JPS5932135A - 半導体ウエハの接着装置 - Google Patents
半導体ウエハの接着装置Info
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- JPS5932135A JPS5932135A JP57142038A JP14203882A JPS5932135A JP S5932135 A JPS5932135 A JP S5932135A JP 57142038 A JP57142038 A JP 57142038A JP 14203882 A JP14203882 A JP 14203882A JP S5932135 A JPS5932135 A JP S5932135A
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- JP
- Japan
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- plate
- wafer
- wax
- semiconductor wafer
- pressing
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体ウェハのポリ７ング加工の際に用いら
れる半導体ウェハの接着装置に関する。
れる半導体ウェハの接着装置に関する。
半導体ウェハ（以下、単にウェハと呼ぶ。）の最終カロ
エエ４呈であるポリシングニ［程では、ウェハの片面の
鏡面仕上げを行う。加工に際して、ウェハは、金属又は
セラミック製の円板である接着プレート上に数枚ずつ接
着してバッチ処理される。
エエ４呈であるポリシングニ［程では、ウェハの片面の
鏡面仕上げを行う。加工に際して、ウェハは、金属又は
セラミック製の円板である接着プレート上に数枚ずつ接
着してバッチ処理される。
レートを、使用するワックスの軟化点より３０〜４０°
０高めに加熱する。■このワックスを、所定温度にまで
加熱された接着プレートのウエノ・接着予定位置に、ウ
ェハの大きさよシ若干広く、かつ、全面均一な膜厚にな
るように塗付する。■ワックスが塗布された接着プレー
トの上記接着予定位置にウェハを載置し、先端にウエノ
・全面に均一に接触する当接面が形成された棒状の押付
は治具を用いてウェハを接着プレートに対してこすυ付
け、ウニハト接着プレートとの間のワックスの膜厚が均
一になるように調整する。■最後に、接着プレートを冷
却板上に置き、ワックスを固化させて、接着作業を終了
する。
０高めに加熱する。■このワックスを、所定温度にまで
加熱された接着プレートのウエノ・接着予定位置に、ウ
ェハの大きさよシ若干広く、かつ、全面均一な膜厚にな
るように塗付する。■ワックスが塗布された接着プレー
トの上記接着予定位置にウェハを載置し、先端にウエノ
・全面に均一に接触する当接面が形成された棒状の押付
は治具を用いてウェハを接着プレートに対してこすυ付
け、ウニハト接着プレートとの間のワックスの膜厚が均
一になるように調整する。■最後に、接着プレートを冷
却板上に置き、ワックスを固化させて、接着作業を終了
する。
ところで、最近の電子部品の高集積度化に伴って、パタ
ーン転写の縮少露光といった方法の採用が不可欠となっ
てくると、ウェハに高い形状精度が要求されてくる。こ
とに、平行度が問題であり、１虱定された範囲内の平行
度が１〜２μｍという高精度が必要とされる。しかるに
、従来の接着方法では、手作業のため接着条件が不安定
となり、再現性のある接着がすこぶる困難で、ワックス
膜厚が不均一になる結果、ウェハの平行度の低下をＭ起
していた。のみならず、ワックス膜厚を均一にするため
に、押付は治具で接着プレートに対して強くウェハを押
えると、ウェハ裏面にひっかき疵が入ってしまう不都合
があった。
ーン転写の縮少露光といった方法の採用が不可欠となっ
てくると、ウェハに高い形状精度が要求されてくる。こ
とに、平行度が問題であり、１虱定された範囲内の平行
度が１〜２μｍという高精度が必要とされる。しかるに
、従来の接着方法では、手作業のため接着条件が不安定
となり、再現性のある接着がすこぶる困難で、ワックス
膜厚が不均一になる結果、ウェハの平行度の低下をＭ起
