JPS5933309A - 高配向ポリアセチレンの製造方法 - Google Patents
高配向ポリアセチレンの製造方法Info
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- JPS5933309A JPS5933309A JP14192482A JP14192482A JPS5933309A JP S5933309 A JPS5933309 A JP S5933309A JP 14192482 A JP14192482 A JP 14192482A JP 14192482 A JP14192482 A JP 14192482A JP S5933309 A JPS5933309 A JP S5933309A
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- JP
- Japan
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- polyacetylene
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- base
- pores
- highly oriented
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は配向性の高いポリアセチレンを基板に対して略
垂直に製造する方法に関するものである。
垂直に製造する方法に関するものである。
ポリアセチレンは半導性を有する高分子であるが、種々
のドナーまたはアクセプターを不純物としてドープする
ことにより、電気伝導度は絶縁体から金属の領域まで１
２桁も変化させることができ、金属的導電性を付与でき
るばかりでなく、太陽電池素子、電界効果トランジスタ
、バッテリーに種々の応用が期待できる。ポリアセチレ
ンは通常チーグラー触媒の溶液の界面を用いて重合させ
るため、そのフィルムは直径２００Ｘの長繊維が複雑に
からみ合った多孔質構造を持ち、そのマクロ的な電気伝
導度はみがけ上等方的である。しかし、ポリアセチレン
は長鎖状高分子であるために長繊維の方向に電気伝導度
が著しく高いいわゆる一次元伝導性を示すはずである。
のドナーまたはアクセプターを不純物としてドープする
ことにより、電気伝導度は絶縁体から金属の領域まで１
２桁も変化させることができ、金属的導電性を付与でき
るばかりでなく、太陽電池素子、電界効果トランジスタ
、バッテリーに種々の応用が期待できる。ポリアセチレ
ンは通常チーグラー触媒の溶液の界面を用いて重合させ
るため、そのフィルムは直径２００Ｘの長繊維が複雑に
からみ合った多孔質構造を持ち、そのマクロ的な電気伝
導度はみがけ上等方的である。しかし、ポリアセチレン
は長鎖状高分子であるために長繊維の方向に電気伝導度
が著しく高いいわゆる一次元伝導性を示すはずである。
従来、この電気伝導度の異方性を出すためにポリアセチ
レンフィルムの延伸、触媒溶液の剪断流下での重合、−
次元方向の溝中での重合が報告されているがいずれもフ
ィル広面上の水平配向でちり、太陽電池など基板に垂直
に配向させ、その異方性を利用した高効率太陽電池素子
ができない欠点があった。
レンフィルムの延伸、触媒溶液の剪断流下での重合、−
次元方向の溝中での重合が報告されているがいずれもフ
ィル広面上の水平配向でちり、太陽電池など基板に垂直
に配向させ、その異方性を利用した高効率太陽電池素子
ができない欠点があった。
本発明はこれらの欠点を解決するために、基板面に対し
て略垂直な方向に微細直線孔を有する重合基板を用い、
この微細孔中に配向性ポリアセチレンを製造することを
特徴とし、その目的は基板に略垂直な高い配向性のポリ
アセチレンを製造する方法を提供することにある。
て略垂直な方向に微細直線孔を有する重合基板を用い、
この微細孔中に配向性ポリアセチレンを製造することを
特徴とし、その目的は基板に略垂直な高い配向性のポリ
アセチレンを製造する方法を提供することにある。
