JPS5928587A - 亜鉛およびニツケル許容性三価クロムメツキ浴 - Google Patents
亜鉛およびニツケル許容性三価クロムメツキ浴Info
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- JPS5928587A JPS5928587A JP58122262A JP12226283A JPS5928587A JP S5928587 A JPS5928587 A JP S5928587A JP 58122262 A JP58122262 A JP 58122262A JP 12226283 A JP12226283 A JP 12226283A JP S5928587 A JPS5928587 A JP S5928587A
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- zinc
- trivalent chromium
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/04—Electroplating: Baths therefor from solutions of chromium
- C25D3/06—Electroplating: Baths therefor from solutions of chromium from solutions of trivalent chromium
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
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- C25D3/10—Electroplating: Baths therefor from solutions of chromium characterised by the organic bath constituents used
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、三価クロムメッキ浴からのクロムの電着に関
する。
する。
三価クロムメッキ操作の成功は、しばしば、浴中に入っ
て来た鉄、ニッケル、銅、亜鉛、鉛などの通常の金属イ
オンによる妨害の防止に依存している。一般に、三価ク
ロムメッキ方法は、金属不純物に対する許容性が非常に
低いことが知られている。亜鉛および銅に対する浴の許
容性は特に低く、かくしてこれらの金属による汚染を避
けるため細心の注意を払わねばならない。蛸は低電流密
度YL屏を用いて析出させることができるが、亜鉛は十
分に析出しないので大きな問題となる。典型的には、A
fjiaまたは亜鉛ダイカスト上にメッキを行うときに
は、亜鉛汚染は避けらJLない。亜鉛は非常に活性であ
り、浴の酸性条件下では容易に溶解する。従って、落と
し込んだ部品は速やかに取シ出さねばならない。例えば
極めて低い電DIC笛度領域のだめのような、クロムメ
ッキ前に完全にメッキされていない部品の場合には、あ
る程度の溶wIは避けられない。例えば米r!il %
、治第ダ、θワ3.Sス/号中に記載されているよう
に、メッキの欠陥を防ぐためには、亜鉛の存在をaθp
pln米満のレベルにしなければ7よらない。20 p
pm以−にのレベルでは、メッキ範囲の゛ド限に於て白
っぽいz:4ちった(itが現わ〕Lる。m巾の亜鉛の
12度が増すと、適用能1ノt1(covera8θ)
が城少踵白濁が高i(L流密度領域中へ移動する。
て来た鉄、ニッケル、銅、亜鉛、鉛などの通常の金属イ
オンによる妨害の防止に依存している。一般に、三価ク
ロムメッキ方法は、金属不純物に対する許容性が非常に
低いことが知られている。亜鉛および銅に対する浴の許
容性は特に低く、かくしてこれらの金属による汚染を避
けるため細心の注意を払わねばならない。蛸は低電流密
度YL屏を用いて析出させることができるが、亜鉛は十
分に析出しないので大きな問題となる。典型的には、A
fjiaまたは亜鉛ダイカスト上にメッキを行うときに
は、亜鉛汚染は避けらJLない。亜鉛は非常に活性であ
り、浴の酸性条件下では容易に溶解する。従って、落と
し込んだ部品は速やかに取シ出さねばならない。例えば
極めて低い電DIC笛度領域のだめのような、クロムメ
ッキ前に完全にメッキされていない部品の場合には、あ
る程度の溶wIは避けられない。例えば米r!il %
、治第ダ、θワ3.Sス/号中に記載されているよう
に、メッキの欠陥を防ぐためには、亜鉛の存在をaθp
pln米満のレベルにしなければ7よらない。20 p
pm以−にのレベルでは、メッキ範囲の゛ド限に於て白
っぽいz:4ちった(itが現わ〕Lる。m巾の亜鉛の
12度が増すと、適用能1ノt1(covera8θ)
