JPS59229968A - 原稿読取装置 - Google Patents
原稿読取装置Info
- Publication number
- JPS59229968A JPS59229968A JP58101531A JP10153183A JPS59229968A JP S59229968 A JPS59229968 A JP S59229968A JP 58101531 A JP58101531 A JP 58101531A JP 10153183 A JP10153183 A JP 10153183A JP S59229968 A JPS59229968 A JP S59229968A
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
- H04N1/191—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a one-dimensional [1D] array
- H04N1/192—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line
- H04N1/193—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays
- H04N1/1931—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays with scanning elements electrically interconnected in groups
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- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Image Input (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は密着型原稿読取装置に関し、特に読取画素密度
を変えられる原稿読取装置に関する。
を変えられる原稿読取装置に関する。
一般に、密着型原稿読取装置は、複数個の光電変換素子
（いわゆる光電変換素子アレイ）と該素子をスイッチン
グ走査する走査回路から構成されている◎この光電変換
素子アレイはその長さを原稿幅と同一サイズとし、オプ
チカルファイバアレイあるいはレンズアレイ等の光学系
を用いて１対１結像により原稿を読み取るようにしたも
のである・ 第１図は、従来の密着型原稿読取装置の特徴的な部分を
示す平面図であり、同図Ａ−Ａ’線に沿った轟該原稿読
取装置の断面図を第２図に示す０第１図乃至第２囚にお
いて、光電変換素子Ｌｔ ｙ Ｌｘ ｅ Ｌｓ ｅ ’
・・ｙ Ｌｎは絶縁性基板１の上に分割電極Ｄ １ ＃
’Ｄ 箕＊ Ｄ ａ ＊・・・＋Ｄｎを形成し、この電
極の一端部に重ねて光導電性薄膜２を形成し、さらにこ
の上に透明導電性薄膜３を設けた積層構造となっている
。また、前記分割電極の他端にはポンティングワイヤＷ
、、Ｗ、。
（いわゆる光電変換素子アレイ）と該素子をスイッチン
グ走査する走査回路から構成されている◎この光電変換
素子アレイはその長さを原稿幅と同一サイズとし、オプ
チカルファイバアレイあるいはレンズアレイ等の光学系
を用いて１対１結像により原稿を読み取るようにしたも
のである・ 第１図は、従来の密着型原稿読取装置の特徴的な部分を
示す平面図であり、同図Ａ−Ａ’線に沿った轟該原稿読
取装置の断面図を第２図に示す０第１図乃至第２囚にお
いて、光電変換素子Ｌｔ ｙ Ｌｘ ｅ Ｌｓ ｅ ’
・・ｙ Ｌｎは絶縁性基板１の上に分割電極Ｄ １ ＃
’Ｄ 箕＊ Ｄ ａ ＊・・・＋Ｄｎを形成し、この電
極の一端部に重ねて光導電性薄膜２を形成し、さらにこ
の上に透明導電性薄膜３を設けた積層構造となっている
。また、前記分割電極の他端にはポンティングワイヤＷ
、、Ｗ、。
Ｗ８．・・・、Ｗｎを介して接続された走査回路４が配
設されている。
設されている。
なお、前記光電変換素子り、・Ｌ２ ＋ Ｌａ ＋・・
