JPS5923573A - 光起電力デバイスの製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、アモルファス・シリコン・アロイ層がデポジ
ション・チャンバ内で行われる連続的なグロー放電製造
法によってデポジットされろ基板材料の比較的大面積で
比較的薄いウェブのゆがみ状態を実質的に減少させる装
置に関する。特に、従来技術の連続製造グロー放電デポ
ジション装置において、基板材料のウェブは、引張り状
態で、連続的なアモルファス・アロイ層がデポジットさ
れる複数のデポジション・チャンバを介して、繰出しコ
アから移動される。複数のデポジション。

チャンバを介して、且つ巻取りコアへ移動する間に、基
板材料のウェブは普通の細長い移送パスをとる。とりわ
け、ｆｉｌウェブ上へのアモルファス半導体アロイ層の
デポジションに必要な高い温度、（２）ウェブ上に作用
する重力、（３）ウェブが従うデポジション・チャンバ
を介する普通の細長い移送パス、（４）ウェブそれ自体
の応力、のために、基板材料のウェブは、長手方向及び
横断方向のゆがみを受ける。本発明の装置は、基板材料
のウェブを、複数のデポジション・チャンバを通るその
普通の垂下した細長い移送パスを矯正し、はぼ平坦な移
送パスにするために、複数のデポジション・チャンバの
各チャンバ内にほぼ等しく離隔した複数の磁界を与える
ように適合されている。この方法において、基板材料の
ウェブは、はぼ平坦なデポジション表面を与えるようＫ
“平坦にされ（ｆｌａｔｔｅｎｅｄ、）“、この表面上
に均一のアモルファス・アロイ層がデポジットされる。

その結果、改良された高効率大面積の光起電力デバイス
が製造される。

近年、アモルファス半導体アロイをデポジットするプロ
セスを開発するためにかなりの努力が払われており、ア
ロイのそれぞれは比較的大きな面積を囲むことができ、
またアロイは、ｐ−ｊ、−ａ　　形デバイスを製造する
ためにｐ形及びル形を形成するようにド−プ処理でき、
動作において、結晶性半導体の相対物とほとんど等価で
ある。長年にわたって、このようなアモルファス・シリ
コン又はゲルマニウム膜に関する研究は、エネルギー・
ギヤツブ内に高密度の局在化状態を生成するマイクロボ
イド及びダングリング結合が存在するために、はとんど
非生産的であった。最初に、局在化状態の減少は、アモ
ルファス・シリコン膜のグロー放電デポジションによっ
て達成され、シラン（ＳＬＨ４）ガスは、反応管を通さ
れ、そこでガスは高周波（Ｒ，Ｆ、　）グロー放電によ
って分解され、約５００−６００　°Ｋ　（２２７−３
２７℃）の基板温度で基板上にデポジットされた。この
ようにして基板上にデポジットされた材料は、シリコン
及び水素より成る真性アモルファス材料である。ドープ
処理アモルファス材料を生成するために、ル形伝導性に
対してホスフィン・ガス（ＰＨ３）、又はｐ形伝導性に
対してジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスが、シラン・ガスと予
め混合され、同じ動作条件のもとでグロー放電反応管を
通される。このようにデポジットされた材料は、おそら
（置換性のリン又はホウ素のト９−パントを含有し、不
純物性を示し、ル゛又はｐ伝導形のものである。シラン
内の水素は、エネルギー・キャップ内の局在化状態の密
度を減少させるために、グロー放電デポジション中に、
最適温度でシリコンの多くのダングリング結合と組合う
ことが見出され、それによりアモルファス材料を更に近
似した対応する結晶性材料とした。

グロー放電により高質の電子特性を与えて、エネルギー
・ギャップ内の局在化状態の濃度を十分に減少させた非
常に改良されたアモルファス・シリコン・アロイを調製
することが今や可能であり。

この技法は、１９８０年１０月７日に発行された。

５ｔａｎｆｏｒｄ　Ｒ，０ｖｓｈｉｎｓｋｙ−及びＡｒ
ｕ、ｎ　Ｍａｄａｎの「結晶質半導体に等価なアモルフ
ァス半導体」と題された米国特許第４，２２６，８９８
号に十分に開示されており、また同じ名称で、１９８０
年８月１２日に発行された、５ｔａｒＬｆｏγｄＲ，ｏ
υ５ｈｉｒＬｓｋｙ及びＭａｓａｔｓｕ、ｇｕ、　ＩＺ
ＩＬの米国特許第４，２１７，３７４号に十分に記述さ
れたような蒸着によって達成されろ。これらの特許に開
示されたように、アモルファス・シリコン半導体に誘導
されたフッ素は、半導体内の局在化状態密度を実質的に
減少させるように作用し、ゲルマニウムのような他のア
ロイ材料の付加を容易にする。

活性化されたフッ素は、マトリクス・ボディー内のアモ
ルファス・シリコンに容易に拡散してそれに結合し、そ
の中の局在化欠陥状態の密度を実質的に減少させる。こ
れは、小さな寸法のフッ素原子がそれらをアモルファス
・シリコン・マトリクスに誘導しやすくするためである
。フッ素は、シリコンのダングリング結合に結合し、屈
曲自在の結合角を備えた部分的なイオン安定結合を形成
し、これは、従来使用されていた水素又は他の補償剤又
は変性剤によって形成し得たよりも安定で且つ効果的な
補償又は変性を生じさせる。フッ素は、単独で又は水素
と共に使用されるときに、水素よりも効果的な補償又は
変性元素と考えられ、この理由は、その極めて小さい寸
法、高い反応性、化学結合の特異性、高い電気陰性度に
ある。

補償は、フッ素単独で又は水素との組合せで、かかる元
素を極めて少量（例えば、１原子・ξ−セント以下）を
付加することで達成できる。しかし、使用されるのに最
も望ましいフッ素及び水素の量は、そのような少量より
はるかに多く、かかる元素がシリコン−水素−フッ素の
アロイな形成する。

従って、アロイを形成するフッ素及び水素の量は、例え
ば、０．１乃至５パ一セント以上の範囲で使用される。

このようにして形成されたアロイば、ダに低いエネルギ
ー・ギャップ内の欠陥状態密度を有する。特に、比較的
多量のフッ素の使用は、アモルファス・シリコン含有材
料の新規な構造形状をもたらすのに実質的に関与し、ゲ
ルマニウムのような他のアロイ材料の付加を容易にする
ように思われる。前述の特性に加えて、フッ素は、誘導
及びイオン効果を通して、シリコン含有アロイにおける
局部構造のオルガナイザーである。フッ素はまた、水素
が普通に寄与する欠陥状態の密度を減少させるように作
用することによって、水素の結合に影響を与える。フッ
素がそのようなアロイ内で演するイオンの役割は、最近
隣関係の点で重要なファクターである。

