JPS5923219A - 回転角検出計 - Google Patents
回転角検出計Info
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- JPS5923219A JPS5923219A JP13222382A JP13222382A JPS5923219A JP S5923219 A JPS5923219 A JP S5923219A JP 13222382 A JP13222382 A JP 13222382A JP 13222382 A JP13222382 A JP 13222382A JP S5923219 A JPS5923219 A JP S5923219A
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- thin film
- rotation angle
- magneto
- magnetic field
- detecting
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
- G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
- G01D5/145—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices influenced by the relative movement between the Hall device and magnetic fields
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、強磁性薄膜の磁気抵抗効果を応用して、回転
体の回転角′ｆ：検出する回転角検出ｅ［に係り、特に
強磁性磁気抵抗効果薄膜から形成される検出素子の改良
に関する。
体の回転角′ｆ：検出する回転角検出ｅ［に係り、特に
強磁性磁気抵抗効果薄膜から形成される検出素子の改良
に関する。
強磁性体の磁気抵抗効果（以下単に磁気抵抗効果と略す
）を応用して回軸木の回転角を検出する回１漱角検川ｄ
１として、従来よシ第１図又ｌｄ：第２図の原理図に示
されたものが知られている。
）を応用して回軸木の回転角を検出する回１漱角検川ｄ
１として、従来よシ第１図又ｌｄ：第２図の原理図に示
されたものが知られている。
第１図に示されたものには、被検回転体に係合された回
転軸ＩＫ取付けられた円板２の円板上表面の外周部に、
所定の微小磁石群から成る遠吠の磁化パターン３が形成
されている。この磁化パターン３に対向させて、ストラ
イブ状に形成された磁気抵抗効果薄膜弥から成る検出素
子４が近接前Ｉｆされている。この検出素子４の端子４
ａ、４ｂは、検出回路を形成する′ル源５と′ｔに圧＝
ｆａとに接続されている。
転軸ＩＫ取付けられた円板２の円板上表面の外周部に、
所定の微小磁石群から成る遠吠の磁化パターン３が形成
されている。この磁化パターン３に対向させて、ストラ
イブ状に形成された磁気抵抗効果薄膜弥から成る検出素
子４が近接前Ｉｆされている。この検出素子４の端子４
ａ、４ｂは、検出回路を形成する′ル源５と′ｔに圧＝
ｆａとに接続されている。
このように構成されることから、回転軸１の回転につれ
て、磁化パターン３が回転されると、検出素子４の受け
る磁界はその回転に応じて変化する。検出素子４の磁気
抵抗効果薄膜に磁界が作用すると、その磁化が回転され
て電気抵抗が変化する。検出２べ子４の電気抵抗が変化
すると、端子４ａ、４ｂ間のＩＺ）ＥＶが変化し、この
電圧変化によって、回転体の回転角を検出することがで
きる。
て、磁化パターン３が回転されると、検出素子４の受け
る磁界はその回転に応じて変化する。検出素子４の磁気
抵抗効果薄膜に磁界が作用すると、その磁化が回転され
て電気抵抗が変化する。検出２べ子４の電気抵抗が変化
すると、端子４ａ、４ｂ間のＩＺ）ＥＶが変化し、この
電圧変化によって、回転体の回転角を検出することがで
きる。
また、第２図に示されたものは、回転軸ＩＫ外周面に凹
凸部８の形成された円板７が取付けられておシ、この円
板７は強磁１生拐利から形成されている。この凹凸部８
