JPS5932206A - 水晶発振回路 - Google Patents
水晶発振回路Info
- Publication number
- JPS5932206A JPS5932206A JP14115082A JP14115082A JPS5932206A JP S5932206 A JPS5932206 A JP S5932206A JP 14115082 A JP14115082 A JP 14115082A JP 14115082 A JP14115082 A JP 14115082A JP S5932206 A JPS5932206 A JP S5932206A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- terminal
- inverting amplifier
- crystal
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/364—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising field effect transistors
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明Ｌ、水晶発掘回路に関する。
従来より、第１図に示すような水晶発１族回路が公知で
ある。このような水晶発振回路におい又は、耐湿性が悪
いという問題があつｔｏこのＩＧ（Ｌ！Ｊ ｔよ、湿気
により端子、ｐｔでリークｌａ ？Ｍ； ｉ簸ら生しＣ
１−そ。
ある。このような水晶発振回路におい又は、耐湿性が悪
いという問題があつｔｏこのＩＧ（Ｌ！Ｊ ｔよ、湿気
により端子、ｐｔでリークｌａ ？Ｍ； ｉ簸ら生しＣ
１−そ。
の等価抵抗Ｒの抵抗綿のｆ動によって、反転増＋１Ｖｉ
ｌ器Ａのバイアス点を変動葛せることＶ？：あることが
本願発明者の０１死によつ−Ｃ判明した。
ｌ器Ａのバイアス点を変動葛せることＶ？：あることが
本願発明者の０１死によつ−Ｃ判明した。
そこで、上■Ｌ：リーク屯がしによる反転増幅器のバイ
アス変動を防止するため端子ＰＬ と反転増幅器Ａとの
間に、直か（阻市用のコンデン゛す゛金膜けることが考
えられる。
アス変動を防止するため端子ＰＬ と反転増幅器Ａとの
間に、直か（阻市用のコンデン゛す゛金膜けることが考
えられる。
しかし、この場合には、端子Ｐ１での直流！往ハｆが不
定となり、ストレーギャパシタ等を介した外部電昇の影
響金受けて大きくその可使が変化するため、水晶撮動子
Ｘが安定に撮動しなくなるという欠点が生じてしまう。
定となり、ストレーギャパシタ等を介した外部電昇の影
響金受けて大きくその可使が変化するため、水晶撮動子
Ｘが安定に撮動しなくなるという欠点が生じてしまう。
この発明の目的は、外部環境に対して安定に動作する水
晶発掘回路を提供することＫある。
晶発掘回路を提供することＫある。
この発明の他の目的は、以下の説明及び図面から明らか
になるであろう。
になるであろう。
以下、この発明を実施例とともに詳ＩｖＩＩＩＫ、説明
する。
する。
第２図には、この発明の一実施例の回路図が示芒れてい
る。
る。
この実施例においては、１時に制限式ｔＬないが、点線
で囲１れた各回路素子をよ、公知の半導体製造技術によ
って、１個の半導体基板上において形成場れ、外Ｆｆｌ
Ｓ端子ＰＬ、Ｐ、をＪｉ゛ｔ、て外部回路素子と接続さ
れている。
で囲１れた各回路素子をよ、公知の半導体製造技術によ
って、１個の半導体基板上において形成場れ、外Ｆｆｌ
Ｓ端子ＰＬ、Ｐ、をＪｉ゛ｔ、て外部回路素子と接続さ
れている。
反転増幅器Ａは、特にｌｌ７１Ｊ限はｔＬないが、ｒ１
ヂャンネルＭＯｇＦＥＴ（絶縁ゲート型亀昇効果トラン
ジスタ）Ｑｔ とｐチャンネルＭＯ８ＦｆｆｌＴＱ。
ヂャンネルＭＯｇＦＥＴ（絶縁ゲート型亀昇効果トラン
ジスタ）Ｑｔ とｐチャンネルＭＯ８ＦｆｆｌＴＱ。
とで構成された公知の０Ｍ０Ｓインバータが用すられる
。
。
そして、この反転増幅器Ａの入出力端子間にはバイアス
抵抗ＲＢが設けられている。
抵抗ＲＢが設けられている。
この反転増幅器Ａの入力端子ど外部端子ｐ、との間に＃
−Ｊ、、外部端子ＰＩＶＣおけるリークＴｉ電流による
バイアス点の変動を防止する７ｊ 、ｖ）に、コンデン
サＣＩが設けられ１いる。韮ｔ、このコンデンーリ゛０
鳳により、端子Ｐ１の直流ＦＩＬ位が不定になること全
防止するために、この実Ｍ１１例でＶ、ｔ、端子Ｐ。
−Ｊ、、外部端子ＰＩＶＣおけるリークＴｉ電流による