光起電力デバイスの効率を高めるために多層セルを使用
する概念は、１９６０年８月１６日に発行されたＥ、Ｄ
、　Ｊａｃｋｓｏｎ　の米国特許第２，９４９，４９８
号によって少なくとも１９５５年頃に論述された。ここ
で論述された多層セルの構造は、ｐ−ｎ接合の結晶半導
体デバイスを利用した。本質的に、この概念は、太陽ス
はクトルの種々の部分を効率よく集め、開回路電圧（■
ＯＣ）を増加させるために、種々のバンド・ギャップ・
デノミイスを利用することに向けられている。タノテム
・セル・デバイスは、各セルを介して直列的に向けられ
た光に関連ずろ２又はそれ以上のセルを有し、第一のセ
ル又は層を通過する光を吸収するために比較的小さなバ
ント９・ギャップ材料を伴う大きなバンド・ギヤツブ月
料を有している。各セルからの発生電流を実質的にマツ
チングすることで、全開回路電圧は、短絡回路電流をほ
とんど減少させずに、増加する。

Ｊａｃｋｓｏｎ　　以後に結晶スタック構造セルに関す
る多くの研究成果が報告されており、特に、スタック構
造セルにおいて５ｊ−Ｈ材料を扱う幾つかの記事が公表
された。Ｍａｒｆａｉｎ、ｑは、スタック構造セルにお
いて、シランでデポジットしたアモルファスＳｉ　−Ｇ
ｅ　　アロイの利用を提案したが、そｈを行う調法を報
告しなかった。西ドイツ、ベルリンにおけろ、１９７９
年の第ニョーロツノξ協同体光起電力太陽エネルギー会
議でのＹ、　ＭａｒｆσＬｎｇ　　に関する諸事録第２
８７頁。

Ｈａｍ、ａＪａｕｉσ他は、カスケード９形多層セルと
してここで定義されろ形状に５ｉ−Ｈを利用する調法を
報告した。このカスケード・セルは、その間に分離又は
絶縁層をもたない多層セルとして以下に参照さね７る。

各セルは、ｐ−ｔ−１接合構造で同じノζンｌ−’・ギ
ャップの５ｉ−Ｈ材料から作られた。短絡回路電流（Ｊ
５′Ｃ）のマツチングは、直列の光・ξスにおいてセル
の厚さを増加させろことによって試みらね２だ。期待さ
れたように、デ）ｅイスの全開回路電圧（■ＯＣ）は、
増加し、且つ利用されたセルθ）数−に比例した。

フッ素の導入により達成された有益な特性により、カス
ケード形の多層セルを製造するのに使用されたアモルフ
ァス・アロイは、今や、材料の電子的特性を損すること
なく、局在化状態σつ密度を減少させるために、フッ素
を混入している。更に、ゲルマニウム及び炭素のような
、ノくンド・ギャップ調整元素を、蒸着、スパタリング
又はグロー放電プロセスで活性化し且つ付加することが
できる。

バンド・ギャップは、１又はそれ以上の調整元素の必要
闇を、少な（とも光電流発生領域内のテ、＋セジットさ
れたアロイ・セルに誘導することによって、特定のデバ
イスの応用に対して必要に応じて調整される。バントゝ
・ギャップ調整元素は、フッ素の影響のために、実質的
に有害な状態を付加せずにセル内に与えられたので、調
整元素が特定の光応答応用に対してデバイスの波長特性
を与えろために付加されると、セル・アロイは、高い電
子的特性及び光導電性を維持する。フッ素と共に、又は
デポジション後に、水素を付加１−ることは、フッ素補
償又は変性アロイを更に高めることかできる。水素のポ
スト・デポジション混入（・ま、フツ素によって許され
る比較的高いデポジション基板温度を利用することが望
まれる場合に、有効である。

光起電力デバイスを大量生産することは、明らかに商業
上重要なことである。太陽電池の製造がバッチ処理に制
限されろ結晶シリコンと異なり、アモルファス・シリコ
ン・アロイは、比較的大きな面積の基板にわたって多層
にデポジットされ、大容積の連続処理システムで太陽電
池を形成することができろ。この種の連続処理システム
は、例えば、以下の係属中の米国特許出願に開示されて
いる。

「ｐド−プ処伸シリコン膜の製造方法及ヒソレから製造
されるデバイス」に関する１　９８０年５月１９日に出
願された特許出願箱１５１，３０１号；「アモルファス
半導体材料をデポジットするための連続システム」に関
する１９８１年６月１６日１（出願された特許出願箱２
４４，３８６号；［連続的なアモルファス太陽電池の製
造方法」に関する１９８１年６月１６日に出願された特
許出願箱２４０，４９３号； 「多チャンバ・デポジション及び分離システム及び方法
」に関する１９・８１年９月２８日に出願された特許出
願箱３０６．１４６号； 「タンテム形光起電力セルを連続的に製造する方法及び
装置」に関する１９８２年６月１９日に出願された特許
出願箱３５９．８２５号、これらの出願に開示されたよ
うに、基板材料のウェブは、連続的なデポジション・チ
ャンバを介して連続的に前送され、各チャンバは、特許
のアモルファス半導体アロイ材料のグロー放電デポジシ
ョンに使用される。Ｐ−６１形構造の太陽電池を製造す
る場合に、第一のチャンバは、基板上にｐ形アモルファ
ス・シリコン・アロイ層をデポジットするために使用さ
れ、第二のチャンバは、ｐ形層上に真性アモルファス・
シリコン・アロイ層をデポジットするために使用され、
第三のチャンバは、真性層上にル形アモルファス・シリ
コン・アロイ層をデポジットするために使用される。効
率のよい光起電力デバイスを製造するアモルファス半導
体アロイ層をデポジットするために、アロイ層の各々は
ほぼ均一の厚さのものであることが必要である。従来技
術のデポジション装置は、（１）基板上に作用する重力
、基板を伴う細長い移送パス、ウェブ自体の応力、基板
が連続的に受ける高いデポジション温度、によって生ず
る基板材料のウェブの横断方向のゆがみ（ゆがみは同義
的にバックリング：　ｈａｃｋｌｉｎｇ又はカヌーイン
グ：ｃａｙ１．ｏｅｉｔＬｇも意味する）、或いは、（
２）駆動及びテンション・モータによって開始される基
板上の張りが十分に注意深く調整されていないときに生
ずる基板材料ウェブの長手方向のゆがみ、を防止できな
いということが判明した。基板がゆがむときに、ピーク
と谷が形成される。谷部でデポジットされるアモルファ
ス・アロイ材料の厚さが厚くなり、ピーク部ではアモル
ファス・アロイ材料カブポジットされず又は薄くなるこ
とはわかりきっている。このようなアモルファス半導体
アロイ層の不均一のデポジションは、望ましいものでは
なく、短絡回路を生成し、それから形成される大面積光
起電力デバイスの効率及び動作を］昌うように作用する
。

