JPS59269A - 画像読取り用センサ− - Google Patents
画像読取り用センサ−Info
- Publication number
- JPS59269A JPS59269A JP57108553A JP10855382A JPS59269A JP S59269 A JPS59269 A JP S59269A JP 57108553 A JP57108553 A JP 57108553A JP 10855382 A JP10855382 A JP 10855382A JP S59269 A JPS59269 A JP S59269A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- pulse
- circuit
- switching element
- image reading
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/40—Picture signal circuits
- H04N1/40056—Circuits for driving or energising particular reading heads or original illumination means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する技術分野］
この発明は半導体を使用した画１象読取り用センサーに
関する。
関する。
し従来技術とその問題薇］
フォトダイオードまたはフォトトランジスタ等の光検出
素子およびＭＯ８ＦＥＴアナログスイッチを使用した画
ｆ象読取り用センサーは従来から使われている。一般に
このような読出し法をＢｕｃｋｅｊ −Ｂｒｉｇａｄｅ
Ｍｏｄｅと言われ、その基本動作は第１図および以下
に示す通りである。すなわち、フォトダイオードｌはＭ
ＯＳＦＥＴ ２を導通圧するとバイアス電源５より負荷
抵抗６を通し、フォトダイオード１− ＭＯＳＦＥＴ
２−負荷抵抗６−バイアス４源５〜フォトダイオード１
の閉回路により電源電圧Ｖ。
素子およびＭＯ８ＦＥＴアナログスイッチを使用した画
ｆ象読取り用センサーは従来から使われている。一般に
このような読出し法をＢｕｃｋｅｊ −Ｂｒｉｇａｄｅ
Ｍｏｄｅと言われ、その基本動作は第１図および以下
に示す通りである。すなわち、フォトダイオードｌはＭ
ＯＳＦＥＴ ２を導通圧するとバイアス電源５より負荷
抵抗６を通し、フォトダイオード１− ＭＯＳＦＥＴ
２−負荷抵抗６−バイアス４源５〜フォトダイオード１
の閉回路により電源電圧Ｖ。
まで充電される。ＭＯＳＦＥＴ ２が非導通になると、
フォトダイオード１の両端電圧は光入射による光電流の
だめ対数曲線に従って下ってくる。その磁圧の低下分Ｖ
はｌ Ｖｏｌ＞＞Ｉ Ｖ Ｉにおいてほぼ直線と見られ
、その絶対値＋ｖ＋は入射光量の積分喧に比例する。そ
こでシフトレジスタ７によ！Ｊ ＭＯＳＦＥＴ２を順次
導通して行けば、負荷６４′ζＶすなわち光電に比例し
だ出力パルス准流が流れ、端子３−４間に出力屈出を誘
却する。この様に１〜千画ｅ信号をその強度に１１−例
したパルス列に変換出来る。
フォトダイオード１の両端電圧は光入射による光電流の
だめ対数曲線に従って下ってくる。その磁圧の低下分Ｖ
はｌ Ｖｏｌ＞＞Ｉ Ｖ Ｉにおいてほぼ直線と見られ
、その絶対値＋ｖ＋は入射光量の積分喧に比例する。そ
こでシフトレジスタ７によ！Ｊ ＭＯＳＦＥＴ２を順次
導通して行けば、負荷６４′ζＶすなわち光電に比例し
だ出力パルス准流が流れ、端子３−４間に出力屈出を誘
却する。この様に１〜千画ｅ信号をその強度に１１−例
したパルス列に変換出来る。
ところで従来使用さｊｔで来た複写（幾やファクシミリ
では主さして螢光灯、）・ロゲンランプ等広がりを持っ
た光源が採用されていたため原稿面に照射する。Ｓ合、
その照射部分はある広がりを持ち、エネルギーの大半が
無駄に消費されて来た。これに対し、最近は発光ダイオ
ード（１，ｌ”ｉ Ｉ） ）が高輝度化し、安価になっ
ただめ、原稿照射用に使用することが倹討され、試作さ
れるようになった。ＬＦｉＤは￥丑的にへ光源と見做す
ことが出来、円筒レンズを使用１〜で読み取り部分だけ
に効率良く照射出来る。しかしながら、原稿面を光α流
により直接的にｈ充み取るには光量が不足し７、フォト
ダイオード等で受ける場合、蓄積で一ドによって光電流
を積分した′αα晴晴検出している。蓄積時間を短かく
１−１高速化をはかるためには光電を増すか、牛たけ光
検出器の雑音レベルを下げるかして８／Ｎを上げる必要
があった。
では主さして螢光灯、）・ロゲンランプ等広がりを持っ
た光源が採用されていたため原稿面に照射する。Ｓ合、
その照射部分はある広がりを持ち、エネルギーの大半が
無駄に消費されて来た。これに対し、最近は発光ダイオ
ード（１，ｌ”ｉ Ｉ） ）が高輝度化し、安価になっ
ただめ、原稿照射用に使用することが倹討され、試作さ
れるようになった。ＬＦｉＤは￥丑的にへ光源と見做す
ことが出来、円筒レンズを使用１〜で読み取り部分だけ