・Ｌｎ において、受光素子としての機能を有する部分
は、各々下倶１の分割電極Ｄ ｔ ｒ’ Ｄ ２１ Ｄ
ｓ ’ｖ・・・、Ｄｎと上側の透明導電性薄膜３とが
交差する領域である。
・Ｌｎ において、受光素子としての機能を有する部分
は、各々下倶１の分割電極Ｄ ｔ ｒ’ Ｄ ２１ Ｄ
ｓ ’ｖ・・・、Ｄｎと上側の透明導電性薄膜３とが
交差する領域である。
第３図は第１図乃至第２図に示した原稿読取装置の等価
回路■である０ 第３図では第１図乃至第２図に示した光電変換素子Ｌ
ｓ ｒ Ｌ ｚ ＋ Ｌ ｓ ＋・・・、Ｌｎは等制約
に各々フォトダイオードＰ ｌ ＋ Ｐａ ｅ Ｐｊｔ
・・・、 ＰｌｌとコンデンサＣｔ ｒ Ｃ２１Ｃ２＋
・・・、Ｃｎとで表わされる０この光電変換素子Ｌ ｒ
ｅ Ｌｘ ＋ ＬＭ ＋・・・、Ｌｎの−☆傷はシフ
トレジスタＳ Ｒの制御の下にオン／オフ状態が切り換
えられるＭＯＳトランジスタＴ ＲＩａ＋ Ｔ Ｒ２Ｈ
ｌ ７１’ Ｒｓａ＋ ・・’ ＊ＴＲｎａ を介して
増幅器５に接続されているＯまた、光電変換素子りへｒ
、 Ｌ ＆２ 、 Ｌ毎３゜・・・、Ｌ＆ｎの他端は
共通の電源６１／ｌ：接続され、該電源６によってバイ
アス電圧が印加されるようになっている。
回路■である０ 第３図では第１図乃至第２図に示した光電変換素子Ｌ
ｓ ｒ Ｌ ｚ ＋ Ｌ ｓ ＋・・・、Ｌｎは等制約
に各々フォトダイオードＰ ｌ ＋ Ｐａ ｅ Ｐｊｔ
・・・、 ＰｌｌとコンデンサＣｔ ｒ Ｃ２１Ｃ２＋
・・・、Ｃｎとで表わされる０この光電変換素子Ｌ ｒ
ｅ Ｌｘ ＋ ＬＭ ＋・・・、Ｌｎの−☆傷はシフ
トレジスタＳ Ｒの制御の下にオン／オフ状態が切り換
えられるＭＯＳトランジスタＴ ＲＩａ＋ Ｔ Ｒ２Ｈ
ｌ ７１’ Ｒｓａ＋ ・・’ ＊ＴＲｎａ を介して
増幅器５に接続されているＯまた、光電変換素子りへｒ
、 Ｌ ＆２ 、 Ｌ毎３゜・・・、Ｌ＆ｎの他端は
共通の電源６１／ｌ：接続され、該電源６によってバイ
アス電圧が印加されるようになっている。
このＪｇ、稿読取装置の動作について説明すると、まず
各光電変換素子Ｌ Ｉ、Ｌｘ 、Ｌｓ・・・、Ｌｎは、
シフトＬ／ ｉ７スタＳＲの制御によりＭＯＳトランジ
スタＴ Ｒｌａ ｓ Ｔ Ｒｘ８％ Ｔ Ｒａａ ＃
ＨＨ＋ ｅ Ｔ Ｒｎａが順次一定の時間オンになる
と、電源６から順次バイアス電圧が印加され、対応する
コンデンサＣ１＊Ｃｚ＋Ｃｓｒ・・・、Ｃｎに電荷が蓄
積される０次に、原稿像が各光電変換素子Ｌ！、しｈＬ
３１・・・、ＬＭ上に結像され、フォトダイオードＰ
Ｉ Ｊ Ｐ、２ ＋ Ｐａ ｒ ”” ｒ Ｐｎｖｃ元
強度圧強度する電流が流れると、対応するコンデンサＣ
Ｉ。
各光電変換素子Ｌ Ｉ、Ｌｘ 、Ｌｓ・・・、Ｌｎは、
シフトＬ／ ｉ７スタＳＲの制御によりＭＯＳトランジ
スタＴ Ｒｌａ ｓ Ｔ Ｒｘ８％ Ｔ Ｒａａ ＃
ＨＨ＋ ｅ Ｔ Ｒｎａが順次一定の時間オンになる
と、電源６から順次バイアス電圧が印加され、対応する
コンデンサＣ１＊Ｃｚ＋Ｃｓｒ・・・、Ｃｎに電荷が蓄
積される０次に、原稿像が各光電変換素子Ｌ！、しｈＬ
３１・・・、ＬＭ上に結像され、フォトダイオードＰ
Ｉ Ｊ Ｐ、２ ＋ Ｐａ ｒ ”” ｒ Ｐｎｖｃ元
強度圧強度する電流が流れると、対応するコンデンサＣ
Ｉ。
Ｃｚ ｔ Ｃｓ ＋・・・、Ｃｎに蓄積された電荷は放
電される０さらに、次にバイアス電圧が光電変換素子Ｌ
ｓ ｓ Ｌｘ ７ Ｌｓ 、・・・＋ Ｌｎｖｃ印加さ
れ、コンデンサＣｔ 、 Ｃｘ 、Ｃａ 、・・・＋Ｃ
ｎに充電電流が流れると、該光電変換素子は原稿像に対
応する映像信号を順次増幅器５に出力するＯ増幅器５は
、該入力された映像信号を電流電圧変換して電圧信号と
して出力端子７に順次出力する０以下同様にしてバイア
ス電圧の印加により順次原稿を読み取る。
電される０さらに、次にバイアス電圧が光電変換素子Ｌ
ｓ ｓ Ｌｘ ７ Ｌｓ 、・・・＋ Ｌｎｖｃ印加さ
れ、コンデンサＣｔ 、 Ｃｘ 、Ｃａ 、・・・＋Ｃ
ｎに充電電流が流れると、該光電変換素子は原稿像に対
応する映像信号を順次増幅器５に出力するＯ増幅器５は
、該入力された映像信号を電流電圧変換して電圧信号と
して出力端子７に順次出力する０以下同様にしてバイア