が城少踵白濁が高i(L流密度領域中へ移動する。
亜鉛を除去するために通常用いられる唯一の方法は、例
えば米国特許第グ、 03g、 71.0号に記載さh
でいる沈殿法である。この方法は、亜鉛を含む痕跡の金
属汚染物3(を浴から沈殿させるための水f+’J11
タフエロシアン化物の使用を含む。この方法は、時間が
かかり、かっカンードフィルミング(陰極造膜、Cat
hodlc fllmlng )が起こ9得ることが
知られている。この膜は非常に重質なので、ある場合に
は、メッキした部品を、付着粉末を除去するために、フ
ェロシアン化物を用いる溶液中で物理的に拭き取らねば
ならない。
えば米国特許第グ、 03g、 71.0号に記載さh
でいる沈殿法である。この方法は、亜鉛を含む痕跡の金
属汚染物3(を浴から沈殿させるための水f+’J11
タフエロシアン化物の使用を含む。この方法は、時間が
かかり、かっカンードフィルミング(陰極造膜、Cat
hodlc fllmlng )が起こ9得ることが
知られている。この膜は非常に重質なので、ある場合に
は、メッキした部品を、付着粉末を除去するために、フ
ェロシアン化物を用いる溶液中で物理的に拭き取らねば
ならない。
また、この特許中には、欠陥を除去するための所要量よ
り過剰な量のフェロシアン化物を添加するとと谷の性能
を劣化させる可能性があることが指摘されでいる。適当
なフェロシアン化物濃度を決めるため、析出物の観察を
しながら少しずつフェロシアン化物を添加する。過剰の
フェロシアン化物は、ニッケルまたは亜鉛または鉄また
は銅のような追加金属を用いて除去される。プロセス制
御は、フエロシ゛rノ化物濃度金汚染物:1父濃度に等
しくするために1経験法(rulθof thumb
)’を用いる。
り過剰な量のフェロシアン化物を添加するとと谷の性能
を劣化させる可能性があることが指摘されでいる。適当
なフェロシアン化物濃度を決めるため、析出物の観察を
しながら少しずつフェロシアン化物を添加する。過剰の
フェロシアン化物は、ニッケルまたは亜鉛または鉄また
は銅のような追加金属を用いて除去される。プロセス制
御は、フエロシ゛rノ化物濃度金汚染物:1父濃度に等
しくするために1経験法(rulθof thumb
)’を用いる。
ニッケルに対する溶液許容度は、多くの他の金属に対す
るよりも大きいかもしれないけれども、ニッケル汚染は
、通常それが容易には析出(plateout ) L
ないので、論争するのが特に困難である。
るよりも大きいかもしれないけれども、ニッケル汚染は
、通常それが容易には析出(plateout ) L
ないので、論争するのが特に困難である。
あるツバ合には、例えば米国管r[第3,7Sダ、57
グ号に見られるように、メッキ浴に浴成分としてニッケ
ルを添加する。ニッケルは、共電着のためには飽″A1
1まで存在することができる。ニッケル許容度のレベル
なよ、析出物出現の所要性能レベルに反比例する。これ
に関して、米国管1?′[第ダ、 0′73. 、!;
、2.7号のメッキ浴は、ニッケル/左θppmまでを
π「容できるだけであり、あるいは鉄の存在“「では7
oou+〕m寸でのニッケルを許容できるだけであり、
ニッケルと鉄との合計ざλ度/、t0ppmまでを許容
できるだけであることが認められる。
グ号に見られるように、メッキ浴に浴成分としてニッケ
ルを添加する。ニッケルは、共電着のためには飽″A1
1まで存在することができる。ニッケル許容度のレベル
なよ、析出物出現の所要性能レベルに反比例する。これ
に関して、米国管1?′[第ダ、 0′73. 、!;
、2.7号のメッキ浴は、ニッケル/左θppmまでを
π「容できるだけであり、あるいは鉄の存在“「では7
oou+〕m寸でのニッケルを許容できるだけであり、
ニッケルと鉄との合計ざλ度/、t0ppmまでを許容
できるだけであることが認められる。
−”ケル汚染除去は、通常ツメチルグリオキシムのよう
な沈殿剤による沈殿の使用を含む。沈殿剤の価格が高く
かつ得られる綿状沈殿の沈殿が困p進なため、この方法
は完全にはほど遠いものになる。フェロシアン化物も使
用可能であるが、前述のように問題が無くは焦い。
な沈殿剤による沈殿の使用を含む。沈殿剤の価格が高く
かつ得られる綿状沈殿の沈殿が困p進なため、この方法
は完全にはほど遠いものになる。フェロシアン化物も使
用可能であるが、前述のように問題が無くは焦い。
本発明の化合′吻の幾つかは、ニッケルメッキに於1添
加剤として用いらり、ることか認めらtしている。しか
し、すべてのニッケル光沢剤が、浴のニノケル不純物に
対する許容度を増加するために3価クロムメッキ浴中で
有用であるわけではない。
加剤として用いらり、ることか認めらtしている。しか
し、すべてのニッケル光沢剤が、浴のニノケル不純物に
対する許容度を増加するために3価クロムメッキ浴中で