１つの方法は、デポジション・チャンバを通って移動す
る基板材料のウェブの横断方向及び長手方向のゆがみを
除去又は実質的に減少させることである。本発明の装置
は正にこの目的に向けられている。特に、本発明は、ウ
ェブなほぼ平坦な形状に強制してウェブを平坦にするた
めに、各デポジション・チャンバに少なくとも１つの磁
界を確立することを意図している。これは、各デポジシ
ョン・チャンバを通るその普通の細長い移送パスから基
板拐料の磁性ウェブを移動さぜることによって達成され
ろ。磁界によって生成されろウェブの平坦化により、は
ぼ均一のアモルファス半導体アロイ層が基板材料のウェ
ブ上にデポジットされ、従って、大面積光起電力デバイ
スの全効率を増加させる。

本発明のこれら及び他の目的及び利点は、図面及び本発
明の詳細な説明から明らかになろう。

ここでは、アモルファス半導体アロイがそれぞレテホシ
ットされる複数の高温、低圧デポジション・チャンバを
介して移動する比較的大面積で比較的薄い磁性基板材料
のウェブに生ずるゆがみを実質的に減少させることによ
って、改良された大面積光起電力デバイスを製造する装
置が開示されている。大量生産機械において、基板材料
のウェブは、供給ローラから、テンション状態のもとで
、一連のデポジション・チャンバを通り、最終的に巻取
りロールに巻回される。基板材料ウェブがデポジション
・チャンバを通ると、それは、普通の細斐く延びた移送
・ξスをとる。高いデポジション温度、基板の細長（延
びた移送パス、基板上の応力、基板を横切る不均一の温
度分布、基板上の重力・のようなファクターのために、
基板材料ウェブはゆがむ傾向を有する。前述のように、
ゆがみ状態は、それが基板材料ウェブ上に不均一の半導
体アロイ層のデポジションを促進するので、望ましいも
のではない。本発明の改良は、各デポジション温度から
ほぼ平坦な移送パス：（強制するように適合され、それ
によってゆがみを実質的に減少させる。この方法におい
て、均一なアモルファス半導体アロイ層を基板材料の平
坦にされたウェブの一表面にデポジットすることができ
る。１つの好適な実施例において、基板材料ウェブは、
番まぼ等しく離隔された複数のセラミック磁石の列によ
ってその普通の移送パスから上方に強制され、各磁石列
は基板材料ウェブの全横幅をほぼ横切って延在する。複
数の細長い中空の管が複数列のそれぞれのセラミック磁
石を収容するために設けられる。各磁気組立体の長さは
、基板材料の磁性ウェブの横幅にほぼ一致している。ま
た、この好適な実施例において、管の数は、各デポジシ
ョン・チャンバの長手方向に沿って約８乃至１０インチ
（２０，３２乃至２５．４＋漂）で管を等しく離隔する
のに十分なものである。

本発明の他の実施例において、基板材料ウェブは、複数
の回転可能な磁性素子によってほぼ平坦な移送パスに上
方向に強制される。この実施例において、基板材料の磁
性ウェブの積層されない表面ハ、テンションを増加させ
且つ基板材料ウェブ上に平坦なデポジション表面を生成
するだけでなく、基板材料の磁性ウェブの積層されない
表面と磁性素子との間の摩擦接触を減少させるためにも
、磁性素子との回転接触を強制される。表面摩擦の減少
は、デポジション・チャンバを通る基板の移送ノξスの
長さが増大するほど重要になる。容易に明らかとなるよ
うに、複数のｐ−１−ｎ形光起電力セルを製造するため
に複数のデポジション・チャンバが必要とされる大量生
産機械において、基板拐料ウェブは非常に長い移送パス
をとる。ウェブ上に作用する静止した磁力を克服するた
めに動力の大きい駆動モータを用意するのは望ましくな
いので、回転可能な磁性素子が増々重要になる。摩擦を
減少させた実施例において、磁性素子は、基板材料の磁
性ウェブの全横幅をほぼ横切って延在させろために、デ
ポジション・チャツバの各々の内に回転可能に支持され
る。磁性素子は、軸に回転可能に設けられ、中空管によ
ってカプセル化された円形周辺を有する複数のセラミッ
ク磁石でもよく、或いは軸のまわりに回転可能に配置さ
れ、管によってカプセル化された電磁コイルでもよい。

磁界の分布に拘らず、好適な実施例は、基板材料の磁性
ウェブを平坦にすることによってゆがみを減少させるた
めに、デポジション・チャンバの長手方向に沿って約８
乃至１０インチ（２０，３２乃至２５．４ｃｍ）毎に磁
界を作ることを意図している。

従って、本発明の目的は、アモルファス半導体アロイ層
が基板の一方の表面にデポジットされる少なくとも１つ
の分離したデポジション・チャンバを通って普通の細長
く延びた移送パスに従うように適合された、比較的大面
積で比較的薄い基板材料ウェブのゆがみを実質的に減少
することによって、改良された光起電力デバイスを製造
する装置を提供することである。本発明の装置は、少な
くとも１つのデポジション・チャンバ内に吸引力を作る
ことによって基板側斜のウェブを平坦ｆヒする手段を設
け、この吸引力がウェブをその普通の移送パスからデポ
ジション・チャンバを通る実質的に平坦な移送・ξスに
強制し、基板材料ウェブのゆがみが実質的に減少され、
それにより均一のアモルファス半導体アロイ層がウェブ
の一方の表面にデポジットされることを特徴としている
。

本発明を図示実施例に従って以下に説明する。

■、光起電力セル 第１図を特に参照すると、それぞれがアモルファス半導
体アロイを含む連続的なｐ　−ｊ、　−Ｗ層から形成さ
れたタンデム形成いはカスケードゝ形光起電力セルが参
照数字１０によって示されている。

