JPS5928587A - 亜鉛およびニツケル許容性三価クロムメツキ浴 - Google Patents

亜鉛およびニツケル許容性三価クロムメツキ浴

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JPS5928587A
JPS5928587A JP58122262A JP12226283A JPS5928587A JP S5928587 A JPS5928587 A JP S5928587A JP 58122262 A JP58122262 A JP 58122262A JP 12226283 A JP12226283 A JP 12226283A JP S5928587 A JPS5928587 A JP S5928587A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、三価クロムメッキ浴からのクロムの電着に関
する。
三価クロムメッキ操作の成功は、しばしば、浴中に入っ
て来た鉄、ニッケル、銅、亜鉛、鉛などの通常の金属イ
オンによる妨害の防止に依存している。一般に、三価ク
ロムメッキ方法は、金属不純物に対する許容性が非常に
低いことが知られている。亜鉛および銅に対する浴の許
容性は特に低く、かくしてこれらの金属による汚染を避
けるため細心の注意を払わねばならない。蛸は低電流密
度YL屏を用いて析出させることができるが、亜鉛は十
分に析出しないので大きな問題となる。典型的には、A
fjiaまたは亜鉛ダイカスト上にメッキを行うときに
は、亜鉛汚染は避けらJLない。亜鉛は非常に活性であ
り、浴の酸性条件下では容易に溶解する。従って、落と
し込んだ部品は速やかに取シ出さねばならない。例えば
極めて低い電DIC笛度領域のだめのような、クロムメ
ッキ前に完全にメッキされていない部品の場合には、あ
る程度の溶wIは避けられない。例えば米r!il %
 、治第ダ、θワ3.Sス/号中に記載されているよう
に、メッキの欠陥を防ぐためには、亜鉛の存在をaθp
pln米満のレベルにしなければ7よらない。20 p
pm以−にのレベルでは、メッキ範囲の゛ド限に於て白
っぽいz:4ちった(itが現わ〕Lる。m巾の亜鉛の
12度が増すと、適用能1ノt1(covera8θ)
が城少踵白濁が高i(L流密度領域中へ移動する。
亜鉛を除去するために通常用いられる唯一の方法は、例
えば米国特許第グ、 03g、 71.0号に記載さh
でいる沈殿法である。この方法は、亜鉛を含む痕跡の金
属汚染物3(を浴から沈殿させるための水f+’J11
タフエロシアン化物の使用を含む。この方法は、時間が
かかり、かっカンードフィルミング(陰極造膜、Cat
hodlc  fllmlng )が起こ9得ることが
知られている。この膜は非常に重質なので、ある場合に
は、メッキした部品を、付着粉末を除去するために、フ
ェロシアン化物を用いる溶液中で物理的に拭き取らねば
ならない。
また、この特許中には、欠陥を除去するための所要量よ
り過剰な量のフェロシアン化物を添加するとと谷の性能
を劣化させる可能性があることが指摘されでいる。適当
なフェロシアン化物濃度を決めるため、析出物の観察を
しながら少しずつフェロシアン化物を添加する。過剰の
フェロシアン化物は、ニッケルまたは亜鉛または鉄また
は銅のような追加金属を用いて除去される。プロセス制
御は、フエロシ゛rノ化物濃度金汚染物:1父濃度に等
しくするために1経験法(rulθof  thumb
 )’を用いる。
ニッケルに対する溶液許容度は、多くの他の金属に対す
るよりも大きいかもしれないけれども、ニッケル汚染は
、通常それが容易には析出(plateout ) L
ないので、論争するのが特に困難である。