していた。のみならず、ワックス膜厚を均一にするため
に、押付は治具で接着プレートに対して強くウェハを押
えると、ウェハ裏面にひっかき疵が入ってしまう不都合
があった。
本発明は、上記事情を参酌してなされたもので、ウェハ
を均一なワックス膜厚で接着プレートに接着することの
できる半導体ウェハの接着装置を提供するにある。
を均一なワックス膜厚で接着プレートに接着することの
できる半導体ウェハの接着装置を提供するにある。
接着プレート上にワックスを介して載置されているウェ
ハに対して、高圧空気によυ凸曲面状に変形した圧接板
体を押し付け、圧接板体によるウェハの抑圧領域が中央
部から周辺部に波紋状に拡大するように静圧荷重を負荷
するようにしたものでおる。
ハに対して、高圧空気によυ凸曲面状に変形した圧接板
体を押し付け、圧接板体によるウェハの抑圧領域が中央
部から周辺部に波紋状に拡大するように静圧荷重を負荷
するようにしたものでおる。
第１図及び第２図において、基台（１）には、例えば電
動機を主要構成要素とする間欠駆動機構（２）が内蔵さ
れている。この基台（１）上には、円板状のホットプレ
ート（３）が、第１図矢印（４）方向に回転自在に間欠
駆動機構（２）に取付けられている。さらに、ホットプ
レート（３）上には、このホットプレート（３）と同軸
に接着プレート（５）が載置されている。このプレー白
５）の糸面上の円周（６）に沿って、ワックスを介して
複数のウエノ（７）・・・が等配して載置されている。
動機を主要構成要素とする間欠駆動機構（２）が内蔵さ
れている。この基台（１）上には、円板状のホットプレ
ート（３）が、第１図矢印（４）方向に回転自在に間欠
駆動機構（２）に取付けられている。さらに、ホットプ
レート（３）上には、このホットプレート（３）と同軸
に接着プレート（５）が載置されている。このプレー白
５）の糸面上の円周（６）に沿って、ワックスを介して
複数のウエノ（７）・・・が等配して載置されている。
一方、基台（１）の側面には、Ｌ形の支柱（８）が取付
けられている。との支柱（８）の接着プレート（５）の
主面に平行な延在部（９）は、接着プレート（５）の直
上位置になるようになっていて、この延在部（９）の先
端部には、例えばエア・シリンダを主要構成要素とする
昇降機構ＯＱが取付けられている。この昇降機構（ＩＱ
Ｉには、軸心が円周（６）に直交するエア・シリンダの
ピストン・ロッドである昇降軸αυが、軸方向である第
２図矢印（１２ａ）、 （１２ｂ）方向に、昇降自在に
連結されている。さらに昇降軸ａυの先端には、抑圧機
構α■が取付けられている。この抑圧機構（Ｉ［有］は
、円柱状に形成され、昇降軸（１１）と同軸に取付けら
れた抑圧体α荀を有している（この抑圧体α荀の外径は
、接着されるウェハ（力の外径より大きいことが好まし
い。）。また、この抑圧体（１４の昇降軸αυとは反対
側の端面には、抑圧体（ＩＪの軸心と同軸に形成された
複数の円環状溝及びこれら円環状溝の中心から放射状に
等配され円環状溝と交差する放射状溝からなる溝部０！
１９・・・が刻設されている。
けられている。との支柱（８）の接着プレート（５）の
主面に平行な延在部（９）は、接着プレート（５）の直
上位置になるようになっていて、この延在部（９）の先
端部には、例えばエア・シリンダを主要構成要素とする
昇降機構ＯＱが取付けられている。この昇降機構（ＩＱ
Ｉには、軸心が円周（６）に直交するエア・シリンダの
ピストン・ロッドである昇降軸αυが、軸方向である第
２図矢印（１２ａ）、 （１２ｂ）方向に、昇降自在に
連結されている。さらに昇降軸ａυの先端には、抑圧機
構α■が取付けられている。この抑圧機構（Ｉ［有］は
、円柱状に形成され、昇降軸（１１）と同軸に取付けら
れた抑圧体α荀を有している（この抑圧体α荀の外径は
、接着されるウェハ（力の外径より大きいことが好まし
い。）。また、この抑圧体（１４の昇降軸αυとは反対
側の端面には、抑圧体（ＩＪの軸心と同軸に形成された
複数の円環状溝及びこれら円環状溝の中心から放射状に
等配され円環状溝と交差する放射状溝からなる溝部０！
１９・・・が刻設されている。
さらに、抑圧体（１４）の溝部０！９・・・側には、こ
の溝部（［５）・・・が刻設された端面を接離自在に被
