JPS5933203B2 - 測光回路 - Google Patents
測光回路Info
- Publication number
- JPS5933203B2 JPS5933203B2 JP51058872A JP5887276A JPS5933203B2 JP S5933203 B2 JPS5933203 B2 JP S5933203B2 JP 51058872 A JP51058872 A JP 51058872A JP 5887276 A JP5887276 A JP 5887276A JP S5933203 B2 JPS5933203 B2 JP S5933203B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- circuit
- present
- photometric
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は太陽電池を用いた測光回路、さらに詳しくいえ
ば電子シャッタカメラの測光等に適した測光回路に関す
る。
ば電子シャッタカメラの測光等に適した測光回路に関す
る。
従来の、太陽電池を受光素子として使用し、負帰還増幅
回路を用いて光電流を増幅する形式の測光回路の低照度
領域における問題点およびその原因を第１図を参照して
説明する。
回路を用いて光電流を増幅する形式の測光回路の低照度
領域における問題点およびその原因を第１図を参照して
説明する。
増幅器が電源に接続されていない状態（支）において太
陽電池ＰＤはアノードが正、カソードが負となる工００
ｍＶ位の開放電圧ＶＯＰが発生している。
陽電池ＰＤはアノードが正、カソードが負となる工００
ｍＶ位の開放電圧ＶＯＰが発生している。
次に電源を投入すると、開放電圧ＶＯＰによつて定まる
大きな帰還電流Ｉｖｏｐが流れる（Ｂ）Ｏ太陽電池ＰＤ
は障壁容量を有しているのでこのＩｏｐにより充電され
て、前記ＶＯＰとは逆方向、つまりカソード側が正とな
るように光電される。
大きな帰還電流Ｉｖｏｐが流れる（Ｂ）Ｏ太陽電池ＰＤ
は障壁容量を有しているのでこのＩｏｐにより充電され
て、前記ＶＯＰとは逆方向、つまりカソード側が正とな
るように光電される。
この電圧をＶＲとする。そのため帰還電流ＩｖＲは零と
なり、回路は不作動、いわゆる死んだ状態に追いこまれ
る（Ｃ）ＯこのＶＲの原因となつている電荷は光電流に
より徐々に中和され、増幅器は正常な動作状態になる（
Ｔｊｏ前記（Ｃ）から（９にいたる時間を一例を挙げて
試算して見る。
なり、回路は不作動、いわゆる死んだ状態に追いこまれ
る（Ｃ）ＯこのＶＲの原因となつている電荷は光電流に
より徐々に中和され、増幅器は正常な動作状態になる（
Ｔｊｏ前記（Ｃ）から（９にいたる時間を一例を挙げて
試算して見る。
光電流を３０ｐＡ、ＰＤの、接合容量を３００ｐＦ、Ｐ
Ｄが充電された電圧を３００ｍＶであつたとすると、放
電時間をは次のようになる。゛゛＼＼３００ｍＶ×３０
０ｐＦ ｔ＝＝３（秒） すなわち３秒間は回路は正常に動作しないのである。
Ｄが充電された電圧を３００ｍＶであつたとすると、放
電時間をは次のようになる。゛゛＼＼３００ｍＶ×３０
０ｐＦ ｔ＝＝３（秒） すなわち３秒間は回路は正常に動作しないのである。
この問題を解決するために特公昭５１−１３６５９号は
、前述した（Ｂ）の状態において過大な電流をバイパス
して太陽電池にＶＲを生ぜしめないようにする方法を提
案している。
、前述した（Ｂ）の状態において過大な電流をバイパス
して太陽電池にＶＲを生ぜしめないようにする方法を提
案している。
すなわち前記特許公報の記載によれば、「太陽電池は大
きな静電容量を有しているので、スイッチＳＷを閉成す
ると過渡電流が太陽電池Ｄの容量を充電する向きに流れ
カソード側を４にして電源Ｅの電圧まで光電する。（注
：この電圧は第１図Ｃ（７）ＶＲに相当する。）・・・
・・・この光電された電荷の放電は、太陽電池Ｄのその
時点の光電流であり、その値が極めて小さい場合には放
電に要する時間が長くなり正常動作に戻るまで可成りの
時間を要することになる。・・・・・・・・・従つて、
ここで太陽電池Ｄで制御し得る範囲内の電流を、太陽電
池の代りのものに流してもよいことになる。即ち太陽電
池の容量に対して十分大きな制御範囲内の電流を流すも
のを、太陽電池と並列に設け、これに充電電荷を放電す
るようにすれば、電流の制御をすみやかにすることがで
きる。・・・・・・太陽電池Ｄの容量に充電された電流
は、このトランジスタＴｒ６を通じて放電される。」第
１図（げ−Ｃ）は前記記述の内容を第１図Ａ，Ｂ，Ｃ，