あるツバ合には、例えば米国管r[第3,7Sダ、57
グ号に見られるように、メッキ浴に浴成分としてニッケ
ルを添加する。ニッケルは、共電着のためには飽″A1
1まで存在することができる。ニッケル許容度のレベル
なよ、析出物出現の所要性能レベルに反比例する。これ
に関して、米国管1?′[第ダ、 0′73. 、!;
、2.7号のメッキ浴は、ニッケル/左θppmまでを
π「容できるだけであり、あるいは鉄の存在“「では7
oou+〕m寸でのニッケルを許容できるだけであり、
ニッケルと鉄との合計ざλ度/、t0ppmまでを許容
できるだけであることが認められる。
−”ケル汚染除去は、通常ツメチルグリオキシムのよう
な沈殿剤による沈殿の使用を含む。沈殿剤の価格が高く
かつ得られる綿状沈殿の沈殿が困p進なため、この方法
は完全にはほど遠いものになる。フェロシアン化物も使
用可能であるが、前述のように問題が無くは焦い。
本発明の化合′吻の幾つかは、ニッケルメッキに於1添
加剤として用いらり、ることか認めらtしている。しか
し、すべてのニッケル光沢剤が、浴のニノケル不純物に
対する許容度を増加するために3価クロムメッキ浴中で
有用であるわけではない。
XQ <べきことには、これらの添加剤のあるものは、
アルデヒドのような亜鉛メッキに用いられる典型的な光
沢剤が亜鉛汚染物を含む31111Iクロムメツキ浴中
で有利な影響を与えない場合でも、亜鉛不純物の処理に
も有利であることが発見された。
本発明者らは、ニッケルおよび(または)亜鉛汚染を、
これら金属に対する浴の許容度レベルを増すことによシ
処理することができ、それによって沈殿剤または他の手
段の使用によるそれら汚染全屈の除去の必要がなくなる
ことを発見した。本発明は、亜鉛および(または)ニッ
ケルで汚染された3価クロム浴中に於ける、式R−3(
上記式中、Sはスルフィナート、スルホナート、および
スルフィン酸、スルホン酸およびそれらの可溶性塩から
なる群から選ばれ、Rは/〜A個の炭素を有する脂肪族
基、あるいは72個までの炭素を有する芳香族基まだは
アルキ、ル芳香族基または複素項式基のいずれかである
)で示される化合物の有効量の使用に関する。好ましく
は、Rは不飽和炭化水素であシ、硫黄原子に対して(χ
位またはβ位に炭素−炭素不飽和を含む。
下記実施例に於て、本発明の添加剤の有無による影響を
測定するためにハルセル(ト)allcθ11)試験を
用いた。特に断らない限り、−3価りロムメッキ浴〃 
とは、その基礎的成分として3価クロム、錯化剤、ノ、
ダ電性塩をベースとする典型的なメッキ溶液を意味する
。これらeま公知であり、米国9′νW「第 3.灯グ
、左7り 号、 第グ、/グ/、ざ03−弓″、 紀 
グ、/乙7.ダ乙0号記載のメッキ浴のようなメッキ浴
を含む。1正常な3価りロムメッキ浴〃 とは、作動性
でありがつイ丁害金属不純物を含まない3価り旧ムメッ
キ浴を意味する。
」二ite 4°ン+f”「中に6己載されているよう
しこ、浴は、硫酸第ニクロム、塩化カリウム、塩化アン
モニウム、硼酸、蟻酸アンモニウム、酢酸、硫酸第一鉄
アンモニウム、または他の標準的成分肴:含むことがで
きる。本発明が特別な操作理論に限定されるものと考え
るべきではないが、添加剤eまキレート剤またはカップ
リング剤として作用するものであシ、沈殿剤として働く
ものではないと思わiする。
従って、本発明の添加剤は、一般的に3ilIIlクロ
ムメツキ浴に適用可能である。
下記の試験に於て、浴は包囲温度に保たれ、(n押棒と
マグネチックスタラーとによって、カンード付近でおだ
やかに攪拌された。用いられた新ただメッキさ)したニ
ソケルカソードイ〔水i先し、酸浸漬し/C後、50 
Q +nt、ハルセル中で、黒鉛をアノードとして1.