覆する円形薄板状の圧接板体（ｌ［９が、その周縁部を
抑圧体側に例えばろう付けにより封着固定され、被覆し
ている浴部αω・・・が、外気よυ密封されている。上
記１１Ｅ接板体Ｈの厚みは、溝部（１つ・・・に導入さ
れた間圧気体によシ外方に膨縮自在とするために、５ｍ
ｍ以下、また外径はウェハ（７）の外径以上が好ましい
。オた、押圧体（１４）には、一端部が溝部（１１・・
・に開口し、他端部が昇降軸（１υ側端面に開口してい
る案内孔（１７）が穿設されている。この案内孔αＤの
昇降軸０υ１１１］開口部は、導１Ｆｉ０ＩＱを介して
高圧空気源（ｌ→に接続されている。これら専管−及び
高圧空気源α場は、高圧空気供給機構を構成している。
の溝部（［５）・・・が刻設された端面を接離自在に被
覆する円形薄板状の圧接板体（ｌ［９が、その周縁部を
抑圧体側に例えばろう付けにより封着固定され、被覆し
ている浴部αω・・・が、外気よυ密封されている。上
記１１Ｅ接板体Ｈの厚みは、溝部（１つ・・・に導入さ
れた間圧気体によシ外方に膨縮自在とするために、５ｍ
ｍ以下、また外径はウェハ（７）の外径以上が好ましい
。オた、押圧体（１４）には、一端部が溝部（１１・・
・に開口し、他端部が昇降軸（１υ側端面に開口してい
る案内孔（１７）が穿設されている。この案内孔αＤの
昇降軸０υ１１１］開口部は、導１Ｆｉ０ＩＱを介して
高圧空気源（ｌ→に接続されている。これら専管−及び
高圧空気源α場は、高圧空気供給機構を構成している。
つぎに、本実施例の半導体ウェハの接着装置の作動につ
いて述べる。
いて述べる。
まず、ホットプレート（３）の温度が、使用するワック
スの軟化点より３０〜４０°０高めになるまで、ホット
プレー ト（３）を加熱する。しかして、接着プレ接着
されるウェハ（力の王面積より狭く、かつ、ウェハ（力
の接着完了時の膜厚より厚く塗布する。しかしで、第１
図に示すように、塗布されたワックスを介し゛Ｃ複数の
ウェハ（７）・・・を接着プレート（５）の所定位置に
載置したのち、間欠駆７１ＬＩＩ桟構（２）を起動しで
、特定のウェハ（力の中心が、押圧体（１４）の軸心の
延長線」―にくるまで、ホットプレート（３）全矢印（
４）方向に回転させる。そして、高圧空気源（【１から
、導〆Ｕ（則及び案内孔（１″０を介してＩｔｖ部（ｌ
：９に高圧空気を供給し、川（ダ３板体（１６）を凸曲
面状に変形恣せたのち、昇降機構ａ〔により抑圧機構（
ｌ［有］を第１図矢印（１２ａ）方向に徐々に降下させ
る。するど、第４図（ａ）に示すように、凸曲面状に変
形した圧接板休職の一部が、ウェハ（７）の中央部に当
接し、ウェハ（力は、接着グレート（５）に対して押圧
される。これとともにワンクスレりは、周辺部に流動、
するとともにその厚みが減少する。しかして、昇降機構
（ＬＯ）による抑圧機構（【３Ｉのウェハ（力に対する
荷重の負荷の継続とともに、圧接板体αωのウェハ（力
に対する接触領域は、波紋状に拡大し、これにともない
ウェハ（カに負荷される静圧荷重により、ワックス翰は
、第４図（ｂ）及び（Ｃ）に示すように、徐々にウェハ
（力の周縁部に向って流動する。このとき、ウェハ（刀
の単位面積当υの荷重を一定にするために、圧接板体α
Ｑのウェハ（力への接融面積の増大に対応して、昇降機
構αＱによる負荷荷重は漸次増大させ、他方、高圧空気
源α■による高圧空気の圧力は、漸次減少するようにす
る。このようにして、第４図（（ｉ）に示すように、ワ
ックス（２０が、ウェハ（７）全面と接着プレート（５
）との間にいきわたυ、その膜厚が所定値に達すると、
高圧空気源α樟からの高圧空気の供給を停止するととも
に、昇降ｉ構（１Ｇによシ押圧機構θ階を矢印（１２ｂ
）方向に上昇させ当該ウエノ・（力の接着作業を終了す
る。しかして、間欠駆ＭＪ機構（２）により所定角度ホ
ットプレート（３）を回転させ、次のウエノ・（力を抑
圧機構（１′５直下に設定する。以下、同様の操作を他
のウェハ（７）・・・に対しても繰返して行う。このよ
うに、本実施例の半導体ウエノ・の押圧装置は、接着プ
レート（５）に対してウェハ（７）をワックス園を中央
部から周辺部にかけて波紋状に静圧荷重を負荷するよう
にしたので、ワックスに包含されている気泡を外部に放