基板材料ウェブのゆがみを実質的に減少させる本発明の
装置が開発されたのは、このタイプの光、起電力デバイ
スの大量生産のためであり、このデバイスのアモルファ
ス・アロイ層は、連続的な分離した６個のデポジション
・チャンバ内で移動する基板材料チャンバ上に連続的に
デポジットされる。

特に、第１図は、太陽電池１２α、１２ｂ、１２Ｃのよ
うな複数のｐ−１−ル　形光起電力デバイスを示してい
る。最下位セル１２ａの下には基板１１があり、この基
板は、透明であってもよく、或いは金属表面加工箔から
形成されてもよい。ある種の応用には、アモルファス材
料の適用に先立って、薄い酸化物層及び／又は一連のベ
ース接触を必要とするが、本件出願に関しては、用語“
基板“は、可撓性の膜だけでなく、予備的処理によって
それに付加される任意の素子をも含めろ。たいていの場
合、基板材料１１は、ステンレス鋼、アルミニウム、タ
ンタル、モリブデン、又はクロームでよい。

セル１２α、１２ｈ、１２Ｃのそれぞれは、少なくとも
シリコン・アロイを含有するアモルファス・アロイ・ボ
ディーで作られる。各アロイ・ボディーは、ル形伝導性
領域又は層２０（Ｚ、２０ｈ、２０Ｃ；真性領域又は層
１８ａ、１８ｂ、１８Ｃ；　ｐ形伝導性領域又は層１６
ａ、１６ｈ、１６Ｃ；を含む。図示のように、セル１２
ｂは中間セルであり、第１図に示されたように、付加的
な中間セルを、本発明の精神及び範囲から逸脱せずに、
図示のセルの頂部に槓み上げることもできろ。また、タ
ンデム形のｐ−も−ルセルが図示されているが、本発明
の基板のゆがみを減少させる装置は、（１）タンデム形
のルーも一１セルを製造するように適合される多チャン
バ装置、或いは、（３）ショットキー又はＭＩＳ形セル
を製造するように適合される多チャンバ装置、に同様に
利用される。換言すると、本発明は、大面種基板のゆが
みが問題となる任意の装置に利用できろ。

セル１２α、１２ｂ、１２ｃのそれぞれに関して、ｎ形
層は、光吸収、高伝導性アロイ層を特徴としている。真
性アロイ層は、特定のセルの応用に対してバンド・ギャ
ップを最適にするために十分な量の１又はそれ以上のバ
ンド・ギャップ調整元素を含み、太陽光応答に対する調
整された波長閾値、高い光吸収、低い暗導電度、高い光
伝導度、を特徴としている。真性層は、最小のバンド・
ギャップを有するセル１２α、最大のバンド・ギャップ
を有するセル１２ｃ、他の２つの間のバント９・ギャッ
プを有するセル１２’Ａ、を与えるためにバンド・ギャ
ップ調整されるのが好ましい。ｎ形層は、低い光吸収、
高い伝導性アロイ層を特徴としている。ｎ形層の厚さは
、約２５乃至１００オングストロームの範囲で可能であ
る。バンド・ギャップ調整されたアモルファス真性アロ
イ層の厚さは、約２０００乃至６０００オングストロー
ムの範囲で可能である。ｎ形層の厚さは、５０乃至２０
０オングストロームの範囲で可能である。正孔の比較的
短い拡散長のために、一般にｎ形層は可能な限り薄いも
のである。更に、最外層、ここではｎ形層２０Ｃ１は光
の吸収を避けるために可能な限り薄くされ、バンド・ギ
ャップ調整元素を含む必要はない。

アモルファス半導体アロイ層のデポジションに続いて、
別のデポジション・ステップが別の環境で実行可能であ
ることが理解されるべきである。

このステップにおいて、ＴＣＯ（ｆｉ明導電酸化物）層
２２が付加され、この層は、例えば、インジウム・スズ
酸化物（ＩＴＯ）、　第二スズ酸カビミウム（Ｃｄ　２
　Ｓ　ｎＯ４）　、又はド−プ処理された酸化スズ（Ｓ
ル０２）である。電極グリッド２４をデバイスに付加す
ることができるが、十分に小さな面積を有するタンデム
形セルに関して、ＴＧＯ層２２は概して十分に導電性で
あり、グリッド２４は不要である。タンデム形セルが十
分に大きな面積のものである場合、或いはＴＣＯ層２２
の導電度が年中とができろ。

■、多ダグロー放電デポジションチャンバ第２図を参照
すると、第１図に関連して前述された、タンデム形光起
電力セルを連続的に製造する多グロー放電チャンバ・デ
ポジション装置２６が概略的に示されている。装置２６
は、複数の分離したデポジション・チャンバ２８．６０
．６２を備え、隣接のチャンバはガス・ゲート４２によ
って相互に接続されている。

装置２６は、連続的に供給される基板材料ウェブ１１の
デポジション表面にｐ−乙一ル構造を有する大面積のア
モルファス光起電力セルを太ｉに製造するように適合さ
れろ。ｐ−ｉ−ル構造のタンデム形セルを製造するのに
必要とされろアモルファス・アロイ層をデポジットする
ために、装（（２６は、少なくとも１つの６個組のデポ
ジション・チャンバを備え、各組は、基板材料ウェブ１
１の通過時に、ｐ形伝導性アモルファス・アロイ層が基
板材料ウェブ１１のデポジション表面上にデポジットさ
れろ第一のデポジション・チャンノ′−２８；基板材料
ウェブ１１の通過時に、頁性アモルファス・アロイ層が
基板材料ウェブのデポジション表面上のｐ形アロイ層の
頂部にデポジットされろ第二のデポジション・チャンバ
ぐろ０；基板材料ウェブ１１の通過時に、ル形伝導性ア
ロイ層が基板材料ウェブ１１のデポジション表面上の真
性層の頂部にデポジットされろ第三のデポジション・チ
ャンバ６２；より成る。

（１）１つの６個組デポジション・チャン・ミが記述さ
れたが、任意のアモルファス層の数を有する光起電力セ
ルの製造能力を有する機械を提供するために、付加的な
６個組又は付加的な個別のチャンバを機械に付設するこ
とができ、また、（２）本発明の磁界形成装置は、細長
く延びた、比較的薄く、比較的大面積の基板材料ウェブ
が細長く延びた移送パスをとり、ウェブのゆがみが望ま
しくない特性を示す任意の環境において、ゆがみを減少
させる場合に応用できる、ということが明らかである。