tamp−CJ分間メッキを行った。
対照例1 50 ppmの亜鉛を含む3価クロムメッキ浴を用いて
、ハルセルパ;t・ルをメッキした。得られた析出物ハ
、市電流密部端から/ 3 amp/rim”  (a
sd)まで鮮明で光沢があり、約3〜/ 3 asdで
白つばく濁っていた。
実施例 上記の浴に、θ、gg?/lの7” IJルスルホン酸
ナナトリウム全添加た。濁りは完全になくなυ、色がほ
んの僅かに不均一な析出物を残した。
実施例ノ 実施例/の浴に、さらにo、 gg y7tのアリルス
ルホン酸ナトリウムを添加した。濁りが無くなっただけ
でなく、析出物の色も均一でおった。。
対照例コ 標準成分と共に50 ppmの亜鉛と/ダoppmのニ
ッケルとを含む3価りロムメッキ浴ヲ用い一〇ハルセル
ノfネルのメッキを行った。得られた析出物は、約、3
 asdから/ 3 asdまで白く濁つ−Cいた。そ
の上1.2〜3asdの析出物は暗色であった。
実施例3 対照例λの浴に、0.03 t/L のノロノぞルギル
スルホナートを添加した。濁りとmGさeま無くなり、
ハルセル上に3 asd iですぐれた析出物が得られ
た。
実施例グ 対照例−の浴に、ビニルスルポナートヲ、61度が0.
30 t/l に達するまで添加した。このハルセルパ
ネルは、3asdまで均一で濁りの無い析出物を示した
対照例3 標準成分と共に、30 ppmの亜鉛と/30ppm 
(7)ニッケルとを含む3価クロムメッキ液を用いてハ
ルセルパネルをメッキした。濁った析出物を生じ、その
上、低電流密度領域では暗色が生じた。
実施例左 対照例3の浴に、0.23 t/lのベンゼンスルフィ
ン酸ナトリウムを段階的に添加した。ハルセル・臂ネル
上には濁りは全くなかった。それでも、析出物は、低電
流密度で僅かに暗色であった。
実施例6 実Afli N 5のベンゼンスルフィン酸ナトリウム
量を0.33 ?/l に増加した。低電流密度に於け
る暗色と濁りのほとんどすべてが無くなり、良好な外観
の析出物が聯られた。
実施例7 対照例3と同じ組成を有する浴に、0.2397tのト
ルエンスルフィン酸す゛トリウムを添加したっハルセル
ノやネル上には、濁シは全く無かった。
対照例弘 低電流密度電解用のSθQ meハルセル中で、標準成
分と700ppmの亜鉛とを含む3価クロムメッキ液を
つくった。このメッキ液を、3asdの平均電流密度で
、A amp−hrs/lの間電解した。浴の分光光度
目分析を行ったところ、亜鉛量は7 g ppmに減少
していた。
実施例g 対照例グの3価クロムメッキ液にノ、xy7tのアリル
スルホン偵ナトリウムを添加したものを\3asdで6
amp−hrs/lの間N、 l’nF した。浴の分
光光度計分析の結果、亜8濃度は30 ppm K減少
しており5.2..2y/lのアリルスルボン酸ナトリ
ウム添加浴の方がずっと大きいメッキ速度であることを
示した。
対照例S 低電流密U電)管用soomt、 /−ルセル中で標準
成分と70θppmの亜鉛とを含む3価クロムメッキ液
をつくった。このメッキ液を3 asdで/3gamp
−hrs/lの間電解した。浴の分光光度計分析の結果
、亜鉛濃度は37 ppmに減少しtいた。
実施例7 対照例Sの、31’+lfiクロムメツキ液に0.4t
’l t/l のアリルスルホン酸ナトリウムを添加し
たものを、対照例Sの方法で、3 asdで13g a
mp−t1rs/lの間電解した。浴の分光光度■r分
析の結果、亜鉛p度は22 ppmに減少しており、0
.ダll f/l の1リルスルホン酸すl−IJウム
添加浴の方がずっと大きいメッキ速度であることを示し
た。
対照例4 標準成分と300ppmのニッケルとを含む3価クロム
メッキ液を用いてノ1ルセルパネルのメッキを行った。
41−.20asdの所に思い筋が見られた。
実施例/θ 対照例乙の浴に/、 ’75 VLのアリルスルホン酸
ナトリウムを添加し、もう7つのノ臂ネルのメッキを行
った。筋はすべて消失し、/、夕asdからパネルの端
まで被覆はかなり増加していた。