に対向させて検出素子４が近接目旧庁されるとともに、
この検出素子４を挾んで永久磁石９が配置面されている
。なお前記凹凸部８ノヒツチｐは均等に形成されており
、このピッチｐに対向するように永久磁石９の長さｔが
形成されている。
凸部８の形成された円板７が取付けられておシ、この円
板７は強磁１生拐利から形成されている。この凹凸部８
に対向させて検出素子４が近接目旧庁されるとともに、
この検出素子４を挾んで永久磁石９が配置面されている
。なお前記凹凸部８ノヒツチｐは均等に形成されており
、このピッチｐに対向するように永久磁石９の長さｔが
形成されている。
このように構成されているととから、回転軸ｌが回転し
、凹凸部８の隣り合う凸部８ａが永久磁石９のＮ極、Ｓ
極と対向した時、永久磁石９による磁界は凸部Ｂａを通
して円板７との間に形成される。この時検出素子４はこ
の磁界の作用を受けない。一方、円板７が回転されて１
１合う四部８ｂが永久１銭石９の端部と対向した時、永
久磁石９による磁界が検出素子４に作用する。このよう
に回転体の回転角に応じて検出素子４に作用する磁界の
強さが変化する。この磁界の変化にともなって、検出素
子４の磁化が回転され、その電気抵抗が変化する。従っ
て、検出素子４の磁気抵抗変化、即ち、端子４ａ、４ｂ
間の′ｒは圧Ｖの変化を検出することにより、回転体の
回転角全検出することができるのである。
、凹凸部８の隣り合う凸部８ａが永久磁石９のＮ極、Ｓ
極と対向した時、永久磁石９による磁界は凸部Ｂａを通
して円板７との間に形成される。この時検出素子４はこ
の磁界の作用を受けない。一方、円板７が回転されて１
１合う四部８ｂが永久１銭石９の端部と対向した時、永
久磁石９による磁界が検出素子４に作用する。このよう
に回転体の回転角に応じて検出素子４に作用する磁界の
強さが変化する。この磁界の変化にともなって、検出素
子４の磁化が回転され、その電気抵抗が変化する。従っ
て、検出素子４の磁気抵抗変化、即ち、端子４ａ、４ｂ
間の′ｒは圧Ｖの変化を検出することにより、回転体の
回転角全検出することができるのである。
上記した従来例に適用された検出素子４について、＠３
図に示された部分詳細図を用いてさらに説明する。
図に示された部分詳細図を用いてさらに説明する。
第３図に示されたｇ＋１＜ 、検出素子４は膜厚りを有
する強磁性の磁気抵抗効果薄膜から形成されており、そ
の形状は幅Ｗ１長さやＬの直線状部４ｃ。
する強磁性の磁気抵抗効果薄膜から形成されており、そ
の形状は幅Ｗ１長さやＬの直線状部４ｃ。
４ｄを有した開ループ状になっている。ループの両端は
端子４ａ、４ｂとなっており、図示されてない検出回路
に接続されている。この検出素子４には、検出回路から
図示矢印１０に示された方向ＶＣ４流Ｉが流されるよう
になつＣいる。また、磁気抵抗効果薄膜漠は、通常その
一軸磁気異方性の磁化容易軸（図示矢印１１）を、図示
の如く、直線状部４ｃ、４ｄの直状方向と一致させて、
形成することが望ましいとされておυ、通常、磁気抵抗
効果に浸れたＮ １− ｐ ８合金又ｒ、ｔＮ］−ＣＯ
合金等から成る膜厚０．０３〜０．１ミクロンのものが
用いられている（応用磁気学会研究会！＃：）ｔ９ｓ２
年、２３−１参照）。
端子４ａ、４ｂとなっており、図示されてない検出回路
に接続されている。この検出素子４には、検出回路から
図示矢印１０に示された方向ＶＣ４流Ｉが流されるよう
になつＣいる。また、磁気抵抗効果薄膜漠は、通常その
一軸磁気異方性の磁化容易軸（図示矢印１１）を、図示
の如く、直線状部４ｃ、４ｄの直状方向と一致させて、
形成することが望ましいとされておυ、通常、磁気抵抗
効果に浸れたＮ １− ｐ ８合金又ｒ、ｔＮ］−ＣＯ
合金等から成る膜厚０．０３〜０．１ミクロンのものが
用いられている（応用磁気学会研究会！＃：）ｔ９ｓ２
年、２３−１参照）。
このように形成された検出素子は、一般に、図示矢印１
２に示す方向に磁界Ｈが印加されるように、即ち、磁界
の方向１２が前記磁化容易軸１１を直交するように（磁
化困難軸に一致させることと（司じ）閂装置される。
２に示す方向に磁界Ｈが印加されるように、即ち、磁界
の方向１２が前記磁化容易軸１１を直交するように（磁
化困難軸に一致させることと（司じ）閂装置される。