有用であるわけではない。
XQ <べきことには、これらの添加剤のあるものは、
アルデヒドのような亜鉛メッキに用いられる典型的な光
沢剤が亜鉛汚染物を含む31111Iクロムメツキ浴中
で有利な影響を与えない場合でも、亜鉛不純物の処理に
も有利であることが発見された。
アルデヒドのような亜鉛メッキに用いられる典型的な光
沢剤が亜鉛汚染物を含む31111Iクロムメツキ浴中
で有利な影響を与えない場合でも、亜鉛不純物の処理に
も有利であることが発見された。
本発明者らは、ニッケルおよび(または)亜鉛汚染を、
これら金属に対する浴の許容度レベルを増すことによシ
処理することができ、それによって沈殿剤または他の手
段の使用によるそれら汚染全屈の除去の必要がなくなる
ことを発見した。本発明は、亜鉛および(または)ニッ
ケルで汚染された3価クロム浴中に於ける、式R−3(
上記式中、Sはスルフィナート、スルホナート、および
スルフィン酸、スルホン酸およびそれらの可溶性塩から
なる群から選ばれ、Rは/〜A個の炭素を有する脂肪族
基、あるいは72個までの炭素を有する芳香族基まだは
アルキ、ル芳香族基または複素項式基のいずれかである
)で示される化合物の有効量の使用に関する。好ましく
は、Rは不飽和炭化水素であシ、硫黄原子に対して(χ
位またはβ位に炭素−炭素不飽和を含む。
これら金属に対する浴の許容度レベルを増すことによシ
処理することができ、それによって沈殿剤または他の手
段の使用によるそれら汚染全屈の除去の必要がなくなる
ことを発見した。本発明は、亜鉛および(または)ニッ
ケルで汚染された3価クロム浴中に於ける、式R−3(
上記式中、Sはスルフィナート、スルホナート、および
スルフィン酸、スルホン酸およびそれらの可溶性塩から
なる群から選ばれ、Rは/〜A個の炭素を有する脂肪族
基、あるいは72個までの炭素を有する芳香族基まだは
アルキ、ル芳香族基または複素項式基のいずれかである
)で示される化合物の有効量の使用に関する。好ましく
は、Rは不飽和炭化水素であシ、硫黄原子に対して(χ
位またはβ位に炭素−炭素不飽和を含む。
下記実施例に於て、本発明の添加剤の有無による影響を
測定するためにハルセル(ト)allcθ11)試験を
用いた。特に断らない限り、−3価りロムメッキ浴〃
とは、その基礎的成分として3価クロム、錯化剤、ノ、
ダ電性塩をベースとする典型的なメッキ溶液を意味する
。これらeま公知であり、米国9′νW「第 3.灯グ
、左7り 号、 第グ、/グ/、ざ03−弓″、 紀
グ、/乙7.ダ乙0号記載のメッキ浴のようなメッキ浴
を含む。1正常な3価りロムメッキ浴〃 とは、作動性
でありがつイ丁害金属不純物を含まない3価り旧ムメッ
キ浴を意味する。
測定するためにハルセル(ト)allcθ11)試験を
用いた。特に断らない限り、−3価りロムメッキ浴〃
とは、その基礎的成分として3価クロム、錯化剤、ノ、
ダ電性塩をベースとする典型的なメッキ溶液を意味する
。これらeま公知であり、米国9′νW「第 3.灯グ
、左7り 号、 第グ、/グ/、ざ03−弓″、 紀
グ、/乙7.ダ乙0号記載のメッキ浴のようなメッキ浴
を含む。1正常な3価りロムメッキ浴〃 とは、作動性
でありがつイ丁害金属不純物を含まない3価り旧ムメッ
キ浴を意味する。
」二ite 4°ン+f”「中に6己載されているよう
しこ、浴は、硫酸第ニクロム、塩化カリウム、塩化アン
モニウム、硼酸、蟻酸アンモニウム、酢酸、硫酸第一鉄
アンモニウム、または他の標準的成分肴:含むことがで
きる。本発明が特別な操作理論に限定されるものと考え
るべきではないが、添加剤eまキレート剤またはカップ
リング剤として作用するものであシ、沈殿剤として働く
ものではないと思わiする。
しこ、浴は、硫酸第ニクロム、塩化カリウム、塩化アン
モニウム、硼酸、蟻酸アンモニウム、酢酸、硫酸第一鉄
アンモニウム、または他の標準的成分肴:含むことがで
きる。本発明が特別な操作理論に限定されるものと考え
るべきではないが、添加剤eまキレート剤またはカップ
リング剤として作用するものであシ、沈殿剤として働く
ものではないと思わiする。
従って、本発明の添加剤は、一般的に3ilIIlクロ
ムメツキ浴に適用可能である。
ムメツキ浴に適用可能である。
下記の試験に於て、浴は包囲温度に保たれ、(n押棒と
マグネチックスタラーとによって、カンード付近でおだ
やかに攪拌された。用いられた新ただメッキさ)したニ
ソケルカソードイ〔水i先し、酸浸漬し/C後、50
Q +nt、ハルセル中で、黒鉛をアノードとして1.
tamp−CJ分間メッキを行った。
マグネチックスタラーとによって、カンード付近でおだ
やかに攪拌された。用いられた新ただメッキさ)したニ
ソケルカソードイ〔水i先し、酸浸漬し/C後、50
Q +nt、ハルセル中で、黒鉛をアノードとして1.
