JPS5934068B2 - 電子スイツチ - Google Patents
電子スイツチInfo
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- JPS5934068B2 JPS5934068B2 JP53037431A JP3743178A JPS5934068B2 JP S5934068 B2 JPS5934068 B2 JP S5934068B2 JP 53037431 A JP53037431 A JP 53037431A JP 3743178 A JP3743178 A JP 3743178A JP S5934068 B2 JPS5934068 B2 JP S5934068B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K17/722—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
- H03K17/723—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S323/00—Electricity: power supply or regulation systems
- Y10S323/909—Remote sensing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子スイッチ特に負荷へ供給する交流電力を制
御する電子スイッチに関する。
御する電子スイッチに関する。
一般にこのような電子スイッチは交流電圧の正負両サイ
クルで導通し得るトライアツク即ち双方向性の３端子素
子（スイッチ素子）より構成されていた。
クルで導通し得るトライアツク即ち双方向性の３端子素
子（スイッチ素子）より構成されていた。
更に斯るスイッチにはこのトライアツクをトリガ−する
ためのトリガ−回路が設けられている。例えば米国特許
第３６６５２１９号明細書に於ては、比較的低電圧源・
ゝ接続された回路から加えられる信号パルスにより比較
的高電圧源から負荷一＼供給する電力を制御する交流半
導体スイッチが記載されている。しかし斯るスイッチに
はトリガ−信号を形成する信号形成回路へ供給する別個
の直流電圧源を必要とするという欠点がある。この別個
の直流電圧源を設けることにより価格高、信頼性の低下
及びその重量の増大となり電力制御の価値を低下させて
しまう。従来技術に於ける上述の欠点に加えて、例えは
米国特許第３７２３７６９号明細書に記載された如くト
リガ−信号を光学的に絶縁する技術、並びに輻射雑音及
びサージ電流の低減のための零交差トリガ−の概念等を
利用する負荷電力制御回路が改良されてきた。
ためのトリガ−回路が設けられている。例えば米国特許
第３６６５２１９号明細書に於ては、比較的低電圧源・
ゝ接続された回路から加えられる信号パルスにより比較
的高電圧源から負荷一＼供給する電力を制御する交流半
導体スイッチが記載されている。しかし斯るスイッチに
はトリガ−信号を形成する信号形成回路へ供給する別個
の直流電圧源を必要とするという欠点がある。この別個
の直流電圧源を設けることにより価格高、信頼性の低下
及びその重量の増大となり電力制御の価値を低下させて
しまう。従来技術に於ける上述の欠点に加えて、例えは
米国特許第３７２３７６９号明細書に記載された如くト
リガ−信号を光学的に絶縁する技術、並びに輻射雑音及
びサージ電流の低減のための零交差トリガ−の概念等を
利用する負荷電力制御回路が改良されてきた。
しかし、この米国特許第３７２３７６９号明細書にも外
部直流電圧源が用いられている。
部直流電圧源が用いられている。
本発明の電子スイッチは間接的に電力を制御し得ると共
に外部直流電圧源を不要とする。
に外部直流電圧源を不要とする。
又この電子スイツチは交流電圧源及び制御素子としての
論理素子間を絶縁し、サージ電力を低減すると共に交流
電圧源からの電力を不要とする。本発明の目的は従来技
術の欠点を克服する電子スイツチを提供することである
。
論理素子間を絶縁し、サージ電力を低減すると共に交流
電圧源からの電力を不要とする。本発明の目的は従来技
術の欠点を克服する電子スイツチを提供することである