従って、本発明は、高温低圧のプロセスで特に価値があ
る。

装置２６がタンデム形のｐ−Ｌ−ル又はルーＬ−Ｐ形の
光起電力セルを製造するために使用されろ場合、伺加的
な６個組のデポジション・チャンバが第２図に示された
６個組のデポジション・チャンバに接続されろ。これら
の例において、装置２６は、更に、第三のデポジション
・チャンバろ２を介して流れろル形反応ガス混合物と次
に続くろ細組の第一のデポジション・チャンバを流れろ
ｐ形反応ガス混合物とを分離する中間チャンバ（図示せ
ず）を備える。

ろ細組の各デポジション・チャンバ２８、ろ０１６２は
、基板材料ウェブ１１上へのグロー放電デポジションに
より、単一のアモルファス・シリコン・アロイをデポジ
ットするように静合されろ。

この目的のために、デポジション・チャンノミ２８．３
０、ろ２のそれぞれは、カソード６４；各カソードろ４
の６つの側部を囲むように配置されたシールド″６５；
ガス供給導管ろ６；真性デポジション・チャンバの両側
に配置された不活性掃引ガス導管６７；高周波発生器ろ
８；第２図に４０として示されたような複数の輻射加熱
素子：各デポジション・チャンバを分離するガス・ゲー
ト４２；を備えている。

供給導管６６は、各デポジション・チャンバ２８．６０
、ろ２内で、前記カソード゛、カン＝ドンールド６−５
及びそこを移動する基板１１０間で形成されろプラズマ
領域に、反応ガス混合物を供給するために、それぞれの
カッ−１６４に動作的に関連している。カソード・シー
ルドろ５は、基板材料ウェブ１１に関連して機能し、デ
ポジション・チャンバのカソード領域内にプラズマを実
質的に制限す７．）。基板材料ウェブ１１上の供給コア
１１σは第一のデポジション・チャンバ２８に回転可能
に位置決めされて示され、基板材料ウェブ用の巻取りコ
ア１１ｈは第三のデポジション・チャンバ６２に回転可
能に位置決めされて示されているが、供給コア１１ａ及
び巻取りコア１１ｈは１本発明の精神又は範囲を逸脱せ
ずに、図示の６個組のチーＶンバに接続された他のチャ
ンバに位置決めできろことが理解されるべきである。

高周波発生器ろ８は、カソード６４、輻射ヒーター４０
．接地された基板１１に関連して作動し、デポジション
・チャンバ２８．６ｏ、６２に入る元素の反応ガスをデ
ポジション種に分離することによってプラズマ領域を形
成する。次に、デポジション棟は基板材馴ウェブ１１上
にアモルファス・シリコン・アロイ層としてデポジット
されろ。

第１図に示された光起電力セル１０を形成するために、
ｐ形アモルファス・シリコン層は、デポジション・チャ
ンバ２８内の基板材料ウェブ１１上にデポジットされ、
真性アモルファス・シリコン・アロイ層は、デポジショ
ン・チャンバ６０内でｐ形層の頂部にデポジットされ、
ｎ形アモルファス・シリコン・アロイ層は、デポジショ
ン・チャンバ３２内で真性層の頂部にデフ１！′ジツト
されろ。

その結果、装置２６は、少なくとも６つのアモルファス
・シリコン・アロイ層を基板材料ウェブ１１上にデポジ
ット１−ろ。デポジション・チャンバ６０内でデポジッ
トされた真性層は、ドーパント又はド−ピング種として
以下で参照されろ少なくとも１つの元素の実質的ノ、Ｃ
不存在によってデポジション・チャンバ２８及びろ２内
でデポジットされた層とは組成において相違している。

基板１１上にデポジットされたアモルファス・アロイ層
のそれぞれは、高効率の光起電力デーぐイス１０を製造
するために、ｉｌｌ高純度のもので、（２）はぼ均一の
厚さのものである、ことが重要である。

純粋な層を達成する場合の１つのステップは、真性アロ
イ層を形成するために真性ガスのみを導入した真性デポ
ジション・チャンバ６０を、ドーピング種ガスが導入さ
れるド一・ξント・デポジション・チャンバ２８及び３
２から、実質的に分離することである。この分離は、デ
ポジション・チャンバ３０内の真性ガス濃度対ド−パン
ト・デポジション・チャンバ２８及びろ２内のドーピン
グ種ガス濃度において少なくとも１０　の比率を与える
のに十分でなければならないが、分離度が大きい程、高
い効率のセルを生成する。１９８２年４月２９日に出願
され、“磁気ガス・ゲート″と題された係属中の米国特
許出願第６７２，９６７号に開示された、４２のような
磁気ガス・ゲートの使用により、本発明の装置は基板が
通過する開口の寸法を減少させろことによって汚染を実
質的に減少させろことができろ。しかし、開口の寸法が
減少されろと、基板のゆがみは更に問題となる。その理
由は、ゆがんだ基板の積層されたピークがガス・ゲート
開口の壁部に接触し且つそれを切削し、それにより製造
されろ光起電力デバイスの動作に悪影響を与えるためで
ある。従って、デポジション装置内で基板のゆがみを制
御することが更に必要となる。基板材料ウェブの平坦化
により均一の半導体層がデポジットされるだけでなく、
これらの半導体層がガス・ゲート開口の壁を切削するこ
とにより除去されないということも明らかである。

Ｉ■、基板吸引力を発生する装置 第６図を参照すると、前述の複数のデポジション・チャ
ンバの一例の拡大図が参照数字２９によって示されてい
る。前述のように、デポジション・チャンバ２９の内部
には、カソード６４、カソード・シールド６５、電源ろ
８、供給導管ろ６、対向配置されたガス・ゲート４２、
各ガス・ゲート４２に隣接する不活性掃引ガス線管ろ７
、が配置節されている。複数の細長い等間隔の輻射加熱
素子４０は、基板１１の平面上に配置′され、且つこの
平面に関して直角に配置され、この基板は、第６図にお
いて、波動する実線４６αで示された普通の移送パスを
とる。細長い加熱素子４０の角度をもった配置（これに
より、加熱素子４０はその中央部に隣接する基板１１上
に最も接近している）は、基板１１の横幅を横切る均一
の温度分布を与える。この概念は、゛基板を均一に加熱
する装置Ｍ：　”と題された１９８２年７月１２日出願
の係属中の米国特許出願第３９７．１８９号に十分に開
示されている。