ところが、第１図又はａｌ’７２図に示された従来例の
回転角検出針にあって、検出素子の取付角度、＋ｌｌ］
ち、磁界の方向と前記磁化困１ｌｌｌ／：ＩＩＩＩＩＩ
とのなす角度θが少しでもずれると、検出素子の磁気抵
抗が犬きく変化し°Ｃしまりという現象があった。従っ
て、取付角度によって検出感凹および精度が著るしく低
下されてしまうという、実用上大きな欠点を有していた
。また、取付角度の精度を向上させるには、各（７９成
部品の製作及び組立種度を高めなけれ・ばならないこと
から、製作工数が増大され高ｆ＋ｌｆｆ１ものになって
しまうという欠点を有していた。
回転角検出針にあって、検出素子の取付角度、＋ｌｌ］
ち、磁界の方向と前記磁化困１ｌｌｌ／：ＩＩＩＩＩＩ
とのなす角度θが少しでもずれると、検出素子の磁気抵
抗が犬きく変化し°Ｃしまりという現象があった。従っ
て、取付角度によって検出感凹および精度が著るしく低
下されてしまうという、実用上大きな欠点を有していた
。また、取付角度の精度を向上させるには、各（７９成
部品の製作及び組立種度を高めなけれ・ばならないこと
から、製作工数が増大され高ｆ＋ｌｆｆ１ものになって
しまうという欠点を有していた。
本発明の目的は、取付角度の変化に対する磁気抵抗変化
を緩和させることができる磁気抵抗効果薄膜から成る検
出素子を得て、製作組立精度の許６範ｕｒＪを拡大させ
ることができ、且つ検出感度及び精度を向上させること
ができる回転検出計を提供することにある。
を緩和させることができる磁気抵抗効果薄膜から成る検
出素子を得て、製作組立精度の許６範ｕｒＪを拡大させ
ることができ、且つ検出感度及び精度を向上させること
ができる回転検出計を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成させるため、磁気抵抗効果薄
膜から成る検出菓子の膜厚を０．３ミクロン以上のもの
としたこと全特徴とする。
膜から成る検出菓子の膜厚を０．３ミクロン以上のもの
としたこと全特徴とする。
以下、本発明によって前記目的が達成される理由を説明
する。
する。
発明者らは、真空蒸着によ多形成した膜厚０．０５〜０
．２ミクＯ’７の５２Ｎｔ−ｔｓｐｅ合金の検出素子を
用いて実験を行い、特に検出素子の直線状部に作用する
磁界の方向が、磁気抵抗の変化に与える影ｌＩ！ＰＶＣ
ついて詳細に６周べた。その結果、第４図に示されるよ
うな関係が得られた。
．２ミクＯ’７の５２Ｎｔ−ｔｓｐｅ合金の検出素子を
用いて実験を行い、特に検出素子の直線状部に作用する
磁界の方向が、磁気抵抗の変化に与える影ｌＩ！ＰＶＣ
ついて詳細に６周べた。その結果、第４図に示されるよ
うな関係が得られた。
第４図において、横軸に示された角度θ（度）は、検出
素子の磁化困難軸と磁界Ｈの方向とがなす角度である。
素子の磁化困難軸と磁界Ｈの方向とがなす角度である。
また、縦軸に示された磁気抵抗変化ΔＲ／几。（％）は
、磁界強度が零のときの電気抵抗Ｒｏ と、磁界強度
がＨに変化したときの電気抵抗ＲＨとから、その磁気抵
抗の変化量ΔＲ−Ｒ＋ｏ ｎｒｒをＮｌ’Ｊ合で表わ
したものである。なお、図中曲制御３１，３２．３３は
、それぞれ膜厚が０．０５ 、０．１ 、０．２ミクロ
ンの検出素子に対応する特性曲線である。
、磁界強度が零のときの電気抵抗Ｒｏ と、磁界強度
がＨに変化したときの電気抵抗ＲＨとから、その磁気抵
抗の変化量ΔＲ−Ｒ＋ｏ ｎｒｒをＮｌ’Ｊ合で表わ
したものである。なお、図中曲制御３１，３２．３３は
、それぞれ膜厚が０．０５ 、０．１ 、０．２ミクロ
ンの検出素子に対応する特性曲線である。
第４図から明らかなように、角度θの″′０″度附近に
おいて、角度θがわずかに変化しただけで磁気抵抗変化
Δ几／１１ｏが極小値をもつ程大きく変化していること
が判った。
おいて、角度θがわずかに変化しただけで磁気抵抗変化
Δ几／１１ｏが極小値をもつ程大きく変化していること
が判った。
そこで、磁気抵抗効果薄膜のヒステリシス特性を測定し
たところ、角度θに対して前記極小値をもつ磁気抵抗効
果薄膜にあっては、第５図（ａ）に示すような対称形の
ものとはならず、角度θがθ”度かられずかにずれたと
き、即ち、磁界Ｈの方向が磁化困ｊｄｔ＝ ’＋’ｌｌ