ス電圧の印加により順次原稿を読み取る。
ところで、密着型原稿読取装置は予め定められた読取密
度すなわち画素密度によって光電変換素子の各部の寸法
が決定される０例えば画素密度なＮ〔画素／鰭〕すなわ
ちＮ〔ドツト／叫〕とすると各分割電極り乳ｓ 、 Ｄ
”ｆｉｘ 、 Ｄ ’ＥＪ＋ 、・・・Ｄ〜ｎの各々
の中心間距離はｌ ／ Ｎ Ｃｍｍ 〕となる。このた
め読み取る原稿に応じて画素＠匣を変更する場合、従来
は原稿読取装置の出力信号を２ビツトから１ビツトある
いは３ビツトから１ビツトというように変換するビット
変換回路を設けるようにしていたので、原稿読取装置の
構成回路がノ曽え、装置が犬がかりなものとなってしま
うという問題があったｏ′！１′だ、画素密度の減少に
ともない光電変換素子の走査速度のみならず該光電変換
素子に対する照射光量は変わらないので読取速度は変わ
らず消費電力の軽減もなされなかった。
度すなわち画素密度によって光電変換素子の各部の寸法
が決定される０例えば画素密度なＮ〔画素／鰭〕すなわ
ちＮ〔ドツト／叫〕とすると各分割電極り乳ｓ 、 Ｄ
”ｆｉｘ 、 Ｄ ’ＥＪ＋ 、・・・Ｄ〜ｎの各々
の中心間距離はｌ ／ Ｎ Ｃｍｍ 〕となる。このた
め読み取る原稿に応じて画素＠匣を変更する場合、従来
は原稿読取装置の出力信号を２ビツトから１ビツトある
いは３ビツトから１ビツトというように変換するビット
変換回路を設けるようにしていたので、原稿読取装置の
構成回路がノ曽え、装置が犬がかりなものとなってしま
うという問題があったｏ′！１′だ、画素密度の減少に
ともない光電変換素子の走査速度のみならず該光電変換
素子に対する照射光量は変わらないので読取速度は変わ
らず消費電力の軽減もなされなかった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、密着型原稿
読取装置の読取密度をビット変換回路を用いずに容易に
変更でき、さらに読取密度を減少させたときには走査速
度を速くで゛きがっ照射光量を減少し得る原稿読取装置
を提供することを目的とする。
読取装置の読取密度をビット変換回路を用いずに容易に
変更でき、さらに読取密度を減少させたときには走査速
度を速くで゛きがっ照射光量を減少し得る原稿読取装置
を提供することを目的とする。
そこで本発明ではアレイ状に配列された複数の光電変換
素子の出力を取り出すために各光電変換素子に対応して
それぞれ設けられた第１のスイッチング素子と、隣接す
る複数の光電変換素子間にそれぞれ設けられた第２のス
イッチング素子とを具え、該第２のスイッチング素子の
オンオフ制御により前記複数の光電変換素子を複数個づ
つ並列接続し、読取画素密度を所望の値に設定できるよ
うにする■ 〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を添付図面を参照して詳細に説
明する・ 第４はｌＪ本発明［ｇ−る原稿読取装置の回路図であり
、当該装置は画素密度１６．８．５，３、または４〔画
素／間〕で原稿を読み取れるものとする。なお、第３区
１と同様の機能を果たす部分については同一の符号を用
い、その説明は省略する。
素子の出力を取り出すために各光電変換素子に対応して
それぞれ設けられた第１のスイッチング素子と、隣接す
る複数の光電変換素子間にそれぞれ設けられた第２のス
イッチング素子とを具え、該第２のスイッチング素子の
オンオフ制御により前記複数の光電変換素子を複数個づ
つ並列接続し、読取画素密度を所望の値に設定できるよ
うにする■ 〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を添付図面を参照して詳細に説
明する・ 第４はｌＪ本発明［ｇ−る原稿読取装置の回路図であり
、当該装置は画素密度１６．８．５，３、または４〔画
素／間〕で原稿を読み取れるものとする。なお、第３区
１と同様の機能を果たす部分については同一の符号を用
い、その説明は省略する。
］（ｍｍ＋）当り１６個の配列孔度て並設されたツＣ電
変換素子Ｌｌ ｌ Ｌ２＋しｈ・・・＋Ｌｎの一万は、
