JPS5923875A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
- Publication number
- JPS5923875A JPS5923875A JP13412482A JP13412482A JPS5923875A JP S5923875 A JPS5923875 A JP S5923875A JP 13412482 A JP13412482 A JP 13412482A JP 13412482 A JP13412482 A JP 13412482A JP S5923875 A JPS5923875 A JP S5923875A
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- Japan
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- etching
- silicon
- dry
- plasma
- contamination
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は被処理物をドライ、エツチングする方法に関
し１時にドライエツチングにより引き起こされる汚染や
損傷の問題を解消し得るようにしたものである。
し１時にドライエツチングにより引き起こされる汚染や
損傷の問題を解消し得るようにしたものである。
一般にプラズマのエツチング、ＲＩＥ（リアクティブイ
オンエツチング）、ＲＩＭ（リアクティブイオンミリン
グ）等の気体放電を利用して半導体（Ｓｉ 、Ｇａ、Ａ
ｓ等）や薄膜等のドライエツチングを行なう場合、半導
体や薄膜の表面又は表面近傍の内部に汚染や照射損傷を
生じ、この後これら汚染やＪｐ４傷を残したままでＬＳ
Ｉ等を作成すれば電気的特性の劣化を生じる。これはト
ラップ準位が形成されたり、短絡が引き起こされたりす
るためである。このことは周知の事実である。このよう
な汚染及び照射損傷を詳しく分類すれば次のようになる
。
オンエツチング）、ＲＩＭ（リアクティブイオンミリン
グ）等の気体放電を利用して半導体（Ｓｉ 、Ｇａ、Ａ
ｓ等）や薄膜等のドライエツチングを行なう場合、半導
体や薄膜の表面又は表面近傍の内部に汚染や照射損傷を
生じ、この後これら汚染やＪｐ４傷を残したままでＬＳ
Ｉ等を作成すれば電気的特性の劣化を生じる。これはト
ラップ準位が形成されたり、短絡が引き起こされたりす
るためである。このことは周知の事実である。このよう
な汚染及び照射損傷を詳しく分類すれば次のようになる
。
■ 表面に付着する高分子フィルム層。
これは主にエツチングに使用するガスの成分元素がプラ
ズマのエネルギにより重合されてできたものと考えられ
る。
ズマのエネルギにより重合されてできたものと考えられ
る。
■ 半導体や薄膜の表面近くの内部に没入する不純物元
素。
素。
これは第１にエツチングガスの構成元素がプラズマ中で
イオン化され陰極降下電圧等の放電内部電界で加速され
入射されたものである。第２にエツチング装置の構成物
質である重金属（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ 、ＡＱ等）がスパ
ッタリングにより入射させられたものである。
イオン化され陰極降下電圧等の放電内部電界で加速され
入射されたものである。第２にエツチング装置の構成物
質である重金属（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ 、ＡＱ等）がスパ
ッタリングにより入射させられたものである。
■ 半導体の表面近くの内部に生じる結晶欠陥。
これはプラズマ中で生成された荷１ｆｔ粒子（イオン及
び電子）、紫外線、Ｘ線及びチャンバの構成物質である
スパッタ元型の入射等によるものである。
び電子）、紫外線、Ｘ線及びチャンバの構成物質である
スパッタ元型の入射等によるものである。
このような汚染や照射ＪＪｔ傷に対してドライ処理によ
りクリーニングを行なうにはｏ２プラズマ処理が考えら