出することがでび、膜厚が均一になシ、ウェハ（７）の
接着プレート（５）に対する平行度を再現性をもって１
〜２μｍにすることができる。
スの軟化点より３０〜４０°０高めになるまで、ホット
プレー ト（３）を加熱する。しかして、接着プレ接着
されるウェハ（力の王面積より狭く、かつ、ウェハ（力
の接着完了時の膜厚より厚く塗布する。しかしで、第１
図に示すように、塗布されたワックスを介し゛Ｃ複数の
ウェハ（７）・・・を接着プレート（５）の所定位置に
載置したのち、間欠駆７１ＬＩＩ桟構（２）を起動しで
、特定のウェハ（力の中心が、押圧体（１４）の軸心の
延長線」―にくるまで、ホットプレート（３）全矢印（
４）方向に回転させる。そして、高圧空気源（【１から
、導〆Ｕ（則及び案内孔（１″０を介してＩｔｖ部（ｌ
：９に高圧空気を供給し、川（ダ３板体（１６）を凸曲
面状に変形恣せたのち、昇降機構ａ〔により抑圧機構（
ｌ［有］を第１図矢印（１２ａ）方向に徐々に降下させ
る。するど、第４図（ａ）に示すように、凸曲面状に変
形した圧接板休職の一部が、ウェハ（７）の中央部に当
接し、ウェハ（力は、接着グレート（５）に対して押圧
される。これとともにワンクスレりは、周辺部に流動、
するとともにその厚みが減少する。しかして、昇降機構
（ＬＯ）による抑圧機構（【３Ｉのウェハ（力に対する
荷重の負荷の継続とともに、圧接板体αωのウェハ（力
に対する接触領域は、波紋状に拡大し、これにともない
ウェハ（カに負荷される静圧荷重により、ワックス翰は
、第４図（ｂ）及び（Ｃ）に示すように、徐々にウェハ
（力の周縁部に向って流動する。このとき、ウェハ（刀
の単位面積当υの荷重を一定にするために、圧接板体α
Ｑのウェハ（力への接融面積の増大に対応して、昇降機
構αＱによる負荷荷重は漸次増大させ、他方、高圧空気
源α■による高圧空気の圧力は、漸次減少するようにす
る。このようにして、第４図（（ｉ）に示すように、ワ
ックス（２０が、ウェハ（７）全面と接着プレート（５
）との間にいきわたυ、その膜厚が所定値に達すると、
高圧空気源α樟からの高圧空気の供給を停止するととも
に、昇降ｉ構（１Ｇによシ押圧機構θ階を矢印（１２ｂ
）方向に上昇させ当該ウエノ・（力の接着作業を終了す
る。しかして、間欠駆ＭＪ機構（２）により所定角度ホ
ットプレート（３）を回転させ、次のウエノ・（力を抑
圧機構（１′５直下に設定する。以下、同様の操作を他
のウェハ（７）・・・に対しても繰返して行う。このよ
うに、本実施例の半導体ウエノ・の押圧装置は、接着プ
レート（５）に対してウェハ（７）をワックス園を中央
部から周辺部にかけて波紋状に静圧荷重を負荷するよう
にしたので、ワックスに包含されている気泡を外部に放
出することがでび、膜厚が均一になシ、ウェハ（７）の
接着プレート（５）に対する平行度を再現性をもって１
〜２μｍにすることができる。
第５図は、他の実施例における押圧機構Ｃ’ｌ）を示す
もので（なお、抑圧機構ＱＯ以外の部分は、前記実施例
と全く同一であるので説明を省略する。）、この抑圧機
（１ｑ０υは、円柱押圧体０罎を有している。
もので（なお、抑圧機構ＱＯ以外の部分は、前記実施例
と全く同一であるので説明を省略する。）、この抑圧機
（１ｑ０υは、円柱押圧体０罎を有している。
抑圧体（２りは、一端面側が、昇降軸（１４）と同軸に
固定されているｕ’ｌ：た、押圧体０榎の他端面側は、
前記抑圧機構（１３１と同様に、同心円状の複数の円環
状γ！”・１及びこれら円環状溝に交差する放射状γ１
・Ｔの組合せからなる溝部（２：りが刻設されている。
固定されているｕ’ｌ：た、押圧体０榎の他端面側は、
前記抑圧機構（１３１と同様に、同心円状の複数の円環
状γ！”・１及びこれら円環状溝に交差する放射状γ１
・Ｔの組合せからなる溝部（２：りが刻設されている。
さしに、抑圧体（２４には、溝部（ハ）と、押正体四の
列降軸（１１）側の端面に開口する案内孔０，０が穿設
されている。この案内孔（財）は、専管０５）を介して
間圧空気源Ｃ１（Ｄに接続されている。一方、抑圧体（
２４の宥・“一部（ハ）側端面にＶＪｌ、この端面を接
離自在に被覆する、厚み５ｍｍ程度の円形薄板状の圧接
板体０７）が、その周縁部を例えばろう付けなどにより