ｌかられずかにずれたとき、第５図（Ｉ））に示すよう
な非対称のものになっていることが判った。
たところ、角度θに対して前記極小値をもつ磁気抵抗効
果薄膜にあっては、第５図（ａ）に示すような対称形の
ものとはならず、角度θがθ”度かられずかにずれたと
き、即ち、磁界Ｈの方向が磁化困ｊｄｔ＝ ’＋’ｌｌ
ｌかられずかにずれたとき、第５図（Ｉ））に示すよう
な非対称のものになっていることが判った。
さらに、磁気抵抗効果薄膜の膜厚りを変数とし、前１記
角度θを実用上問題となる±５度の範囲で変化させ、そ
のときの磁気抵抗変化Δ１１／ＲＯについて実験した。
角度θを実用上問題となる±５度の範囲で変化させ、そ
のときの磁気抵抗変化Δ１１／ＲＯについて実験した。
その結果、第６図に示された如く、膜厚りに対して、磁
気抵抗変化ΔＲ／■Ｌ。の最大値（Δａ／Ｊ’Ｌｏ ｌ
ｍ ａ ｘと最小値（ΔＲ／ｎｏ）ｍｉｎは、それぞ
れ曲線３４．３５のような関係になった。
気抵抗変化ΔＲ／■Ｌ。の最大値（Δａ／Ｊ’Ｌｏ ｌ
ｍ ａ ｘと最小値（ΔＲ／ｎｏ）ｍｉｎは、それぞ
れ曲線３４．３５のような関係になった。
第６図から明らかなように、膜厚りが０．２ミクロン〜
０．３ミクロンのｉｌｌ ＶＣおいて、前記最小値曲線
３５が急激に変化しており、０．２ミクロン以下では最
大値と最小値の差が大きく、これに対して０．３ミクロ
ン以上にすればその差が小さくなっていることが判る。
０．３ミクロンのｉｌｌ ＶＣおいて、前記最小値曲線
３５が急激に変化しており、０．２ミクロン以下では最
大値と最小値の差が大きく、これに対して０．３ミクロ
ン以上にすればその差が小さくなっていることが判る。
また、第６図図中に示したように、上記の臨界的変化に
対応して、ヒステリシス特性が非対称あ・ら対称に変る
点が存在している。
対応して、ヒステリシス特性が非対称あ・ら対称に変る
点が存在している。
従って、上記したように検出素子の磁気抵抗効果薄膜の
膜厚を０．３ミクロン以上とすることにより、取付角度
変化に対する磁気抵抗変化を緩和させることができるこ
とから、製作組立１９度の許容範囲を拡大させ、且つ、
検出感度及び精度を向上させることができるという効果
がある。
膜厚を０．３ミクロン以上とすることにより、取付角度
変化に対する磁気抵抗変化を緩和させることができるこ
とから、製作組立１９度の許容範囲を拡大させ、且つ、
検出感度及び精度を向上させることができるという効果
がある。
なお、上記したように、膜厚りを厚くする仁とによって
、検出感度が高められるという効果があるがミ磁界Ｉ−
Ｉによって励磁された検出素子から、その磁界１１とは
逆向きの磁界、いわゆる反磁界が発生されるということ
が知られている。この反磁界によって磁界［Ｉが影響を
受けるので、検出に支障が生じてしまうことから、その
反磁界強度Ｉｎｎは低くおさえなければならない。
、検出感度が高められるという効果があるがミ磁界Ｉ−
Ｉによって励磁された検出素子から、その磁界１１とは
逆向きの磁界、いわゆる反磁界が発生されるということ
が知られている。この反磁界によって磁界［Ｉが影響を
受けるので、検出に支障が生じてしまうことから、その
反磁界強度Ｉｎｎは低くおさえなければならない。
ところが、第３図に示された形状の検出素子から発生さ
れる反磁界強度ＨＤは、その磁気抵抗効果薄膜の飽和磁
束密度をＢｇとすると、近似的に次式（１１で表わすこ
とができる。
れる反磁界強度ＨＤは、その磁気抵抗効果薄膜の飽和磁
束密度をＢｇとすると、近似的に次式（１１で表わすこ
とができる。
ｆｌ）式から明らかなように、膜厚りを厚くすると検出
感興が高められる反面、反磁界強ＩｆＨｎが大きくなっ
てしまうという欠点がある。
感興が高められる反面、反磁界強ＩｆＨｎが大きくなっ
てしまうという欠点がある。
そこで、第７図に、前記反磁界を低減させることができ
る本発明の他の実施例が示されている。
る本発明の他の実施例が示されている。
第７図において、検出素子４の直状部４ｃ。
４ｄの・６膜端而に対向且つ近接させて、強磁性薄膜か
ら成る補償素子１３が配置されている。また、補償素子
１３と検出素子４とは互いに電気的に絶縁されている。
ら成る補償素子１３が配置されている。また、補償素子
