JPS5927355B2 - セフアロスポリン誘導体の製造方法 - Google Patents
セフアロスポリン誘導体の製造方法Info
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- 125000003774 valeryl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
Landscapes
- Cephalosporin Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
HOOC−XIH(CH2)3CONH□(l
(式中、R1はアミノ基又はアシル化されたアミノ基を
表わす)で示される化合物又はその塩の (溶液又は懸
濁液に低温でほゞ計算量のアルカリ溶¥HO0C−A−
(CH2)3CONHプ( ] (式中、R2はアミノ基又はアシル化されたアミノ基を
表わす)で示されるセフアロスポリン訪本発明はセフア
ロスポリン誘導体の製造法に関する。
表わす)で示される化合物又はその塩の (溶液又は懸
濁液に低温でほゞ計算量のアルカリ溶¥HO0C−A−
(CH2)3CONHプ( ] (式中、R2はアミノ基又はアシル化されたアミノ基を
表わす)で示されるセフアロスポリン訪本発明はセフア
ロスポリン誘導体の製造法に関する。
さらに詳しくは、本発明は一般式(I)[CH2OCO
CH3OH(l) ※液を徐々に添加し加水分解することを特徴とする;一
般式(■)LCH2OH OH(■) 導体又はその塩の製造法に関する。
CH3OH(l) ※液を徐々に添加し加水分解することを特徴とする;一
般式(■)LCH2OH OH(■) 導体又はその塩の製造法に関する。
一般式(■)で示されるセフアロスポリン誘導体および
その塩は種々の抗菌作用を有するセフアロスポリン系抗
生物質の原料物質として重要性を増している。
その塩は種々の抗菌作用を有するセフアロスポリン系抗
生物質の原料物質として重要性を増している。
一般式()で示されるセフアロスポリン誘導体の製造法
としては、微生物の培養によりセフアロスポリンC(一
般式()中R,がアミノ基である化合物)とともに副生
するデアセチルセフアロスポリンC(一般式()中R2
がアミノ基である化合物)を採取する方法、セフアロス
ポリンCに酵素(アセチルエステラーゼ)を作用させて
デ゛アセチルセフアロスポリンCを製造する方法が知ら
れているが、いずれも工業的規模での製造方法として決
つして満足しうるものではない。
としては、微生物の培養によりセフアロスポリンC(一
般式()中R,がアミノ基である化合物)とともに副生
するデアセチルセフアロスポリンC(一般式()中R2
がアミノ基である化合物)を採取する方法、セフアロス
ポリンCに酵素(アセチルエステラーゼ)を作用させて
デ゛アセチルセフアロスポリンCを製造する方法が知ら
れているが、いずれも工業的規模での製造方法として決
つして満足しうるものではない。
すなわち、前者はデアセチルセフアロスポリンCを収率
よく得るには長時間の培養を必要とし、後者においては
酵素が高価であること、酵素活性にバラツキがあること
、さらに反応混合物から酵素とデアセチルセフアロスポ
リンCとの分離が比較的困難である等の欠点を有してい
る。一方セフアロスポリンCのアルカリ加水分解につい
て、ジエフエリ一らはPHll.l8解C.3.6時間
およびPH9.5.38℃.3.0時間などの条件で試
みたが、この実験結果からセフアロスポリンCをアルカ
リ加水分解してデアセチルセフアロスポリンCを製造す
ることはβ−ラクタム環のはげしい開裂を伴うので実用
的に有用でないとされている(1972年アカデミツク
プレス社発行「セフアロスポリンズ・アンド・ペニシリ
ンズ(CephalOspOrinsandPenic
illins)」第153頁参照)。
よく得るには長時間の培養を必要とし、後者においては
酵素が高価であること、酵素活性にバラツキがあること
、さらに反応混合物から酵素とデアセチルセフアロスポ
