体との接着性に問題があ
る場合は、非晶質磁性薄膜コアの表面に、このジ１品′
Ｎ磁性薄膜の材料成分、例えば８ｉのスノくツタ１）ン
グ被膜忙よる非磁性層、又ＧまＳζ０２のスノくツタ１
１ング等による非破性）を被着し、補強体（ｔｌ！Ｉに
おしＳても必要に応じて非晶質非磁性層を同様にス、＜
ツタリングによって形成し得る。
面に補強体ン装置するものであるが、特忙本発明におい
ては、この薄膜コアと補強体との接合を低融点半田によ
って行う。この低融点半田は、市販の半田の融点が１２
３℃或いは１４３℃という低融点半田を用いる。この場
合、この低融点半田と非晶質磁性薄膜コアとの接着性、
さらにはこの低融点半田と補強体との接着性に問題があ
る場合は、非晶質磁性薄膜コアの表面に、このジ１品′
Ｎ磁性薄膜の材料成分、例えば８ｉのスノくツタ１）ン
グ被膜忙よる非磁性層、又ＧまＳζ０２のスノくツタ１
１ング等による非破性）を被着し、補強体（ｔｌ！Ｉに
おしＳても必要に応じて非晶質非磁性層を同様にス、＜
ツタリングによって形成し得る。
実施例
図面を参照して本発明による磁気ヘッドの一例を詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明による磁気ヘッドの一例の拡大正面図、
第２図はその拡大平面図、第３図（・まその拡大側面図
、第４図はその分解拡大斜ネ児図である。
第２図はその拡大平面図、第３図（・まその拡大側面図
、第４図はその分解拡大斜ネ児図である。
図中（１）は本発明磁気ヘッドを全体として示す。この
磁気ヘッドは一対のヘッドブロック半休（２ａ）及び（
２ｂ）よりなる。各ブロック半休（２ａ）及こ）： （
２ｂ）はそれぞれ非晶質磁性薄膜よりなるコア半休（３
ａ）及び（３ｂ）がその−側端面にお（・てこｈら半休
（３ａ）及び（３ｂ）が同一平面に配置されるように合
体されて両者の前方端において作ｉｌｔ！ｌ磁気ギャツ
フーｇ力；形成されるように各ブロック半休（２ａ）及
び（２ｂ）カニ互いに例えば低融点半田によって接合合
体される。
磁気ヘッドは一対のヘッドブロック半休（２ａ）及び（
２ｂ）よりなる。各ブロック半休（２ａ）及こ）： （
２ｂ）はそれぞれ非晶質磁性薄膜よりなるコア半休（３
ａ）及び（３ｂ）がその−側端面にお（・てこｈら半休
（３ａ）及び（３ｂ）が同一平面に配置されるように合
体されて両者の前方端において作ｉｌｔ！ｌ磁気ギャツ
フーｇ力；形成されるように各ブロック半休（２ａ）及
び（２ｂ）カニ互いに例えば低融点半田によって接合合
体される。
各ブロック半休（２ａ）及び（２ｂ）は、それぞれ例え
ば（Ｆｅ 、Ｃｏ）−（Ｓｉ 、Ｂ）系のコバルト基非
晶質合金より成る非晶質磁性薄膜コア半休（３ａ）及び
（３ｂ）を有してなり、各コア半休（３ａ）及び（３ｂ
）の両面にそれぞれとの薄膜コアの構成材料の一組成の
Ｓｉ或いはＳｔを含むＳ＋０２等の非磁性層１４）がス
パッタリング等によって数１００〜数１０００ Ｘの厚
さに液浸される。一方、各ブロック半休（２ａ）及び（
２ｂ）の各薄膜コア半休（３ａ）及び（３ｂ）を挾んで
それぞれ一対の補強体（５ａ１）（５ａ２）、（５ｂ１
）（５ｂｚ）が接合されるものであるが、これら一対の
補強体（５ａｌ）及び（５ａ２）、（５ｂｌ）及び（５
ｂｓ＋）は、それぞれ予め最終的に磁気媒体との対接面
を形成する例えばセラミックよりなる非磁性ブロック体
（６Ａ）と、磁性フェライト等より成る後方磁性ブロッ
ク体（６Ｂ）とが互いに高融点ガラス等の任意の融着体
によって融着合体されてなる。そしてこれら一対の補強
体（５ａｌ）及び（５ａ２）間、（Ｆｉｂｌ）及び（５
ｂ２）間に薄膜コア半休（３ａ）及び（３ｂ） ？それ
ぞれ挾み込んで低融点半田（７）によって融着合体する
。この低融点半田（７０−１、上述したように市販の、
その融点が１２３℃或（・番ま１４３℃等の低い低徹点
の半田材を用いる。
ば（Ｆｅ 、Ｃｏ）−（Ｓｉ 、Ｂ）系のコバルト基非