れる。このプラズマ処理では上述■の（Ｃｘ、Ｆｙ）系
の高分子フィルムをプラズマ中で酸化させ除去する。こ
のプラズマ処理はレジストのアッシングを兼ねて用いら
れるが完全なりリーニング方法としては実現されていな
い。又上述■、■の汚染及び損傷に対しては有効なりリ
ーニング方法が提供されていない。
りクリーニングを行なうにはｏ２プラズマ処理が考えら
れる。このプラズマ処理では上述■の（Ｃｘ、Ｆｙ）系
の高分子フィルムをプラズマ中で酸化させ除去する。こ
のプラズマ処理はレジストのアッシングを兼ねて用いら
れるが完全なりリーニング方法としては実現されていな
い。又上述■、■の汚染及び損傷に対しては有効なりリ
ーニング方法が提供されていない。
この発明はこのような事情を考慮してなされたものであ
り、汚染や損傷を極カ押えた状態で５ｉＯｚや５Ｉ３Ｎ
ｔ４等を下地材料又はマスクとして被処理物をエツチン
グし得ると共に他のエツチング処理で汚染や損傷を受け
た表面をドライクリーニングする場合にも好適なドライ
エツチング方法を提供することを目的としている。
り、汚染や損傷を極カ押えた状態で５ｉＯｚや５Ｉ３Ｎ
ｔ４等を下地材料又はマスクとして被処理物をエツチン
グし得ると共に他のエツチング処理で汚染や損傷を受け
た表面をドライクリーニングする場合にも好適なドライ
エツチング方法を提供することを目的としている。
この発明ではこのような目的を達成するためにＣＦ４と
Ｈｚとの混合ガスでシリコン系をエツチングするように
している。
Ｈｚとの混合ガスでシリコン系をエツチングするように
している。
シリコン系としては単結晶シリコン及び多結晶シリコン
が考えられる。
が考えられる。
被処理面としてはドライクリーニングを施すべき表面が
第１に考えられる。即ち仙のエツチング処理により汚染
や損傷を受ゆた表面をこのエツチング処理によりドライ
クリーニングするのである。
第１に考えられる。即ち仙のエツチング処理により汚染
や損傷を受ゆた表面をこのエツチング処理によりドライ
クリーニングするのである。
第２にＳ ｉ０２基体又はＳ ｉ ３Ｎ４の薄膜を下地
材料又はマスクとしてシリコン系をエツチングすること
が考えられる。
材料又はマスクとしてシリコン系をエツチングすること
が考えられる。
ドライクリーニングでは、たとえば第１図に示す処理が
行われる。即ち、レジスト（１）を８１０２膜（２）上
に被着（第１図へ）したのち）ロＥ″″Ｃ：５ｌＯｚ膜
の選択エツチングを行う。この場合、第１図Ｂに散点で
示すように１シリコシ基体（３）の表面に損傷が形成さ
れる。そこで、本発明による５ＩＦ４とＨｚとの混合ガ
スによるドライクリーニングジ行い（第１図Ｃ）、この
のち０２プラズマ処理を行って高分子層やレジメ） （
１）を除去しく第１図Ｄ）、さらに溶液処理を行う（第
１図Ｅ）。こののら、次の工程に移１ｊする。
行われる。即ち、レジスト（１）を８１０２膜（２）上
に被着（第１図へ）したのち）ロＥ″″Ｃ：５ｌＯｚ膜
の選択エツチングを行う。この場合、第１図Ｂに散点で
示すように１シリコシ基体（３）の表面に損傷が形成さ
れる。そこで、本発明による５ＩＦ４とＨｚとの混合ガ
スによるドライクリーニングジ行い（第１図Ｃ）、この
のち０２プラズマ処理を行って高分子層やレジメ） （
１）を除去しく第１図Ｄ）、さらに溶液処理を行う（第
１図Ｅ）。こののら、次の工程に移１ｊする。
シリコン系の選択エツチングでは、たとえば第２図に示
す処理が行われる。即、ち、シリコン糸体（４）上に８
１０２膜（５）を選択被着しく第２図Ａ）、この上から
ＳｉＦ４とＩＩｚとの混合ガスでエツチングを行うので
ある（第２図Ｂ）。
す処理が行われる。即、ち、シリコン糸体（４）上に８
１０２膜（５）を選択被着しく第２図Ａ）、この上から
ＳｉＦ４とＩＩｚとの混合ガスでエツチングを行うので
ある（第２図Ｂ）。
混合ガスの混合比はトータルの混合ガスに対してＨｚな
２０〜８０容量％の範囲で添加する。特にシリコン系を
５１０２やＳ １３．Ｎ４に対して選択エツチングする
時には、これを約５０容量％とすることが好ましい。
２０〜８０容量％の範囲で添加する。特にシリコン系を