に効率良く照射出来る。しかしながら、原稿面を光α流
により直接的にｈ充み取るには光量が不足し７、フォト
ダイオード等で受ける場合、蓄積で一ドによって光電流
を積分した′αα晴晴検出している。蓄積時間を短かく
１−１高速化をはかるためには光電を増すか、牛たけ光
検出器の雑音レベルを下げるかして８／Ｎを上げる必要
があった。
し発明の目的］
本発明は光源および光検出器の使用法によって等制約な
雑音レベルを下げ、 ８／Ｎを向トさせ１、高速化をは
かることを目的とする。
雑音レベルを下げ、 ８／Ｎを向トさせ１、高速化をは
かることを目的とする。
し発明の概要］
８／Ｎ低丁の原因は主として光検出素子の暗電流であや
、バイアスがかかっている間、絶えず流れている。とこ
ろで、ＬＥＤの特性として光量の債分値をほとんど変え
ないで、尖頭値を連続発光レベルに比較して１〜２桁上
げ、パルス発光させて使用することが可能である。そこ
で、ＩＪＤをパルス発光させ発光パルスが消滅した後、
あまり時間を置かないで読み出し周期に比べ短い時間内
にアナログスイッチをオン状態にして読み出せば暗電流
成分は大幅に減少し、Ｓ／Ｎを上げることが出来る。
、バイアスがかかっている間、絶えず流れている。とこ
ろで、ＬＥＤの特性として光量の債分値をほとんど変え
ないで、尖頭値を連続発光レベルに比較して１〜２桁上
げ、パルス発光させて使用することが可能である。そこ
で、ＩＪＤをパルス発光させ発光パルスが消滅した後、
あまり時間を置かないで読み出し周期に比べ短い時間内
にアナログスイッチをオン状態にして読み出せば暗電流
成分は大幅に減少し、Ｓ／Ｎを上げることが出来る。
［発明の実施例］
第２図は本発明に基づ〈実施例である。フォトダイオー
ド１とＭＯＳＦＥＴ ２０１の直列接続が直流電源５に
接続され、閉ループを作っていることは４１図と同様で
ある。違う吉ころは読み出し回路用ＭＯ８ＦＰＴ ２０
２が２０１とは別に付加されている事である。すなわち
、第１の充電回路は５−１−２０１−５の経路で形成さ
れている。また第２の充電回路は５−１−２０２−６−
５の経路で形成されている。また、フォトダイオードを
含む回路分枝は複数本ずつのグループにまとめられ、第
１の充電回路における２０１のトリガは各グループ毎に
同一トリガ信号８０１．８０２．・・が与えられる。亨
たトリガ端子９０１，９０２． からけそれぞれ各グ
ル・−プ毎に１木ずつの分枝に共通トリガ信号が送られ
、ＭＯ８ＦＦＴ２０２をオフオフすら。
ド１とＭＯＳＦＥＴ ２０１の直列接続が直流電源５に
接続され、閉ループを作っていることは４１図と同様で
ある。違う吉ころは読み出し回路用ＭＯ８ＦＰＴ ２０
２が２０１とは別に付加されている事である。すなわち
、第１の充電回路は５−１−２０１−５の経路で形成さ
れている。また第２の充電回路は５−１−２０２−６−
５の経路で形成されている。また、フォトダイオードを
含む回路分枝は複数本ずつのグループにまとめられ、第
１の充電回路における２０１のトリガは各グループ毎に
同一トリガ信号８０１．８０２．・・が与えられる。亨
たトリガ端子９０１，９０２． からけそれぞれ各グ
ル・−プ毎に１木ずつの分枝に共通トリガ信号が送られ
、ＭＯ８ＦＦＴ２０２をオフオフすら。
第：４図は第２図の実施例を動作させるだめのタイムチ
ャートである。（ａ）〜（Ｃ）図はアナログスイッチ２
０１を駆動するトリガパルスで８０１，８０２，８０３
（第２図では８０３は図示せず）に与えられる。高レ
ベルでは２０１はオン状態であり、低レベルのパルスが
来たとき２０１はオフ状態上なる。８０１，８０２゜の
パルスは同時に低レベルとなる事はない。（（１）〜（
ｆ）図は発光ダイオードによる発光パルスを示したもの
で、回路分枝のグループに対応する紙面を照射する。照
射光は対応するグループ以外の受光素子に漏れて入射し
ても差支えない。（ｄ）の発光パルスが来ている時、（
ａ）のトリガパルスのみが第・ｌの充電回路をオフ状態
にし、（ａ）以外のトリガパルスは来ていないため、（
→以外に対応する回路分枝はすべて電源５に直接接続さ
れ、光漏れに対応する光電流が流れるのみであり、フォ
トダイオード間の電圧に変化が生じない。（ａ）に対応
するグループの回路分枝には光が入射するさフォトダイ
オードの内部電流により放電され、初期の’ｎｔｉｉ圧
Ｖ。
ャートである。（ａ）〜（Ｃ）図はアナログスイッチ２
０１を駆動するトリガパルスで８０１，８０２，８０３
（第２図では８０３は図示せず）に与えられる。高レ
ベルでは２０１はオン状態であり、低レベルのパルスが
来たとき２０１はオフ状態上なる。８０１，８０２゜の
パルスは同時に低レベルとなる事はない。（（１）〜（
ｆ）図は発光ダイオードによる発光パルスを示したもの
で、回路分枝のグループに対応する紙面を照射する。照
射光は対応するグループ以外の受光素子に漏れて入射し
ても差支えない。（ｄ）の発光パルスが来ている時、（
ａ）のトリガパルスのみが第・ｌの充電回路をオフ状態
にし、（ａ）以外のトリガパルスは来ていないため、（
→以外に対応する回路分枝はすべて電源５に直接接続さ