。
本発明の他の目的は交流電圧源及び制御素子としての論
理素子間を絶縁し、サージ電力を低減すると共Ｋ直流電
圧源からの電力を不要とする電子スイツチを提供するこ
とである。
理素子間を絶縁し、サージ電力を低減すると共Ｋ直流電
圧源からの電力を不要とする電子スイツチを提供するこ
とである。
本発明の更に他の目的は間接的に動作させ得る電子スイ
ツチを提供することである．本発明の上記及びその他多
数の目的、利点、並びにその固有の動作についてはその
好適な実施例である添付図及びそれに関連する以下の説
明によりもつともよく理解できよう。
ツチを提供することである．本発明の上記及びその他多
数の目的、利点、並びにその固有の動作についてはその
好適な実施例である添付図及びそれに関連する以下の説
明によりもつともよく理解できよう。
しかしこの実施例は何ら本発明を限定するものではなく
、当業者が本発明及びその概念さらには本発明を実際に
適用する方法について充分理解し得るように例示したも
のであるので、本発明は特定の場合に最適となるように
種々の変形及び変更が成し得よう。第１図を参照するに
、本発明による電子スイツチは変圧器１０を含む。この
変圧器１０は通常別個の電源を必要とする制御部へ動作
電力を供給し、且つ入力端子１２及び１４を経て加えら
れる交流電源からこの制御部を絶縁するために用いる。
この交流電源は抵抗器１８を経て変圧器１０の第１巻線
１６へ接続する。勿論抵抗器１８の値を選択して１１５
、６０ＨＺ又は２３０Ｖ１６０ＨＺの商用電源で使用す
ることができる。第１巻線１６及び抵抗器１８の直列回
路と並列に負荷２０及びトライアツク２２の直列回路を
接続する。本発明の電子スイツチはこの負荷２０へ加え
る電力を間接的に制御する。又この負荷２０は例えば交
流電源からの電力を必要とする種々の電子機器或は電気
設備であつてもよい。アノード電位が正又は負の時．夫
々正又は負のゲートパルスでトリカーされる一般の３端
子スイツチ（Ｊ・ミルマン及びＣハルキアス著１集積エ
レクトロニクスリアナログ及びデジタルの回路及びシス
テムゝマグロー．ビル社１９７２年版参照）であるトラ
イアツク２２のゲートは複数のダイオード対２６，２８
及び３０，３２を経て変圧器１０の第２巻線２４へ接続
する。
、当業者が本発明及びその概念さらには本発明を実際に
適用する方法について充分理解し得るように例示したも
のであるので、本発明は特定の場合に最適となるように
種々の変形及び変更が成し得よう。第１図を参照するに
、本発明による電子スイツチは変圧器１０を含む。この
変圧器１０は通常別個の電源を必要とする制御部へ動作
電力を供給し、且つ入力端子１２及び１４を経て加えら
れる交流電源からこの制御部を絶縁するために用いる。
この交流電源は抵抗器１８を経て変圧器１０の第１巻線
１６へ接続する。勿論抵抗器１８の値を選択して１１５
、６０ＨＺ又は２３０Ｖ１６０ＨＺの商用電源で使用す
ることができる。第１巻線１６及び抵抗器１８の直列回
路と並列に負荷２０及びトライアツク２２の直列回路を
接続する。本発明の電子スイツチはこの負荷２０へ加え
る電力を間接的に制御する。又この負荷２０は例えば交
流電源からの電力を必要とする種々の電子機器或は電気
設備であつてもよい。アノード電位が正又は負の時．夫
々正又は負のゲートパルスでトリカーされる一般の３端
子スイツチ（Ｊ・ミルマン及びＣハルキアス著１集積エ
レクトロニクスリアナログ及びデジタルの回路及びシス
テムゝマグロー．ビル社１９７２年版参照）であるトラ
イアツク２２のゲートは複数のダイオード対２６，２８
及び３０，３２を経て変圧器１０の第２巻線２４へ接続
する。
ダイオード２６，２８，３０及び３２はトライアツク２
２のゲート特性を充分に見越して、そのゲートレベルを
最適にするために用いられているので、使用したトライ
アツクの導通に必要なゲート電圧に応じてこれらのダイ
オード２６，２８，３０及び３２のすべてを除去するか
、又は更に他のダイオードを付加してもよいことを付記
する。動作説明を続ける前に、更に以下のことをも付記
しておく。
２のゲート特性を充分に見越して、そのゲートレベルを
最適にするために用いられているので、使用したトライ
アツクの導通に必要なゲート電圧に応じてこれらのダイ