固定されている。その結果、溝部（ハ）は、外気から密
封されている。さらに、圧接板体０７）のウェハ（力へ
の対向面には、ｍ ｔ７１＋Ｉａ、１１と同様の複数の
円環状Ｓ及びこれら円環状溝に交差する放射状溝の組合
せからなるＷｆＡ部ＱＱが刻設されでいる。そして、一
端が溝部ｑ榎に開口し、他端が押圧体（２りの昇降軸（
１υ側端而に開口する一部の案内孔（ハ）が、圧接板体
Ｑ７）及び押圧体し湯の内部に１設されている。この案
内孔ｃ１１は、導管（３０１を介して）（空源０１）に
接続されている。
列降軸（１１）側の端面に開口する案内孔０，０が穿設
されている。この案内孔（財）は、専管０５）を介して
間圧空気源Ｃ１（Ｄに接続されている。一方、抑圧体（
２４の宥・“一部（ハ）側端面にＶＪｌ、この端面を接
離自在に被覆する、厚み５ｍｍ程度の円形薄板状の圧接
板体０７）が、その周縁部を例えばろう付けなどにより
固定されている。その結果、溝部（ハ）は、外気から密
封されている。さらに、圧接板体０７）のウェハ（力へ
の対向面には、ｍ ｔ７１＋Ｉａ、１１と同様の複数の
円環状Ｓ及びこれら円環状溝に交差する放射状溝の組合
せからなるＷｆＡ部ＱＱが刻設されでいる。そして、一
端が溝部ｑ榎に開口し、他端が押圧体（２りの昇降軸（
１υ側端而に開口する一部の案内孔（ハ）が、圧接板体
Ｑ７）及び押圧体し湯の内部に１設されている。この案
内孔ｃ１１は、導管（３０１を介して）（空源０１）に
接続されている。
このような構成の抑圧機構０υを用いで、ウエハ（７）
の接ボブレート（５）への接着ケ行う場合、まず、ｊ′
（空源（３］） ｆ：作動させて、圧接板体０７）にウ
ニノ・（力をＪｃ空吸オδΔ・ｋｚ）。つぎに、高圧空
気源い）により、高圧空気を導管０５）及び案内孔０４
）を介して溝部Ｑりに供給し、圧４＆板体（２７）を第
６図（ａ）に示すように外方へ凸曲１ｆ（１状に変形さ
せる。この圧接板体（２７）の変形１よ にならっ゛Ｃ１真空吸着されているウェハ（力奮凸曲面
状に変形する。しか（７て、押圧機構（２０を昇降機４
１１ （ｌｔｌ）により矢印（３４方向に降下させる。
の接ボブレート（５）への接着ケ行う場合、まず、ｊ′
（空源（３］） ｆ：作動させて、圧接板体０７）にウ
ニノ・（力をＪｃ空吸オδΔ・ｋｚ）。つぎに、高圧空
気源い）により、高圧空気を導管０５）及び案内孔０４
）を介して溝部Ｑりに供給し、圧４＆板体（２７）を第
６図（ａ）に示すように外方へ凸曲１ｆ（１状に変形さ
せる。この圧接板体（２７）の変形１よ にならっ゛Ｃ１真空吸着されているウェハ（力奮凸曲面
状に変形する。しか（７て、押圧機構（２０を昇降機４
１１ （ｌｔｌ）により矢印（３４方向に降下させる。
このとき、ウェハ（力Ｊ、５２着予定部位全域及び真空
吸着されているウェハ（７）の接着１７ηの全ｆｎ１に
ｒ：ｌ： 、 ワックス００）をめらかしめ塗布して
おく。すると、第６図（ｂ）に示すように凸曲面状に変
形したウェハ（７）の中央部が、ワックスＧ！Ｏを介し
Ｃｓ ’Ｉｉ２９にプレート（５）に接触する。
吸着されているウェハ（７）の接着１７ηの全ｆｎ１に
ｒ：ｌ： 、 ワックス００）をめらかしめ塗布して
おく。すると、第６図（ｂ）に示すように凸曲面状に変
形したウェハ（７）の中央部が、ワックスＧ！Ｏを介し
Ｃｓ ’Ｉｉ２９にプレート（５）に接触する。
そして、前記実施例と同様にして抑圧機構（２１）を接
シｉにプレート（５）に対して押圧すると、第６図（Ｃ
）に示すように、ワックス（２（Ｉを介したウェハ（７
）の接着プレート（５）に対する接触領域は中央部から
周辺部に波紋状にプ広大し、ウェハ（７）の接着面に静
圧荷重が負荷される。しかして、ウニノ・（７）の接着
プレート（０）への接着が完了すると、ウニノ・（７）
の〕′（空吸着を解除し、抑圧機構（２Ｉ）を上昇させ
る。本実施例も、前記実施例と同様に、ワックス内の気
泡を外部に逸散させ、ウニノ・（力の一接着プレート（
５）に対する平行度を１〜２μｍ以下に再現性をもって
維持°ノーることかできるが、ことに、ワックスをＪＡ
着プレートのウェハ接着部位中心１１１〜のみに塗布さ
れている場合に限らず、ワックスがつ二ノ・接着面金１
１１１又は接着プレートのウェハ接着部位中心に塗布さ
れでいる場合にも、所要の平行度を得ることができる。
