JPS5930336B2 - 発振回路 - Google Patents

発振回路

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JPS5930336B2
JPS5930336B2 JP51159515A JP15951576A JPS5930336B2 JP S5930336 B2 JPS5930336 B2 JP S5930336B2 JP 51159515 A JP51159515 A JP 51159515A JP 15951576 A JP15951576 A JP 15951576A JP S5930336 B2 JPS5930336 B2 JP S5930336B2
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JP
Japan
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nand gate
output
circuit
capacitance
oscillation
Prior art date
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Expired
Application number
JP51159515A
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English (en)
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JPS5384447A (en
Inventor
勉 北村
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はNANDゲ゛−ト(またはインバータ)を用
いた発振回路に関するものである。
この種の従来の発振回路(無安定マルチバイブレーク)
を第1図に示す。
図において、抵抗R1゜R2によりそれぞれ帰還のかけ
られたNANDゲート1,2が抵抗R3により縦続的に
接続されている。
このように構成されているNANDゲート1,2の入出
力間の位相は互いに逆相になっている。
そのため、A点とX点は同相となっている。
A点はNANDゲ′−ト2の出力であり、N点はNAN
Dゲート1の入力となっており、この入出力間を抵抗R
4とキャパシタンスC1の直列回路で接続することによ
り正帰還回路を形成し、無安定マルチバイブレークの動
作が行なわれ、A点には、抵抗R4とキャパシタンスC
1による時定数により周波数が決定さた矩形波が得られ
るわけである。
ここで、第1図の回路の動作を詳しく説明する。
最初電源投入時にNANDゲート2の出力が高レベルに
なったとする。
すると、その出力がキャパシタンスC1と抵抗R4を介
してNANDゲート1に加えられ、これの出力が抵レベ
ルになる。
この抵レベル出力がNANDゲート2に加えられ、NA
NDゲート2の高レベルが保たれる。
ところが、時間が経つと、キャパシタンスC1および抵
抗R4による時定数でN点の電圧が低下していき、つい
にはNANDゲート1が高レベルに反転する。
このため、NANDゲート2の出力が低レベルになる。
すると、その低レベル出力がキャパシタンスへおよび抵
抗R4を介してNANDゲート1に加えられるが、また
時間が経つと1点の電圧がキャパシタンスC1および抵
抗R4による時定数で上昇してくるので、再度反転する
これを繰り返して発振する。
このように、ディジタル回路素子であるNANDゲート
を用いると、簡単な回路構成で発振出力が得られて便利
であるが、このような回路構成で得られる出力はディジ
タル出力である矩形波しか得られず、アナログ出力であ
る正弦波が必要な場合には別に正弦波発振器を設けなけ
ればならない。
また、その発振周波数も、電源電圧に依存し、電源電圧
の変動の大きいところには使用できなかった。
その上、その発振周波数は、NANDゲート1.2のス
レショルド電圧にモ依存シ、コノスレショルド電圧が周
囲温度の変化により変わるため、周囲温度が変わると発
振周波数が変わる等の不安定さがあった。
したがって、この発明の目的は、アナログ出力である正
弦波とディジタル出力である矩形波を同時にかつ安定に
取り出すことができる発振回路を提供することである。
この発明の一実施例を第2図に示す。
この発振回路は、第1および第2のNANDゲート1,
2と、前記第1および第2のNANDゲート1,2のそ
れぞれの入出力間に接続された第1および第2の抵抗R
1,R2と、前記第1のNANDゲート1の出力と前記
第2の、NANDゲ′−ト2の入力との間に接続された
第3の抵抗R3と前記第1のNANDゲート1の入力と
前□記第2のNANDゲート2の出力との間に接続され
た第4の抵抗R4゜キャパシタンスC2およびインダク
タンスLの直列共振回路を備えている。
このような構成においても、A点とN点は同相の関係に
あり、NANDゲート1の入力であるN点とNANDゲ
ート2の出力であるA点とをキャパシタンスC2、イン