基板面に対して略垂直な方向に微細直線孔を有するもの
として、市販品「二ニークリポア」がある。この−ニー
クリボア・メンプレンはポリカーゴネート薄膜で作られ
ており、その大きさは直径１３露、２５ｍｍ５４７ｍｍ
、９０霞、１４２＋ｎｍ、 ２９３ｍのものがあり、そ
の厚さは６μｍである。この二ニークリポアに微細直線
孔を製造する方法は既知である。ポリカーボネート薄膜
に対して略垂直方向から荷電粒子を照射し、内部に荷電
粒子が通過した直線飛跡が出来、この後、アルカリエツ
チングにより飛跡にそった直線孔を作製する。孔径は０
．０１５μｍ。
として、市販品「二ニークリポア」がある。この−ニー
クリボア・メンプレンはポリカーゴネート薄膜で作られ
ており、その大きさは直径１３露、２５ｍｍ５４７ｍｍ
、９０霞、１４２＋ｎｍ、 ２９３ｍのものがあり、そ
の厚さは６μｍである。この二ニークリポアに微細直線
孔を製造する方法は既知である。ポリカーボネート薄膜
に対して略垂直方向から荷電粒子を照射し、内部に荷電
粒子が通過した直線飛跡が出来、この後、アルカリエツ
チングにより飛跡にそった直線孔を作製する。孔径は０
．０１５μｍ。
０．０３ｔｔｍ＊０．０５ｔｔｍ、０．０８ｔｔｍｔ０
．１μｍ。
．１μｍ。
０．２μｍなどの微細孔が無数できる。第１図に使用し
たニ−−リポアの断面図を示す。１はポリカーゴネート
薄膜、２は微細孔、３は上部面、４は下部面である。ま
た、孔２０面密度は実用強度の点から、０．０８μｍ以
下の孔で６×１０ 個／ｃｍ 、 Ｑ、 １μｍ 、
０．２μｍの孔で３ Ｘ ］ ０８ｇ１／ｃｍ２であ
るが、荷電粒子照射時間によ多制御できる。本発明の実
施にあメとって、上記の加工技術に限られることなく、
基板に略垂直方向に微細な直線孔を作製できるイオンビ
ーム加工、レーザービーム加工の微細加工技術を用いて
作製した基板も本発明に含まれる。
たニ−−リポアの断面図を示す。１はポリカーゴネート
薄膜、２は微細孔、３は上部面、４は下部面である。ま
た、孔２０面密度は実用強度の点から、０．０８μｍ以
下の孔で６×１０ 個／ｃｍ 、 Ｑ、 １μｍ 、
０．２μｍの孔で３ Ｘ ］ ０８ｇ１／ｃｍ２であ
るが、荷電粒子照射時間によ多制御できる。本発明の実
施にあメとって、上記の加工技術に限られることなく、
基板に略垂直方向に微細な直線孔を作製できるイオンビ
ーム加工、レーザービーム加工の微細加工技術を用いて
作製した基板も本発明に含まれる。
上記、６種類（孔径０．０１５μｍ、 ０．０３μｍ。
０．０５μｍ、０．０８μｆｆｌ＋ Ｏ１１μｍＴ０．
２μｍ）のニュークリポアを用いた高配向ポリアセチレ
ンの製造に関する実施例を以下に示す。ポリアセチレン
フィルムの作製例については既に特公昭４８−３２５８
１号公報、特公昭５５−１２９４２５号公報及び特公昭
５５−１２９４２６号公報をはじめ数多くの報告があシ
、本発明においてもニー−クリポアを重合基板として用
いるだめの改良を除いてはほぼ同様な方法に依っている
。
２μｍ）のニュークリポアを用いた高配向ポリアセチレ
ンの製造に関する実施例を以下に示す。ポリアセチレン
フィルムの作製例については既に特公昭４８−３２５８
１号公報、特公昭５５−１２９４２５号公報及び特公昭
５５−１２９４２６号公報をはじめ数多くの報告があシ
、本発明においてもニー−クリポアを重合基板として用
いるだめの改良を除いてはほぼ同様な方法に依っている
。
実施例１
直径４７ ｗｎ 、孔径０．２μｍ、孔密度３×１０個
／Ｃｒｎ２、厚さ６μｍのポリカーがネート製ニー−ク
リポアを基板として用いた。アルゴン雰囲気のグローブ
ボックス中でＴｉ（ＱＣ４Ｈ２）４−Ａｔ（Ｃ２Ｈ５）
３系チーグラー触媒のｎ−ヘキサン溶液（Ａｔ／’Ｉ”
１＝４．触媒濃度５０ ｍｍｏｌＡ）を作製し、３０分
間放置した。ｎ−ヘキサンを溶媒として用いた理由はポ
リカーゴネートに対して化学的に安定なためである。こ
の他にペンタン、ヘノタンが使用することができるが、
トルエンはポリカーボネートを変形させるため好ましく