tamp−CJ分間メッキを行った。
対照例1
50 ppmの亜鉛を含む3価クロムメッキ浴を用いて
、ハルセルパ;t・ルをメッキした。得られた析出物ハ
、市電流密部端から/ 3 amp/rim” (a
sd)まで鮮明で光沢があり、約3〜/ 3 asdで
白つばく濁っていた。
、ハルセルパ;t・ルをメッキした。得られた析出物ハ
、市電流密部端から/ 3 amp/rim” (a
sd)まで鮮明で光沢があり、約3〜/ 3 asdで
白つばく濁っていた。
実施例
上記の浴に、θ、gg?/lの7” IJルスルホン酸
ナナトリウム全添加た。濁りは完全になくなυ、色がほ
んの僅かに不均一な析出物を残した。
ナナトリウム全添加た。濁りは完全になくなυ、色がほ
んの僅かに不均一な析出物を残した。
実施例ノ
実施例/の浴に、さらにo、 gg y7tのアリルス
ルホン酸ナトリウムを添加した。濁りが無くなっただけ
でなく、析出物の色も均一でおった。。
ルホン酸ナトリウムを添加した。濁りが無くなっただけ
でなく、析出物の色も均一でおった。。
対照例コ
標準成分と共に50 ppmの亜鉛と/ダoppmのニ
ッケルとを含む3価りロムメッキ浴ヲ用い一〇ハルセル
ノfネルのメッキを行った。得られた析出物は、約、3
asdから/ 3 asdまで白く濁つ−Cいた。そ
の上1.2〜3asdの析出物は暗色であった。
ッケルとを含む3価りロムメッキ浴ヲ用い一〇ハルセル
ノfネルのメッキを行った。得られた析出物は、約、3
asdから/ 3 asdまで白く濁つ−Cいた。そ
の上1.2〜3asdの析出物は暗色であった。
実施例3
対照例λの浴に、0.03 t/L のノロノぞルギル
スルホナートを添加した。濁りとmGさeま無くなり、
ハルセル上に3 asd iですぐれた析出物が得られ
た。
スルホナートを添加した。濁りとmGさeま無くなり、
ハルセル上に3 asd iですぐれた析出物が得られ
た。
実施例グ
対照例−の浴に、ビニルスルポナートヲ、61度が0.
30 t/l に達するまで添加した。このハルセルパ
ネルは、3asdまで均一で濁りの無い析出物を示した
。
30 t/l に達するまで添加した。このハルセルパ
ネルは、3asdまで均一で濁りの無い析出物を示した
。
対照例3
標準成分と共に、30 ppmの亜鉛と/30ppm
(7)ニッケルとを含む3価クロムメッキ液を用いてハ
ルセルパネルをメッキした。濁った析出物を生じ、その
上、低電流密度領域では暗色が生じた。
(7)ニッケルとを含む3価クロムメッキ液を用いてハ
ルセルパネルをメッキした。濁った析出物を生じ、その
上、低電流密度領域では暗色が生じた。
実施例左
対照例3の浴に、0.23 t/lのベンゼンスルフィ
ン酸ナトリウムを段階的に添加した。ハルセル・臂ネル
上には濁りは全くなかった。それでも、析出物は、低電
流密度で僅かに暗色であった。
ン酸ナトリウムを段階的に添加した。ハルセル・臂ネル
上には濁りは全くなかった。それでも、析出物は、低電
流密度で僅かに暗色であった。
実施例6
実Afli N 5のベンゼンスルフィン酸ナトリウム
量を0.33 ?/l に増加した。低電流密度に於け
る暗色と濁りのほとんどすべてが無くなり、良好な外観
の析出物が聯られた。
量を0.33 ?/l に増加した。低電流密度に於け
る暗色と濁りのほとんどすべてが無くなり、良好な外観
の析出物が聯られた。
実施例7
対照例3と同じ組成を有する浴に、0.2397tのト
ルエンスルフィン酸す゛トリウムを添加したっハルセル
ノやネル上には、濁シは全く無かった。
ルエンスルフィン酸す゛トリウムを添加したっハルセル
ノやネル上には、濁シは全く無かった。
対照例弘
低電流密度電解用のSθQ meハルセル中で、標準成
分と700ppmの亜鉛とを含む3価クロムメッキ液を
つくった。このメッキ液を、3asdの平均電流密度で
、A amp−hrs/lの間電解した。浴の分光光度
目分析を行ったところ、亜鉛量は7 g ppmに減少
していた。
分と700ppmの亜鉛とを含む3価クロムメッキ液を
つくった。このメッキ液を、3asdの平均電流密度で
、A amp−hrs/lの間電解した。浴の分光光度