ガス・ゲート４２は、ト９−パント・デポジション・チ
ャンバ２Ｂ及び６２かも真性チャンバ６０への反応ガス
成分の逆流又は拡散による汚染を実質的に防止している
間に、チャンバ２８、ろ０１６２のような隣接のデポジ
ション・チャンバラ接続する比較的狭い通路４６を提供
する。ドーパント・デポジション・チャンバからの逆拡
散を最小［￥るために、また前述の“′磁気ガス・ゲー
ト”と題された係属中の特許出願に記載されたように、
（１）アルゴンのような不活性ガスは、ガス・ゲート４
２の高圧側（真性デポジション・チャンバ側）で導入さ
れ、不活性ガスは、基板材料ウェブ１１の両側で低圧の
ド−パント・デポジション・チャンバ２８及び６２に吸
引され、（２）複数の磁性素子は、基板材料の磁性ウェ
ブ１１の積層されない表面を通路壁の一方に摺動接触さ
せる磁界を発生させろために、ゲート内で使用されろ。

基板１１の積層されない表面（・１通路４ろの一方の壁
に強制されるので、基板１１の積層された表面を反対の
通路壁に接触させず、またそれによって切削せずに、開
口の高さを減少させろことができろ。しかし、縮小され
た通路開口は、真性デポジション・チャンバへのド−パ
ント種の逆拡散を実質的に減少させるのが可能であるが
、基板材料ウェブ１１がその普通の細長く延びた移送パ
ルスに沿って移動するときに、基板材料ウェブが垂下（
わずかな垂下であっても）するのを防止できない。この
普通の移送パスにおいて、細長く延びたウェブは、ガス
・ゲート４２を通過するときに最上位にあり、デポジシ
ョン・チャンバの中央付近で最下位にある。

わずかな垂下は、（１，１巻取りコアを駆動する基板移
動モータ、（２）供給コアに接続される基板テンジョン
・モータ、及び（３）磁気ガス・ゲートの使用に拘らず
生ずるということに留意されたい。

チャンバを通って移動する基板のわずかな垂下は、本質
的にまたそれ自体、本装置によって製造されろ最終的な
光起電力デバイスにとって有害ではない。加熱素子４０
が基板材料ウェブ１１の加熱により得られる高温、ウェ
ブの細長く延びた移送パス、ウェブを横切る不均一な温
度分布、動力が基板１１をゆがませろように結合しなけ
れば、本発明のウェブ平坦化装置は不要であろう。しか
し、基板材料のゆがんだウェブ１１によって与えられろ
横断方向の起伏にかんがみて、その上にデ均一の層がデ
ポジットできたとしても、基板材料のゆがんだウェブの
ピーク部は、ガス・ゲート通路の狭い壁をこすり、それ
によって切削される。

従って、基板材料のゆがんだウェブ１１がも形成されろ
光起電力デバイスの効率及び動作が損われろ。それ故、
基板材料ウェブのゆがみを実質的に減少させることが重
要である。ゆがみが減少されると、ガス・ゲート通路を
こすることのないほぼ均一の半導体層のデポジションが
得られろ。本発明は正にこの目的に向けられている。

前述のことを考慮して、第６図乃至第７図を参照すると
、基板材料ウェブ１１をほぼ平坦にする吸引力は、複数
の離隔した磁石５０によって与えられる。磁石５０は、
セラミック材料（例えば、ＢａＯ−６Ｆｅ　２０３）か
ら形成されるのが好ましい。その理由は、このようなセ
ラミック材料は、本質的に軽量で、比較的低床で、高温
で安定で、旧つ強い磁界を発生できるためである。磁石
５０は、第６図乃至第５図において、約２．５ＣｒｆＬ
幅Ｘ２．５ｃｍ高×５ｃｒＩＬ長の矩形パーとして示さ
れているが、磁石５０は、（１）寸法、（２）形状、或
いは（３）セラミック側斜に、制限されない。磁石５０
は、基板拐料の磁性ウェブ１１上へのアモルファス半導
体アロイ層のデポジションに必要とされる高温、低圧で
、汚染のな（０強い基板吸引力を与えることができろと
いうことが必要であるにすぎない。

第４図は、本発明の第一の好適な実施例を示しており、
複数のほぼ矩形のセラミック磁石５０は、細長い、はぼ
矩形状の、比較的薄い壁の中空管５２内に収容されるよ
うに適合されろ。中空管５２は、基板材料ウェブ１１の
横断方向の幅をはぼ横切って延在し、任意の周知の機構
によってデポジション・チャンバの両壁に固設されるよ
うに適合される。管５２は、（１）基板材料ウェブの横
断方向の幅を横切って複数の商用サイズのセラミック磁
石５０を“じゆずつなぎにする（ｓｔｒｉｎｇｉｎｇ）
−ための、また（２）磁石が周期的に加熱及び冷却され
るときにガス抜きによって生ずる汚染を防止するように
磁石５０をカプセル化するための、有効な機構を提供す
る。基板材料の４０ｃＩｒＬ幅のウェブに関して、少な
くとも８個の５ｃｗＬ長のセラミック磁石５０が管５２
に挿入され、従って、この管の長さは少なくとも４０ｃ
ｍでなければならない。端部キャップ５４は、管５２の
終端をシールし、カプセル化を完成するために使用され
る。十分な強さの吸引（磁気）力を発生させるために、
カプセル化されたセラミック磁石５０は、各デポジショ
ン・チーＶンバ２９を通る基板材料ウェブ１１の細長く
延びた移送・ξスの長手方向全体に沿って、はぼ等しい
約２０乃至２５ｃｍのインターバルで間隔を与えるべき
であるということが決定された。カンード・シールド６
５の側壁３５ａのそれぞれに一列のカプセル化された磁
石を整列させることにより、磁石５０は、プラズマをカ
ソード領域に制限するの罠役立つ付加的な利益を与える
。そして、基板材料ウェブ１１を十分に平坦化するため
に、カプセル化されたセラミック磁石５０は、基板材料
ウェブ１１の普通の細長く延びた移送パス（第６図に実
線で図示）上にガス・ゲート４２付近で約６Ｕの高さに
、またデポジション・チャンバの中心付近で約６．５　
ｍｔｘの高さに配置される。磁気組立体の前述の位置決
めにより、基板材料の磁性ウェブ１１は、磁界によって
発生されるテンションのもとで、その普通の移送パスか
ら外れて、第６図の破線４６ｂによって示されたほぼ平
坦な移送パスに偏倚される。磁界のために、ゆがみは実
質的に減少され、それによって、均一の厚さのアモルフ
ァス半導体層をデポジットできる平坦な表面を与える。