１３と検出素子４とは互いに電気的に絶縁されている。
このように構成されることから、検出素子４に発生され
る反磁界は、４１１１償素子に発生される反磁界によっ
て打消され、前記反磁界強度ＨＤが大幅に低減される。
る反磁界は、４１１１償素子に発生される反磁界によっ
て打消され、前記反磁界強度ＨＤが大幅に低減される。
この低減効果は、検出素子４と補ｔＸｔ素子１３との端
面間隙Ｓとｊ膜厚りとに関係しており、実験によれば、
実質的にＳ≦ＩＯＤとすることにより得られる。
面間隙Ｓとｊ膜厚りとに関係しており、実験によれば、
実質的にＳ≦ＩＯＤとすることにより得られる。
さらに、本実施例の効果について、第８図に示された本
実施例による実測値に基づいて説明する。
実施例による実測値に基づいて説明する。
第８図の横軸は前記間隙Ｓをノ膜厚りで割ったＳ／Ｉ）
′ｆ：示し、縦軸は補償素子１３を設けたときの磁気飽
和に要する磁界Ｈｓを、補償素子１３を設けないときの
磁気飽和に要する磁界Ｈｇｏで割った値Ｈｓ／Ｈｓｏ
ｋ示している。ｆ（ｌ！／Ｉ−ＩＲｏは、その血が小さ
い程、検出性能が良いことを意味するものである。また
、図中の曲線４１は膜厚りが２１１１ｎ。
′ｆ：示し、縦軸は補償素子１３を設けたときの磁気飽
和に要する磁界Ｈｓを、補償素子１３を設けないときの
磁気飽和に要する磁界Ｈｇｏで割った値Ｈｓ／Ｈｓｏ
ｋ示している。ｆ（ｌ！／Ｉ−ＩＲｏは、その血が小さ
い程、検出性能が良いことを意味するものである。また
、図中の曲線４１は膜厚りが２１１１ｎ。
幅Ｗが２０ｚｚｍの８２Ｎトー１８Ｆ”ｅｔ１７Ｂ＠気
抵抗効果薄膜の場合であり、曲線４２は膜厚りが（）、
４ｐｍ、幅Ｗが３ Ｑ μｍの８２Ｎｉ−１８Ｆｌ）磁
気抵抗効果薄膜の場合である。
抵抗効果薄膜の場合であり、曲線４２は膜厚りが（）、
４ｐｍ、幅Ｗが３ Ｑ μｍの８２Ｎｉ−１８Ｆｌ）磁
気抵抗効果薄膜の場合である。
第８図から明らかなように、Ｓ／Ｄが１０以下になると
、）ｉｓ／Ｈｅｎが急激に低下されている。つまり、磁
気抵抗効果薄膜が小さな磁界で飽和に達し、反磁界低減
の効果が顕著でちることを示すものである。
、）ｉｓ／Ｈｅｎが急激に低下されている。つまり、磁
気抵抗効果薄膜が小さな磁界で飽和に達し、反磁界低減
の効果が顕著でちることを示すものである。
従って、本実３ｍ例によれば、前述の効果に加えて、膜
厚を厚くしたことによる反磁界を低減させることができ
ることから、十分に膜厚を厚くして検出感度を向上させ
ることができるという効果がある。竹に磁界１１け通常
２０〜１０００．程度の比較的小さなものであることか
ら、検出感度向上の効果は著るしいものとなる。
厚を厚くしたことによる反磁界を低減させることができ
ることから、十分に膜厚を厚くして検出感度を向上させ
ることができるという効果がある。竹に磁界１１け通常
２０〜１０００．程度の比較的小さなものであることか
ら、検出感度向上の効果は著るしいものとなる。
なお、検出素子の材料は、磁気抵抗効果薄膜の磁化困、
９１１Ａ ＃ｔｌ＋方向に磁界を印加したとき、その磁
化が飽和されるに要する磁界強度として定義される異方
性磁界が小さいことが重要である。従つ代Ｎ ｉ ｐ
ｅ 合波ノ異方性磁界１ｏｔａ 〜５０ｓであり、Ｎ
ｌ−Ｃ０合金にあってｔま３０〜７００ 、であること
から、Ｎｉ−Ｆｅ合金のものが適している。
９１１Ａ ＃ｔｌ＋方向に磁界を印加したとき、その磁
化が飽和されるに要する磁界強度として定義される異方
性磁界が小さいことが重要である。従つ代Ｎ ｉ ｐ
ｅ 合波ノ異方性磁界１ｏｔａ 〜５０ｓであり、Ｎ
ｌ−Ｃ０合金にあってｔま３０〜７００ 、であること
から、Ｎｉ−Ｆｅ合金のものが適している。
さらに、反磁界低減用の補償素子を検出素子と同一組成
の合金で、且つ膜厚も同じものとすノｔば、例えば、同
一ホトリソグラフィの工程でそれらを同時にパターン形
成することができることから、製作工程が、以めて簡単
化され、安価にできるという効果がある。
の合金で、且つ膜厚も同じものとすノｔば、例えば、同
一ホトリソグラフィの工程でそれらを同時にパターン形
成することができることから、製作工程が、以めて簡単
化され、安価にできるという効果がある。
以上説明したように、本発明によｉｔば、取イづ角度変