目分析を行ったところ、亜鉛量は7 g ppmに減少
していた。
実施例g
対照例グの3価クロムメッキ液にノ、xy7tのアリル
スルホン偵ナトリウムを添加したものを\3asdで6
amp−hrs/lの間N、 l’nF した。浴の分
光光度計分析の結果、亜8濃度は30 ppm K減少
しており5.2..2y/lのアリルスルボン酸ナトリ
ウム添加浴の方がずっと大きいメッキ速度であることを
示した。
スルホン偵ナトリウムを添加したものを\3asdで6
amp−hrs/lの間N、 l’nF した。浴の分
光光度計分析の結果、亜8濃度は30 ppm K減少
しており5.2..2y/lのアリルスルボン酸ナトリ
ウム添加浴の方がずっと大きいメッキ速度であることを
示した。
対照例S
低電流密U電)管用soomt、 /−ルセル中で標準
成分と70θppmの亜鉛とを含む3価クロムメッキ液
をつくった。このメッキ液を3 asdで/3gamp
−hrs/lの間電解した。浴の分光光度計分析の結果
、亜鉛濃度は37 ppmに減少しtいた。
成分と70θppmの亜鉛とを含む3価クロムメッキ液
をつくった。このメッキ液を3 asdで/3gamp
−hrs/lの間電解した。浴の分光光度計分析の結果
、亜鉛濃度は37 ppmに減少しtいた。
実施例7
対照例Sの、31’+lfiクロムメツキ液に0.4t
’l t/l のアリルスルホン酸ナトリウムを添加し
たものを、対照例Sの方法で、3 asdで13g a
mp−t1rs/lの間電解した。浴の分光光度■r分
析の結果、亜鉛p度は22 ppmに減少しており、0
.ダll f/l の1リルスルホン酸すl−IJウム
添加浴の方がずっと大きいメッキ速度であることを示し
た。
’l t/l のアリルスルホン酸ナトリウムを添加し
たものを、対照例Sの方法で、3 asdで13g a
mp−t1rs/lの間電解した。浴の分光光度■r分
析の結果、亜鉛p度は22 ppmに減少しており、0
.ダll f/l の1リルスルホン酸すl−IJウム
添加浴の方がずっと大きいメッキ速度であることを示し
た。
対照例4
標準成分と300ppmのニッケルとを含む3価クロム
メッキ液を用いてノ1ルセルパネルのメッキを行った。
メッキ液を用いてノ1ルセルパネルのメッキを行った。
41−.20asdの所に思い筋が見られた。
実施例/θ
対照例乙の浴に/、 ’75 VLのアリルスルホン酸
ナトリウムを添加し、もう7つのノ臂ネルのメッキを行
った。筋はすべて消失し、/、夕asdからパネルの端
まで被覆はかなり増加していた。
ナトリウムを添加し、もう7つのノ臂ネルのメッキを行
った。筋はすべて消失し、/、夕asdからパネルの端
まで被覆はかなり増加していた。
対照例7
標準成分とggOppmのニッケルとを含む3価クロム
メッキ液を用いてハルセルノ!ネルをメッキした。ハル
セル・ぐネル上の析出物にはひどい筋ができていた。
メッキ液を用いてハルセルノ!ネルをメッキした。ハル
セル・ぐネル上の析出物にはひどい筋ができていた。
実施例//
対照例7の浴に、0.997tのアリルスルホン酸ナト
リウムを添加し、別のパネルのメッキを行った。はとん
どすべての筋が無くなり、ノ・ルセルノ!ネル上には光
沢のある析出物が見られた。
リウムを添加し、別のパネルのメッキを行った。はとん
どすべての筋が無くなり、ノ・ルセルノ!ネル上には光
沢のある析出物が見られた。
対照例g
標準成分と30Oppmのニッケルとを含む3価りロム
メッキ液ヲ用い、ハルセルノ?ネルのメッキを行ったと
ころ、グ〜20 asdの所に黒い筋の典型的なニッケ
ル効果が見られた。
メッキ液ヲ用い、ハルセルノ?ネルのメッキを行ったと
ころ、グ〜20 asdの所に黒い筋の典型的なニッケ
ル効果が見られた。
実施例/2
対照例gの浴に、o、titi、 t7tのアリルスル
ホン酸ナトリウムを醗加した。この結果、ノ・ルセル・
ぐネル上の筋のほとんど全部が無くなシ、・!ネル上に
光沢ある析出物が得られた。
ホン酸ナトリウムを醗加した。この結果、ノ・ルセル・
ぐネル上の筋のほとんど全部が無くなシ、・!ネル上に
光沢ある析出物が得られた。
対照例?