第５図は、本発明の第二の実施例を示し、対応する形状
の端部キャップ５４ａを備えた、個別的な、比較的短い
、はぼ矩形状の、比較的薄い壁の中空管５２αが各セラ
ミック磁石５０をカプセル化するために設けられる。各
横断方向の列における管−磁石組立体の数は、第４図に
関連して記述されたように、基板材料ウェブ１１の横断
方向の幅を横切ってほぼ延在するのに十分なものである
。

管−磁石組立体の列の数、及び基板材料ウェブ１１上の
それらの高さはまた、第４図に示され且つ前述された列
の数及び高さと同じである。

第６図及び第７図は、本発明の別の実施例を示し、これ
らの実施例は、基板材料ウェブ１１が非常に長い移送パ
スを伴う複数のｐ−１−ｎ形グロー放電デポジション・
チャンバを備えた大量生産機械に使用するように特に適
合されている。多チャンバ機械において、基板材料の磁
性ウェブに作用する磁界によって発生される初期の慣性
及び摩擦力を克服する目的だけに高出力が必要とされる
ときに、高出力能力を有する駆動モータを準備するのは
望ましくない。磁気組立体を備えた多チャ／バ機械に対
する高出力モータの必要性を軽減する目的のために、デ
ポジション・チャンバ内に磁気組立体を回転可能に設け
ろことが本発明のこの実施例の目的であり、それにより
、基板材料ウェブは、これらの磁気組立体と、摺動接触
よりはむしろ回転接触を強制される。

第６図の摩擦が減少する実施例において、磁性素子は、
１又はそれ以上の軸方向に開孔されたほぼ円筒形状のセ
ラミック磁石５０ａの形態をとる。

軸方向の孔５６は、その中に細長い軸５８を収容するよ
うに適合される。円筒状磁石５０αの外径とほぼ等しい
内径を有する。細長い、中空の、はぼ円筒形状の管６０
は、そこに複数の円筒状磁石５０αを収容するように適
合される。円筒形状の管６０は、その閉止端６４を通っ
て形成された孔６２、端部キャップ６８の端壁６６を通
って形成された対応する孔７０、を有し、このキャップ
は、管６０と協働し、円筒状磁石５０ａをカプセル化す
る。細長い管６０の長さｉ、基板材料ウェブ１１の横断
方向の幅にほぼ等しい。円筒状の管６０内に収容される
セラミックの円筒状磁石の数は、それぞれ個々の磁石の
長さに依存し、基板材料ウェブの横断方向の全幅にわた
って吸引磁界を与えろことができなげればならない。前
述の実施例と同様に、＋１１管状組立体の十分な数が各
デポジション・チャンバの長さ方向に沿って２０乃至２
５ＣＴＬのインターバルで前記組立体を離隔するように
与えられるべきであり、（２）この組立体は、基板材料
ウェブの上方に、ガス・ゲート付近では約６朋の高さに
、デポジション・チャンバの中心付近で６．５　ｍｍの
高さに配置されるべきである。管６０内にカプセル化さ
れた円筒状磁石５０ａと、管６０及び磁石５０ａを回転
可能に取付ける軸５Ｂと、により、管６０は、デポジシ
ョン・チーヤンバ２９内に回転可能に設置されろ。基板
相料の磁性ウェブ１１は磁気組立体に対して偏倚される
ので、前記組立体は、軸５８のまわりで回転し、それに
より、デポジション装置を介してウェブを移動させるの
に必要な力を減少させろ。

第７図を参照すると、基板吸引力が回転可能に設けられ
た電磁コイル７２（電磁へのリードは図示せず）によっ
て発生されろ本発明の最後の好適な実施例である。電磁
コイル７２は金属棒７４のまわりに巻かれた状態で図示
されているが、軸５８ａ自体は磁界を発生させろために
使用できろことは明らかである。第６図の磁石に関連し
て前述したように、細長い円筒形状の管６０ａと対応す
る形状の端部キャップ６８（このキャップは貫通孔７０
を有する端壁６６を含む）とは、電磁組立体を収容し且
つカプセル化するように適合サレる。軸５８．は、デポ
ジション・チャンバ内ニ回転可能に設けられる前に、管
６０（ｌの端壁６４内の穴６２、ロッド７４、開孔され
た端部キャップ６６を通って摺動させろ。

使用される実施例に拘らず、本発明の装動゛ば、基板材
料ウェブを平坦にする吸引力を発生１゛ろことによって
ウェブのゆがみを実質的に減少させろように適合されろ
ことを今や理解すべきである。

次（・で、このウェブばほぼ平坦な表面をもって準備さ
れ、その上に均一の半導体層をデポジットできる。

最後の顕著な特徴は、磁界の発生がデポジション・プロ
セスに明らかに有害な影響を与えないということである
。その結果、デポジットされる層は、従来得ろことがで
きたものより更に均一であるばかりでなく、ここで開示
された磁気組立体を使用する装置によってデポジットさ
れた半導体材料は、磁気組立体を備えていない装置によ
ってデポジットされた材料と同様の高い品質のものであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、セルの各層がアモルファス半導体アロイから
形成される複数のｐ−１−ｎ形セルより成るタンテム形
光起電力デバイスの断面図である。 第２図は、第１図に示された光起電力デバイスの連続的
製造のために適合された多グロー放電チャンバ・デポジ
ションＯシステムを示ス。 第６図は、第２図に示された多グロー放電チャンバＯテ
ポジション・システムの単一のデポジション・チャンバ
の拡大図であり、特に、本発明の一実施例の要素を形成
する磁界の配置を示す。 第４図は、矩形状のセラミック磁石が第６図に示された
よりなデポジション・チャンバに付設すれるように適合
された単一の細長い中空管によってカプセル化された、
本発明の第一の好適な実施例の拡大分解斜視図である。 第５図は、第４図と同様であるが、矩形状の研性素子が
１つの中空管によってカプセル（ヒされた、本発明の第
二の好適な実施例の拡大分解斜視図である。。 第６図は、回転可能に設けられた管状磁石が細長い中空
管によってカプセル化され且つ第６図に示されたような
デポジション・チャンバ内ニ軸によって回転可能なよう
に取付けられた、本発明の他の好適な実施例の拡大分解
斜視図である。 第７図は、電気コイルが軸のまわりに巻かれ、第３図に
示されたよりなデポジション・チャンバ内に回転可能に
取付けられた細長い中空管によってカプセル化された、
本発明の更に別の好適な実施例の拡大分解斜視図である
。 （符号説明） １０：光起電力デバイス（セル） １１：基板（基板材料ウェブ） １２ａ、１２ｈ、１２（？　　：セル（７）−ｉ−ｎ形
セル）１６ａ〜１６Ｃ２１８ａ〜１８Ｃ２２０α〜２０
Ｃ：アモルファス半導体アロイ層 ２８、ろＯ９ろ２：デポジション・チャンノミ５０．５
０ａ：磁石 ７２：電磁コイル ％許ａＪＲＡ　　　エナージ・コンバージョン・（外４
名） 図面の浄書（内容に変更なし） ） 手続補正書 １、事件の表示 昭和Ｕ年特許願第　７．、！’ｔ＃−に７号２、発明の
名称 床、牧々れ７−Ｌλ巨電φチｌぐイスη製逓］装ａしろ
、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所 ４、代理人