バイアス点の変動を防止する７ｊ 、ｖ）に、コンデン
サＣＩが設けられ１いる。韮ｔ、このコンデンーリ゛０
鳳により、端子Ｐ１の直流ＦＩＬ位が不定になること全
防止するために、この実Ｍ１１例でＶ、ｔ、端子Ｐ。
と接地哨、位との間に高抵抗ｎ、が設けられている。
この高抵抗Ｒ−は、岨源Ｔ１１圧−Ｖゎ。との間に設け
られるものであってもよい。杓’ＬＡ換えると、上記抵
抗Ｒ＋ｒよ上記端子Ｐ、 と任意の交流的接地点の間
に設けられるものであればよい。
られるものであってもよい。杓’ＬＡ換えると、上記抵
抗Ｒ＋ｒよ上記端子Ｐ、 と任意の交流的接地点の間
に設けられるものであればよい。
上６Ｃコンデンーリ″Ｃ１の容量値は、’Ｆヶに制限さ
れないが、例えば、時ｉｔ用の発損周波数紮形成する場
合にンま、約１５ｐＦ程度のものが用いられ、ＭＯ日容
積又はｐｎ接合容１７１で構成さ１１．る。
れないが、例えば、時ｉｔ用の発損周波数紮形成する場
合にンま、約１５ｐＦ程度のものが用いられ、ＭＯ日容
積又はｐｎ接合容１７１で構成さ１１．る。
また、上記高抵抗Ｒ１の抵抗館は、ｌ持に１１１０限さ
ｉｔないが、約１０００ＭΩ稈度のものが用いられ、ポ
リシリコン層で構成される。
ｉｔないが、約１０００ＭΩ稈度のものが用いられ、ポ
リシリコン層で構成される。
上記端子Ｐ、と、反転増幅器Ａの出力端子に接続嘔れる
端子Ｐ２との間には、外部素子として水晶４展動子Ｘが
設けられている。また、それぞれの端子Ｐｌ ＋ Ｐ
ｌと接地電位との間には、外部素子としてのコンデン
サ。。、ＣＤが設けられるものである。
端子Ｐ２との間には、外部素子として水晶４展動子Ｘが
設けられている。また、それぞれの端子Ｐｌ ＋ Ｐ
ｌと接地電位との間には、外部素子としてのコンデン
サ。。、ＣＤが設けられるものである。
第３図には、この発明の他の一実施例の回路図が示され
ている。
ている。
この実施例は、基本的には第２図の実施例と同様である
。ただ、外部端子Ｐ、の直流電位安定化のための高抵抗
Ｒ目よ、上記コンデンサＣＩに並列に設けられている点
が、上Ｈｅ第２図の実施例と異なっている。丁なゎち、
この実施例では、反転増幅器Ａ１のバイアス電圧全利用
して、端子Ｐ。
。ただ、外部端子Ｐ、の直流電位安定化のための高抵抗
Ｒ目よ、上記コンデンサＣＩに並列に設けられている点
が、上Ｈｅ第２図の実施例と異なっている。丁なゎち、
この実施例では、反転増幅器Ａ１のバイアス電圧全利用
して、端子Ｐ。
の電位不定奮防止するようにしている。
上記実施例で１よ、コン１ン”ｊ’ＯＩＫよって、端子
石における湿気等により生じるリーク電流がめっても、
反転増幅器Ａのパイ、アス屯圧に変動音もたら１仁とが
ない。一方、上記コンデンサ鮪を設けれことによって生
じる端子ｐ、の直流電位の不安定性は、高抵抗Ｒ，の仲
人によって防止できる。
石における湿気等により生じるリーク電流がめっても、
反転増幅器Ａのパイ、アス屯圧に変動音もたら１仁とが
ない。一方、上記コンデンサ鮪を設けれことによって生
じる端子ｐ、の直流電位の不安定性は、高抵抗Ｒ，の仲
人によって防止できる。
しｆＬがって、この実施例の水晶発掘（ロ）路は、七の
外部環境に対して安定に動作するものとなる。
外部環境に対して安定に動作するものとなる。
前記実施例におｈて、各回路部品は、それぞれ単体の回
路素子で構成するものであってもよい。
路素子で構成するものであってもよい。
また、反転増幅器Ａの具体的構成は、例えば単一チャン
ネルのＭＯＥ］ＦＦ１Ｔｉ用いるもの等＠に変形できる
ものである。また、第２図、第３図の実施例において、
コンデンサ賄及びバイアス抵抗ＲＢは、外付抵抗によっ
て構成するものとしてもよい。
ネルのＭＯＥ］ＦＦ１Ｔｉ用いるもの等＠に変形できる
ものである。また、第２図、第３図の実施例において、
コンデンサ賄及びバイアス抵抗ＲＢは、外付抵抗によっ
て構成するものとしてもよい。
この発明は、例えば電子式時ｉｔ 、 ｍ子穴卓上ｎｌ
算機、及びマイクロプロセッサ等、基準周波数信号全必
要とする亀子装置ｔに広く利用できるものである。
算機、及びマイクロプロセッサ等、基準周波数信号全必
要とする亀子装置ｔに広く利用できるものである。
第１図は、従来技術の一例金示す回路図、第２図及び第
３図は、それぞれこの発明の一実施例全示す回路図であ
る。 Ａ・・・反転増幅器。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 ＝３３−
３図は、それぞれこの発明の一実施例全示す回路図であ