晶質合金より成る非晶質磁性薄膜コア半休（３ａ）及び
（３ｂ）を有してなり、各コア半休（３ａ）及び（３ｂ
）の両面にそれぞれとの薄膜コアの構成材料の一組成の
Ｓｉ或いはＳｔを含むＳ＋０２等の非磁性層１４）がス
パッタリング等によって数１００〜数１０００ Ｘの厚
さに液浸される。一方、各ブロック半休（２ａ）及び（
２ｂ）の各薄膜コア半休（３ａ）及び（３ｂ）を挾んで
それぞれ一対の補強体（５ａ１）（５ａ２）、（５ｂ１
）（５ｂｚ）が接合されるものであるが、これら一対の
補強体（５ａｌ）及び（５ａ２）、（５ｂｌ）及び（５
ｂｓ＋）は、それぞれ予め最終的に磁気媒体との対接面
を形成する例えばセラミックよりなる非磁性ブロック体
（６Ａ）と、磁性フェライト等より成る後方磁性ブロッ
ク体（６Ｂ）とが互いに高融点ガラス等の任意の融着体
によって融着合体されてなる。そしてこれら一対の補強
体（５ａｌ）及び（５ａ２）間、（Ｆｉｂｌ）及び（５
ｂ２）間に薄膜コア半休（３ａ）及び（３ｂ） ？それ
ぞれ挾み込んで低融点半田（７）によって融着合体する
。この低融点半田（７０−１、上述したように市販の、
その融点が１２３℃或（・番ま１４３℃等の低い低徹点
の半田材を用いる。
ちなみに上述したコノくルト基非晶質薄喚コア（３ａ）
及び（３ｂ）の結晶化温度は４２０°Ｃ〜５２０℃であ
って低融点半田の上述した融点はこれより ２００℃以
上低い温度の融点を有するものである。この半田（７）
による接合に当っては半田１７）の融点より番マ高いが
できるだけ低い温度でその半田付は処理をなす。又、各
一対の補強体（５ａｌ）及び（５ａｚ） 、（５ｂ１）
及び（５ｂ２）の互いの半田（７）によって融着（半田
付け）される面には、それぞれ予めこの半田（７）と密
着性に優れた例えばニッケル基非晶質の（Ｎ１．Ｆｅ）
−（Ｂ、Ｓｔ）合金による非晶質非磁性層（８）をスノ
くツタリングによって形成しおく。
及び（３ｂ）の結晶化温度は４２０°Ｃ〜５２０℃であ
って低融点半田の上述した融点はこれより ２００℃以
上低い温度の融点を有するものである。この半田（７）
による接合に当っては半田１７）の融点より番マ高いが
できるだけ低い温度でその半田付は処理をなす。又、各
一対の補強体（５ａｌ）及び（５ａｚ） 、（５ｂ１）
及び（５ｂ２）の互いの半田（７）によって融着（半田
付け）される面には、それぞれ予めこの半田（７）と密
着性に優れた例えばニッケル基非晶質の（Ｎ１．Ｆｅ）
−（Ｂ、Ｓｔ）合金による非晶質非磁性層（８）をスノ
くツタリングによって形成しおく。
そしてこれらブロック半休（２ａ）及び（２ｂ） Ｙ互
いにそのコア半休（３ａ）及び（３ｂ）の端面が所要の
スペーサを介して対向させた状態で合体するものである
がこの場合、予めその少なくとも一方のブロック例えば
（２ａ）の他方のブロック（２ｂ）と対向する面冗巻線
挿通孔（９）を形成し、磁気ギャップｇのギャップデプ
スを規制すると共にこの挿通孔（９）知ヘッド巻＃ｆ＋
ｏ）を挿通巻装する。又、両ブロック（２ａ）及び（２
ｂ）の接合体の前方面を例えば円筒研磨して磁気媒体と
の対接面（１υケ形成する。
いにそのコア半休（３ａ）及び（３ｂ）の端面が所要の
スペーサを介して対向させた状態で合体するものである
がこの場合、予めその少なくとも一方のブロック例えば
（２ａ）の他方のブロック（２ｂ）と対向する面冗巻線
挿通孔（９）を形成し、磁気ギャップｇのギャップデプ
スを規制すると共にこの挿通孔（９）知ヘッド巻＃ｆ＋
ｏ）を挿通巻装する。又、両ブロック（２ａ）及び（２
ｂ）の接合体の前方面を例えば円筒研磨して磁気媒体と
の対接面（１υケ形成する。
発明の効果
上述の本発明の磁気ヘッドπよれば、予め接合する補強
体における非磁性体（６Ａ）と磁性体（６Ｂ）との接合
は、高融点ガラス等の任意のガラスによって接合するも
のであるが、これらと非晶質磁性薄膜コア半休（３ａ）