3ftlliクロム浴を分光光度計で分析し、ニッケル
3gOppmを含有していることがわかった。標準方法
ニ従って7・ルセルパネルのメッキを行った所、約2〜
.20 asdの所にひどい黒い節があることが観察さ
れた。
3gOppmを含有していることがわかった。標準方法
ニ従って7・ルセルパネルのメッキを行った所、約2〜
.20 asdの所にひどい黒い節があることが観察さ
れた。
サラニ、グロパルギルアルコール、サッカリン、ゾチン
ジオール、グルタルアルデヒド、0−クロ゛ロベンズア
ルデヒド、ペンツルアセトンの添加剤では、所望の効果
は得られなかった。
ジオール、グルタルアルデヒド、0−クロ゛ロベンズア
ルデヒド、ペンツルアセトンの添加剤では、所望の効果
は得られなかった。
実施例/3
対照例りの浴にグロパルギルスルホナートを次第に増加
する殿で添加し、毎回スルホナートを添加しり後、ハル
セルパネルのメッキを行った。
する殿で添加し、毎回スルホナートを添加しり後、ハル
セルパネルのメッキを行った。
0、(B f/l @度で、筋の強さが非電に減少し、
0、25 t/lの濃度で、それ以前に見られた黒い筋
のすべてが消失した。
0、25 t/lの濃度で、それ以前に見られた黒い筋
のすべてが消失した。
実施例/ダ
対照例9のように調合した浴に、ヒドロキシ置換ビ1,
1 シニウムグロピルスルホペタインを段階的に添加し
た。θ、/29/l の濃度レベルで筋は減少し、o、
lIgy7t の濃度レベルでさらにずっと減少した。
1 シニウムグロピルスルホペタインを段階的に添加し
た。θ、/29/l の濃度レベルで筋は減少し、o、
lIgy7t の濃度レベルでさらにずっと減少した。
実施例/り
対照例9のように調合した浴に、3−ピリジンスルポン
酸を段階的に添加した。低電流密度の所には析出物が無
く、約3 asclに見られたひどい黒い筋1’l−0
,t/Lg 9/L の濃度レベルでかなシ減少し、5
、 & 9/lの濃度レベルでほとんど無くなった。
酸を段階的に添加した。低電流密度の所には析出物が無
く、約3 asclに見られたひどい黒い筋1’l−0
,t/Lg 9/L の濃度レベルでかなシ減少し、5
、 & 9/lの濃度レベルでほとんど無くなった。
00g t/l ぐらいの低濃度レベルでは0.3a
sdまで析出(throw )が増加した。
sdまで析出(throw )が増加した。
実施例/A
対照例ヲのようにi”it合した浴に、3−ヒドロキシ
フ0ロパンスルホン酸を段階的に添加した。0.70f
/lのil&レベルで、カソード上の筋が減少し、それ
以上の添加によって筋はさらにずっと減少しだ。
フ0ロパンスルホン酸を段階的に添加した。0.70f
/lのil&レベルで、カソード上の筋が減少し、それ
以上の添加によって筋はさらにずっと減少しだ。
実施例/7
対照例7のように調合した浴に、ベンゼンスルフィンC
2ナトリウムを段階的に添加した。0.109/Lの添
加で・臂ネル上の析出物が改良さ!tだが、約3〜約、
l Q asdの所に米だひどい黒色筋があった。しか
し、/、!;1/1の濃度レベルでは筋の強さが小さく
なシ、乙、11.9/lの濃度レベルでは、極めて少量
の筋しか残っていなかった。
2ナトリウムを段階的に添加した。0.109/Lの添
加で・臂ネル上の析出物が改良さ!tだが、約3〜約、
l Q asdの所に米だひどい黒色筋があった。しか
し、/、!;1/1の濃度レベルでは筋の強さが小さく
なシ、乙、11.9/lの濃度レベルでは、極めて少量
の筋しか残っていなかった。
実施例/g
30 o mtのハルセル中で、約3!;Oppmのニ
ッケルを含む、2 fjaの3価クロムメッキ浴をつく
り、本発明の化合物の添加の有無によるニッケルのメッ
キ速度の比較を行った。メッキiAは仁の試験の対照と
して働いた。メッキ液Bには、グ、グy7tのアリルス
ルホン酸ナトリウムを添加した。両メッキ液を、直列で
、J asdで/2/ amp−hrs/l の間電
解した後、分光光度肝でニッケルの分析を行った。
ッケルを含む、2 fjaの3価クロムメッキ浴をつく
り、本発明の化合物の添加の有無によるニッケルのメッ
キ速度の比較を行った。メッキiAは仁の試験の対照と
して働いた。メッキ液Bには、グ、グy7tのアリルス
ルホン酸ナトリウムを添加した。両メッキ液を、直列で
、J asdで/2/ amp−hrs/l の間電
解した後、分光光度肝でニッケルの分析を行った。
結果は次の通υであった。
330
B 2乙0
上記結果は、明らかに、アリルスルホン酸す) IJウ
ムの添加によってニッケルのメッキ速度が大きく増加す
ることを1.示している。
ムの添加によってニッケルのメッキ速度が大きく増加す
ることを1.示している。
本発明の添加剤は、例えば、3価クロムメッキ浴中での
界面活性剤の使用を記載している米国時♂[第3.灯グ
、り7q号のg〜コθアルキル炭素を有するスルポン化
界面活性剤に幾分似たところがあるように見える。しか
し、本発明の添加剤と界面活性剤との間の差異は、これ
らを3価クロムメッキ浴に適用したとき、次の比較試験
から明らかになる。
界面活性剤の使用を記載している米国時♂[第3.灯グ
、り7q号のg〜コθアルキル炭素を有するスルポン化
界面活性剤に幾分似たところがあるように見える。しか
し、本発明の添加剤と界面活性剤との間の差異は、これ
らを3価クロムメッキ浴に適用したとき、次の比較試験
から明らかになる。
包囲温度に保たれ、かつ攪拌+IIとマグネチックスタ
ラーとを用いておだやかしこ攪拌されている(票準作動
浴でハルセル試験をQつた。新たにメッキしたニッケル
カソードをJIJいた。ニッケルカソードな水洗し、酸
浸びC後、試蓼ヱメッギ液中で、Sampを用いて3分
間メッキした。この浴に、lIo。
ラーとを用いておだやかしこ攪拌されている(票準作動
浴でハルセル試験をQつた。新たにメッキしたニッケル
カソードをJIJいた。ニッケルカソードな水洗し、酸
浸びC後、試蓼ヱメッギ液中で、Sampを用いて3分
間メッキした。この浴に、lIo。
90m 〕、=−ソクルを添加し、ハルセルバネ/l/
(7) 実験を行った。典型的なニッケル効果を示し
、約V〜20 asdO所でひどいぎざぎざの筋を示し
た。スルホ” IRkA J?’ 面活性剤ソヘキンル
ヌルホンコハク酸を浴((添加して、さらに試験を行っ
た。メッキ浴中で典型的に見いだされる濃度の0.0/
y/l で1′:j 、何らの影響も認められなかっ
た。θ、/1/1では、何らの改良が無かったばかりで
なく、低電流密度の所に濁りが生じた。これは界l11
1活性剤の存在に帰せられるものであった。