る。 Ａ・・・反転増幅器。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 ＝３３−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■１反転増’ＩＩＩ器と、その入出力端子間に般りら！
したバイアス抵抗と、土バＩｉ反転増幅器の入力端子に
その一端が接続され几コンデンリ゛Ｃ１と、このコンデ
ンサ０．の他端と上記反転増幅器の出力９１１Ａイとの
間に設けられた水晶振動子と、上記水晶撮動子の両ｙｊ
Ｍと父流的接地端子との間にそれぞれ設けられたコンデ
ンサｌ）ｏ 、（３Ｄと、上記コンデンソ−ＣＩの他端
と父流的接地端子又ｔま反転ｊｌＶ１ｖＡ器の入力端子
との間に設けられた高抵抗手段と金含むことに’ｔ￥徴
とする水晶発振回路。 ２、土Ｉ己反転増幅器、バイアス抵抗、コンデンヤＯＩ
及び高抵抗手段は、１つの半導体基板上において形ｒＪ
ｙ、壊れるものであること奮ｌ庁徴とするＩｒケｒｒＮ
ｉＶ求のＩＩＩ＋λ囲絹１項記載の水晶発掘回路。 ３、」二ｎ己反転ｊ冑１１鵬器は、０Ｍ０日インバータ
で（１乍ｎ’！、感〕１１、冒抵抗手段はポリシリコン
で構成さ７Ｌるものであることを特徴とするｌｒケｆＦ
［ｉＩｖ求の範曲第２項記載の水晶発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14115082A JPS5932206A (ja) | 1982-08-16 | 1982-08-16 | 水晶発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14115082A JPS5932206A (ja) | 1982-08-16 | 1982-08-16 | 水晶発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5932206A true JPS5932206A (ja) | 1984-02-21 |
Family
ID=15285300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14115082A Pending JPS5932206A (ja) | 1982-08-16 | 1982-08-16 | 水晶発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932206A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04329718A (ja) * | 1991-05-01 | 1992-11-18 | Gakken Co Ltd | 同時送受話無線機 |
| JPH04329719A (ja) * | 1991-05-01 | 1992-11-18 | Gakken Co Ltd | 同時送受話無線機 |
| KR100432933B1 (ko) * | 2000-10-27 | 2004-05-28 | 니폰 프리시젼 서키츠 가부시키가이샤 | 발진회로 및 발진용 집적회로 |
| US7948329B2 (en) | 2008-05-06 | 2011-05-24 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Oscillator gain circuit and method |
-
1982
- 1982-08-16 JP JP14115082A patent/JPS5932206A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04329718A (ja) * | 1991-05-01 | 1992-11-18 | Gakken Co Ltd | 同時送受話無線機 |
| JPH04329719A (ja) * | 1991-05-01 | 1992-11-18 | Gakken Co Ltd | 同時送受話無線機 |
| KR100432933B1 (ko) * | 2000-10-27 | 2004-05-28 | 니폰 프리시젼 서키츠 가부시키가이샤 | 발진회로 및 발진용 집적회로 |
| US7948329B2 (en) | 2008-05-06 | 2011-05-24 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Oscillator gain circuit and method |
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