５１０２やＳ １３．Ｎ４に対して選択エツチングする
時には、これを約５０容量％とすることが好ましい。
装置としては円筒形や平行平板電極形のプラズマエツチ
ング装置やＩＬＩＢ装置等を用いることができる。特に
Ｓ ｉ ３Ｎ４等をマスクとしてシリコン系をエツチン
グする時にはサイドエツチングを減少させるためにＲＩ
Ｅ装置等を用いることが好ましい。
ング装置やＩＬＩＢ装置等を用いることができる。特に
Ｓ ｉ ３Ｎ４等をマスクとしてシリコン系をエツチン
グする時にはサイドエツチングを減少させるためにＲＩ
Ｅ装置等を用いることが好ましい。
本発明によるドライエツチング方法によれば汚染や照射
損傷の無いエツチングを行なえる。又他のエツチング処
理により汚染や照射損傷のあった被処理面にドライクリ
ーニングを有効に行なうことができる。これは本発明で
は炭素を用いないこと、Ｓｉの被着が起ること等のため
であると思われる。即ち従前のＣＦＡ系ガスでＳｉをエ
ツチングした時に生じるＳｉ中の汚染元素をＩＭＭＡで
分析すると汚染元素として主にＣＩＦＩが検出される。
損傷の無いエツチングを行なえる。又他のエツチング処
理により汚染や照射損傷のあった被処理面にドライクリ
ーニングを有効に行なうことができる。これは本発明で
は炭素を用いないこと、Ｓｉの被着が起ること等のため
であると思われる。即ち従前のＣＦＡ系ガスでＳｉをエ
ツチングした時に生じるＳｉ中の汚染元素をＩＭＭＡで
分析すると汚染元素として主にＣＩＦＩが検出される。
本発明のようにＳｉＦ４系のガスを使用すれば半導体装
置に有害なＣの汚染を防止できる。又本例で用いるＳｉ
Ｆ＋はグロー放電中では分解しやす＜、３１の被着が生
じやすい。太陽電池用のアモルファスシリコン膜はこれ
を利用して形成されるものである。このようなシリコン
の被着により損傷が復元されるものと考えられる。次に
例を挙げてこの発明について更に説明する。
置に有害なＣの汚染を防止できる。又本例で用いるＳｉ
Ｆ＋はグロー放電中では分解しやす＜、３１の被着が生
じやすい。太陽電池用のアモルファスシリコン膜はこれ
を利用して形成されるものである。このようなシリコン
の被着により損傷が復元されるものと考えられる。次に
例を挙げてこの発明について更に説明する。
〔例１〕
ここでは装置としてエッチチャンネルを有する円筒形の
プラズマエツチング装置を用いる。そして反応ガスとし
℃のＳｉＦ４及びＨｚの混合ガスに付きＨ２添加量を変
化させた時の各種処理面のエツチング特性を測定した。
プラズマエツチング装置を用いる。そして反応ガスとし
℃のＳｉＦ４及びＨｚの混合ガスに付きＨ２添加量を変
化させた時の各種処理面のエツチング特性を測定した。
測定東件は圧力０．８トル、高周波電力２００Ｗである
。被エツチング物としては単結晶Ｐ形シリコン（エツチ
ング面７ （１１１）面とする）、多結晶シリコン、Ｐ
注入多結晶シリコン、低圧ＣＶＤで形成されたＳ ｉ
３Ｎ４及び熱酸化５ｉ（Ｊｚを用いた。これら被エツチ
ング物のエツチング惠をそれぞれ第３図にＡ、Ｂ、Ｃ，
Ｄ、Ｅで示す。
。被エツチング物としては単結晶Ｐ形シリコン（エツチ
ング面７ （１１１）面とする）、多結晶シリコン、Ｐ
注入多結晶シリコン、低圧ＣＶＤで形成されたＳ ｉ
３Ｎ４及び熱酸化５ｉ（Ｊｚを用いた。これら被エツチ
ング物のエツチング惠をそれぞれ第３図にＡ、Ｂ、Ｃ，
Ｄ、Ｅで示す。
この第３図から明らかなようにＳｉＦ４のみの時はＳｉ
３Ｎ４ （Ｄ）がエツチングされ、他方５Ｉ０２°、
Ｓｉ等はほとんどエツチングされない。又、観察により
単結晶シリコンの表面荒れが発生した。Ｈ２の添加量を
増加して行くとシリコン系即ち単結晶シリコン、多結晶
シリコン、Ｐ注入多結晶シリコン等のエツチング率が上
昇して行く。そしてＨｚの添加量が２０〜８０容量％の
範囲ではこれらシリコン系のエツチング率が５ｉＯｚ
、 Ｓｉ３Ｎ＜に対し非常に大きくなる。特に１゛Ｉ２
添加量が約５０容量％の時には５ｉＯｚ。
３Ｎ４ （Ｄ）がエツチングされ、他方５Ｉ０２°、
Ｓｉ等はほとんどエツチングされない。又、観察により
