JPS5927106B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5927106B2 JPS5927106B2 JP49125763A JP12576374A JPS5927106B2 JP S5927106 B2 JPS5927106 B2 JP S5927106B2 JP 49125763 A JP49125763 A JP 49125763A JP 12576374 A JP12576374 A JP 12576374A JP S5927106 B2 JPS5927106 B2 JP S5927106B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- polycrystalline thin
- film
- semiconductor substrate
- oxide film
- Prior art date
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- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
従来技術においては熱拡散により不純物を導入して素子
を形成する方法が広く用いられている。
を形成する方法が広く用いられている。
たとえばｎｐｎ型トランジスタの場合、ボロン原子を熱
拡散させる事によりベース領域を燐原子を熱拡散させる
事によりエミッタ領域を形成する。その際、高濃度の不
純物原子を拡散させる為、基板表面は、結晶欠陥や電気
的に不活性な原子が多く存在する。更に熱拡散時に形成
される酸化膜と基板との間に生ずる熱膨脹係数の相異に
より機械的歪が残存する。これらの欠陥、機械的歪み等
はトランジスタの電気的特性例えば電流増幅率、雑音等
の劣化を引き起す。更にボロン原子を熱拡散する場合、
ボロン固有の性質により基板表面の濃度が内部に比べ低
いため、上記の電気的特性の劣化が促進される。このよ
うな熱拡散法の欠点を除去する方法として多結晶薄膜を
通して不純物を半導体基板に導入する方法がたとえば特
開昭４８−１２６８２号公報で提案されている。
拡散させる事によりベース領域を燐原子を熱拡散させる
事によりエミッタ領域を形成する。その際、高濃度の不
純物原子を拡散させる為、基板表面は、結晶欠陥や電気
的に不活性な原子が多く存在する。更に熱拡散時に形成
される酸化膜と基板との間に生ずる熱膨脹係数の相異に
より機械的歪が残存する。これらの欠陥、機械的歪み等
はトランジスタの電気的特性例えば電流増幅率、雑音等
の劣化を引き起す。更にボロン原子を熱拡散する場合、
ボロン固有の性質により基板表面の濃度が内部に比べ低
いため、上記の電気的特性の劣化が促進される。このよ
うな熱拡散法の欠点を除去する方法として多結晶薄膜を
通して不純物を半導体基板に導入する方法がたとえば特
開昭４８−１２６８２号公報で提案されている。
しかしながらこの方法では、多結晶薄膜を通して不純物
を導入した後に、別途表面安定化膜をその上に生成しな
ければならないという欠点があつた。これは工程数を増
加させることとなる。本発明の目的は、多結晶薄膜を通
して不純物を半導体基板に導入する製造おいて、表面安
定化膜を別途気相成長法等で生成しなくともよいような
半導体装置の製造方法を提供することである。
を導入した後に、別途表面安定化膜をその上に生成しな
ければならないという欠点があつた。これは工程数を増
加させることとなる。本発明の目的は、多結晶薄膜を通
して不純物を半導体基板に導入する製造おいて、表面安
定化膜を別途気相成長法等で生成しなくともよいような
半導体装置の製造方法を提供することである。
本発明の特徴は、半導体基板の一主面多結晶薄膜を形成
する工程と、前記多結晶薄膜を通して不純物を導入して
前記半導体基板に不純物領域を選択的に形成する工程と
、該多結晶膜を燐原子を含む酸化物に転換する工程とを
含む半導体装置の製造方法にある。このように本発明は
、不純物領域を形成するために用いた多結晶薄膜を、ナ
トリウムイオン等の汚染を防止する表面安定化酸化膜に
転換しようとするものであり、これにより表面安定化膜
を気相成長等で別途生成する必要がなくなる。
する工程と、前記多結晶薄膜を通して不純物を導入して
前記半導体基板に不純物領域を選択的に形成する工程と
、該多結晶膜を燐原子を含む酸化物に転換する工程とを
含む半導体装置の製造方法にある。このように本発明は
、不純物領域を形成するために用いた多結晶薄膜を、ナ
トリウムイオン等の汚染を防止する表面安定化酸化膜に
転換しようとするものであり、これにより表面安定化膜
を気相成長等で別途生成する必要がなくなる。
したがつて工程が簡素化される。次に本発明の実施例を
説明する。
説明する。
第１図に示される如く、酸化膜２で覆われたコレクタと
なるｎ型基板１の内ベース領域を形成すべき箇所３の酸
化膜を除去し（第１図ａ）、その基板表面にエミッタ、
ベース領域の深さ及びそれらの濃度より決まる厚さを有
する多結晶薄膜４を化学的気相成長法により形成する（
第１図ｂ）。
なるｎ型基板１の内ベース領域を形成すべき箇所３の酸
化膜を除去し（第１図ａ）、その基板表面にエミッタ、
ベース領域の深さ及びそれらの濃度より決まる厚さを有
する多結晶薄膜４を化学的気相成長法により形成する（
第１図ｂ）。
次に、その薄膜を通してボロン原子を従来と同様の方法
により熱拡散し、ベース領域５を形成する（第１図ｃ）
。ボロン拡散時に生じた酸化膜６の内、エミツタ領域と