化に対する検出出力変化を緩和させることができること
から、製作組立精度の許容範囲が拡大されるとともに、
膜厚を厚くしても反磁界を低減させるととがヤきること
から検出感度が著るしく上 内されるという効果がある。
化に対する検出出力変化を緩和させることができること
から、製作組立精度の許容範囲が拡大されるとともに、
膜厚を厚くしても反磁界を低減させるととがヤきること
から検出感度が著るしく上 内されるという効果がある。
八
＠１図及び第２図は従来例の構成を示ｊ−斜視図、第３
図は検出素子の詳ノ圃斜視図、４４１−は説明のための
数例角度と磁気抵抗変化との関係を示す線図、第５図（
ａ）、 （ｂ）は磁気抵抗効果ｉＴ！ｌ菰のヒステリシ
ス１時性の説明図、第６図は本発明を説明するための膜
厚と磁気抵抗変化との関係を示す線図、第７図は本発明
の一実施例の斜視１１′り成因、第８図は本発明の詳細
な説明するためのＳ／ＤとＨｇＩ２−１ｓ。 との関係を示す線図である。 宅／図 第１／−レコ θ（渡り 弔５図 （ａ） ＜ｂ） 月りＬ乍蓼Ｄ（／ｕｍ） へ チ −ｂ ４／ さ
図は検出素子の詳ノ圃斜視図、４４１−は説明のための
数例角度と磁気抵抗変化との関係を示す線図、第５図（
ａ）、 （ｂ）は磁気抵抗効果ｉＴ！ｌ菰のヒステリシ
ス１時性の説明図、第６図は本発明を説明するための膜
厚と磁気抵抗変化との関係を示す線図、第７図は本発明
の一実施例の斜視１１′り成因、第８図は本発明の詳細
な説明するためのＳ／ＤとＨｇＩ２−１ｓ。 との関係を示す線図である。 宅／図 第１／−レコ θ（渡り 弔５図 （ａ） ＜ｂ） 月りＬ乍蓼Ｄ（／ｕｍ） へ チ −ｂ ４／ さ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、強磁性の磁気抵抗効果薄膜漠から形成され被検回転
体の回転角に応じて変化する磁界内に配置さｉｚる検出
素子と、該検出素子の磁気抵抗効果薄膜の磁気抵抗変化
を検出する検出回路と、を０ｍえて成る回転角検出計に
おいて、前記磁気抵抗効果薄膜は０．３ミクロン以上の
厚みを■するものであることをｌ特徴とする回転角検出
計。 ２、強磁性の磁気抵抗効果薄膜から形成され被検回転体
の回転角に応じて変化する磁界内に配置ｌされる検出素
子と、該検出素子の磁気抵抗効果薄膜の磁気抵抗変化を
検出する検出回路と、全備えて成る回転角検出計におい
て、前記磁気抵抗効果薄膜漠は０．３ミクロン以上の厚
みを有するものとし、強磁性薄膜から形成され当該膜端
面が前記磁気抵抗効果薄膜の膜端部に近接対向配置され
且つ相互に電気的に絶縁さルた補償素子を設けたことを
特赦とする回転角・検出削′。 ３、特許請求の範囲第２項記載の発明において、前記検
出素子と前記補償素子相互の膜端部間隙を前記磁気抵抗
効果薄膜のｊ膜厚の１０倍以下としたことを１特徴とす
る回転角検出計。 ４ 、 ｌＦ！ｊ許Ｃ青求のＩＫα囲第１項乃至第３項
記載の発明において、前記磁気抵抗変化薄ｒ１ｘ＋と前
記補償素子の強磁性薄膜とは同一材質で且つ同一膜厚に
形成されたものであることを！時機とする回転角イ灸出
δ１゛。 ５、特ＪＦｙＮ求の範囲第１項乃至第４項記載の発明に
おいて、前＋＋己磁気抵抗効果薄膜の材質はＮ１−Ｆｌ
ｅ、８−金から成るものであることを特徴とする回転
角検出Ｒ８
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13222382A JPS5923219A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 回転角検出計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13222382A JPS5923219A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 回転角検出計 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5923219A true JPS5923219A (ja) | 1984-02-06 |
Family