各々シフトレジスタＳＲの制御の下にスイッチング動作
するＭＯＳトラン９ スタＴ Ｒ，ａ 、 ＴＲｚａＴ
Ｒａａ、・・・、ＴＲｎａを介して増幅器５に接続され
ており、他端は共通の電源６に接続されている・また、
瞬接する光電変換素子の間にはそれぞれＭＯＳ）ランシ
スタＴ Ｆｔｓｂ −Ｔ Ｒｉｂ 。
変換素子Ｌｌ ｌ Ｌ２＋しｈ・・・＋Ｌｎの一万は、
各々シフトレジスタＳＲの制御の下にスイッチング動作
するＭＯＳトラン９ スタＴ Ｒ，ａ 、 ＴＲｚａＴ
Ｒａａ、・・・、ＴＲｎａを介して増幅器５に接続され
ており、他端は共通の電源６に接続されている・また、
瞬接する光電変換素子の間にはそれぞれＭＯＳ）ランシ
スタＴ Ｆｔｓｂ −Ｔ Ｒｉｂ 。
ＴＲｍｂ、・・・、’ｌ”Ｒｎｂが接続されている。こ
のＭＯＳトランジスタＴ Ｒｉｂ 、 Ｔ Ｒｚｂ 、
Ｔ Ｒｓｂ −ＴＲｎｂ は、各々のゲートに信号
＠″１＃または“０”を加えることによってオンオフ制
御されるもので、該ＭＯＳトランジスタＴ Ｒｘｂ 、
ＴＲｚｂ。
のＭＯＳトランジスタＴ Ｒｉｂ 、 Ｔ Ｒｚｂ 、
Ｔ Ｒｓｂ −ＴＲｎｂ は、各々のゲートに信号
＠″１＃または“０”を加えることによってオンオフ制
御されるもので、該ＭＯＳトランジスタＴ Ｒｘｂ 、
ＴＲｚｂ。
Ｔ Ｒａｂ 、 、”” Ｔ Ｒｎｂの各々のゲ
ートは、該各々のゲー） Ｋ ｉＱ号“１”または００
″を加えて、光電変換累−’ｆＬｓ ｅ Ｌ２ ＊ Ｌ
ｓ ＋ ・’・＊ Ｌｎの配列１１ｉｒｊに該光電変換
素子Ｌ１ｔ Ｌｍ＃ Ｌｓ＋・・・。
ートは、該各々のゲー） Ｋ ｉＱ号“１”または００
″を加えて、光電変換累−’ｆＬｓ ｅ Ｌ２ ＊ Ｌ
ｓ ＋ ・’・＊ Ｌｎの配列１１ｉｒｊに該光電変換
素子Ｌ１ｔ Ｌｍ＃ Ｌｓ＋・・・。
Ｌｎな２４β１．３似、あるいは４個を１組として相互
に並列接続できるように該信号”１”！ｔたは′０”が
入力される制御端子Ｔ １ ｖ ’ｌ 宜＠ Ｔ３ ＋
Ｔ、 、 Ｔ、に接続されている。なお、制御端子ＴＩ
＋ Ｔ２ ＋ Ｔａ ｌ Ｔ４１ Ｔ６に加える信号
″′１ ″および′０ ′は、図１示しないパルス発住
器により発生される。
に並列接続できるように該信号”１”！ｔたは′０”が
入力される制御端子Ｔ １ ｖ ’ｌ 宜＠ Ｔ３ ＋
Ｔ、 、 Ｔ、に接続されている。なお、制御端子ＴＩ
＋ Ｔ２ ＋ Ｔａ ｌ Ｔ４１ Ｔ６に加える信号
″′１ ″および′０ ′は、図１示しないパルス発住
器により発生される。
第１表は、画素密度１６ 、８．５．３あるいｉｔ４〔
画素／ｗ〕に対応して、制御端子Ｔ１乃至Ｔ６に力１１
える信号により相互に並列接続される光電変換素子を示
した表である。
画素／ｗ〕に対応して、制御端子Ｔ１乃至Ｔ６に力１１
える信号により相互に並列接続される光電変換素子を示
した表である。
第 １ 表
以下第１表に基づめで本発明に係る原稿読取装置の動作
について説明する０ （１） 画素密度１６〔画素／恒〕の場合まず、制御
端子Ｔ１乃至Ｔ５には信号“Ｏ”が加わり対応するＭＯ
ＳトランジスタＴＲｔｂ１Ｔ Ｒｚｂ 、 Ｔ Ｒｊ
ｂ −”・、ＴＲｎｂが全てオフとなり、光電変換素子
Ｌ Ｉｔ Ｌｘ ＋ Ｌｓ ＋ ”・＋ Ｌｎはいずれ
も並列接続されずに切り鵬Ｎれる。次に、各光電変換素
子Ｌ＋、Ｌズ、し３．・・・、Ｌｎは、シフトレジスタ
ＳＲの制御によりＭＯＳ）ランジスタＴ ｌ（、ａ ｅ
Ｔ Ｒｔａ ＊ Ｔ ＲｓＥＬ ｅ ”’ ｗＴＲｎ
ａが１１次Ｂ「定の時間オンになると、電源６からバイ
アス電圧が印加されて充電される。
について説明する０ （１） 画素密度１６〔画素／恒〕の場合まず、制御
端子Ｔ１乃至Ｔ５には信号“Ｏ”が加わり対応するＭＯ
ＳトランジスタＴＲｔｂ１Ｔ Ｒｚｂ 、 Ｔ Ｒｊ
ｂ −”・、ＴＲｎｂが全てオフとなり、光電変換素子
Ｌ Ｉｔ Ｌｘ ＋ Ｌｓ ＋ ”・＋ Ｌｎはいずれ
も並列接続されずに切り鵬Ｎれる。次に、各光電変換素
子Ｌ＋、Ｌズ、し３．・・・、Ｌｎは、シフトレジスタ
ＳＲの制御によりＭＯＳ）ランジスタＴ ｌ（、ａ ｅ
Ｔ Ｒｔａ ＊ Ｔ ＲｓＥＬ ｅ ”’ ｗＴＲｎ
ａが１１次Ｂ「定の時間オンになると、電源６からバイ