リンCとの分離が比較的困難である等の欠点を有してい
る。一方セフアロスポリンCのアルカリ加水分解につい
て、ジエフエリ一らはPHll.l8解C.3.6時間
およびPH9.5.38℃.3.0時間などの条件で試
みたが、この実験結果からセフアロスポリンCをアルカ
リ加水分解してデアセチルセフアロスポリンCを製造す
ることはβ−ラクタム環のはげしい開裂を伴うので実用
的に有用でないとされている(1972年アカデミツク
プレス社発行「セフアロスポリンズ・アンド・ペニシリ
ンズ(CephalOspOrinsandPenic
illins)」第153頁参照)。
上記問題点について、本発明者らは鋭意検討した結果、
原料化合物(1)又はその塩の溶液又は懸濁液に低温で
ほマ計算量のアルカリ溶液を徐々に添加し加水分解する
ことにより、目的化合物が高収率で製造されることを知
見しさらに検討を重ねて本発明を完成するに至つた。
原料化合物(1)又はその塩の溶液又は懸濁液に低温で
ほマ計算量のアルカリ溶液を徐々に添加し加水分解する
ことにより、目的化合物が高収率で製造されることを知
見しさらに検討を重ねて本発明を完成するに至つた。
原料化合物(1)は、R1がアシル化されたアミノ基で
ある場合、新規化合物を含み、かかる新規化合物はセフ
アロスポリンCを自体公知の手段によりアシル化するこ
とにより容易に製造される。
ある場合、新規化合物を含み、かかる新規化合物はセフ
アロスポリンCを自体公知の手段によりアシル化するこ
とにより容易に製造される。
本発明の原料物質は微生物の培養により製造される場合
があり(たとえばセフアロスポリンC)、この場合には
培養液をそのま\あるいは適宜の手段(たとえばろ過.
濃縮等)を行つた後、本発明方法に付してもよい。R1
およびR2で示されるアシル基には脂肪族カルボン酸.
芳香族カルボン酸.複素環系カルボン酸または同様なス
ルホン酸.炭酸エステル.カルバミン酸またはこれらの
チオ酸などから0Hを除いた残基が含まれ、例えば置換
分としてクロル.ブロム.ヨードなどのハロゲン.メト
キシ.エトキシ.プロポキシ等のアルコキシ基.メチル
チオ.エチルチオ.プロピルチオ.ブチルチオ等のアル
キルチオ基.フエニルオキシ.トリルオキシ.ナフチル
オキシ等のアリルオキシ基.フエニル.トリル.ナフチ
ル等のアリル基.メトキシカルボニル.エトキシカルボ
ニル.プロポキシカルボニル.プトキシカルボニル等の
アルコキシカルボニル基.アセチルオキシ.プロピオニ
ルオキシ.ブチリルオキシ.ベンゾイルオキシ等のアシ
ルオキシ基.アセチルチオ.プロピオニルチオ.ブチリ
ルチオ.ベンゾイルチオ等のアシルチオ基.ホルムアミ
ド.アセトアミド.プロピオンアミド.ブチルアミド.
ベンズアミド.第3級ブトキシカルボニルアミノ.アリ
ル(Allyl)オキシカルボニルアミノ.シクロヘキ
シルオキシカルボニルアミノ.フエノキシカルボニルア
ミノ.フエニルチオカルボニルアミノ.ベンジルチオキ
シカルボニルアミノ.トルエンスルホニルアミノ等のア
シルアミノ基.チエニル.フリル.ピロリル.インドリ
ル.2−オキソベンゾチアゾリル一3−イル.イミダジ
ニル等の複素環式基等を有するか、または有しない、例
えば、アセチル.プロピオニル.アクリロイル.ブチリ
ル.イソブチリル.バレリル.イソバレリル.カプロイ
ル.エナンチル.オクタノイル等のアルカノイル基.シ
クロペンタンカルボニル.シクロヘキサンカルボニル等
のシクロアルカンカルボニル基.ベンゾイル.トルオイ
ル.ナフトール等のアリロイ歩基.メトキシオルボニル
.エトキシカルボニル.プロポキシカルボニル.イソプ
ロポキシカルボニル.ブトキシカルボニル等のアルコキ
シカルボニル基.フエニルオキシカルボニル.トリルオ
キシカルボニル.ナフチルオキシカルボニル等のアリル
オキシカルボニル基.ベンジルオキシカルボニル.フエ
ネチルオキシカルボニル等のアラルキルオキシカルボニ
ル基.ニコチノイル.ピペラジン一1−カルボニル.モ
ルホリン−4カルボニル.ピロール−2−カルボニル.