なるべき箇所７の酸化膜を除去し（第１図ｄ）、燐原子
を熱拡散する事によりエミツタ領域８を形成する（第１
図ｅ）。最後に、多結晶膜上に形成された酸化膜を除去
し、その薄膜表面に燐原子の拡散層９を設けた後（第１
図ｆ）、硼酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム等の
水溶液を用いて多結晶薄膜を陽極酸化する事により、酸
化膜１０に転換する事よりトランジスタが形成される。
（第１図ｇ）。上記の如く多結晶薄膜の使用及び陽極酸
化による酸化膜への転換により、前述した結晶欠陥や電
気的に不活性な原子を排除する事が出来ると共に、陽極
酸化膜と基板との間に生ずる機械的歪が従来に比べて緩
和される。
により熱拡散し、ベース領域５を形成する（第１図ｃ）
。ボロン拡散時に生じた酸化膜６の内、エミツタ領域と
なるべき箇所７の酸化膜を除去し（第１図ｄ）、燐原子
を熱拡散する事によりエミツタ領域８を形成する（第１
図ｅ）。最後に、多結晶膜上に形成された酸化膜を除去
し、その薄膜表面に燐原子の拡散層９を設けた後（第１
図ｆ）、硼酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム等の
水溶液を用いて多結晶薄膜を陽極酸化する事により、酸
化膜１０に転換する事よりトランジスタが形成される。
（第１図ｇ）。上記の如く多結晶薄膜の使用及び陽極酸
化による酸化膜への転換により、前述した結晶欠陥や電
気的に不活性な原子を排除する事が出来ると共に、陽極
酸化膜と基板との間に生ずる機械的歪が従来に比べて緩
和される。
又ボロンの表面濃度の低下も排除される。酸化膜に転換
された燐原子を導入した多結晶薄膜は、ナトリウムイオ
ン等の汚染を防止する表面安定化膜として使用する事が
出来る。
された燐原子を導入した多結晶薄膜は、ナトリウムイオ
ン等の汚染を防止する表面安定化膜として使用する事が
出来る。
本発明の製造方法を用いることにより製造工程が簡素化
される。
される。
又、上記実施例のように多結晶薄膜にＰＮ接合が不所望
に形成されるような場合でも（第１図ｅの工程）、多結
晶薄膜を酸化膜に転換することによりこの不所望のＰＮ
接合は消滅し安定な動作の半導体装置が得られることと
なる。
に形成されるような場合でも（第１図ｅの工程）、多結
晶薄膜を酸化膜に転換することによりこの不所望のＰＮ
接合は消滅し安定な動作の半導体装置が得られることと
なる。
本発明の実施例を、ＮＰＮトランジスタについて述べた
が逆極性のトランジスタは勿論の事半導体集積回路にも
適用される。
が逆極性のトランジスタは勿論の事半導体集積回路にも
適用される。
又、酸化膜１０は陽極酸化でなく熱酸化でもよい。
第１図は本発明の実施例を示す断面図である。
１・・・・・・コレクタ、２・・・・・・酸化膜、３・
・・・・・ベース領域となる箇所、４・・・・・・多結
晶薄膜、５・・・・・・ベース領域、６・・・・・・酸
化膜、７・・・・・・エミツタ領域となる箇所、８・・
・・・・エミツタ領域、９・・・・・・燐拡散層、１０
・・・・・・陽極酸化膜。
・・・・・ベース領域となる箇所、４・・・・・・多結
晶薄膜、５・・・・・・ベース領域、６・・・・・・酸
化膜、７・・・・・・エミツタ領域となる箇所、８・・
・・・・エミツタ領域、９・・・・・・燐拡散層、１０
・・・・・・陽極酸化膜。
Claims (1)
- １ 一主面に選択的に絶縁膜を設けた半導体基板の該絶
縁膜上および該半導体基板の該絶縁膜が存在しない部分
上に多結晶薄膜を形成する工程と、前記多結晶薄膜を通
して前記絶縁膜が存在しない半導体基板表面の部分にの
み不純物を導入して該半導体基板に不純物領域を選択的
形成する工程と、該多結晶薄膜の実質的全域を燐原子を
含む酸化物に転換する工程とを含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49125763A JPS5927106B2 (ja) | 1974-10-31 | 1974-10-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49125763A JPS5927106B2 (ja) | 1974-10-31 | 1974-10-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5151285A JPS5151285A (en) | 1976-05-06 |
| JPS5927106B2 true JPS5927106B2 (ja) | 1984-07-03 |
Family
ID=14918207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49125763A Expired JPS5927106B2 (ja) | 1974-10-31 | 1974-10-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5927106B2 (ja) |
-
1974
- 1974-10-31 JP JP49125763A patent/JPS5927106B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5151285A (en) | 1976-05-06 |
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