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　　アモルファス半導体アロイ層が基板の一方の
   表面にデポジットされる少なくとも１つの分離されたデ
   ポジション・チャンバを介して、普通の卸１長く延びた
   移送パスに従うように適合された比較的大面積で比較的
   薄い基板材料ウェブのゆがみを実費的に減少させること
   によって、改良された光起電力デバイスを製造する装置
   において、前記少なくとも１つのデポジション・チャン
   バ（２８、３０、３２）内に、前記基板材料ウェブ（１
   １）をその普通の移送パスから外して前記少なくとも１
   つのデポジション・チャンバを通る平坦化されたほぼ平
   らな移送・ξスに強制する吸引力を発生することによっ
   て前記ウェブを平坦化する手段（５０，５０ａ、７２）
   を設け、均一のアモルファス半導体アロイ層（１６ａ−
   Ｃ，１８ａ〜Ｃ，２０ｃｔ−Ｃ）が前記ウェブの一方の
   表面にデポジットできるように、前記基板材料ウェブの
   ゆがみが実質的に減少されることを％徴と′ｆろ前記装
   置。 （２）前記基板材料のウェブ（１１１は磁性であり、前
   記ウェブを平坦化する手段は、前記磁性ウェブを平坦化
   されたほぼ平らな移送・ξスに強制する吸引力を発生す
   るように適合された磁気手段（５０゜５０ａ、　７２）
   より成ることを更に特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の装置Ｉｉ。 （３）前記磁気手段は、前記少なくとも１つのデポジシ
   ョン・チャンバ（２８，３０，３２）内で前記基板材料
   ウェブ０１）の横断方向の幅をほぼ横切って延在する少
   なくとも１列のセラミック磁石（５０゜５０ａ）を含む
   ことを更に特徴とする特許請求の範囲第２項記載の装置
   。 （４）前記磁気手段は、前記少なくとも１つのデポジシ
   ョン・チャンバ（２８，３０，３２）内で前記基板材料
   ウェブ（１１）の横断方向の幅をほぼ横切って延在する
   ほぼ等間隔の複数列のセラミック磁石（５０，５０ａ）
   を含むことを咀に特徴とする特許請求の範囲第６項記載
   の装置。 （５）前記等間隔の各列のセラミック磁石（５０゜５０
   ａ）をカプセル化するように適合された手段（５２，５
   ２ａ、　６０）を更に特徴とする特許請求の範囲第４項
   記載の装置。 （６）前記カプセル化手段は、セラミック磁石を収容す
   る複数の管（５２，５２α、６０）より成ることを更に
   特徴とする特許請求の範囲第５項記載の装置。 （７）前記カプセル化管（５２，５２α、６０）は、前
   記少なくとも１つのデポジション・チャンバ（２８゜３
   ０、３２）内で約２０乃至２５ｃｍのインターバルで等
   しく離間されていることを更に特徴とする特許請求の範
   囲第６項記載の装置。 （８）前記ウェブＱｌ）を平坦化する磁気手段（５０α
   。 ７２）は、前記基板材料の磁性ウェブの積層されない表
   面をそれと回転接触を強制するように適合され、それら
   の間の摩擦力を減少させることを更に特徴とする特許請
   求の範囲第２項記載の装置。 （９）前記磁気手段（５０ｃｚ、　７２）　は、前記少
   なくとも１つのデポジション・チャンバ（２８，３０，
   ３２）内で回転可能に支持されることを更に特徴とする
   特許請求の範囲第８項記載の装置。 （１０）　　前記磁気手段は少なくとも１つのセラミッ
   ク磁石（５０α）を含むことを更に特徴とする特許請求
   の範囲第９項記載の装置。 Ｑｌ）　　前記少なくとも１つのセラミック磁石（５０
   α）のそれぞれは、前記少なくとも１つのデポジション
   ・チャンバ（２８，３０，３２）の各々の内に回転可能
   に取付けられた軸６８１に設置されることを更に特徴と
   する特許請求の範囲第１０項記載の装置。 α２　前記−１１５８１のそれぞれに設けられた前記少
   なくとも１つのセラミック磁石（５０α）の１つをカプ
   セル化するように適合された少な（とも１つの中空管（
   ６０）を更に特徴とする特許請求の範囲第１１項記載の
   装置。 （Ｉ３）前記磁気手段は、少なくとも１組の電磁コイル
   ｆｆ２）を含むことを更に特徴とする特許請求の範囲第
   ９項記載の装置。 （１４Ｊ　　前記少なくとも１つの電磁コイルσ２のそ
   れぞれは、前記少なくとも１つのデポジション・チャン
   バ（２８，３０，３２）内で回転可能に取付けられた軸
   （５８α）に設置されることを更に特徴とする特許請求
   の範囲第１６項記載の装置。 （Ｉ５）前記軸（５８ａ）のそれぞれに設置された前記
   少なくとも１つの電磁コイル（７２１の１つをカプセル
   化するように適合された少なくとも１つの中空省（６０
   ａ）を更に特徴とする特許請求の範囲第１４項記載の装
   置。 （１６）　　前記磁気手段を収容し、前記少なくとも１
   つのデポジション・チャンバ（２８，３０，３２）内テ
   等間隔で目、つ回転可能に取付けられろように適合され
   た、複数の磁気手段（５０α、７２）と複数の゛細長い
   軸（５８，５８ａ）　　とを更に特徴とする特許請求の
   範囲第１２項記載の装］６゜ 製造する装置に関し、特に、高効率の太ｉ￥１１４＊光
   起電力セルを製造するために、基板材料の磁性ウェブの
   ゆがみを実質的に減少させるように適合された装置に関
   する。