JPS592285A - 磁気バブルメモリの駆動方式 - Google Patents
磁気バブルメモリの駆動方式Info
- Publication number
- JPS592285A JPS592285A JP57111192A JP11119282A JPS592285A JP S592285 A JPS592285 A JP S592285A JP 57111192 A JP57111192 A JP 57111192A JP 11119282 A JP11119282 A JP 11119282A JP S592285 A JPS592285 A JP S592285A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- minor
- magnetic field
- loop
- bubbles
- reluctance force
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明は、磁気バブルメモリの駆動方式に関する。
（ｂｌ従来技術とその問題点
第１図は、従来の磁気バブルメモリの回路構成を示す図
で、マイナループｍ１〜ｍｎ−１の両端がゲートを介し
てメイジャラインＭｌ 、Ｍ２に接続されている。そし
てこれらのマイナルーブｍＩ〜ｍ ｎ−＋ は、ゲート
制御用のコンダクタＣ１ｌ、ＣＩ２が共通になついる。
で、マイナループｍ１〜ｍｎ−１の両端がゲートを介し
てメイジャラインＭｌ 、Ｍ２に接続されている。そし
てこれらのマイナルーブｍＩ〜ｍ ｎ−＋ は、ゲート
制御用のコンダクタＣ１ｌ、ＣＩ２が共通になついる。
もう１つのマイナループｍｎは、マイナループｍ１〜ｍ
ｎ−１内の欠陥ループなどを記録しておく補助ループで
、前記のメイジャラインＭｌ 、Ｍ２に接続されてはい
るが、ゲート制御用のコンダクタＣ２１、Ｃ２２が独立
していて、メモリの使用開始時にこの補助ループｍｎの
みを読み出してマイナループｍ１〜ｍｎ−１内の状態を
チェックしてから、マイナループｍ１〜ｍｎ−＋への情
報の書込みが行なわれる。なおＧはバブル発生器、Ｄは
ディテクタである。
ｎ−１内の欠陥ループなどを記録しておく補助ループで
、前記のメイジャラインＭｌ 、Ｍ２に接続されてはい
るが、ゲート制御用のコンダクタＣ２１、Ｃ２２が独立
していて、メモリの使用開始時にこの補助ループｍｎの
みを読み出してマイナループｍ１〜ｍｎ−１内の状態を
チェックしてから、マイナループｍ１〜ｍｎ−＋への情
報の書込みが行なわれる。なおＧはバブル発生器、Ｄは
ディテクタである。
第２図はこのように磁気バブル（以下「バブル」略す）
を転送したり制御したりするパターンの断面図を示した
もので、ＧＧＧ単結晶１の表面に作成された磁性薄膜か
らなるバブル材料２の上に、絶縁層３を介して、制御用
のコンダクタ４と、絶縁体のスペーサ５とパーマロイパ
ターン６および保護膜７が形成されている。前記のマイ
ナループｍ１〜ｍ ｎ−１や補助ループｍｎ、メイジャ
ラインＭｌ 、Ｍ２などの伝播路は、パーマロイパター
ン６の連！ｎ 状のパターンで構成され、ゲーＩ−のコ
ンダクタＣＩＬＣ１２、Ｃ２１、Ｃ２２やバブル発生器
、リプリケータなどのコンダクタ部は、コンダクタ４で
それぞれの機能に応じた形状にパターニングされる。
を転送したり制御したりするパターンの断面図を示した
もので、ＧＧＧ単結晶１の表面に作成された磁性薄膜か
らなるバブル材料２の上に、絶縁層３を介して、制御用
のコンダクタ４と、絶縁体のスペーサ５とパーマロイパ
ターン６および保護膜７が形成されている。前記のマイ
ナループｍ１〜ｍ ｎ−１や補助ループｍｎ、メイジャ
ラインＭｌ 、Ｍ２などの伝播路は、パーマロイパター
ン６の連！ｎ 状のパターンで構成され、ゲーＩ−のコ
ンダクタＣＩＬＣ１２、Ｃ２１、Ｃ２２やバブル発生器
、リプリケータなどのコンダクタ部は、コンダクタ４で
それぞれの機能に応じた形状にパターニングされる。
このように補助ループｍｎは、磁気バブルメモリの使用
開始時や一斉に電源が切断されて再度マイナループｍ１
〜ｍｒｌ−１内の状態をチェックしたりする際だけしか
使用されない。このように使用頻度が少なくても、コン
ダクタＣ２］、Ｃ２２で制御されるゲートを独立して設
け、独立して制御しなければならず、消費電力が大きく
なると共に周辺回路が複雑になる。
開始時や一斉に電源が切断されて再度マイナループｍ１