フラン2−カルボニル等の複素環カルボニル基.サクシ
ニル.マロニル.マレオイル.プタロール.ベンゼンス
ルホニル.カルバモイル.メチルカルバモイル.ジメチ
ルカルバモイル.エチルカルバモイル.プロピルカルバ
モイル.イソプロピルカルバモイル.ブチルカルバモイ
ル等のアルキルカルバモイル基.フエニルカルバモイル
.トリルカルバモイル.ナフチルカルバモイル等のアリ
ールカルバモイル基.メチルフエニルカルバモイル.エ
チルトリルカルバモイル等のアルキルアリールカルバモ
イル基もしくは同様なチオカルバモイル基等が挙げられ
る。
があり(たとえばセフアロスポリンC)、この場合には
培養液をそのま\あるいは適宜の手段(たとえばろ過.
濃縮等)を行つた後、本発明方法に付してもよい。R1
およびR2で示されるアシル基には脂肪族カルボン酸.
芳香族カルボン酸.複素環系カルボン酸または同様なス
ルホン酸.炭酸エステル.カルバミン酸またはこれらの
チオ酸などから0Hを除いた残基が含まれ、例えば置換
分としてクロル.ブロム.ヨードなどのハロゲン.メト
キシ.エトキシ.プロポキシ等のアルコキシ基.メチル
チオ.エチルチオ.プロピルチオ.ブチルチオ等のアル
キルチオ基.フエニルオキシ.トリルオキシ.ナフチル
オキシ等のアリルオキシ基.フエニル.トリル.ナフチ
ル等のアリル基.メトキシカルボニル.エトキシカルボ
ニル.プロポキシカルボニル.プトキシカルボニル等の
アルコキシカルボニル基.アセチルオキシ.プロピオニ
ルオキシ.ブチリルオキシ.ベンゾイルオキシ等のアシ
ルオキシ基.アセチルチオ.プロピオニルチオ.ブチリ
ルチオ.ベンゾイルチオ等のアシルチオ基.ホルムアミ
ド.アセトアミド.プロピオンアミド.ブチルアミド.
ベンズアミド.第3級ブトキシカルボニルアミノ.アリ
ル(Allyl)オキシカルボニルアミノ.シクロヘキ
シルオキシカルボニルアミノ.フエノキシカルボニルア
ミノ.フエニルチオカルボニルアミノ.ベンジルチオキ
シカルボニルアミノ.トルエンスルホニルアミノ等のア
シルアミノ基.チエニル.フリル.ピロリル.インドリ
ル.2−オキソベンゾチアゾリル一3−イル.イミダジ
ニル等の複素環式基等を有するか、または有しない、例
えば、アセチル.プロピオニル.アクリロイル.ブチリ
ル.イソブチリル.バレリル.イソバレリル.カプロイ
ル.エナンチル.オクタノイル等のアルカノイル基.シ
クロペンタンカルボニル.シクロヘキサンカルボニル等
のシクロアルカンカルボニル基.ベンゾイル.トルオイ
ル.ナフトール等のアリロイ歩基.メトキシオルボニル
.エトキシカルボニル.プロポキシカルボニル.イソプ
ロポキシカルボニル.ブトキシカルボニル等のアルコキ
シカルボニル基.フエニルオキシカルボニル.トリルオ
キシカルボニル.ナフチルオキシカルボニル等のアリル
オキシカルボニル基.ベンジルオキシカルボニル.フエ
ネチルオキシカルボニル等のアラルキルオキシカルボニ
ル基.ニコチノイル.ピペラジン一1−カルボニル.モ
ルホリン−4カルボニル.ピロール−2−カルボニル.