アス電圧が印加されて充電される。
次に、該充電されたｔａ電変換素子Ｌ １ ｅ Ｌ ２
ｔ Ｌａ Ｉ・・・＋Ｌｎ上に原稿像が結像されると
、該光電変換素子Ｌ Ｊ Ｉ Ｌｘ ｔ Ｌａ ｅ ’
・’ ｅ ’［、ｎ Ｆｉ光強度に刈応する光電流によ
り放電される０さらに、該放電された光電変換素子Ｌ
Ｉｔ Ｌｌｌｅ Ｌｓ ｖ−・・。
ｔ Ｌａ Ｉ・・・＋Ｌｎ上に原稿像が結像されると
、該光電変換素子Ｌ Ｊ Ｉ Ｌｘ ｔ Ｌａ ｅ ’
・’ ｅ ’［、ｎ Ｆｉ光強度に刈応する光電流によ
り放電される０さらに、該放電された光電変換素子Ｌ
Ｉｔ Ｌｌｌｅ Ｌｓ ｖ−・・。
Ｌｎは、次のバイアス電圧の印加［ｊり該光電変換素子
Ｌ １ ｅ Ｌ ２ ｅ Ｌ Ｒ＊・・・、Ｌｎに充電
電流が流れ、これにより、原画像に対応する映像信号が
増幅器５に順次出力される。増幅器５は、該入力さ第１
た映像信号を電流電圧変換して電圧どして出力端子７に
順次出力する。以下同執シにしてバイアス電圧を印加し
て原稿を読み取る。
Ｌ １ ｅ Ｌ ２ ｅ Ｌ Ｒ＊・・・、Ｌｎに充電
電流が流れ、これにより、原画像に対応する映像信号が
増幅器５に順次出力される。増幅器５は、該入力さ第１
た映像信号を電流電圧変換して電圧どして出力端子７に
順次出力する。以下同執シにしてバイアス電圧を印加し
て原稿を読み取る。
なお、トランジスタＴ ｔｌ＋ａ 、 Ｔ Ｒ，ａ 、
ｉ’Ｒｓ＆ｓ・・・ｅ Ｔ Ｒｎ ａがオンで夛、る
時間は、光電変換素子し３． Ｌｘ ＋・・・、 Ｌｎ
を充電するのに必要な時間・またｄ、該光′亀笈換素子
Ｌ ＋ ｅ Ｌ ｘ ＊ Ｌａ ｅ・・・、Ｌｎによっ
て得らｆた映像信号を出力するのに必要な時間である。
ｉ’Ｒｓ＆ｓ・・・ｅ Ｔ Ｒｎ ａがオンで夛、る
時間は、光電変換素子し３． Ｌｘ ＋・・・、 Ｌｎ
を充電するのに必要な時間・またｄ、該光′亀笈換素子
Ｌ ＋ ｅ Ｌ ｘ ＊ Ｌａ ｅ・・・、Ｌｎによっ
て得らｆた映像信号を出力するのに必要な時間である。
（２） 画素密度８〔画素／聞〕の場合１ず、制御端
子’Ｌ ｔ ｒ Ｔ’ｓ ｒ Ｔｓ ＋ Ｔ４ ＃ ’
ＩＩ！ＶＣはそれぞれ信号“１″、” ０ ”、”１”
、・・０−１“０＃が加わり、対応するＩＶＩＯ８）ラ
ンジスタＴＲｊｂ・Ｔ Ｒａｂ ＃ Ｔ Ｒｓｂ ｒ
・” 、 Ｔ Ｒｎｂがオン、ＭＯＳ トランジスタＴ
Ｒ宜ｂ ｅ ＴＲａｂ ＋ ＴＦｔａｂ ＊ −−−＋
ＴＲＬｎ−］）ｂがオフとなり、光電変換素子Ｌ１゜Ｌ
ｘ ｅ Ｌ ３ ＊ ” ” ｒ Ｌｎ ｉｌｌ：、そ
の配列順に２個を１組として並夕１ｊ接続されるＯ次Ｋ
、２個を１組として並列接続された光電変換素子し茸と
Ｌ２ＨＬ１とＬＪ、Ｌ！ｌとＬ６ ｍ −−−ｔ Ｌｎ
−ｔと、ｌｎ は、シフトレジスタＳ ＩｔＱ制＃によ
ｔ７ＭＯＳトランジスタＴ Ｌｓ ）ａ＃ ’Ｉ １（
ｓｌＬ ｊ ’ｌ Ｒａｗ ） １１＊ ’Ｌ Ｒｋｎ
ｔｅ＆が）１１１次）ＥＨｒ定のｌ＋、１−ｔ’ｉ
３オ／になると、！鳴イアス電圧にエリ充電さ１する０
次に、原稿督・の結果により、ｕ１１記光電俊換素子Ｌ
１とＬ！−ＬＪとＬａ ＊ Ｌ ６とＬａ ＊ ”’
ｅ ” ｎ−ｔとＬｎは放電さ第１．る・さらに、次
のバイアス電圧によりｔり２個を】Ｊｌｌとして（し・
齢：さまた光電会侠集子Ｌ１とＬ ２＊ Ｌ ｓとＬＪ
ｅ ＬｓとＬ６ｇ ”” ＊ Ｌ”−３とｈは映像イ
カ号を邑刀し、該眼併慴号は電流電圧変換さ７Ｌ″′ｌ
：庁（次田力さ：Ｊ１．る。以下同様にして〕（イアス
ミ圧の印加ＫＪ：り旅情をんれみ改るｏＣのようにＩｋ
！＋ｉ素密阪８〔画集／暉〕の場合に、２個の光電変換
素子をあたかも１つの光電変換素子として扱うので、走
査時開は画素ｖ度１（ｊ〔画素／賜〕の場合に比べて半
減する０ （３）画素密度５．３ ’）だに４〔画素／恒〕の場合
画素密度ｓ、 ３ ′？たけ４〔画素／唱〕で原稿な読
み取る場合は、バイアス電圧による光電変換素子の充電
、原稿像の結像による該光電変換素子の放電、次のバイ
アス電圧による光電変換素子の充電と映像信号の出力、
および該映像信号の電流電圧変換という動作過程は前述
した画像密度１６または８〔画素／簡〕と同様であるが