オード２６，２８，３０及び３２のすべてを除去するか
、又は更に他のダイオードを付加してもよいことを付記
する。動作説明を続ける前に、更に以下のことをも付記
しておく。
変圧器１０の第２巻線２４の巻数は第１巻線１６の巻数
よりも少なくし、電流を増加させ、トライアツク２２の
ゲートを駆動するのが好ましい。加えて、変圧器１０の
その第１及び第２巻線１６及び２４間の絶縁はＥＣ及び
ＵＬ規格により要求される絶縁耐圧を有することが好ま
しい。第３巻線３４を設けて、変圧器１０を介して電力
を制御部へ伝達する。
よりも少なくし、電流を増加させ、トライアツク２２の
ゲートを駆動するのが好ましい。加えて、変圧器１０の
その第１及び第２巻線１６及び２４間の絶縁はＥＣ及び
ＵＬ規格により要求される絶縁耐圧を有することが好ま
しい。第３巻線３４を設けて、変圧器１０を介して電力
を制御部へ伝達する。
この電力は最初にダイオード３６，３８，４０及び４２
へ加えられる。これらのダイオード３６，３８，４０及
び４２はブリツジ状に接続し変圧器１０を経て伝達され
た電力を全波整流する。ダイオード３６，４０及び３８
，４２間には抵抗器４４及び５２、好ましくはＮＰＮ型
である第１トランジスタ５０のベー入エミツタ接合部、
及びダイオード５６の直列回路が接続されている。抵抗
器４４及び５２の接続点、並びにダイオード５６，３８
及び４２の接続点に夫々図示の如き極性で端子５４及び
５８を設ける。これらの端子はＴＴＬ，ＲＴＬ，ＤＴＬ
，ＭＯＳ，ＣＭＯＳｌリードリレー、スイツチ等のよう
な論理素子即ち制御素子を接続し得る入力端子として設
けているが、そのことについては後述する。更にこの回
路は好ましくはＰＮＰ型の第１トランジスタ４８を含み
、この第１トランジスタのエミツタ及びコレクタをダイ
オード３６及び４０の接続点並びに抵抗器５２及び第２
トランジスタ５０のベースの接続点に夫々接続する。又
この第１トランジスタ４８のベースを第２トランジスタ
５０のコレクタへ直接接続すると共に、ベース．エミツ
タ抵抗器４６を経てダイオード３６及び４０のカソート
−接続する。図示せずも、夫々のトランジスタのベース
．エミツタ間にコンデンサを設け雑音を抑圧するように
してもよい。このスイツチの動作を考える前に、出願人
は夫夫の素子の値が特定の値に限定することを望まない
が、夫々の素子の値を以下のように設定して、この実施
例についての実験を行ないこの実施例を裏付けするのに
有効な結果を得たことを付記する。
へ加えられる。これらのダイオード３６，３８，４０及
び４２はブリツジ状に接続し変圧器１０を経て伝達され
た電力を全波整流する。ダイオード３６，４０及び３８
，４２間には抵抗器４４及び５２、好ましくはＮＰＮ型
である第１トランジスタ５０のベー入エミツタ接合部、
及びダイオード５６の直列回路が接続されている。抵抗
器４４及び５２の接続点、並びにダイオード５６，３８
及び４２の接続点に夫々図示の如き極性で端子５４及び
５８を設ける。これらの端子はＴＴＬ，ＲＴＬ，ＤＴＬ
，ＭＯＳ，ＣＭＯＳｌリードリレー、スイツチ等のよう
な論理素子即ち制御素子を接続し得る入力端子として設
けているが、そのことについては後述する。更にこの回
路は好ましくはＰＮＰ型の第１トランジスタ４８を含み
、この第１トランジスタのエミツタ及びコレクタをダイ
オード３６及び４０の接続点並びに抵抗器５２及び第２
トランジスタ５０のベースの接続点に夫々接続する。又
この第１トランジスタ４８のベースを第２トランジスタ
５０のコレクタへ直接接続すると共に、ベース．エミツ
タ抵抗器４６を経てダイオード３６及び４０のカソート
−接続する。図示せずも、夫々のトランジスタのベース
．エミツタ間にコンデンサを設け雑音を抑圧するように
してもよい。このスイツチの動作を考える前に、出願人
は夫夫の素子の値が特定の値に限定することを望まない
が、夫々の素子の値を以下のように設定して、この実施
例についての実験を行ないこの実施例を裏付けするのに
有効な結果を得たことを付記する。
以下この回路の動作について説明する。端子５４及び５
８は図示のとうりであり、交流電圧源からの電圧を端子
１２及び１４に加えると、前述したダイオード３６，３
８，４０及び４２を含むブリツジ構成の全波整流回路に