ID=15076259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13222382A Pending JPS5923219A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 回転角検出計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923219A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6165102A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-03 | Sony Magnescale Inc | 磁気信号検出装置 |
| DE3543603A1 (de) * | 1984-12-14 | 1986-06-19 | Nippondenso Co., Ltd., Kariya, Aichi | Stellungsdetektor |
| JPS61288161A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-18 | Nippon Denso Co Ltd | 回転検出装置 |
| JPS6264908A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-24 | Canon Electronics Inc | エンコ−ダ装置 |
| JPS63210616A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 磁気抵抗効果素子 |
| JPS63235815A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-09-30 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 磁気エンコ−ダ |
| US5021889A (en) * | 1989-02-20 | 1991-06-04 | Ricoh Company, Ltd. | Facsimile apparatus |
-
1982
- 1982-07-30 JP JP13222382A patent/JPS5923219A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6165102A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-03 | Sony Magnescale Inc | 磁気信号検出装置 |
| DE3543603A1 (de) * | 1984-12-14 | 1986-06-19 | Nippondenso Co., Ltd., Kariya, Aichi | Stellungsdetektor |
| JPS61288161A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-18 | Nippon Denso Co Ltd | 回転検出装置 |
| JPS6264908A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-24 | Canon Electronics Inc | エンコ−ダ装置 |
| JPS63210616A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 磁気抵抗効果素子 |
| JPS63235815A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-09-30 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 磁気エンコ−ダ |
| US5021889A (en) * | 1989-02-20 | 1991-06-04 | Ricoh Company, Ltd. | Facsimile apparatus |
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