フラン2−カルボニル等の複素環カルボニル基.サクシ
ニル.マロニル.マレオイル.プタロール.ベンゼンス
ルホニル.カルバモイル.メチルカルバモイル.ジメチ
ルカルバモイル.エチルカルバモイル.プロピルカルバ
モイル.イソプロピルカルバモイル.ブチルカルバモイ
ル等のアルキルカルバモイル基.フエニルカルバモイル
.トリルカルバモイル.ナフチルカルバモイル等のアリ
ールカルバモイル基.メチルフエニルカルバモイル.エ
チルトリルカルバモイル等のアルキルアリールカルバモ
イル基もしくは同様なチオカルバモイル基等が挙げられ
る。
原料化合物(1)は少なくとも2つのカルボキシル基を
分子内に有し、モノ塩.ジ塩などいかなる塩も本発明の
原料化合物として使用される。
分子内に有し、モノ塩.ジ塩などいかなる塩も本発明の
原料化合物として使用される。
そのような塩としては、具体的にはナトリウム.リチウ
ム.カリウム等のアルカリ金属塩、カルシユウム等のア
ルカリ土類金属塩、トリエチル−アミン等の有機アミン
塩が挙げられる。原料化合物(1)又はその塩の溶液又
は懸濁液の溶媒は通常水あるいは水とたとえばアセトン
.メチルエチルケトン等のケトン類、たとえばメタノー
ル・エタノール・プロパノール.ブタノール等のアルコ
ール類、たとえばN,N−ジメチルホルムアミド.N,
N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、アセトニトリ
ル.ホスホラン.ジメチルスルホキシド.ヘキサメチル
ホスホトリアミドなどの親水性有機溶媒との混合物が用
いられる。
ム.カリウム等のアルカリ金属塩、カルシユウム等のア
ルカリ土類金属塩、トリエチル−アミン等の有機アミン
塩が挙げられる。原料化合物(1)又はその塩の溶液又
は懸濁液の溶媒は通常水あるいは水とたとえばアセトン
.メチルエチルケトン等のケトン類、たとえばメタノー
ル・エタノール・プロパノール.ブタノール等のアルコ
ール類、たとえばN,N−ジメチルホルムアミド.N,
N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、アセトニトリ
ル.ホスホラン.ジメチルスルホキシド.ヘキサメチル
ホスホトリアミドなどの親水性有機溶媒との混合物が用
いられる。
アルカリとしては、たとえば水酸化ナトリウム.水酸化
カリウム.水酸化リチウム等アルカリ金属水酸化物が通
常使用され、アルカリは通常溶液状態で使用される。そ
のための溶媒としては、水あるいは水と上記の親水性有
機溶媒との混合物が好適である。アルカリの使用量はほ
ゾ計算量である。
カリウム.水酸化リチウム等アルカリ金属水酸化物が通
常使用され、アルカリは通常溶液状態で使用される。そ
のための溶媒としては、水あるいは水と上記の親水性有
機溶媒との混合物が好適である。アルカリの使用量はほ
ゾ計算量である。
ほマ計算量とは原料物質のアセチル基に対して約1〜2
当量、より好ましくは約1.1〜1.2当量のアルカリ
を作用させるようにすればよいが、例えば原料物質が酸
性基を有する場合はアルカリとの間で中和反応が、又そ
の酸性基がアルカリよりも弱塩基との塩を形成している
場合はアルカリとの間で塩基交換反応が、目的とする加
水分解による脱アセチル化反応に優先して進行するので
、このような副反応あるいはその他の副反応に消費され
るアルカリを余分に反応系に添加することが必要である
。従つて例えばセフアロスポリンCを原料物質として使
用する場合、セフアロスポリンCは2つのカルボキシル
基を有するので2当量のアルカリが中和反応に消費され
るから、添加されるアルカリの計算量は約3〜4当量で
ある。又さらに例えば原料として7一(5−フタルイミ
ド−5−カルボキシバレルアミド)−3−゛アセトキシ
メチル−3一セフエム一4−カルボン酸を用いる場合、
先ず中和反応により、7一(5−フタルイミド−5−カ
ルボキシバレルアミド)−3−アセトキシメチルー3−
セフエム一4−カルボン酸ジナトリウム塩を生成するの
に2当量のアルカリ、次いでプタロール基の一方の結合
が加水分解され7一(5(2−カルボキシベンゾイノリ
アミノ一5−カルボキシバレルアミド)−3−アセトキ
シメチル−3−セフエム一4−カルボン酸トリナトリウ
ム塩を生成するのに1当量のアルカI八更に本来目的と
する加水分解による脱アセチル化反応に1〜2当量のア
ルカリが必要であるから、この場合のアルカリの計算量