対照例7 標準成分とggOppmのニッケルとを含む3価クロム
メッキ液を用いてハルセルノ!ネルをメッキした。ハル
セル・ぐネル上の析出物にはひどい筋ができていた。
実施例// 対照例7の浴に、0.997tのアリルスルホン酸ナト
リウムを添加し、別のパネルのメッキを行った。はとん
どすべての筋が無くなり、ノ・ルセルノ!ネル上には光
沢のある析出物が見られた。
対照例g 標準成分と30Oppmのニッケルとを含む3価りロム
メッキ液ヲ用い、ハルセルノ?ネルのメッキを行ったと
ころ、グ〜20 asdの所に黒い筋の典型的なニッケ
ル効果が見られた。
実施例/2 対照例gの浴に、o、titi、 t7tのアリルスル
ホン酸ナトリウムを醗加した。この結果、ノ・ルセル・
ぐネル上の筋のほとんど全部が無くなシ、・!ネル上に
光沢ある析出物が得られた。
対照例? 3ftlliクロム浴を分光光度計で分析し、ニッケル
3gOppmを含有していることがわかった。標準方法
ニ従って7・ルセルパネルのメッキを行った所、約2〜
.20 asdの所にひどい黒い節があることが観察さ
れた。
サラニ、グロパルギルアルコール、サッカリン、ゾチン
ジオール、グルタルアルデヒド、0−クロ゛ロベンズア
ルデヒド、ペンツルアセトンの添加剤では、所望の効果
は得られなかった。
実施例/3 対照例りの浴にグロパルギルスルホナートを次第に増加
する殿で添加し、毎回スルホナートを添加しり後、ハル
セルパネルのメッキを行った。
0、(B f/l @度で、筋の強さが非電に減少し、
0、25 t/lの濃度で、それ以前に見られた黒い筋
のすべてが消失した。
実施例/ダ 対照例9のように調合した浴に、ヒドロキシ置換ビ1,
1 シニウムグロピルスルホペタインを段階的に添加し
た。θ、/29/l の濃度レベルで筋は減少し、o、
lIgy7t の濃度レベルでさらにずっと減少した。
実施例/り 対照例9のように調合した浴に、3−ピリジンスルポン
酸を段階的に添加した。低電流密度の所には析出物が無
く、約3 asclに見られたひどい黒い筋1’l−0
,t/Lg 9/L の濃度レベルでかなシ減少し、5
、 & 9/lの濃度レベルでほとんど無くなった。
00g t/l  ぐらいの低濃度レベルでは0.3a
sdまで析出(throw )が増加した。
実施例/A 対照例ヲのようにi”it合した浴に、3−ヒドロキシ
フ0ロパンスルホン酸を段階的に添加した。0.70f
/lのil&レベルで、カソード上の筋が減少し、それ
以上の添加によって筋はさらにずっと減少しだ。
実施例/7 対照例7のように調合した浴に、ベンゼンスルフィンC
2ナトリウムを段階的に添加した。0.109/Lの添
加で・臂ネル上の析出物が改良さ!tだが、約3〜約、
l Q asdの所に米だひどい黒色筋があった。しか
し、/、!;1/1の濃度レベルでは筋の強さが小さく
なシ、乙、11.9/lの濃度レベルでは、極めて少量
の筋しか残っていなかった。
実施例/g 30 o mtのハルセル中で、約3!;Oppmのニ
ッケルを含む、2 fjaの3価クロムメッキ浴をつく
り、本発明の化合物の添加の有無によるニッケルのメッ
キ速度の比較を行った。メッキiAは仁の試験の対照と
して働いた。メッキ液Bには、グ、グy7tのアリルス
ルホン酸ナトリウムを添加した。両メッキ液を、直列で
、J asdで/2/ amp−hrs/l  の間電
解した後、分光光度肝でニッケルの分析を行った。
結果は次の通υであった。
330 B             2乙0 上記結果は、明らかに、アリルスルホン酸す) IJウ
ムの添加によってニッケルのメッキ速度が大きく増加す
ることを1.示している。
本発明の添加剤は、例えば、3価クロムメッキ浴中での
界面活性剤の使用を記載している米国時♂[第3.灯グ
、り7q号のg〜コθアルキル炭素を有するスルポン化
界面活性剤に幾分似たところがあるように見える。しか
し、本発明の添加剤と界面活性剤との間の差異は、これ
らを3価クロムメッキ浴に適用したとき、次の比較試験
から明らかになる。
包囲温度に保たれ、かつ攪拌+IIとマグネチックスタ