シｉにプレート（５）に対して押圧すると、第６図（Ｃ
）に示すように、ワックス（２（Ｉを介したウェハ（７
）の接着プレート（５）に対する接触領域は中央部から
周辺部に波紋状にプ広大し、ウェハ（７）の接着面に静
圧荷重が負荷される。しかして、ウニノ・（７）の接着
プレート（０）への接着が完了すると、ウニノ・（７）
の〕′（空吸着を解除し、抑圧機構（２Ｉ）を上昇させ
る。本実施例も、前記実施例と同様に、ワックス内の気
泡を外部に逸散させ、ウニノ・（力の一接着プレート（
５）に対する平行度を１〜２μｍ以下に再現性をもって
維持°ノーることかできるが、ことに、ワックスをＪＡ
着プレートのウェハ接着部位中心１１１〜のみに塗布さ
れている場合に限らず、ワックスがつ二ノ・接着面金１
１１１又は接着プレートのウェハ接着部位中心に塗布さ
れでいる場合にも、所要の平行度を得ることができる。
なお、上記二つの実施例の半導体ウニノ・の接着装置は
、押圧機構（ｌ騰、（２υは、１個しか取付けられてい
ないが、第７図及び第６図に−示すように、昇降軸θυ
の下端部に保持体（ハ）を取付け、この保持体（ハ）に
押圧されるウェハ（７）・・・の等配位置に対応して、
支持腕部０４）・・・を突設させ、これら支持腕部（３
４）・・・に支軸（７）・・・を介して押圧機構０階・
・・叉は押圧機構０υ・・・を取付けるようにしてもよ
い。こうすることにより、接着プレート（５）上の複数
のウニノ（７）・・・を同時に接着できるので、作業能
率が著しく向上するとともに、１１１）欠駆η１ｂ機構
（２）が不要になる。、きらに、最初の実施例における
圧接板体（［９の材質は、例えばシリコーン・ゴムなど
の耐熱性の合成樹脂を用いＣもよい。
、押圧機構（ｌ騰、（２υは、１個しか取付けられてい
ないが、第７図及び第６図に−示すように、昇降軸θυ
の下端部に保持体（ハ）を取付け、この保持体（ハ）に
押圧されるウェハ（７）・・・の等配位置に対応して、
支持腕部０４）・・・を突設させ、これら支持腕部（３
４）・・・に支軸（７）・・・を介して押圧機構０階・
・・叉は押圧機構０υ・・・を取付けるようにしてもよ
い。こうすることにより、接着プレート（５）上の複数
のウニノ（７）・・・を同時に接着できるので、作業能
率が著しく向上するとともに、１１１）欠駆η１ｂ機構
（２）が不要になる。、きらに、最初の実施例における
圧接板体（［９の材質は、例えばシリコーン・ゴムなど
の耐熱性の合成樹脂を用いＣもよい。
本発明の半導体ウェハの接着装置忙は凸曲面状に変形さ
せた圧接板体によりウニノーを接着プレートに対して押
し付け、ウニノ・の中心部から周辺部へ波紋状に静圧荷
重を負荷させるようにしたもので、ワックス中に気泡ｆ
ｃ残留させることなく、ワックスｊ摸厚を均一にするこ
とができるので、接着プレートに対するウェハの平行度
を１〜２μｍ以下に維持することができる。、また、手
作業による接着と一！Ｉ’４なり、接着条件を一定に制
御することができるので再現性が高くなる。さらに、押
付は治共奮用いた手作業による接着作業と異なり、ウニ
ノ１の特定部位のみを強圧することがないので、ウニノ
１表面に疵を伺けることがなくなる。しだがって、以」
二の効果が相俟って、半導体ウニノ・製品の品質向」二
及び歩留り向上に寄与する。
せた圧接板体によりウニノーを接着プレートに対して押
し付け、ウニノ・の中心部から周辺部へ波紋状に静圧荷
重を負荷させるようにしたもので、ワックス中に気泡ｆ
ｃ残留させることなく、ワックスｊ摸厚を均一にするこ
とができるので、接着プレートに対するウェハの平行度
を１〜２μｍ以下に維持することができる。、また、手
作業による接着と一！Ｉ’４なり、接着条件を一定に制
御することができるので再現性が高くなる。さらに、押
付は治共奮用いた手作業による接着作業と異なり、ウニ
ノ１の特定部位のみを強圧することがないので、ウニノ
１表面に疵を伺けることがなくなる。しだがって、以」
二の効果が相俟って、半導体ウニノ・製品の品質向」二
及び歩留り向上に寄与する。
第１図及び第２図は不発明の一実施例の半導体ウェハの
接着装置を示す平面図及び正面１囚、第３図は第１図及
び第２図に示す抑圧機構の要部拡大１Ｙｊｉ面図、第４