Ｄに対応させて示した略図である。本発明は前述した技
術思想とは全く異なつた技術思想により測光回路の問題
点を解決しようとするものであつて、本発明の目的はよ
り根本的な発生原因を究明し、比較的入射光が少ないと
ころでも問題の生じない測光回路を提供することを目的
とするものである。
きな静電容量を有しているので、スイッチＳＷを閉成す
ると過渡電流が太陽電池Ｄの容量を充電する向きに流れ
カソード側を４にして電源Ｅの電圧まで光電する。（注
：この電圧は第１図Ｃ（７）ＶＲに相当する。）・・・
・・・この光電された電荷の放電は、太陽電池Ｄのその
時点の光電流であり、その値が極めて小さい場合には放
電に要する時間が長くなり正常動作に戻るまで可成りの
時間を要することになる。・・・・・・・・・従つて、
ここで太陽電池Ｄで制御し得る範囲内の電流を、太陽電
池の代りのものに流してもよいことになる。即ち太陽電
池の容量に対して十分大きな制御範囲内の電流を流すも
のを、太陽電池と並列に設け、これに充電電荷を放電す
るようにすれば、電流の制御をすみやかにすることがで
きる。・・・・・・太陽電池Ｄの容量に充電された電流
は、このトランジスタＴｒ６を通じて放電される。」第
１図（げ−Ｃ）は前記記述の内容を第１図Ａ，Ｂ，Ｃ，
Ｄに対応させて示した略図である。本発明は前述した技
術思想とは全く異なつた技術思想により測光回路の問題
点を解決しようとするものであつて、本発明の目的はよ
り根本的な発生原因を究明し、比較的入射光が少ないと
ころでも問題の生じない測光回路を提供することを目的
とするものである。
前記目的を達成するために本発明による回路は測光回路
動作前の太陽電池の０Ｐに着目し、太陽電池と、前記太
陽電池出力を増幅する帰還増幅器と、導通時に前記太陽
電池のアノードからカソード方向に通電するように接続
されている半導体スイツチ素子と、前記各回路への電源
接続に同期して信号を発生し前記半導体スイツチ素子を
一定時間導通させる敵分回路よりなる半導体スイツチ素
子の導通制御回路とから構成されている。
動作前の太陽電池の０Ｐに着目し、太陽電池と、前記太
陽電池出力を増幅する帰還増幅器と、導通時に前記太陽
電池のアノードからカソード方向に通電するように接続
されている半導体スイツチ素子と、前記各回路への電源
接続に同期して信号を発生し前記半導体スイツチ素子を
一定時間導通させる敵分回路よりなる半導体スイツチ素
子の導通制御回路とから構成されている。
前記構成によれば、より本質的に問題が解決され、本発
明の目的は完全に達成される。以下図面等を参照して本
発明をさらに詳しく説明する。
明の目的は完全に達成される。以下図面等を参照して本
発明をさらに詳しく説明する。
第２図Ａは本発明による測光回路の太陽電池ＰＤの開放
電圧０Ｐを消去するための回路部分を示す回路図、第２
図Ｂは先に説明した特公昭５１−１３６５９号に示され
た方法を実施するための太陽電池に充電された電荷を放
電するための回路部分を示す回路図である。
電圧０Ｐを消去するための回路部分を示す回路図、第２
図Ｂは先に説明した特公昭５１−１３６５９号に示され
た方法を実施するための太陽電池に充電された電荷を放
電するための回路部分を示す回路図である。
第２図Ａに示されているように、本発明による回路の実
施例ではＮＰＮトランジスタＴ１のコレクタは太陽電池
のアノードに、エミツタは抵抗ｒを介してカソードに接
続されている。コンデンサＣ，と抵抗Ｒはトランジスタ
Ｔ１の動通制御回路を形成している。第３図は本発明を
適用することができる測光回路の具体例を示す回路図で
ある。この演算増幅器０Ｐの初段はＦＥＴの差動増幅形
となつており、その入力端子に太陽電池ＰＤが接続され
ている。ＦＥＴ差動増幅器の出力は次段のバイポーラト
ランジスタ回路に結合され、最終段からＰＤのカソート
−負帰還回路が形成されている。最終段の出力電圧を。
としてある。Ｅは電源、ＳＷは電源スイツチである。こ
の回路の中間段に設けられているコンデンサＣ２は、こ
の増幅器の電源投入当初の応答を若干遅らせるためのコ
ンデンサである。そのためこの増幅器は第５図Ａに示す
ようにスイツチ投入時からＴ。おくれて正常な増幅度の
レベルに達するようになつている。第４図は第３図に示
した回路と第２図Ａに示しこ回路とを結合した本発明に
よる測光回路のブ０ツク図である。
施例ではＮＰＮトランジスタＴ１のコレクタは太陽電池
のアノードに、エミツタは抵抗ｒを介してカソードに接
続されている。コンデンサＣ，と抵抗Ｒはトランジスタ
Ｔ１の動通制御回路を形成している。第３図は本発明を