(7) 実験を行った。典型的なニッケル効果を示し
、約V〜20 asdO所でひどいぎざぎざの筋を示し
た。スルホ” IRkA J?’ 面活性剤ソヘキンル
ヌルホンコハク酸を浴((添加して、さらに試験を行っ
た。メッキ浴中で典型的に見いだされる濃度の0.0/
y/l で1′:j 、何らの影響も認められなかっ
た。θ、/1/1では、何らの改良が無かったばかりで
なく、低電流密度の所に濁りが生じた。これは界l11
1活性剤の存在に帰せられるものであった。
アメリカ合衆国ニューヨーク州
10306スタテン・アイランド。
シービュー・アベニュー194ア
パートメント3−デイ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)亜鉛および(または)ニッケルで汚染された三価
クロムメッキ浴であって、弐R−5(上記式中、Sはス
ルフィナート、スルホナート、およびスルホン酸、スル
フィン酸ならびにそitらの可溶性塩からなる群から選
ばれ、Rは7〜6個の炭素を有する脂肪族基、あるいは
72個までの炭素を有する芳香族基またはアルキル芳香
族基または複素環式基である) で示される化合物の有効址を含むことを特徴とする三価
クロムメッキ浴。 (、/l Rが不飽和炭化水素である、特許請求の範
囲第(1)項記載の浴。 (、?+ nが硫黄原子に対してα位の炭素−炭素不
飽和を含む、特許請求の範囲第(4項記載の浴。 <’/) Rが硫黄原子に対してβ位の炭素−炭素不
飽和を含む、特許請求の範囲第(1)項記載の浴。 (j Sがスルホナートである、特IF gii求の範
囲第(1)項記載の浴。 (乙) Sがスルフィナートである、特許請求の範囲第
(4項記載の浴。 (71R−3がトルエンスルフィナートである、特許請
求の範囲第(1)項記載の浴。 (nR−5がベンゼンスルフィナートである、特許請求
の範囲第(1)項記載の浴。 (9)R−3がビニル−スルホナートである、特許請求
の範囲第(4項記載の浴。 (/(7)R−3がアリルスルホナートである、特許請
求の範囲第(1)項記載の浴。 (//) R−S カグロパルギルスルホナートであ
る、特許請求の範囲第(1)項記載の浴。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/402,657 US4450052A (en) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | Zinc and nickel tolerant trivalent chromium plating baths |
| US402657 | 1982-07-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5928587A true JPS5928587A (ja) | 1984-02-15 |
| JPH0344155B2 JPH0344155B2 (ja) | 1991-07-05 |
Family
ID=23592813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58122262A Granted JPS5928587A (ja) | 1982-07-28 | 1983-07-05 | 亜鉛およびニツケル許容性三価クロムメツキ浴 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4450052A (ja) |
| EP (1) | EP0100133B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5928587A (ja) |
| AT (1) | ATE31743T1 (ja) |
| CA (1) | CA1223546A (ja) |
| DE (1) | DE3375166D1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0320492A (ja) * | 1989-03-24 | 1991-01-29 | Lpw Chem Gmbh | 光沢ニッケル浴或は光沢ニッケル合金浴からつや消し塗装を析出させる際の暗色沈積を回避するための、少なくとも1種類の有機スルフィン酸及び/或は少なくとも1種類の有機スルフィン酸アルカリ金属塩を含有する剤 |
| JPWO2019117178A1 (ja) * | 2017-12-13 | 2020-12-17 | 株式会社Jcu | 3価クロムメッキ液およびこれを用いたクロムメッキ方法 |
| JPWO2019117230A1 (ja) * | 2017-12-14 | 2020-12-17 | 株式会社Jcu | 3価クロムメッキ液およびこれを用いた3価クロムメッキ方法 |
| JP2023507017A (ja) * | 2019-12-18 | 2023-02-20 | アトテック ドイチェランド ゲーエムベーハー ウント コ カーゲー | 基材上にクロムコーティングを堆積させるための電気めっき組成物及び方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3402554A1 (de) * | 1984-01-26 | 1985-08-08 | LPW-Chemie GmbH, 4040 Neuss | Abscheidung von hartchrom auf einer metallegierung aus einem waessrigen, chromsaeure und schwefelsaeure enthaltenden elektrolyten |
| GB2171114A (en) * | 1985-02-06 | 1986-08-20 | Canning W Materials Ltd | Trivalent chromium electroplating baths and rejuvenation thereof |
| US6004448A (en) * | 1995-06-06 | 1999-12-21 | Atotech Usa, Inc. | Deposition of chromium oxides from a trivalent chromium solution containing a complexing agent for a buffer |
| EP1215304A1 (en) * | 2000-12-06 | 2002-06-19 | Lido Frediani | Two-layer chrome-plating process |