図はｇ３図の抑圧機構の作！助を示す説明図、第５図は
本発明の他の実施例の抑圧（表構の要部拡大断面図、第
６図は第５図の押圧機（１＃の作１シｂを示す説明図、
ｔＡ７図及び第８図は本発明の他の実施例の半導体ウェ
ハの接着装置を示す平面図及び正面図でるる。 （３）二ホットプレート１ （５） ：接着プレート
。 （カニ半導体ウェハ、 （１０）：昇降機構。 ａ増、ａυ：抑圧機構、（１も（ハ）：押圧体。 ４句、（ハ）：ｔｐ４部、 四、Ｑη；圧接板体
。 Ｑｌ、（ハ）：高圧空気源 （２０） ：ワックス
。 ０樽：溝 部、 ０１） ：真空源。 代理人 弁理士 則近憲佑 （ほか１名）粥 ５
回
接着装置を示す平面図及び正面１囚、第３図は第１図及
び第２図に示す抑圧機構の要部拡大１Ｙｊｉ面図、第４
図はｇ３図の抑圧機構の作！助を示す説明図、第５図は
本発明の他の実施例の抑圧（表構の要部拡大断面図、第
６図は第５図の押圧機（１＃の作１シｂを示す説明図、
ｔＡ７図及び第８図は本発明の他の実施例の半導体ウェ
ハの接着装置を示す平面図及び正面図でるる。 （３）二ホットプレート１ （５） ：接着プレート
。 （カニ半導体ウェハ、 （１０）：昇降機構。 ａ増、ａυ：抑圧機構、（１も（ハ）：押圧体。 ４句、（ハ）：ｔｐ４部、 四、Ｑη；圧接板体
。 Ｑｌ、（ハ）：高圧空気源 （２０） ：ワックス
。 ０樽：溝 部、 ０１） ：真空源。 代理人 弁理士 則近憲佑 （ほか１名）粥 ５
回
Claims (2)
- （１）下記構成を具備することを特徴とする半導体ウェ
ハの接着装置。 （イ）半導体フェノ・をワックスを介して接着する平板
状の接着プレート （ロ）上記接着プレートを載置し、上記ワックスが溶融
する温度に加熱するホットプレート（ハ）一端面に溝部
が刻設された抑圧体と、上記溝部を接）ＩＩＩ自在に被
覆するとともに周縁部が上記抑圧体にＭ着されだ円形薄
板状の圧接板体とを有する抑圧機構 に）上記抑圧体の溝部に高圧空気を供給し上記圧接体を
凸曲面状に変形させる高圧空気供給機構 （ホ）上記抑圧機構を昇降自在に支持し上記抑圧機構を
降下させることによυ凸曲面状に変形させた上記圧接板
体を゛上記接着プレート上に上記ワックスを介して載置
されている上記半導体ウェハに対して押し付は上記圧接
板体による上記半導体ウェハの抑圧領域を上記半導体ウ
ェハの中央部から一周辺部へ波紋状に拡大させる昇降１
ｌｉｉ構 - （２）押圧ａ ４４１の圧接板体の半導体ウェハ押圧面
には真空源に接続される溝部が形成されこの１ｍ部を介
して接着プレートに接着される半導体ウェハな真空吸着
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体ウェハの接着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57142038A JPS5932135A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | 半導体ウエハの接着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57142038A JPS5932135A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | 半導体ウエハの接着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5932135A true JPS5932135A (ja) | 1984-02-21 |
Family
ID=15305929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57142038A Pending JPS5932135A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | 半導体ウエハの接着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932135A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60137035A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ウエ−ハ接着装置 |