及び（３ｂ）との接合にあたってはその結晶化温度の４
２０℃〜５２０℃より２００℃を十分越える低い温度の
１２３℃或いは１４３℃等の低融点を有する低融点半田
による凄今によってブロック体（２ａ）及び（２ｂ）
７ａｌ−得るようにしたのでこの非晶′Ｒ磁性薄膜コア
の山気特性を劣化させるようなことが全くなく特性のよ
い信頼性及ｒト歩留りの高い磁気ヘッド′？得ることが
できるものである。
体における非磁性体（６Ａ）と磁性体（６Ｂ）との接合
は、高融点ガラス等の任意のガラスによって接合するも
のであるが、これらと非晶質磁性薄膜コア半休（３ａ）
及び（３ｂ）との接合にあたってはその結晶化温度の４
２０℃〜５２０℃より２００℃を十分越える低い温度の
１２３℃或いは１４３℃等の低融点を有する低融点半田
による凄今によってブロック体（２ａ）及び（２ｂ）
７ａｌ−得るようにしたのでこの非晶′Ｒ磁性薄膜コア
の山気特性を劣化させるようなことが全くなく特性のよ
い信頼性及ｒト歩留りの高い磁気ヘッド′？得ることが
できるものである。
第１図は本発明による磁気ヘッドの一例の拡大正面図、
第２図はその拡大平面図、第３図は同様のその拡大側面
図、第４図はその拡大分解斜視図である。 （１）は本発明による磁気ヘッド、（２ａ）及び（２ｂ
）はブロック半休、（３ａ）及び（３ｂ）は非晶質磁性
薄膜コア半休、（４１及び（８）は絶縁層、（７）は低
融点半田、ＯＩは磁気ギャップである。 第１図 ラ ８５ 第４図 東京部品用区北品用６丁目７番 ３５号ソニー株式会社内
第２図はその拡大平面図、第３図は同様のその拡大側面
図、第４図はその拡大分解斜視図である。 （１）は本発明による磁気ヘッド、（２ａ）及び（２ｂ
）はブロック半休、（３ａ）及び（３ｂ）は非晶質磁性
薄膜コア半休、（４１及び（８）は絶縁層、（７）は低
融点半田、ＯＩは磁気ギャップである。 第１図 ラ ８５ 第４図 東京部品用区北品用６丁目７番 ３５号ソニー株式会社内
Claims (1)
- 非晶質磁性薄膜コアを挾んで補強体が配置され、該補強
体と上記薄膜コアとが低榮点半田によって融着合体され
た磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10144683A JPS59227014A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10144683A JPS59227014A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59227014A true JPS59227014A (ja) | 1984-12-20 |
Family
ID=14300912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10144683A Pending JPS59227014A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59227014A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2580111A1 (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-10 | Tdk Corp |
-
1983
- 1983-06-07 JP JP10144683A patent/JPS59227014A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2580111A1 (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-10 | Tdk Corp |
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