ラーとを用いておだやかしこ攪拌されている(票準作動
浴でハルセル試験をQつた。新たにメッキしたニッケル
カソードをJIJいた。ニッケルカソードな水洗し、酸
浸びC後、試蓼ヱメッギ液中で、Sampを用いて3分
間メッキした。この浴に、lIo。
90m 〕、=−ソクルを添加し、ハルセルバネ/l/
 (7) 実験を行った。典型的なニッケル効果を示し
、約V〜20 asdO所でひどいぎざぎざの筋を示し
た。スルホ” IRkA J?’ 面活性剤ソヘキンル
ヌルホンコハク酸を浴((添加して、さらに試験を行っ
た。メッキ浴中で典型的に見いだされる濃度の0.0/
 y/l で1′:j 、何らの影響も認められなかっ
た。θ、/1/1では、何らの改良が無かったばかりで
なく、低電流密度の所に濁りが生じた。これは界l11
1活性剤の存在に帰せられるものであった。
アメリカ合衆国ニューヨーク州 10306スタテン・アイランド。
シービュー・アベニュー194ア パートメント3−デイ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)亜鉛および(または)ニッケルで汚染された三価
    クロムメッキ浴であって、弐R−5(上記式中、Sはス
    ルフィナート、スルホナート、およびスルホン酸、スル
    フィン酸ならびにそitらの可溶性塩からなる群から選
    ばれ、Rは7〜6個の炭素を有する脂肪族基、あるいは
    72個までの炭素を有する芳香族基またはアルキル芳香
    族基または複素環式基である) で示される化合物の有効址を含むことを特徴とする三価
    クロムメッキ浴。 (、/l  Rが不飽和炭化水素である、特許請求の範
    囲第(1)項記載の浴。 (、?+  nが硫黄原子に対してα位の炭素−炭素不
    飽和を含む、特許請求の範囲第(4項記載の浴。 <’/)  Rが硫黄原子に対してβ位の炭素−炭素不
    飽和を含む、特許請求の範囲第(1)項記載の浴。 (j Sがスルホナートである、特IF gii求の範
    囲第(1)項記載の浴。 (乙) Sがスルフィナートである、特許請求の範囲第
    (4項記載の浴。 (71R−3がトルエンスルフィナートである、特許請
    求の範囲第(1)項記載の浴。 (nR−5がベンゼンスルフィナートである、特許請求
    の範囲第(1)項記載の浴。 (9)R−3がビニル−スルホナートである、特許請求
    の範囲第(4項記載の浴。 (/(7)R−3がアリルスルホナートである、特許請
    求の範囲第(1)項記載の浴。 (//)  R−S カグロパルギルスルホナートであ
    る、特許請求の範囲第(1)項記載の浴。
JP58122262A 1982-07-28 1983-07-05 亜鉛およびニツケル許容性三価クロムメツキ浴 Granted JPS5928587A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/402,657 US4450052A (en) 1982-07-28 1982-07-28 Zinc and nickel tolerant trivalent chromium plating baths
US402657 1982-07-28

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JPS5928587A true JPS5928587A (ja) 1984-02-15
JPH0344155B2 JPH0344155B2 (ja) 1991-07-05

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US (1) US4450052A (ja)
EP (1) EP0100133B1 (ja)
JP (1) JPS5928587A (ja)
AT (1) ATE31743T1 (ja)
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