、画素密度５．３［画素／、］の場合は、制御端子Ｔ、
、Ｔ叩、Ｔｓ、Ｔ番、Ｔ句にそれぞれ信号１１＃。
子’Ｌ ｔ ｒ Ｔ’ｓ ｒ Ｔｓ ＋ Ｔ４ ＃ ’
ＩＩ！ＶＣはそれぞれ信号“１″、” ０ ”、”１”
、・・０−１“０＃が加わり、対応するＩＶＩＯ８）ラ
ンジスタＴＲｊｂ・Ｔ Ｒａｂ ＃ Ｔ Ｒｓｂ ｒ
・” 、 Ｔ Ｒｎｂがオン、ＭＯＳ トランジスタＴ
Ｒ宜ｂ ｅ ＴＲａｂ ＋ ＴＦｔａｂ ＊ −−−＋
ＴＲＬｎ−］）ｂがオフとなり、光電変換素子Ｌ１゜Ｌ
ｘ ｅ Ｌ ３ ＊ ” ” ｒ Ｌｎ ｉｌｌ：、そ
の配列順に２個を１組として並夕１ｊ接続されるＯ次Ｋ
、２個を１組として並列接続された光電変換素子し茸と
Ｌ２ＨＬ１とＬＪ、Ｌ！ｌとＬ６ ｍ −−−ｔ Ｌｎ
−ｔと、ｌｎ は、シフトレジスタＳ ＩｔＱ制＃によ
ｔ７ＭＯＳトランジスタＴ Ｌｓ ）ａ＃ ’Ｉ １（
ｓｌＬ ｊ ’ｌ Ｒａｗ ） １１＊ ’Ｌ Ｒｋｎ
ｔｅ＆が）１１１次）ＥＨｒ定のｌ＋、１−ｔ’ｉ
３オ／になると、！鳴イアス電圧にエリ充電さ１する０
次に、原稿督・の結果により、ｕ１１記光電俊換素子Ｌ
１とＬ！−ＬＪとＬａ ＊ Ｌ ６とＬａ ＊ ”’
ｅ ” ｎ−ｔとＬｎは放電さ第１．る・さらに、次
のバイアス電圧によりｔり２個を】Ｊｌｌとして（し・
齢：さまた光電会侠集子Ｌ１とＬ ２＊ Ｌ ｓとＬＪ
ｅ ＬｓとＬ６ｇ ”” ＊ Ｌ”−３とｈは映像イ
カ号を邑刀し、該眼併慴号は電流電圧変換さ７Ｌ″′ｌ
：庁（次田力さ：Ｊ１．る。以下同様にして〕（イアス
ミ圧の印加ＫＪ：り旅情をんれみ改るｏＣのようにＩｋ
！＋ｉ素密阪８〔画集／暉〕の場合に、２個の光電変換
素子をあたかも１つの光電変換素子として扱うので、走
査時開は画素ｖ度１（ｊ〔画素／賜〕の場合に比べて半
減する０ （３）画素密度５．３ ’）だに４〔画素／恒〕の場合
画素密度ｓ、 ３ ′？たけ４〔画素／唱〕で原稿な読
み取る場合は、バイアス電圧による光電変換素子の充電
、原稿像の結像による該光電変換素子の放電、次のバイ
アス電圧による光電変換素子の充電と映像信号の出力、
および該映像信号の電流電圧変換という動作過程は前述
した画像密度１６または８〔画素／簡〕と同様であるが
、画素密度５．３［画素／、］の場合は、制御端子Ｔ、
、Ｔ叩、Ｔｓ、Ｔ番、Ｔ句にそれぞれ信号１１＃。
″】＃、＠″０＃、″″ｌ”、′０２を加え、ＭＯＳ
）ランジスタＴＲ５ｂ 、ＴＲａｂ 、ＴＲａｂ 、Ｔ
Ｒｗｂ 。
）ランジスタＴＲ５ｂ 、ＴＲａｂ 、ＴＲａｂ 、Ｔ
Ｒｗｂ 。
・・・、 Ｔ Ｒ（ｎ ｔｕｂ 、ＴＲｎｂをオン、
ＩＶＬＯｓトランジスタＴ Ｒａｂ 、 Ｔ Ｒｓｂ
、・・・ をオフトシて光電変換素子Ｌｌ＃ Ｌ！ ｌ
しｈ・・・、Ｌｎは配列に従って順次３個をＩＭｉとし
て並列接続されること（第１表参照）、およびシフトレ
ジスタＳＲの制御により順次所定の時間オンされるＭＯ
Ｓトランジスタは％ ＴＲ＋ａ、ＴＲ４ａ ｅ ＴＲ７
ａ＋・・・であることが異なり、３個の光電変換素子を
あたかも１個の光電変換素子として扱う。甘だ、画素密
度４〔画素／氾〕の場合は、制御端子Ｔｊｒ Ｔｚ 、
’ｌ’ａ ｖ Ｔ４１ Ｔｗ Ｋそれぞれ信号１］”
、”３″Ｉｌｌ ＺｔｔＱ″、゛】”を加え、ＭＯ８
トランジスタＴ”Ｒｉｂ 、 Ｔ Ｒｔｂ 、 Ｔ Ｒ
ａｂ 、 Ｔ Ｒｓｂ 。
ＩＶＬＯｓトランジスタＴ Ｒａｂ 、 Ｔ Ｒｓｂ
、・・・ をオフトシて光電変換素子Ｌｌ＃ Ｌ！ ｌ
しｈ・・・、Ｌｎは配列に従って順次３個をＩＭｉとし
て並列接続されること（第１表参照）、およびシフトレ
ジスタＳＲの制御により順次所定の時間オンされるＭＯ
Ｓトランジスタは％ ＴＲ＋ａ、ＴＲ４ａ ｅ ＴＲ７
ａ＋・・・であることが異なり、３個の光電変換素子を
あたかも１個の光電変換素子として扱う。甘だ、画素密
度４〔画素／氾〕の場合は、制御端子Ｔｊｒ Ｔｚ 、
’ｌ’ａ ｖ Ｔ４１ Ｔｗ Ｋそれぞれ信号１］”
、”３″Ｉｌｌ ＺｔｔＱ″、゛】”を加え、ＭＯ８
トランジスタＴ”Ｒｉｂ 、 Ｔ Ｒｔｂ 、 Ｔ Ｒ
ａｂ 、 Ｔ Ｒｓｂ 。
ＴＲ（ｎ、＞）ｂ、ＴＲｎｂをオン、ＭＯＳ）ランジス
タＴ Ｒｉｂ 、 Ｔ Ｒｓｂ 、 ＴＲ＋２ｂ 、・