| CN101410556B (zh) * | 2006-03-31 | 2010-12-29 | 爱托特奇德国股份有限公司 | 结晶态功能性铬镀层 |
| BRPI0817924B1 (pt) | 2007-10-02 | 2019-02-12 | Atotech Deutschland Gmbh | Depósito de liga de cromo funcional cristalino eletrodepositado, banho de eletrodeposição para eletrodepositar um depósito de liga de cromo funcional cristalinonanogranular, e processo para eletrodepositar um depósito de liga de cromo cristalino funcional nanogranular em um substrato |
| PL2886683T3 (pl) * | 2011-05-03 | 2020-06-15 | Atotech Deutschland Gmbh | Kąpiel galwaniczna i sposób wytwarzania warstw z ciemnego chromu |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5092237A (ja) * | 1973-12-13 | 1975-07-23 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB301478A (en) * | 1927-12-01 | 1929-02-21 | Langbein Pfanhauser Werke Ag | Process for the electrolytic deposition of chromium |
| US2822326A (en) * | 1955-03-22 | 1958-02-04 | Rockwell Spring & Axle Co | Bright chromium alloy plating |
| GB1304844A (ja) * | 1969-04-24 | 1973-01-31 | ||
| ZA755497B (en) * | 1974-09-16 | 1976-08-25 | M & T Chemicals Inc | Alloy plating |
| FR2472621A3 (fr) * | 1979-12-28 | 1981-07-03 | Xantia National Corp | Procede pour l'obtention de depots metalliques brillants d'au moins un element du groupe fer-nickel-cobalt ou d'un alliage d'un ou de plusieurs de ces elements avec le chrome |
| GB2093861B (en) * | 1981-02-09 | 1984-08-22 | Canning Materials W Ltd | Bath for electrodeposition of chromium |
-
1982
- 1982-07-28 US US06/402,657 patent/US4450052A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-12-24 CA CA000418598A patent/CA1223546A/en not_active Expired
-
1983
- 1983-03-08 DE DE8383301258T patent/DE3375166D1/de not_active Expired
- 1983-03-08 AT AT83301258T patent/ATE31743T1/de not_active IP Right Cessation
- 1983-03-08 EP EP83301258A patent/EP0100133B1/en not_active Expired
- 1983-07-05 JP JP58122262A patent/JPS5928587A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5092237A (ja) * | 1973-12-13 | 1975-07-23 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0320492A (ja) * | 1989-03-24 | 1991-01-29 | Lpw Chem Gmbh | 光沢ニッケル浴或は光沢ニッケル合金浴からつや消し塗装を析出させる際の暗色沈積を回避するための、少なくとも1種類の有機スルフィン酸及び/或は少なくとも1種類の有機スルフィン酸アルカリ金属塩を含有する剤 |
| JPWO2019117178A1 (ja) * | 2017-12-13 | 2020-12-17 | 株式会社Jcu | 3価クロムメッキ液およびこれを用いたクロムメッキ方法 |
| JPWO2019117230A1 (ja) * | 2017-12-14 | 2020-12-17 | 株式会社Jcu | 3価クロムメッキ液およびこれを用いた3価クロムメッキ方法 |
| JP2023507017A (ja) * | 2019-12-18 | 2023-02-20 | アトテック ドイチェランド ゲーエムベーハー ウント コ カーゲー | 基材上にクロムコーティングを堆積させるための電気めっき組成物及び方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3375166D1 (en) | 1988-02-11 |
| EP0100133B1 (en) | 1988-01-07 |
| JPH0344155B2 (ja) | 1991-07-05 |
| EP0100133A1 (en) | 1984-02-08 |
| ATE31743T1 (de) | 1988-01-15 |
| CA1223546A (en) | 1987-06-30 |
| US4450052A (en) | 1984-05-22 |
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