単結晶シリコンの表面荒れが発生した。Ｈ２の添加量を
増加して行くとシリコン系即ち単結晶シリコン、多結晶
シリコン、Ｐ注入多結晶シリコン等のエツチング率が上
昇して行く。そしてＨｚの添加量が２０〜８０容量％の
範囲ではこれらシリコン系のエツチング率が５ｉＯｚ
、 Ｓｉ３Ｎ＜に対し非常に大きくなる。特に１゛Ｉ２
添加量が約５０容量％の時には５ｉＯｚ。
Ｓｉ ３Ｎ４はほとんどエツチングされないのに対し、
単結晶シリコン、多結晶シリコン、Ｐ注入多結晶シリコ
ンのエツチング率は１５０〜２００ ｌ／ｍｉｎのピー
クに達し、Ｓｔ ／５ｉＯｚ 、 Ｓｉ ／Ｓｉ：＋Ｎ
４のエツチング速度比は数十又はそれ以上と非常に太き
（５ｉＯｚ及びＳｉ３Ｎ４に対してシリコン系の高選択
性が示される。又観割によればシリコン系の表面荒れは
ない。
単結晶シリコン、多結晶シリコン、Ｐ注入多結晶シリコ
ンのエツチング率は１５０〜２００ ｌ／ｍｉｎのピー
クに達し、Ｓｔ ／５ｉＯｚ 、 Ｓｉ ／Ｓｉ：＋Ｎ
４のエツチング速度比は数十又はそれ以上と非常に太き
（５ｉＯｚ及びＳｉ３Ｎ４に対してシリコン系の高選択
性が示される。又観割によればシリコン系の表面荒れは
ない。
このことから本発明によるドライエツチング方法を５ｉ
０２やＳｉ３Ｎ４をマスク又は下地′４Ｉ料としシリコ
ン系のエツチングを行７．ｃう場合に適用できることが
解る。そしてこの場合には汚染や照射損傷が極めて少な
い。
０２やＳｉ３Ｎ４をマスク又は下地′４Ｉ料としシリコ
ン系のエツチングを行７．ｃう場合に適用できることが
解る。そしてこの場合には汚染や照射損傷が極めて少な
い。
〔例２〕
ここではバイポーラトランジスタ等の電極コンタクト窓
明は工程でシリコン基体上の８１０２層をＩＬＩＥでエ
ツチングした後ドライクリーニングを行なった。
明は工程でシリコン基体上の８１０２層をＩＬＩＥでエ
ツチングした後ドライクリーニングを行なった。
ＳｉＦ４及び１（２の混合ガスにおし少るＨｚの添加量
としては約５０容ｔ％となるようにした。そしてＡｓ拡
散層、ＡＪ他電極のコンタクト抵抗を求めた。コンタク
トホールの面積としては約２〜１００Ｉ血２の範囲に亘
って測定を行なった。このコンタクト抵抗及びギのばら
つき・中−％−（その指標としてσ／Ｔｔ（％）を用い
た。ここでσはコンタクト抵抗値の標準偏差、πは測定
したコンタクト抵抗の平均値である。）の測定結果を第
４図及び第５図にそれぞれＡで示す。この測定結果は従
前のものに比べ極めて良好なものであった。
としては約５０容ｔ％となるようにした。そしてＡｓ拡
散層、ＡＪ他電極のコンタクト抵抗を求めた。コンタク
トホールの面積としては約２〜１００Ｉ血２の範囲に亘
って測定を行なった。このコンタクト抵抗及びギのばら
つき・中−％−（その指標としてσ／Ｔｔ（％）を用い
た。ここでσはコンタクト抵抗値の標準偏差、πは測定
したコンタクト抵抗の平均値である。）の測定結果を第
４図及び第５図にそれぞれＡで示す。この測定結果は従
前のものに比べ極めて良好なものであった。
一般にシリコン基体上のＳ １０２層をＲＩＥでエツチ
ングすると汚染及び照射損傷が発生し、このためＡｓ拡
散層とＡｇ電極とのコンタクト抵抗が増大し、又コンタ
クト抵抗値に大きなばらつきが生じる。従前もドライク
リーニング或いはウェットクリーニングを行なっていた
が充分ではなかった。
ングすると汚染及び照射損傷が発生し、このためＡｓ拡
散層とＡｇ電極とのコンタクト抵抗が増大し、又コンタ
クト抵抗値に大きなばらつきが生じる。従前もドライク
リーニング或いはウェットクリーニングを行なっていた
が充分ではなかった。
第４図及び第５図にＢで示すものは酸（Ｈ２ＳＯ４及び
ＨＮＯ４）による煮沸及びライトエツチングによって溶
液処理を行なったものであり、Ｃで示すものはＣＦ４
、 Ａｒ及び０２によるドライクリーニングを施したも
のである。第４図及び第５図にＢ、Ｃで示すこれら従前
の物に比らべ本発明によれば極めて良好な結果を得るこ
とができる。
ＨＮＯ４）による煮沸及びライトエツチングによって溶
液処理を行なったものであり、Ｃで示すものはＣＦ４
、 Ａｒ及び０２によるドライクリーニングを施したも