ない。重合方法は５０ｍ角の平滑な面を持つガラス基板
にマイクロシリンジにより０．０８ ｍの触媒溶液を塗
布し、この上に静かにニュークリポアをかぶせると微細
孔の中へ触媒が上部まで入る。この状態で静かにアセチ
レンガスを流量２０ｃｃ／ｍｉｎとして接触させると、
孔を通じてアセチレンが拡散し、上部からポリアセチレ
ンが重合され、約５分間の重合時間で孔の下部に達する
。すばやく、ガラス基板から取り除き、ｎ−へキサン（
水分含量１ ｐｐｍ ）で触媒を数回洗浄し、その後乾
燥させた。
／Ｃｒｎ２、厚さ６μｍのポリカーがネート製ニー−ク
リポアを基板として用いた。アルゴン雰囲気のグローブ
ボックス中でＴｉ（ＱＣ４Ｈ２）４−Ａｔ（Ｃ２Ｈ５）
３系チーグラー触媒のｎ−ヘキサン溶液（Ａｔ／’Ｉ”
１＝４．触媒濃度５０ ｍｍｏｌＡ）を作製し、３０分
間放置した。ｎ−ヘキサンを溶媒として用いた理由はポ
リカーゴネートに対して化学的に安定なためである。こ
の他にペンタン、ヘノタンが使用することができるが、
トルエンはポリカーボネートを変形させるため好ましく
ない。重合方法は５０ｍ角の平滑な面を持つガラス基板
にマイクロシリンジにより０．０８ ｍの触媒溶液を塗
布し、この上に静かにニュークリポアをかぶせると微細
孔の中へ触媒が上部まで入る。この状態で静かにアセチ
レンガスを流量２０ｃｃ／ｍｉｎとして接触させると、
孔を通じてアセチレンが拡散し、上部からポリアセチレ
ンが重合され、約５分間の重合時間で孔の下部に達する
。すばやく、ガラス基板から取り除き、ｎ−へキサン（
水分含量１ ｐｐｍ ）で触媒を数回洗浄し、その後乾
燥させた。
得られたポリアセチレンの上部面、下部面、断面を電子
顕微鏡で観察した。上部面、下部面はほぼ同様な様相を
示していた。第２図は上部面の様子を示したもので、５
はポリアセチレン長繊維である。このように孔２の内部
へ長繊維５が浸入していることがわかる。第３図は断面
図を示したものである。通常の方法で作製したポリアセ
チレンフィルムでは直径２００Ｘの長繊維が複雑にから
み合った構造を持ち、その長繊維の方向はランダムであ
る。微細孔中で重合した場合はこれが一方向にそろうこ
とがわがった。また長繊維の直径は２００Ｘ程度であっ
た。
顕微鏡で観察した。上部面、下部面はほぼ同様な様相を
示していた。第２図は上部面の様子を示したもので、５
はポリアセチレン長繊維である。このように孔２の内部
へ長繊維５が浸入していることがわかる。第３図は断面
図を示したものである。通常の方法で作製したポリアセ
チレンフィルムでは直径２００Ｘの長繊維が複雑にから
み合った構造を持ち、その長繊維の方向はランダムであ
る。微細孔中で重合した場合はこれが一方向にそろうこ
とがわがった。また長繊維の直径は２００Ｘ程度であっ
た。
ポリアセチレンの上部面、下部面に金を蒸着して、その
電気伝導度を評価したところ、５×１０ Ω α の値
が得られた。ただし、ポリアセチレンの断面積は孔輩度
と孔面積から求めた。また、ポリアセチレンにＡｓＦ５
ヲｌ’−ピングしくガス圧］Ｔｏｒｒ、２時間）、金
を蒸着してその電気伝導度を評価したところ、４×１０
３０−１ｏｎ−１であった。
電気伝導度を評価したところ、５×１０ Ω α の値
が得られた。ただし、ポリアセチレンの断面積は孔輩度
と孔面積から求めた。また、ポリアセチレンにＡｓＦ５
ヲｌ’−ピングしくガス圧］Ｔｏｒｒ、２時間）、金
を蒸着してその電気伝導度を評価したところ、４×１０
３０−１ｏｎ−１であった。
実施例２
直径４７調、孔径０． Ｉ Ｉ’ｍ ％孔密度３×１０
８イＶｃｒｎ２、厚さ６μｍのポリカーボネート製ニー
−クリボアを基板として、実施例１と同じ方法で高配向
ポリアセチレンを作製した。電子顕微鏡写真をポリアセ
チレンの上部面、下部面および断面を観察したところ、
上部面および下部面は実施例１と同じであるが、断面図
では５本の長繊維がわずかな乱れはあるが一方向にそろ
っていた。上部面、下部面に金を蒸着して電気伝導度を
評価したところ、８×１００ｍ の値が得られた。Ａ