適用することができる測光回路の具体例を示す回路図で
ある。この演算増幅器０Ｐの初段はＦＥＴの差動増幅形
となつており、その入力端子に太陽電池ＰＤが接続され
ている。ＦＥＴ差動増幅器の出力は次段のバイポーラト
ランジスタ回路に結合され、最終段からＰＤのカソート
−負帰還回路が形成されている。最終段の出力電圧を。
としてある。Ｅは電源、ＳＷは電源スイツチである。こ
の回路の中間段に設けられているコンデンサＣ２は、こ
の増幅器の電源投入当初の応答を若干遅らせるためのコ
ンデンサである。そのためこの増幅器は第５図Ａに示す
ようにスイツチ投入時からＴ。おくれて正常な増幅度の
レベルに達するようになつている。第４図は第３図に示
した回路と第２図Ａに示しこ回路とを結合した本発明に
よる測光回路のブ０ツク図である。
トランジスタＴ１の導通制御回路のコンデンサＣ１はス
イツチＳＷを介し電池Ｅに接続されている。次に第５図
、第６図を参照して前記第４図に示した測光回路の動作
特性を説明する。
イツチＳＷを介し電池Ｅに接続されている。次に第５図
、第６図を参照して前記第４図に示した測光回路の動作
特性を説明する。
先に説明したように第３，４図に示されている演算増幅
器は、第５図Ａに示さているように遅動するように構成
されている。電源投入（ＳＷ閉成）にしたがつて、トラ
ンジスタＴ１のベースに第５図Ｂに示すようなベース電
圧が供給されると、トランジスタＴ１はコレクタからエ
ミツタに向つて導通し、ＰＤのＶＯＰを減少させる。こ
の場合のＶＯＰは数百ＭＶの大きさであるからトランジ
スタＴ１の導通により零バイアス領域にもたらされる。
第６図中Ｃの示す曲線はトランジスタＴ１を用いない場
合の出力曲線である。この曲線は、第３図に示した回路
の出力曲線であると考えてよい。当初出力は増大するが
その後所定のレベルＶ１に達するまで時間Ｔを要する。
曲線Ｄは第４図に示した回路の動作特性を示す図であつ
て、いち早く所定のレベルＶ１に達する。なお本発明に
よる回路では、第２図Ｂに示すようにＰＤのカソードか
らアノード側に電流を流すことができないが、そのよう
な過渡的な電流の発生原因を除いたものであるから、そ
のような必要はない。すなわち本発明による回路によれ
ば、開放電圧ＶＯＰをトランジスタＴ１により零バイア
スに近づけるであるから、ＶＯＰに原因する大きな帰還
電流によつて太陽電池を充電することはないので、先に
説明したその放電を促進する形式あるいはその電流をバ
イパスするようにしたものに比較して一段階前で遅延防
止を図ることができ、正常動作までの時間が著しく短縮
されることになる。
器は、第５図Ａに示さているように遅動するように構成
されている。電源投入（ＳＷ閉成）にしたがつて、トラ
ンジスタＴ１のベースに第５図Ｂに示すようなベース電
圧が供給されると、トランジスタＴ１はコレクタからエ
ミツタに向つて導通し、ＰＤのＶＯＰを減少させる。こ
の場合のＶＯＰは数百ＭＶの大きさであるからトランジ
スタＴ１の導通により零バイアス領域にもたらされる。
第６図中Ｃの示す曲線はトランジスタＴ１を用いない場
合の出力曲線である。この曲線は、第３図に示した回路
の出力曲線であると考えてよい。当初出力は増大するが
その後所定のレベルＶ１に達するまで時間Ｔを要する。
曲線Ｄは第４図に示した回路の動作特性を示す図であつ
て、いち早く所定のレベルＶ１に達する。なお本発明に
よる回路では、第２図Ｂに示すようにＰＤのカソードか
らアノード側に電流を流すことができないが、そのよう
な過渡的な電流の発生原因を除いたものであるから、そ
のような必要はない。すなわち本発明による回路によれ
ば、開放電圧ＶＯＰをトランジスタＴ１により零バイア
スに近づけるであるから、ＶＯＰに原因する大きな帰還
電流によつて太陽電池を充電することはないので、先に
説明したその放電を促進する形式あるいはその電流をバ
イパスするようにしたものに比較して一段階前で遅延防
止を図ることができ、正常動作までの時間が著しく短縮
されることになる。
また帰還電流により充電されたコンデンサを前述したよ
うなトランジスタで放電するときは、太陽電池自体も高
い放電抵抗をもつこととなるために、その放電の時間も
本発明による開放電圧ＶＯＰの処理よりは長くなるはず
である。なお第１図Ｂ〃に本発明によるＶＯＰ処理の段
階的位置を、問題発生の過程ＣＡ），（Ｂ）．（Ｃ），
（Ｄ）と、先に述べた先行する方法（Ｂ″−Ｃつの位置
と比較して説明してある。
うなトランジスタで放電するときは、太陽電池自体も高
い放電抵抗をもつこととなるために、その放電の時間も