れ、光漏れに対応する光電流が流れるのみであり、フォ
トダイオード間の電圧に変化が生じない。（ａ）に対応
するグループの回路分枝には光が入射するさフォトダイ
オードの内部電流により放電され、初期の’ｎｔｉｉ圧
Ｖ。
に相当する１区圧から入射光址に比例してほぼ直線的に
下ってくる。その結果、 ＭＯＳＦＥＴ ２０１間の心
土としてパルス発光（ｄ）によシ積分された出力爾、圧
が各分枝に現われる。（Ｑ〜（ｉ）図は９０１ 、９０
２．９０３端子に与えられるパルスを示す。高レベルの
パルスがゲートに与えられたときにＭＯＳＦＥＴ ２０
２は導通状態に、低レベル時には非導通となる。パルス
発光（ｄ）の終了後９０１，９０２．・・端子に順次パ
ルスが与えられるとＭＯ８ＦＥＴ２０２が順次導通状態
となり、５−１−２０２−６−５の経路を通ってフォト
ダイオードｌは充電され、負荷几、、には負荷覗流が流
れる。
下ってくる。その結果、 ＭＯＳＦＥＴ ２０１間の心
土としてパルス発光（ｄ）によシ積分された出力爾、圧
が各分枝に現われる。（Ｑ〜（ｉ）図は９０１ 、９０
２．９０３端子に与えられるパルスを示す。高レベルの
パルスがゲートに与えられたときにＭＯＳＦＥＴ ２０
２は導通状態に、低レベル時には非導通となる。パルス
発光（ｄ）の終了後９０１，９０２．・・端子に順次パ
ルスが与えられるとＭＯ８ＦＥＴ２０２が順次導通状態
となり、５−１−２０２−６−５の経路を通ってフォト
ダイオードｌは充電され、負荷几、、には負荷覗流が流
れる。
第；う図（ｊ）は負荷電流によって生ずる：３−４端子
間の出力４． ｌ’Ｅを示している。
間の出力４． ｌ’Ｅを示している。
し発明の効果］
本実施例の読み出し法により等制約な雑音レベルを下げ
ることが出来、Ｓ／Ｎを向上させることが出来る。また
、光照射時の光量を増加させることにより従来方法と同
程度の雑音レベルで°８／Ｎを一定に保ちながら大幅な
高速化もはかられる。
ることが出来、Ｓ／Ｎを向上させることが出来る。また
、光照射時の光量を増加させることにより従来方法と同
程度の雑音レベルで°８／Ｎを一定に保ちながら大幅な
高速化もはかられる。
第１図は従来の画像読取り用センサーの回路構成図、第
２図は本発明による画像読取り用センサーの回路構成図
、第３図は第２図の構成における各部波形図であるっ １ フォトダイオード、 ２ｔ１１，２ｆ）２− ＭＯＳＦＥＴ、 ５・・直流電
源、６ ・負荷抵抗。 第 １ 図 第２図 １ρｌ し １ ′− 〃ｌ さ？ −−−−−−−−、。 第３図
２図は本発明による画像読取り用センサーの回路構成図
、第３図は第２図の構成における各部波形図であるっ １ フォトダイオード、 ２ｔ１１，２ｆ）２− ＭＯＳＦＥＴ、 ５・・直流電
源、６ ・負荷抵抗。 第 １ 図 第２図 １ρｌ し １ ′− 〃ｌ さ？ −−−−−−−−、。 第３図
Claims (5)
- （１）受光素子およびスイッチング素子の組合わせによ
り、蓄積された電荷の置をパルス出力として読出す充放
電回路のアレイおよび発光素子アレイを含む絖取り装置
において、該発光素子アレイ中の１素子または複数素子
の組、および対応するｆ〜γ置の受光素子を含む前記充
放電回路を組合わせ読取り単位としたとき、発光素子は
読取り単位毎に順次パルス状に発光する事を特徴きする
画像読取り用センサー。 - （２）受光素子および第１の機能を有するスイッチング
素子の直列接続回路分枝は、すべて並列接続によりその
両端を１点にまとめられ、バイアス電源および要すれば
這流抑制用抵抗または／およびリアクタンス素子を合わ
せて直列ループに接続され、充電回路を形成し、前記受
光素子とスイッチング素子間の点は第２の機能を有する
スイッチング素子を〕瓜して１点にまとめられ、負荷抵
抗を介１〜で前記バイアス用ＫＮの受光素子側に対し反
対側の端子に接続され読出し回路を形成１−１読取り準
位内の充′亀回路および胱出し回路においては、発光素
子の発光１υ１間を含めて一定の期間、すべてのａ１τ
ｌの機能を有するスイッチング素子は非導通状、９、す
であり、それ以外の期間は第１の機能を有するスイッチ
ング素子は導通状態であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の画像読取り用セノザー。 - （３）前記受光素子はフォトダイオードであるととを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の画像読取り用セン
サー。 - （４）前記スイッチング素子は電界効果トランジスタ（
ＦＥＴ ）であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の画像読取り用センサー。 - （５）前記充４回路および放電回路、またはそれ等の複
数個の組合わせが同一基板上に集積されている事を特徴
とする特許請求の範囲第２項記載の画ｒ栄読取り用セン