〜ｍｒｌ−１内の状態をチェックしたりする際だけしか
使用されない。このように使用頻度が少なくても、コン
ダクタＣ２］、Ｃ２２で制御されるゲートを独立して設
け、独立して制御しなければならず、消費電力が大きく
なると共に周辺回路が複雑になる。
（Ｃ，１発明の目的
本発明は、従来の磁気バブルメモリにおけるこのような
問題を解決し、共通の制御用コンダクタによって、選択
的にバブルを制御できるようにすることを目的とする。
問題を解決し、共通の制御用コンダクタによって、選択
的にバブルを制御できるようにすることを目的とする。
ｆｄ１発明の構成
この目的を達成するために本発明は、１つの磁気ハブル
チソプに、抗ｍｔ力の異なる伝播路を少なくとも２種類
以上形成すると共に、それぞれの抗磁力に応じて面内駆
動磁界の強さを変えることにより、前記伝播路の磁気バ
ブルを選択的に動作させる構成を採っている。
チソプに、抗ｍｔ力の異なる伝播路を少なくとも２種類
以上形成すると共に、それぞれの抗磁力に応じて面内駆
動磁界の強さを変えることにより、前記伝播路の磁気バ
ブルを選択的に動作させる構成を採っている。
ｔｅ＋発明の実施例
次に本発明による磁気バブルメモリの駆動方式が実際上
どのように具体化されるかを実施例で説明する。第３図
は本発明の第１実施例を示すもので、メイジャラインＭ
＋ 、、Ｍ２がマイナルーブｍ１〜ｌＴｌｎ−１とブー
ト（補助）用のマイナループｍｎに共通して接続されて
いる点は、第１図と同しであるが、本発明の場合は更に
デー１−制御用のコンダクタもＣＩ、Ｃ２で示されるよ
うに共通になっている。従ってゲートの制御は、補助マ
イナループｍｎも含む総てのマイナループｍ１〜ｍｎ−
＋ 、ｍｎについて一斉に行なうことができる。しかし
ながら単に総てのマイナループを共通して制御できるよ
うにしただけでは、マイナループｍｌ”−ｍｎ−１の情
報を読み出す際に補助ループｍｎの情報も読み出されて
しまうので、次のようにして、補助ループｍｎは必要時
以外は読み出されないようにしている。
どのように具体化されるかを実施例で説明する。第３図
は本発明の第１実施例を示すもので、メイジャラインＭ
＋ 、、Ｍ２がマイナルーブｍ１〜ｌＴｌｎ−１とブー
ト（補助）用のマイナループｍｎに共通して接続されて
いる点は、第１図と同しであるが、本発明の場合は更に
デー１−制御用のコンダクタもＣＩ、Ｃ２で示されるよ
うに共通になっている。従ってゲートの制御は、補助マ
イナループｍｎも含む総てのマイナループｍ１〜ｍｎ−
＋ 、ｍｎについて一斉に行なうことができる。しかし
ながら単に総てのマイナループを共通して制御できるよ
うにしただけでは、マイナループｍｌ”−ｍｎ−１の情
報を読み出す際に補助ループｍｎの情報も読み出されて
しまうので、次のようにして、補助ループｍｎは必要時
以外は読み出されないようにしている。
第４図はマイナループｍ１〜ｍｎ−＋および補助マイナ
ループｍｎとゲート制御用のコンダクタ０２間のゲート
部のパターンを拡大して示したものである。ゲート制御
用のコンダクタＣｚの上方に、第２、図で説明したスペ
ーサ５を介してパーマロイパターンＰ＋ 、Ｐｚなどが
形成されている。またＰＭはメイジャラインＭ１を構成
する転送パターンであり、Ｐ ｍ ｎは補助マイナルー
プを構成する転送パターン、Ｐｍｎ−＋ 、Ｐｍｎ−ｚ
・・・はマイナループを構成する転送パターンである。
ループｍｎとゲート制御用のコンダクタ０２間のゲート
部のパターンを拡大して示したものである。ゲート制御
用のコンダクタＣｚの上方に、第２、図で説明したスペ
ーサ５を介してパーマロイパターンＰ＋ 、Ｐｚなどが
形成されている。またＰＭはメイジャラインＭ１を構成
する転送パターンであり、Ｐ ｍ ｎは補助マイナルー
プを構成する転送パターン、Ｐｍｎ−＋ 、Ｐｍｎ−ｚ
・・・はマイナループを構成する転送パターンである。
これらの転送パターンの内、斜線が施されていないパー
マロイパターンは、従来の転送パターンと全く同じで抗
磁力はＨｃｌであるが、斜線が施されている転送パター
ンは、他の斜線が施されていない転送パターンに比べて
抗磁力１（ｃが太きくＨｃ■になっている（Ｈｃｌ ＜
１（ｃｌｌ ）。実施例では、補助マイナループｍｎ
の抗磁力ＨｃｌＩを５〜１００ｅ。
マロイパターンは、従来の転送パターンと全く同じで抗
磁力はＨｃｌであるが、斜線が施されている転送パター
ンは、他の斜線が施されていない転送パターンに比べて
抗磁力１（ｃが太きくＨｃ■になっている（Ｈｃｌ ＜