| JPS6290944A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-25 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウエハ貼付装置 |
| JPH01289132A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-11-21 | Morton Thiokol Inc | 印刷配線に重合体材料を貼着する方法および装置 |
| JPH02119237A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-07 | Nec Corp | 半導体基板のガラス板貼付け用ホットプレート |
| JPH0488033U (ja) * | 1990-12-18 | 1992-07-30 | ||
| JPH04137033U (ja) * | 1991-06-12 | 1992-12-21 | 株式会社エンヤシステム | ウエーハ押圧装置 |
| US6889418B2 (en) | 1998-11-24 | 2005-05-10 | Fujitsu Limited | Method of processing magnetic head |
| CN101702397B (zh) | 2009-11-16 | 2011-08-10 | 中国电子科技集团公司第四十五研究所 | 晶片蜡粘接设备 |
| CN102707657A (zh) * | 2012-05-17 | 2012-10-03 | 山东轻工业学院 | 一种led芯片多工位全自动上蜡控制系统及控制方法 |
| CN103219266A (zh) * | 2013-04-28 | 2013-07-24 | 康可电子（无锡）有限公司 | 晶圆涂蜡台 |
| CN103692761A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-04-02 | 齐鲁工业大学 | 一种led芯片上蜡机及上蜡控制方法 |
-
1982
- 1982-08-18 JP JP57142038A patent/JPS5932135A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60137035A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ウエ−ハ接着装置 |
| JPS6290944A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-25 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウエハ貼付装置 |
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| US6889418B2 (en) | 1998-11-24 | 2005-05-10 | Fujitsu Limited | Method of processing magnetic head |
| CN101702397B (zh) | 2009-11-16 | 2011-08-10 | 中国电子科技集团公司第四十五研究所 | 晶片蜡粘接设备 |
| CN102707657A (zh) * | 2012-05-17 | 2012-10-03 | 山东轻工业学院 | 一种led芯片多工位全自动上蜡控制系统及控制方法 |
| CN103219266A (zh) * | 2013-04-28 | 2013-07-24 | 康可电子（无锡）有限公司 | 晶圆涂蜡台 |
| CN103692761A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-04-02 | 齐鲁工业大学 | 一种led芯片上蜡机及上蜡控制方法 |
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