ダクタンスLおよび抵抗R4の直列共振回路により正帰
還させている。
そのため、この直列共振回路(R4C2L)には共振電
流が流れ、B点には、第3図に示すようなきれいな正弦
波が得られる。
一方、A点には、ディジタル出力である矩形波が得られ
る。
そして、この発振回路の発振周波数は、f=l/(2π
J石5 ) となる。
例えば、R4=220Ω、C2−1OOpF。L=1m
Hにて、約470KHzの正弦波出力が得られる。
ここで、第2図の回路の動作を詳しく説明する。
原理的には第1図の場合のような帰還による高レベルと
低レベルの反転によって発振するが、NANDゲ゛−ト
2の出力がNANDゲート1に帰還される吉きに第1図
のようなCRの時定数で指数関数的に1点の電圧が変化
するのではなく、インダクタンスLとキャパシタンスC
2との共振周波数にしたがって正弦波状に変化し、その
正弦波が半サイクル終ったときにNANDゲート1が反
転する。
したがって、第2図の回路では、発振周波数はインダク
タンスLおよびキャパシタンスC2の共振周波数で決ま
る。
このように、この発振回路の発振周波数はキャパシタン
スC2と、ンダクタンスLの直列共振回路により決定さ
れるので、共振回路のQも高くとれ、電源電圧の変動ま
たはNANDゲート1,2のスレショルド電圧の変化に
対しても安定である。
すなわち、周囲温度の変化に対しても安定である。
−この理由は以下のとおりである。
第1図の回路ではC1・R4による指数関数的な電圧の
変化がNANDゲート1の反転するレベルを越えること
により、これが反転するものであるので、電源電圧が変
わったり、温度が変わってNANDゲート1; の動作
点が変わると、周波数が変化してしまう。
これに対し、第2図では、インダクタンスLとキャパシ
タンスC2の共振周波数のみで周波数が決まるので、安
定である。
例えば、上述の数値例による回路で、電源電圧が5vか
ら6Vへの変化+ (+lVの変化)に対して、わず
かにl IGIz変化するだけである。
それに対して、第1図に示すような従来のマルチバイブ
レーク方式では、同じ変化に対して、l OKHz以上
もずれてしまう。
なお、温度安定度を良くするには、一般にインダクタン
1 スLは正の温度係数をもつので、キャパシタンスC
2に負の温度係数をもつものを用いれば、周囲温度に対
して一層安定な発振回路を得ることができる。
以上のように、この発明によれば、簡単な回路: 構成
にもかかわらず、ディジタル出力である矩形波とアナロ
グ出力である正弦波が同時に得られ、しかもその発振周
波数が安定化された発振回路を安価に実現することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
1 第1図は従来の発振回路の回路図、第2図はこの
発明の一実施例の回路図、第3図はその各点の出力波形
図である。 1.2・・・・・・NANDゲート、R1−R4・・・
・・・抵抗、L・・・・・・インダクタンス、C2・・
・・・・キャパシタンス。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 第1および第2のNANDゲートと、前記第1およ
    び第2のNANDゲートのそれぞれの入出力間に接続さ
    れた第1および第2の抵抗と、前記第1のNANDゲー
    トの出力と前記第2のNANDゲートの入力との間に接
    続された第3の抵抗と、前記第1のNANDゲートの入
    力と前記第2のNANDゲートの出力との間に接続され
    た第4の抵抗、キャパシタンスおよびインダクタンスの
    直列共振回路を備え、前記第2のNANDゲートまたは
    第1のNANDゲートの出力端から矩形波を取り出すと
    ともに、前記キャパシタンスおよびインダクタンスの接
    続点から正弦波を取り出すようにした発振回路。
JP51159515A 1976-12-29 1976-12-29 発振回路 Expired JPS5930336B2 (ja)

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JP51159515A JPS5930336B2 (ja) 1976-12-29 1976-12-29 発振回路

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JP51159515A JPS5930336B2 (ja) 1976-12-29 1976-12-29 発振回路

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Publication Number Publication Date
JPS5384447A JPS5384447A (en) 1978-07-25
JPS5930336B2 true JPS5930336B2 (ja) 1984-07-26

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