１（ｃｌｌ ）。実施例では、補助マイナループｍｎ
の抗磁力ＨｃｌＩを５〜１００ｅ。
マイナループｍｎ−１の抗磁力１１ｃｌを１〜２０ｅに
５− 設定した。
５− 設定した。
そのため、斜線が施されていないマイナループＰｎ−＋
、Ｐｎ−ｚやメイジャラインＰＭなどは、従来と全く
同じ要領で、第５図のように抗磁ノ月１ｃｌより充分大
きい面内駆動磁界１１ｄｌを加えることによってバブル
を転送したり、コンダクタＣ２を通電してゲート制御し
たりすることができる。ところが、斜線が施された抗磁
力の大きい転送パターンＰ＋ 、Ｐ２と補助マイナルー
ブのパターンｐｍｎは、通常の面内駆動磁界Ｈｄ＋程度
では、バブルを転送するのに充分に磁化されない。その
ためバブルは、補助マイナルーブＰ ｍ ｎ内では転送
されず、またコンダクタＣ２が通電されても、ゲートパ
ターンＰ１でレプリケートやトランスファアウトされる
ことはない。
、Ｐｎ−ｚやメイジャラインＰＭなどは、従来と全く
同じ要領で、第５図のように抗磁ノ月１ｃｌより充分大
きい面内駆動磁界１１ｄｌを加えることによってバブル
を転送したり、コンダクタＣ２を通電してゲート制御し
たりすることができる。ところが、斜線が施された抗磁
力の大きい転送パターンＰ＋ 、Ｐ２と補助マイナルー
ブのパターンｐｍｎは、通常の面内駆動磁界Ｈｄ＋程度
では、バブルを転送するのに充分に磁化されない。その
ためバブルは、補助マイナルーブＰ ｍ ｎ内では転送
されず、またコンダクタＣ２が通電されても、ゲートパ
ターンＰ１でレプリケートやトランスファアウトされる
ことはない。
これらの斜線が施された抗磁力の大きいパターンで駆動
可能にするには、通電の面内駆動磁界０ｄ■より大きく
且つ抗磁ノ月１ｃｌｒよりも充分大きい面内駆動磁界Ｈ
ｄＩＩを印加する。実施例では、駆動磁界１１ｄｌを５
０〜６００ｅに、駆動磁界１１ｄＩＩを６５〜７５０−
６＝ ｅにそれぞれ設定した。このように斜線が施された抗磁
力の大きいパターンでバブルが駆動可能な充分大きな面
内駆動磁界を印加すれば、補助マイナループＰ ｍ ｒ
＋ｒ内でバブルは周回すると共に、コンダクタＣ２が通
電されると、ゲートパターンＰ１やＰ２でバブルがレプ
リケートアウトされる。
可能にするには、通電の面内駆動磁界０ｄ■より大きく
且つ抗磁ノ月１ｃｌｒよりも充分大きい面内駆動磁界Ｈ
ｄＩＩを印加する。実施例では、駆動磁界１１ｄｌを５
０〜６００ｅに、駆動磁界１１ｄＩＩを６５〜７５０−
６＝ ｅにそれぞれ設定した。このように斜線が施された抗磁
力の大きいパターンでバブルが駆動可能な充分大きな面
内駆動磁界を印加すれば、補助マイナループＰ ｍ ｒ
＋ｒ内でバブルは周回すると共に、コンダクタＣ２が通
電されると、ゲートパターンＰ１やＰ２でバブルがレプ
リケートアウトされる。
この場合、他の斜線が施されていない適音のマイナルー
プＰｎ−＋ 、、Ｐｎ−ｒなどもバブルを転送可能であ
るが、前記のように補助マイナループＰ ｍ ｎからの
情報の読み出しは、バブルメモリの使用開始や電源断後
頁使用開始する際などのように限られているので、支障
はない。特に最初にバブルメモリを使用開始する際は、
マイナループｍｎ−＋、ｍｌ−２内には情報は全く格納
されていないので、補助マイナループｍｎ内に格納され
たマイナループのマツプ情報だけしか読み出されず、全
く問題はない。
プＰｎ−＋ 、、Ｐｎ−ｒなどもバブルを転送可能であ
るが、前記のように補助マイナループＰ ｍ ｎからの
情報の読み出しは、バブルメモリの使用開始や電源断後
頁使用開始する際などのように限られているので、支障
はない。特に最初にバブルメモリを使用開始する際は、
マイナループｍｎ−＋、ｍｌ−２内には情報は全く格納
されていないので、補助マイナループｍｎ内に格納され
たマイナループのマツプ情報だけしか読み出されず、全
く問題はない。
書込み側のメイジャラインＭ１ と補助マイナループｍ
ｎ間も、該補助マイナルーブｒｎ１１を駆動できるよう
に充分大きな面内駆動磁界を印加するこＴ とにより、ゲートを介してマツプ情峠がトランスファ
（又はスワップ）インされる。従って補助ループ専用の
コンダクタを要せず、マイナルーブと共通のゲート構成
とすることができる。
ｎ間も、該補助マイナルーブｒｎ１１を駆動できるよう
に充分大きな面内駆動磁界を印加するこＴ とにより、ゲートを介してマツプ情峠がトランスファ
（又はスワップ）インされる。従って補助ループ専用の