ｓ Ｆ ５をドーグして電気伝導度を評価したところ、
６×１０Ω ｍ であった。
８イＶｃｒｎ２、厚さ６μｍのポリカーボネート製ニー
−クリボアを基板として、実施例１と同じ方法で高配向
ポリアセチレンを作製した。電子顕微鏡写真をポリアセ
チレンの上部面、下部面および断面を観察したところ、
上部面および下部面は実施例１と同じであるが、断面図
では５本の長繊維がわずかな乱れはあるが一方向にそろ
っていた。上部面、下部面に金を蒸着して電気伝導度を
評価したところ、８×１００ｍ の値が得られた。Ａ
ｓ Ｆ ５をドーグして電気伝導度を評価したところ、
６×１０Ω ｍ であった。
実施例３
直径４７咽、孔径０．０８μｍ１孔密度６×１０８個／
Ｃｍ ％厚さ６μｍのポリカー、Ｗネート製ニー−
クリポアを基板として、実施例１と同じ方法で高配向ポ
リアセチレンを作製した。電子顕微鏡写真で上部面、下
部面を観察したところ□、直径約２００Ｘの長繊維の端
部が孔から１０〜１２本はど出ているのがわかった。一
方、断面図では実施例２よりさらに一方向に長繊維が配
向していることがわかった。
Ｃｍ ％厚さ６μｍのポリカー、Ｗネート製ニー−
クリポアを基板として、実施例１と同じ方法で高配向ポ
リアセチレンを作製した。電子顕微鏡写真で上部面、下
部面を観察したところ□、直径約２００Ｘの長繊維の端
部が孔から１０〜１２本はど出ているのがわかった。一
方、断面図では実施例２よりさらに一方向に長繊維が配
向していることがわかった。
上部面、下部面に金を蒸着して、その電気伝導度を評価
した店ころ、ｌＸｌ０−’Ω−’ｃｒｎ−１であった。
した店ころ、ｌＸｌ０−’Ω−’ｃｒｎ−１であった。
次にＡ ｓ Ｆ ５をドーピングして電気伝導度を評価
したところ、８×１０３Ω−’ｆｆ１−’であった。
したところ、８×１０３Ω−’ｆｆ１−’であった。
実施例４
直径４７■、孔径０．０５μｍ、孔密度６ＸＩＯ８シ価
２、厚さ６μｍのポリカーぎネート製二ニークリポアを
基板として、実施例１と同じ方法で高配向ポリアセチレ
ンを作製した。電子顕微鏡てこのポリアセチレンの上部
面、下部面および断面を観察したところ、上部面および
下部面の孔から４〜５本のポリアセチレンの端部弁が観
察され、一方、断面は一方向に完全にそろった４〜５本
のぼりアセチレン長繊維が観察されたり上部面、下部面
に金を蒸着して、電気伝導度を評価したところ、３×Ｊ
ｏ ０口 の値が得られた。次にＡｓ Ｆ ５をドーピ
ングして、電気伝導度を評価したところ、１×】ｏΩα
の値が得られた。
２、厚さ６μｍのポリカーぎネート製二ニークリポアを
基板として、実施例１と同じ方法で高配向ポリアセチレ
ンを作製した。電子顕微鏡てこのポリアセチレンの上部
面、下部面および断面を観察したところ、上部面および
下部面の孔から４〜５本のポリアセチレンの端部弁が観
察され、一方、断面は一方向に完全にそろった４〜５本
のぼりアセチレン長繊維が観察されたり上部面、下部面
に金を蒸着して、電気伝導度を評価したところ、３×Ｊ
ｏ ０口 の値が得られた。次にＡｓ Ｆ ５をドーピ
ングして、電気伝導度を評価したところ、１×】ｏΩα
の値が得られた。
実施例５
直径４７喘、孔径０．０３μｍ、孔密度６×１０８個／
Ｃｍ ％厚さ６μｍのポリカーボネート製二ニークリ
ポアを基板として、実施例】と同じ方法で高配向ポリア
セチレンを作製した。電子顕微鏡でこのポリアセチレン
の上部面、下部面および断面を観察しだところ、直径約
２００Ｘのポリアセチレン長繊維の端部が上部面および
下部面で孔に１〜２本観測された。一方、断面では２本
の長繊維に完全に一方向に配向されているのが観測され
た。上部面、下部面に金を蒸着して、その電気伝導度を
評価したところ、３×１００α の値が得られた。次に
Ａ ｓ Ｆ ｓをドーピングして、電気伝導朋を評価し
たところ、１×１０Ω ｍ の値が得られた。
Ｃｍ ％厚さ６μｍのポリカーボネート製二ニークリ
ポアを基板として、実施例】と同じ方法で高配向ポリア
セチレンを作製した。電子顕微鏡でこのポリアセチレン