のである。第４図及び第５図にＢ、Ｃで示すこれら従前
の物に比らべ本発明によれば極めて良好な結果を得るこ
とができる。
以上述べたようにこの発明によれば５１０２やＳｔ ３
Ｎ４等を下地材料又はマスクとしてシリコン系の選択エ
ツチングを行ない、しかも汚染や照射損傷を極力押える
ことができる。そしてこの発明によるドライエツチング
方法を他のエツチング処理後のドライクリーニングに用
いれば極めて実効がある。
Ｎ４等を下地材料又はマスクとしてシリコン系の選択エ
ツチングを行ない、しかも汚染や照射損傷を極力押える
ことができる。そしてこの発明によるドライエツチング
方法を他のエツチング処理後のドライクリーニングに用
いれば極めて実効がある。
第１図および第２図は本発明の説明に供する断面図、第
３図〜第５図は同様のグラフである。 同 松 隈 秀 盛Ｈ１ｉ、、ヂ、・９．・
１】び′ 第３図 〃２ カパス の 容 ｆ ／ぐ一セ〉ト手続ネｉｌｉ
ＪＥ摺： 昭和５７年１０月２２日 昭和５７年特許願第１３４１２４号 ２°光１す１′１′２″＋ＩＦ′ ドライーツチ
ング方法：３． ？ｄｉ止をする考 事件との関係 特許出願人 住所 東以Ｉ’ｌ１品用区北品用６丁Ｅ＋７番：３５号
名称 Ｃ！ｌ！：） ソ ニ − 抹ゴ（会社代表取
ｔｉ’ｌ：役 大 賀 ｐｌｌ ）、ｆＬ４、代理人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目８番１号ＴＩＥＬ
０３−３４３−５８２１ｔｌ１５ （新宅ビル）（ｉ
、 ？＋ｌｉ市に、Ｌり増加する発明の数７、袖１１−
のス１象 明細−の発明の詳細な説明の瘤（
１） 明細書の第５頁１９行の「ｓｔの被着が起こる
こと」を「Ｓｉの被着が生ずるプラズマ条件とＳｉのエ
ツチングが生ずるプラズマ条件との境界であるプラズマ
状態を作るような条件を選んでいること」に訂正する。 （２）同第６頁２行の「ＣＩＦｌ」を「Ｃ及びＦ」に訂
正する。 （３） 同第６頁７〜９行の「このよ５な曇−考えら
れる。」を削除する。 以上 ４１
３図〜第５図は同様のグラフである。 同 松 隈 秀 盛Ｈ１ｉ、、ヂ、・９．・
１】び′ 第３図 〃２ カパス の 容 ｆ ／ぐ一セ〉ト手続ネｉｌｉ
ＪＥ摺： 昭和５７年１０月２２日 昭和５７年特許願第１３４１２４号 ２°光１す１′１′２″＋ＩＦ′ ドライーツチ
ング方法：３． ？ｄｉ止をする考 事件との関係 特許出願人 住所 東以Ｉ’ｌ１品用区北品用６丁Ｅ＋７番：３５号
名称 Ｃ！ｌ！：） ソ ニ − 抹ゴ（会社代表取
ｔｉ’ｌ：役 大 賀 ｐｌｌ ）、ｆＬ４、代理人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目８番１号ＴＩＥＬ
０３−３４３−５８２１ｔｌ１５ （新宅ビル）（ｉ
、 ？＋ｌｉ市に、Ｌり増加する発明の数７、袖１１−
のス１象 明細−の発明の詳細な説明の瘤（
１） 明細書の第５頁１９行の「ｓｔの被着が起こる
こと」を「Ｓｉの被着が生ずるプラズマ条件とＳｉのエ
ツチングが生ずるプラズマ条件との境界であるプラズマ
状態を作るような条件を選んでいること」に訂正する。 （２）同第６頁２行の「ＣＩＦｌ」を「Ｃ及びＦ」に訂
正する。 （３） 同第６頁７〜９行の「このよ５な曇−考えら
れる。」を削除する。 以上 ４１
Claims (1)
- ＳｉＦ４及びＨ２の混合ガスで被処理物のエツチングを
行なうドライエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13412482A JPS5923875A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13412482A JPS5923875A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | ドライエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5923875A true JPS5923875A (ja) | 1984-02-07 |