コンダクタを要せず、マイナルーブと共通のゲート構成
とすることができる。
このように面内駆動磁界の強さを変えることによ、って
、マイナループｍｎ−１、ｍｎ−２と補助マイナループ
ｍ１ｌｌｊｌとを選択的に駆動できるように、一部のパ
ーマロイパターンの抗磁力を強くするには、パーマロイ
蒸着時の基板温度を変えるか、該パーマロイパターンの
組成を数％ずらずことによって実現される。実験の結果
、蒸着時の基板温度を変えることにより、２種類の抗磁
力を得た。まず基板温度を３２０’Ｃに設定し、抗磁力
を１〜２０ｅにした。この際抗磁力の大きい領域には、
パーマロイと選択エツチング性のあるクローム（Ｃｒ）
などの金属マスクを施した。次に、先に蒸着した部分を
逆にマスクし、基板温度２８０〜２９０℃で同様に蒸着
し、抗磁力を５〜１００ｅにした。この後通電のフォト
グラフィ技術でパターン形成した。パーマロイパターン
の組成を変えるのも、片方のバク８− 一ンを蒸着する際は、他方のパターンをマスクし、且つ
蒸発源の組成を変えることによって行なわれる。
、マイナループｍｎ−１、ｍｎ−２と補助マイナループ
ｍ１ｌｌｊｌとを選択的に駆動できるように、一部のパ
ーマロイパターンの抗磁力を強くするには、パーマロイ
蒸着時の基板温度を変えるか、該パーマロイパターンの
組成を数％ずらずことによって実現される。実験の結果
、蒸着時の基板温度を変えることにより、２種類の抗磁
力を得た。まず基板温度を３２０’Ｃに設定し、抗磁力
を１〜２０ｅにした。この際抗磁力の大きい領域には、
パーマロイと選択エツチング性のあるクローム（Ｃｒ）
などの金属マスクを施した。次に、先に蒸着した部分を
逆にマスクし、基板温度２８０〜２９０℃で同様に蒸着
し、抗磁力を５〜１００ｅにした。この後通電のフォト
グラフィ技術でパターン形成した。パーマロイパターン
の組成を変えるのも、片方のバク８− 一ンを蒸着する際は、他方のパターンをマスクし、且つ
蒸発源の組成を変えることによって行なわれる。
第６図はマイナルーブｍ１〜ｍｎの内の右半分を通電の
抗磁力Ｈｃｌに設定し、残りの左半分を抗磁力を強くし
て１ｌｃｌｌに設定し、１ｌｃｌ ＜ ｔｌｃｌｌとし
たものである。メモリ素子の層構成や駆動条件は第１実
施例と同じであり、駆動磁界の大きさを変えることによ
り、用途に応じて１ページ当りのビット数を変更するこ
とができる。例えば容量の大きいメモリの場合に、その
容量の半分程度しか使用していない間は、駆動磁界を小
さくして抗磁力の小さい右半分の領域のみ使用し、それ
ではメモリ容量が足りなくなってきたときに駆動磁界を
大きくして、左半分のマイナループも駆動して、全ライ
ナループを使用することができる。
抗磁力Ｈｃｌに設定し、残りの左半分を抗磁力を強くし
て１ｌｃｌｌに設定し、１ｌｃｌ ＜ ｔｌｃｌｌとし
たものである。メモリ素子の層構成や駆動条件は第１実
施例と同じであり、駆動磁界の大きさを変えることによ
り、用途に応じて１ページ当りのビット数を変更するこ
とができる。例えば容量の大きいメモリの場合に、その
容量の半分程度しか使用していない間は、駆動磁界を小
さくして抗磁力の小さい右半分の領域のみ使用し、それ
ではメモリ容量が足りなくなってきたときに駆動磁界を
大きくして、左半分のマイナループも駆動して、全ライ
ナループを使用することができる。
（ｆ１発明の効果
以上のように本発明によれば、１つの磁気バブルチップ
に、抗磁力の異なる伝播路を少なくとも２種類以上形成
すると共に、それぞれの抗磁力に＝９一 応じて面内駆動磁界の強さを変えることにより、前記伝
播路の磁気バブルを選択的に動作させる構成を採ってい
る。
に、抗磁力の異なる伝播路を少なくとも２種類以上形成
すると共に、それぞれの抗磁力に＝９一 応じて面内駆動磁界の強さを変えることにより、前記伝
播路の磁気バブルを選択的に動作させる構成を採ってい
る。
そのため、頻繁に使用されるマイナループとそうでない
マイナループとか、ページ数を変えて使用されるバブル
メモリ装置などのように、伝播路のバブルを選択的に動
作させる用途において、ゲートを共通にすることが可能
で、ゲート制御用コンダクタを減らして消費電力を節減
したり、周辺回路を簡素化することができるなどの特有
の効果を有する。
マイナループとか、ページ数を変えて使用されるバブル
メモリ装置などのように、伝播路のバブルを選択的に動
作させる用途において、ゲートを共通にすることが可能
で、ゲート制御用コンダクタを減らして消費電力を節減