・・をオフとし、光電変換素子Ｌ ｔ ＋ Ｌｘ ＊
Ｌａ ＋・・・、Ｌｎは配列順に順次４個を１組として
並列接続されること（第１表参照］、およびシフトレジ
スタＳＲの制御によりＪＩＦｉ次川定の用間オンされる
ＭＯＳ）ランジスタは、Ｔ Ｒりａ＊ Ｔ Ｒｓ＆ ｌ
Ｈ＊＋ ｔ ＴＲ＊ａであることが異なり、４個の光
電変換素子をあたかも１個の光電変換素子とｊ−で扱う
。
タＴ Ｒｉｂ 、 Ｔ Ｒｓｂ 、 ＴＲ＋２ｂ 、・
・・をオフとし、光電変換素子Ｌ ｔ ＋ Ｌｘ ＊
Ｌａ ＋・・・、Ｌｎは配列順に順次４個を１組として
並列接続されること（第１表参照］、およびシフトレジ
スタＳＲの制御によりＪＩＦｉ次川定の用間オンされる
ＭＯＳ）ランジスタは、Ｔ Ｒりａ＊ Ｔ Ｒｓ＆ ｌ
Ｈ＊＋ ｔ ＴＲ＊ａであることが異なり、４個の光
電変換素子をあたかも１個の光電変換素子とｊ−で扱う
。
なお、本実施例では画素密度を１６．８，５．３また／
ｌ′ｉ４〔画素／調〕の４段階としたが、ＭＯＳトラン
ジスタＴ Ｒ１ｂ −Ｔ Ｒｔｌ） 、Ｔ Ｒａ１）
−・・・ＴＲｎｂのオン／オフを適宜制御して所望の画
素密度の原稿読取装置を構成することができる。
ｌ′ｉ４〔画素／調〕の４段階としたが、ＭＯＳトラン
ジスタＴ Ｒ１ｂ −Ｔ Ｒｔｌ） 、Ｔ Ｒａ１）
−・・・ＴＲｎｂのオン／オフを適宜制御して所望の画
素密度の原稿読取装置を構成することができる。
また、画素密度を減少させろことに伴い、各光電変換素
子に対する照射光景を減らして消費電力の軽減を計る、
あるいは照射光量を変えずに映像信号の大きさを倍増さ
ダるようにしてもよい。
子に対する照射光景を減らして消費電力の軽減を計る、
あるいは照射光量を変えずに映像信号の大きさを倍増さ
ダるようにしてもよい。
さらに、走査回路は薄膜トランジスタで形成し、光電変
換素子と一体に形成しても↓い〇〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、密着型原稿読取装
置の読取密度を新らたな外部回路を用いずに容易に所望
の太＠さに変更することができる・ １だ、読取密度の減少に伴い、相互に並列接続された複
数個の光電変換素子毎に走査して原稿を読み取るので、
走査速度が速くなり、従って原稿読取を短時間にするこ
とができる０さらに、光電変換素子に対する照射光量を
減らして装置の消費電力を大幅に減少することができる
。
換素子と一体に形成しても↓い〇〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、密着型原稿読取装
置の読取密度を新らたな外部回路を用いずに容易に所望
の太＠さに変更することができる・ １だ、読取密度の減少に伴い、相互に並列接続された複
数個の光電変換素子毎に走査して原稿を読み取るので、
走査速度が速くなり、従って原稿読取を短時間にするこ
とができる０さらに、光電変換素子に対する照射光量を
減らして装置の消費電力を大幅に減少することができる
。
第１図は従来の密着型原稿読取装置の平面図、第２図は
第１図のＡ−Ａ’線に沿った断面■、第３図は従来の密
着型原稿読取装置の回路図、第４図は本発明に係る原稿
読取装置の回路図を示す０ １・・・絶縁性基板、 ２・・・光４電性薄膜、 ３
・・・透明導電性薄膜、 ４・・・走査回路、 ５・−
・増＠器、 ６・・・電分、 ７・・・出力端子、
Ｌｌ。 Ｌｌ、ＬＲ２・・・、Ｌｎ・・−ブＣ電変換素子、Ｄ、
、Ｄｔ。 Ｄｓ＋・・・、Ｄｌｌ・・・分割電極、 ”ｖＶ Ｈ＋
Ｗ ！ ？ Ｗ Ｍ ｐ・・・、Ｗｎ・・・ボンティ
ングワイヤ、Ｐ ｌ ＋ Ｐ ＊ Ｍ２Ｓ、・・・ｔＰ
ｎ・・・フォトダイオード％ ＣＩ＋Ｃ宜ｉＣ３・
・・、 Ｃｎ・・・コンデンサ、Ｔ Ｒｓ ａｓ Ｔ
Ｒ宜ａ、・・・Ｔ Ｒｎａ ｌ Ｔ Ｒｊｂｅ Ｔ Ｒ
ｚｂ ＋ −＝ ＊ ＴＲｎｂ ＋＋ Ｍ ＯＳトラン
ジスタ、 Ｔ、乃至Ｔ、・・・制御端子、ＳＲ・・・
シフトレジスタ。 出願人代理人 木 村 高 久
第１図のＡ−Ａ’線に沿った断面■、第３図は従来の密
着型原稿読取装置の回路図、第４図は本発明に係る原稿
読取装置の回路図を示す０ １・・・絶縁性基板、 ２・・・光４電性薄膜、 ３