の上部面、下部面および断面を観察しだところ、直径約
２００Ｘのポリアセチレン長繊維の端部が上部面および
下部面で孔に１〜２本観測された。一方、断面では２本
の長繊維に完全に一方向に配向されているのが観測され
た。上部面、下部面に金を蒸着して、その電気伝導度を
評価したところ、３×１００α の値が得られた。次に
Ａ ｓ Ｆ ｓをドーピングして、電気伝導朋を評価し
たところ、１×１０Ω ｍ の値が得られた。
実施例６
直径４７叫、孔径０．０１５μｍ１孔密度６×１０イ駆
−１厚さ６μｍのポリカーｙＪ？ネート製ニーークリポ
アを基板として、実施例１と同じ方法で高配向ポリアセ
チレンを作製した。電子顕微鏡でこのポリアセチレンの
上部面、下部面および断面を観察したところ、直径約１
５０Ｘのポリアセチレン長繊維の端部が上部面および下
部面で孔に１本観測された。一方、断面では孔にびった
シと接して１本長繊維が観測された。この断面図を第４
図に示した。
−１厚さ６μｍのポリカーｙＪ？ネート製ニーークリポ
アを基板として、実施例１と同じ方法で高配向ポリアセ
チレンを作製した。電子顕微鏡でこのポリアセチレンの
上部面、下部面および断面を観察したところ、直径約１
５０Ｘのポリアセチレン長繊維の端部が上部面および下
部面で孔に１本観測された。一方、断面では孔にびった
シと接して１本長繊維が観測された。この断面図を第４
図に示した。
上部面、下部面に金を蒸着して、その電気伝導度を評価
したところ、ｌＸｌ０−’Ω−’Ｃｒｎ−’の値が得ら
れた。次にＡｓ Ｆ ｓをドーピングして、電気伝導度
を評価したところ、３Ｘ］Ｏ’Ωすｆｆ１−”の値が得
られた。
したところ、ｌＸｌ０−’Ω−’Ｃｒｎ−’の値が得ら
れた。次にＡｓ Ｆ ｓをドーピングして、電気伝導度
を評価したところ、３Ｘ］Ｏ’Ωすｆｆ１−”の値が得
られた。
実施例１から実施例５″？ｆ、でのポリアセチレンを含
めて、上部面および下部面のどちらか一方をＡｔとし、
もう一方をＡｕで蒸着したショットキー型整流素子を作
製した。いずれも良好な整流作用を示したが、特に当該
実施例の整流素子の特性が優れていた。この整流特性を
第５図に示した。−電極面積をＩＬ：ｎｌ とした。
めて、上部面および下部面のどちらか一方をＡｔとし、
もう一方をＡｕで蒸着したショットキー型整流素子を作
製した。いずれも良好な整流作用を示したが、特に当該
実施例の整流素子の特性が優れていた。この整流特性を
第５図に示した。−電極面積をＩＬ：ｎｌ とした。
孔面積（１，７６７Ｘ １０−１２ｃｍ２）と孔密度６
×１０８イｖＡ／ｃｍ２からポリアセチレンの有効断面
積が １．０６Ｘ］０ｔ１ｙ＋ と求められる。Ｉ−Ｖ％性か
ら整流素子の直列抵抗は５．６にΩ、整流比１０ 以上
の良好な波流作用が確認された。
×１０８イｖＡ／ｃｍ２からポリアセチレンの有効断面
積が １．０６Ｘ］０ｔ１ｙ＋ と求められる。Ｉ−Ｖ％性か
ら整流素子の直列抵抗は５．６にΩ、整流比１０ 以上
の良好な波流作用が確認された。
以上説明したように、基板面に略垂直な方向に微細な直
線孔を持つ基板を用いて、この孔内部に触媒をふくませ
ることによシ配向性が基板に対して略垂直であるポリア
セチレンを得ることができる。壕だ、上部面、下部面を
用いてショットキー接合を形成すると良好な整流素子が
得られ、太陽′畦池素子へ応用できる利点がある。
線孔を持つ基板を用いて、この孔内部に触媒をふくませ
ることによシ配向性が基板に対して略垂直であるポリア
セチレンを得ることができる。壕だ、上部面、下部面を
用いてショットキー接合を形成すると良好な整流素子が
得られ、太陽′畦池素子へ応用できる利点がある。
第１図は本発明に係る重合基板であるニー−クリポアの
一例を示す断面図、第２図はｑ４１図の二ニークリポア
の孔中にポリアセチレンを重合させ、その下部面の拡大
図、第３図はその断面図、第４図は本発明に係る孔径０
．０１５μｍの孔の内部に重合されたポリアセチレン長
繊維の一例を示す拡大図、第５図は本発明に係るポリア
セチレンの上部面にＡｔ、下部面にＡｕを蒸着したショ