は約4〜5当量である。アルカリ溶液の添加は通常約−
1『C〜15℃程度(より好ましくは約0〜5℃程度)
の低温で行われ、添加時間には通常約5分〜2時間程度
(より好ましくは約10分〜40分程度)である。
当量、より好ましくは約1.1〜1.2当量のアルカリ
を作用させるようにすればよいが、例えば原料物質が酸
性基を有する場合はアルカリとの間で中和反応が、又そ
の酸性基がアルカリよりも弱塩基との塩を形成している
場合はアルカリとの間で塩基交換反応が、目的とする加
水分解による脱アセチル化反応に優先して進行するので
、このような副反応あるいはその他の副反応に消費され
るアルカリを余分に反応系に添加することが必要である
。従つて例えばセフアロスポリンCを原料物質として使
用する場合、セフアロスポリンCは2つのカルボキシル
基を有するので2当量のアルカリが中和反応に消費され
るから、添加されるアルカリの計算量は約3〜4当量で
ある。又さらに例えば原料として7一(5−フタルイミ
ド−5−カルボキシバレルアミド)−3−゛アセトキシ
メチル−3一セフエム一4−カルボン酸を用いる場合、
先ず中和反応により、7一(5−フタルイミド−5−カ
ルボキシバレルアミド)−3−アセトキシメチルー3−
セフエム一4−カルボン酸ジナトリウム塩を生成するの
に2当量のアルカリ、次いでプタロール基の一方の結合
が加水分解され7一(5(2−カルボキシベンゾイノリ
アミノ一5−カルボキシバレルアミド)−3−アセトキ
シメチル−3−セフエム一4−カルボン酸トリナトリウ
ム塩を生成するのに1当量のアルカI八更に本来目的と
する加水分解による脱アセチル化反応に1〜2当量のア
ルカリが必要であるから、この場合のアルカリの計算量
は約4〜5当量である。アルカリ溶液の添加は通常約−
1『C〜15℃程度(より好ましくは約0〜5℃程度)
の低温で行われ、添加時間には通常約5分〜2時間程度
(より好ましくは約10分〜40分程度)である。
添加は撹拌下に行われてよい。反応混合物をたとえば、
クロマトグラフイ一、イオン交換樹脂処理、再結晶、再
沈殿などの手段により目的物をβ−ラクタム環の開裂や
△3→△2の異性化を最小限にとどめ目的物を高純度、
高収率で製造することができる。
クロマトグラフイ一、イオン交換樹脂処理、再結晶、再
沈殿などの手段により目的物をβ−ラクタム環の開裂や
△3→△2の異性化を最小限にとどめ目的物を高純度、
高収率で製造することができる。
実施例 1
7−(5−アミノ−5−カルボキシバレルアミド)−3
−アセトキシメチル−3−セフエム一4一カルボン酸モ
ノナトリウム塩1.899(4mm01)を水207n
1に溶解し、氷冷下、1N一水酸化ナトリウム9m1(
9mm01)を約10分かかつて滴下する。
−アセトキシメチル−3−セフエム一4一カルボン酸モ
ノナトリウム塩1.899(4mm01)を水207n
1に溶解し、氷冷下、1N一水酸化ナトリウム9m1(
9mm01)を約10分かかつて滴下する。
滴下後20分かくはんの後、リン酸にてPH6.5とし
直径3?×高さ205Lの活性炭カラムクロマトグラフ
イにて吸着.水洗の後、50%アセトンにて溶出し、凍
結乾燥し、7(5−アミノ−5−カルボキシバレルアミ
ド)3−ヒドロキシメチル−3−セフエム一4−カルボ
ン酸モノナトリウム塩1,.019を得た。また、上記
反応液の7−(5−アミノ−5−カルボキシバレルアミ
ド)−3−ヒドロキシメチル−3−セフエム−4−カル
ボン酸の含量はアンバーライト*δ1.6〜2.1ブロ
ード(4H.NCHCH2CXAD−2カラム液体クロ
マトグラフイを用い、その標品に対する面積比より、生
成率は80%以上であつた。実施例 2 7−(5−フタルイミド−5−カルボキシバレルアミド
)−3−アセトキシメチル−3−セフエム−4−カルボ
ン酸2.189(4皿01)を水20mlに浮遊かくは
んしつつ、氷冷下、1N一水 ニ酸化ナトリウム18m
l(18mmol)を20分で滴下、更に10分かくは
んの後リン酸にて、pH2.5とし、食塩飽和とした後
、メチルエチルケトン1001nlを用いて抽出、水洗
の後、無水硫酸マグネシウムにてすばやく脱水の後、2
N−ヘキサン酸ナトリウムイソプロピルアルコール溶液
2.5mlを加え、析出した沈殿をエチルエーテルにて
洗浄後、その沈殿に水を加えて、凍結乾燥し、7(5−
(2−カルボキシベンゾイノ(ハ)アミノ−5−カルボ
