JPS593371Y2 - バイアス発振装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はバイアス発振トランスの薄型コアとスピーカ背
面との間に設けられた磁性部材を選択挿入する事により
、バイアス発振周波数を設定しようというバイアス発振
装置に関するものである。

従来、バイアス発振周波数を合わせ込む方法としては、
バイアス発振トランスにインダクタンスが調整可能なコ
アを使用する事により、ヘッドインピーダンスのバラツ
キ等により生ずるバイアス発振周波数のズレを吸収して
いた。

しかしながら、従来のバイアス発振周波数を調整できる
バイアス発振トランスのコアでは、どうしても大型にな
り、テープレコーダ本体を小型にできないという欠点を
有していた。

本考案の目的は上述の欠点を解決する事にあり、バイア
ス発振トランスとして無調整・薄型のコア（商品名ポッ
トコア）を使用し、バイアス発振周波数の調整は前記薄
型コアとスピーカ背面との間に設けられた磁性部材によ
って行なうものであり、テープレコーダ本体を小型にす
ることを目的としたものである。

以下、本考案によるバイアス発振装置の構造を実施例に
ついて図面を参照して説明すると、第１図はバイアス発
振回路図であり、Ｑはバイアス発振トランス、第２図は
本考案のバイアス発振装置の断面図であり、Ａはスピー
カ、Ｂは回路基板、Ｃはスピーカワク、Ｄはバイアス発
振トランスＱの薄型コア、１はスピーカＡの外側磁石、
２はスピーカＡの背面部、３はスピーカＡの背面に設け
られたバイアス発振周波数を調整する磁性部材、ｔは磁
性部材３の厚みである。

第３図は本考案のバイアス発振装置の平面図であり、第
４図は磁性部材３の厚みｔを横軸にとった時のバイアス
発振周波数ｆの変化を縦軸に表わした特性図であり、ｆ
ｌは磁性部材３の厚みがｔｌの時のバイアス発振周波数
、ｆ２は磁性部材３の厚みがｔ２の時のバイアス発振周
波数である。

なお、磁性部材３の厚みｔｌはｔ２より厚く、この時の
バイアス発振周波数ｆ１はｆ２より高くなる。

次に動作について説明する。

バイアス発振トランスＱの薄型コアＤは回路基板Ｂに設
けられ、薄型コアＤの上部にはスピーカワクＣに据え付
けられたスピーカＡが有る。

スピーカＡの背面部２にはスピーカＡの外側磁石１によ
って磁場が発生し、また、スピーカＡの背面部２に設け
られた磁性部材３にも同様に磁化される。

なお、磁性部材３の厚みｔによって、磁性材料で作られ
ている下部の薄型コアＤ内の発振トランスＱのインダク
タンスは変化し、それによって、第４図の如く、バイア
ス発振周波数は磁性部材３の厚みがｔｌの時にｆｌ、磁
性部材３の厚みがｔ２の時にはｆ２と、磁性部材３の厚
みｔによって変化できる。

以上、本考案による装置は薄型コアの上部にスピーカ背
面に設けられた磁性部材を適宜選択使用する事により、
バイアス発振周波数を調整できると同時に、薄型のコア
を使用できるという構成であるのでテープレコーダ本体
を小型にできるという効果を有している。

【図面の簡単な説明】

第１図はバイアス発振回路図、第２図は本考案のバイア
ス発振装置の断面図、第３図は本考案のバイアス発振装
置の平面図、第４図は本考案に用いられる磁性部材３の
厚みｔを横軸にとった時のバイアス発振周波数ｆの変化
を縦軸に表わした特性図である。 Ｑ・・・バイアス発振トランス、Ａ・・・スピーカ、Ｂ
・・・回路基板、Ｃ・・・スピーカワク、Ｄ・・・薄型
のコア、１・・・スピーカＡの外側磁石、２・・・スピ
ーカＡの背面部、３・・・磁性部材、ｔ・・・磁性部材
３の厚み、ｆ・・・バイアス発振周波数。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 回路基板に設けられたバイアス発振トランスのコアと、
   このコアの上部に空隙を介して設けられたスピーカと、
   このスピーカの外周部に設けられた外側磁石とからなる
   バイアス発振回路において、前記スピーカの前記コアに
   対向する側の背面部に所定の厚みを有する磁性部材を設
   け、この磁性部材の厚みを適宜選択することにより、前
   記バイアス発振トランスを含む発振回路の発振周波数を
   任意に変えることができる構成としたことを特徴とする
   バイアス発振装置。