したり、周辺回路を簡素化することができるなどの特有
の効果を有する。
第１図は従来の磁気バブルメモリを示す図、第２図はそ
のパターン構成を示す断面図、第３図は本発明の第１実
施例の回路構成を示す図、第４図はそのパターン構成を
示す要部平面図、第５図は抗磁力と駆動磁界との関係を
示す特性図、第６図は本発明の第２実施例を示す図であ
る。 図において、Ｍ＋ 、Ｍｚはメイジャライン、ｍｌ 、
ｍｌ ”ｍｎ−１はマイナループ、ｍｎはブート１０− （補助）ループ、Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２２はコ
ンダクタ、Ｐｍｎは補助マイナルーブパターン、Ｐｎ−
１、Ｐｎ−＋ はマイナループパターンをそれぞれ示す
。 特許出願人 冨士通株式会社代理人 弁理士
青 柳 稔１１− 第１図 第２図 第３図 第４図
のパターン構成を示す断面図、第３図は本発明の第１実
施例の回路構成を示す図、第４図はそのパターン構成を
示す要部平面図、第５図は抗磁力と駆動磁界との関係を
示す特性図、第６図は本発明の第２実施例を示す図であ
る。 図において、Ｍ＋ 、Ｍｚはメイジャライン、ｍｌ 、
ｍｌ ”ｍｎ−１はマイナループ、ｍｎはブート１０− （補助）ループ、Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２２はコ
ンダクタ、Ｐｍｎは補助マイナルーブパターン、Ｐｎ−
１、Ｐｎ−＋ はマイナループパターンをそれぞれ示す
。 特許出願人 冨士通株式会社代理人 弁理士
青 柳 稔１１− 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- １つの磁気バブルチップに、抗磁力の異なる伝播路を少
なくとも２種類以上形成すると共に、それぞれの抗磁力
に応じて面内駆動磁界の強さを変えることにより、前記
伝播路の磁気バブルを選択的に動作させることを特徴と
する磁気バブルメモリの駆動方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111192A JPS592285A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 磁気バブルメモリの駆動方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111192A JPS592285A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 磁気バブルメモリの駆動方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592285A true JPS592285A (ja) | 1984-01-07 |
Family
ID=14554825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57111192A Pending JPS592285A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 磁気バブルメモリの駆動方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592285A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05295097A (ja) * | 1991-10-29 | 1993-11-09 | Rhone Poulenc Chim | 水溶性及び／又は水分散性ポリエステルの製造方法及び織物糸のサイジングのためのこれらのポリエステルの使用 |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP57111192A patent/JPS592285A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05295097A (ja) * | 1991-10-29 | 1993-11-09 | Rhone Poulenc Chim | 水溶性及び／又は水分散性ポリエステルの製造方法及び織物糸のサイジングのためのこれらのポリエステルの使用 |
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