・・・透明導電性薄膜、 ４・・・走査回路、 ５・−
・増＠器、 ６・・・電分、 ７・・・出力端子、
Ｌｌ。 Ｌｌ、ＬＲ２・・・、Ｌｎ・・−ブＣ電変換素子、Ｄ、
、Ｄｔ。 Ｄｓ＋・・・、Ｄｌｌ・・・分割電極、 ”ｖＶ Ｈ＋
Ｗ ！ ？ Ｗ Ｍ ｐ・・・、Ｗｎ・・・ボンティ
ングワイヤ、Ｐ ｌ ＋ Ｐ ＊ Ｍ２Ｓ、・・・ｔＰ
ｎ・・・フォトダイオード％ ＣＩ＋Ｃ宜ｉＣ３・
・・、 Ｃｎ・・・コンデンサ、Ｔ Ｒｓ ａｓ Ｔ
Ｒ宜ａ、・・・Ｔ Ｒｎａ ｌ Ｔ Ｒｊｂｅ Ｔ Ｒ
ｚｂ ＋ −＝ ＊ ＴＲｎｂ ＋＋ Ｍ ＯＳトラン
ジスタ、 Ｔ、乃至Ｔ、・・・制御端子、ＳＲ・・・
シフトレジスタ。 出願人代理人 木 村 高 久
Claims (1)
- 複数の光電変換素子をアレイ状に配列して形成される原
稿読取装置において、前記光電変換素子の出力を取り出
すために各光電変換素子に対応してそれぞれ設けられた
第１のスイッチング素子と、瞬接する前記複数の光電変
換素子間にそれぞれ設けられた第２のスイッチン夛素子
とを具え、前記第２のスイッチング素子のオンオフ制御
により前記光電変換素子による読取画素密度を変更する
ようにしたことを特徴とする原稿読取装置・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58101531A JPS59229968A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 原稿読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58101531A JPS59229968A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 原稿読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59229968A true JPS59229968A (ja) | 1984-12-24 |
Family
ID=14303037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58101531A Pending JPS59229968A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 原稿読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59229968A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62162181A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-07-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光学読取装置 |
| JP2011035901A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Xerox Corp | 選択可能な解像度を有するセンサアレイとその方法 |
-
1983
- 1983-06-07 JP JP58101531A patent/JPS59229968A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62162181A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-07-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光学読取装置 |
| JP2011035901A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Xerox Corp | 選択可能な解像度を有するセンサアレイとその方法 |
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