キシバレルアミド)−3−ヒドロキシメチル−3−セフ
エム−4−カルボン酸トリナトリウム塩1.305fl
を得た。
直径3?×高さ205Lの活性炭カラムクロマトグラフ
イにて吸着.水洗の後、50%アセトンにて溶出し、凍
結乾燥し、7(5−アミノ−5−カルボキシバレルアミ
ド)3−ヒドロキシメチル−3−セフエム一4−カルボ
ン酸モノナトリウム塩1,.019を得た。また、上記
反応液の7−(5−アミノ−5−カルボキシバレルアミ
ド)−3−ヒドロキシメチル−3−セフエム−4−カル
ボン酸の含量はアンバーライト*δ1.6〜2.1ブロ
ード(4H.NCHCH2CXAD−2カラム液体クロ
マトグラフイを用い、その標品に対する面積比より、生
成率は80%以上であつた。実施例 2 7−(5−フタルイミド−5−カルボキシバレルアミド
)−3−アセトキシメチル−3−セフエム−4−カルボ
ン酸2.189(4皿01)を水20mlに浮遊かくは
んしつつ、氷冷下、1N一水 ニ酸化ナトリウム18m
l(18mmol)を20分で滴下、更に10分かくは
んの後リン酸にて、pH2.5とし、食塩飽和とした後
、メチルエチルケトン1001nlを用いて抽出、水洗
の後、無水硫酸マグネシウムにてすばやく脱水の後、2
N−ヘキサン酸ナトリウムイソプロピルアルコール溶液
2.5mlを加え、析出した沈殿をエチルエーテルにて
洗浄後、その沈殿に水を加えて、凍結乾燥し、7(5−
(2−カルボキシベンゾイノ(ハ)アミノ−5−カルボ
キシバレルアミド)−3−ヒドロキシメチル−3−セフ
エム−4−カルボン酸トリナトリウム塩1.305fl
を得た。
δ7.60s(4H.フエニノリ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1はアミノ基又はアシル化されたアミノ基
)で示される化合物又はその塩の溶液又は懸濁液に低温
でほゞ計算量のアルカリ溶液を徐々に添加し加水分解す
ることを特徴とする一般式▲数式、化学式、表等があり
ます▼(式中、R_2はアミノ基又はアシル化されたア
ミノ基を表わす)で示されるセフアロスポリン誘導体又
はその塩の製造法。 2 R_1がフタルイミノ基である特許請求の範囲第1
項記載の製造法。 3 0〜5℃の条件下でアルカリ溶液を添加し加水分解
する特許請求の範囲第1項又は第2項記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1911776A JPS5927355B2 (ja) | 1976-02-23 | 1976-02-23 | セフアロスポリン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1911776A JPS5927355B2 (ja) | 1976-02-23 | 1976-02-23 | セフアロスポリン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52102289A JPS52102289A (en) | 1977-08-27 |
| JPS5927355B2 true JPS5927355B2 (ja) | 1984-07-05 |
Family
ID=11990519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1911776A Expired JPS5927355B2 (ja) | 1976-02-23 | 1976-02-23 | セフアロスポリン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5927355B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5899486A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-13 | Sankyo Co Ltd | セフアロスポリン誘導体の製法 |
-
1976
- 1976-02-23 JP JP1911776A patent/JPS5927355B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52102289A (en) | 1977-08-27 |
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