ットキー型整流素子の電流−電圧特性の一例を示す図で
ある。 １・・・ポリカーボネート薄膜、２・・・孔、３・・・
上部面、４・・・下部面、５・・・ポリアセチレン長繊
維。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第４図 第５図 Ｖ（ｖｏｆｆｉｔｓ）
一例を示す断面図、第２図はｑ４１図の二ニークリポア
の孔中にポリアセチレンを重合させ、その下部面の拡大
図、第３図はその断面図、第４図は本発明に係る孔径０
．０１５μｍの孔の内部に重合されたポリアセチレン長
繊維の一例を示す拡大図、第５図は本発明に係るポリア
セチレンの上部面にＡｔ、下部面にＡｕを蒸着したショ
ットキー型整流素子の電流−電圧特性の一例を示す図で
ある。 １・・・ポリカーボネート薄膜、２・・・孔、３・・・
上部面、４・・・下部面、５・・・ポリアセチレン長繊
維。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第４図 第５図 Ｖ（ｖｏｆｆｉｔｓ）
Claims (1)
- （１）触媒溶液を含浸させた基板中にアセチレンガスを
拡散させ、当該基板の内部にポリアセチレンを製造する
方法において、基板面に対して略垂直な方向に微細な直
線孔を有する基板を用いる也とを特徴とする高配向ポリ
アセチレンの製造方法。 （２、特許請求の範囲第１項記載の高配向ポリアセチレ
ンの製造方法において、触媒溶液を基板下部のみ含浸さ
せ、微細孔中に触媒溶液を導入し、基板上部からアセチ
レンガスを拡散させ、基板上部からアセチレンを重合さ
せることを特徴とする高配向ポリアセチレンの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14192482A JPS5933309A (ja) | 1982-08-16 | 1982-08-16 | 高配向ポリアセチレンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14192482A JPS5933309A (ja) | 1982-08-16 | 1982-08-16 | 高配向ポリアセチレンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5933309A true JPS5933309A (ja) | 1984-02-23 |
Family
ID=15303317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14192482A Pending JPS5933309A (ja) | 1982-08-16 | 1982-08-16 | 高配向ポリアセチレンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933309A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59500098A (ja) * | 1982-01-29 | 1984-01-19 | マサチユセツツ・インスチチユ−ト・オブ・テクノロジイ | 電導性重合体混合物 |
| CN107488243A (zh) * | 2016-06-12 | 2017-12-19 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种手性聚炔纳米纤维的制备方法 |
-
1982
- 1982-08-16 JP JP14192482A patent/JPS5933309A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59500098A (ja) * | 1982-01-29 | 1984-01-19 | マサチユセツツ・インスチチユ−ト・オブ・テクノロジイ | 電導性重合体混合物 |
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