本発明による開放電圧ＶＯＰの処理よりは長くなるはず
である。なお第１図Ｂ〃に本発明によるＶＯＰ処理の段
階的位置を、問題発生の過程ＣＡ），（Ｂ）．（Ｃ），
（Ｄ）と、先に述べた先行する方法（Ｂ″−Ｃつの位置
と比較して説明してある。
以上の説明から明らかなように本発明による測光回路に
よれば、より本質的な解決が得られ、従前の解決方法よ
りも一段階前になされるので応答が早くなり本発明の目
的は完全に達成される。
よれば、より本質的な解決が得られ、従前の解決方法よ
りも一段階前になされるので応答が早くなり本発明の目
的は完全に達成される。
第１図は、従来の測光回路の問題点とその原因、および
解決方法の原理を説明するための略図、第２図Ａは、本
発明による測光回路のトランジスタと太陽電池の関係を
示した回路図、第２図Ｂは従来の解決例を示す回路図、
第３図は本発明による測光回路を実施するのに適した測
光回路、第４図は本発明による測光回路、第５図および
第６図は動作特性を説明するためのグラフである。 Ｔｌ，Ｔ２，Ｔｒ６・・・・・・トランジスタ、ＰＤ，
（Ｄ）・・・・・・太陽電池、Ｃ，Ｃｌ，Ｃ２・・・・
・・コンデンサ、Ｒ，ｒ・・・・・・抵抗器。
解決方法の原理を説明するための略図、第２図Ａは、本
発明による測光回路のトランジスタと太陽電池の関係を
示した回路図、第２図Ｂは従来の解決例を示す回路図、
第３図は本発明による測光回路を実施するのに適した測
光回路、第４図は本発明による測光回路、第５図および
第６図は動作特性を説明するためのグラフである。 Ｔｌ，Ｔ２，Ｔｒ６・・・・・・トランジスタ、ＰＤ，
（Ｄ）・・・・・・太陽電池、Ｃ，Ｃｌ，Ｃ２・・・・
・・コンデンサ、Ｒ，ｒ・・・・・・抵抗器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 太陽電池と、前記太陽電池出力を増幅する帰還増幅
器と、導通時に前記太陽電池のアノードからカソード方
向に通電するように接続されている半導体スイッチ素子
と、前記各回路への電源接続に同期して信号を発生し前
記半導体スイッチ素子を一定短時間導通させる微分回路
よりなる半導体スイッチ素子の導通制御回路とから構成
した測光回路。 ２ 前記半導体スイッチ素子は、ＮＰＮトランジスタで
あつて、コレクタが前記太陽電池のアノード側に、エミ
ッタがカソード側に接続されている特許請求の範囲第１
項記載の測光回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51058872A JPS5933203B2 (ja) | 1976-05-21 | 1976-05-21 | 測光回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51058872A JPS5933203B2 (ja) | 1976-05-21 | 1976-05-21 | 測光回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52142513A JPS52142513A (en) | 1977-11-28 |
| JPS5933203B2 true JPS5933203B2 (ja) | 1984-08-14 |
Family
ID=13096827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51058872A Expired JPS5933203B2 (ja) | 1976-05-21 | 1976-05-21 | 測光回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933203B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8742314B2 (en) | 2009-07-01 | 2014-06-03 | Pioneer Corporation | Light amount detecting apparatus, and light amount information processing apparatus |
-
1976
- 1976-05-21 JP JP51058872A patent/JPS5933203B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52142513A (en) | 1977-11-28 |
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