| JPS6231071B2 JPS6231071B2 (ja) | 1987-07-06 |
Family
ID=15121020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13412482A Granted JPS5923875A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923875A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS639121A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
| EP1619269A3 (en) * | 2004-07-23 | 2006-11-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for enhancing fluorine utilization |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63183077U (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-25 | ||
| JPH01257439A (ja) * | 1987-07-17 | 1989-10-13 | Nippon Flour Mills Co Ltd | パスタ類、麺類の調理方法および調理用耐熱容器、包装麺類 |
| JPH0162723U (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-21 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5565364A (en) * | 1978-11-08 | 1980-05-16 | Toshiba Corp | Etching method |
| JPS56144543A (en) * | 1980-03-17 | 1981-11-10 | Ibm | Method of manufacturing semiconductor device |
-
1982
- 1982-07-30 JP JP13412482A patent/JPS5923875A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5565364A (en) * | 1978-11-08 | 1980-05-16 | Toshiba Corp | Etching method |
| JPS56144543A (en) * | 1980-03-17 | 1981-11-10 | Ibm | Method of manufacturing semiconductor device |
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS639121A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
| EP1619269A3 (en) * | 2004-07-23 | 2006-11-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for enhancing fluorine utilization |
| KR100760891B1 (ko) | 2004-07-23 | 2007-09-27 | 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 | 불소 이용 강화를 위한 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6231071B2 (ja) | 1987-07-06 |
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