サー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57108553A JPS59269A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 画像読取り用センサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57108553A JPS59269A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 画像読取り用センサ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59269A true JPS59269A (ja) | 1984-01-05 |
Family
ID=14487744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57108553A Pending JPS59269A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 画像読取り用センサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59269A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59153373A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-09-01 | Canon Inc | 光センサ装置 |
| JPS6070871A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-04-22 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JPH01300668A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | イメージセンサ |
| DE102018110129A1 (de) | 2017-05-16 | 2018-11-22 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Antriebskraftsteuerungssystem |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5027968A (ja) * | 1973-07-14 | 1975-03-22 | ||
| JPS55165066A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-23 | Canon Inc | Photoelectric conversion unit |
| JPS5698072A (en) * | 1979-12-26 | 1981-08-07 | Fujitsu Ltd | Driving system of original reader |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP57108553A patent/JPS59269A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5027968A (ja) * | 1973-07-14 | 1975-03-22 | ||
| JPS55165066A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-23 | Canon Inc | Photoelectric conversion unit |
| JPS5698072A (en) * | 1979-12-26 | 1981-08-07 | Fujitsu Ltd | Driving system of original reader |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59153373A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-09-01 | Canon Inc | 光センサ装置 |
| JPS6070871A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-04-22 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JPH01300668A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | イメージセンサ |
| DE102018110129A1 (de) | 2017-05-16 | 2018-11-22 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Antriebskraftsteuerungssystem |
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