脈流電圧出力が生じる。この電圧は、抵抗器４４及び５
２を介してトランジスタ５０のベースにバイアス電圧と
して加えられ、トランジスタ５０を導通させる。トラン
ジスタ５０が導通すると、抵抗器４６に電流が流れ、そ
の両端に生じる電位差によりトランジスタ４８も導通す
る。トランジスタ４８のコレクタ電流はトランジスタ５
０のベースに流れ込み、トランジスタ５０の導通電流を
増加させる。これにより、抵抗器４６の両端電圧は更に
大きくなり、トランジスタ４８のコレクタ電流は増加す
る。このように、トランジスタ５０は、一旦導通すると
、トランジスタ４８との相乗作用により急速に飽和状態
となる。トランジスタ４８及び５０が導通すると第３巻
線３４の両端電圧は、ほぼトランジスタ４８のベース．
エミツタ間電圧、ダイオード５６の両端電圧及びダイオ
ード３６，４２又は３８，４０の両端電圧の和にクラン
プされる。このクランプ回路は低インピーダンスである
ので電流が増大し、そのため、第３巻線３４は抵抗器１
８により電流制限された第１巻線１６の磁束を吸収する
。従つて、第１巻線１６から第２巻線２４に供給される
磁束が減少し、第２巻線２４の電圧はトライアツク２２
を導通させるには不充分となり負荷２０には電力が供給
されない。この状態に於て、本発明では以下のような特
徴がある。
８は図示のとうりであり、交流電圧源からの電圧を端子
１２及び１４に加えると、前述したダイオード３６，３
８，４０及び４２を含むブリツジ構成の全波整流回路に
脈流電圧出力が生じる。この電圧は、抵抗器４４及び５
２を介してトランジスタ５０のベースにバイアス電圧と
して加えられ、トランジスタ５０を導通させる。トラン
ジスタ５０が導通すると、抵抗器４６に電流が流れ、そ
の両端に生じる電位差によりトランジスタ４８も導通す
る。トランジスタ４８のコレクタ電流はトランジスタ５
０のベースに流れ込み、トランジスタ５０の導通電流を
増加させる。これにより、抵抗器４６の両端電圧は更に
大きくなり、トランジスタ４８のコレクタ電流は増加す
る。このように、トランジスタ５０は、一旦導通すると
、トランジスタ４８との相乗作用により急速に飽和状態
となる。トランジスタ４８及び５０が導通すると第３巻
線３４の両端電圧は、ほぼトランジスタ４８のベース．
エミツタ間電圧、ダイオード５６の両端電圧及びダイオ
ード３６，４２又は３８，４０の両端電圧の和にクラン
プされる。このクランプ回路は低インピーダンスである
ので電流が増大し、そのため、第３巻線３４は抵抗器１
８により電流制限された第１巻線１６の磁束を吸収する
。従つて、第１巻線１６から第２巻線２４に供給される
磁束が減少し、第２巻線２４の電圧はトライアツク２２
を導通させるには不充分となり負荷２０には電力が供給
されない。この状態に於て、本発明では以下のような特
徴がある。
上述したとおり、端子５４，５８間の電圧はＴＴＬ，Ｒ
ＴＬ，ＤＴＬ，ＭＯＳ，ＣＭＯＳｌリドリレ一、スイツ
チ及びオプトアイソレータとロジツク．コンパチブルで
あり、いずれを使用してもよく、ダイオード５６は制御
電圧をロジツク．コンパチブルにする為のレベルシフト
ダイオードである。
ＴＬ，ＤＴＬ，ＭＯＳ，ＣＭＯＳｌリドリレ一、スイツ
チ及びオプトアイソレータとロジツク．コンパチブルで
あり、いずれを使用してもよく、ダイオード５６は制御
電圧をロジツク．コンパチブルにする為のレベルシフト
ダイオードである。
このダイオード５６は使用するロジツクの種類により除
去できる。更に動作説明を続けると、何らかの制御素子
、例えば簡単な機械的なスイツチを端子５４及び５８間
に接続し端子５４及び５８間をこのスイツチを手動操作
することにより短絡したと仮定する。
去できる。更に動作説明を続けると、何らかの制御素子
、例えば簡単な機械的なスイツチを端子５４及び５８間
に接続し端子５４及び５８間をこのスイツチを手動操作
することにより短絡したと仮定する。
他の制御素子としては、コンピユータ又はそれと類似の
装置を用いて端子５４及び５８間を電気的に相互接続す
る。この場合には、通常非導通状態であるトランジスタ
のコレクタ．エミツタ間を端子５４，５８に適当に接続
し、そのベースにコンピユータ等からの制御信号を加え
て所望期間中このトランジスタを導通状態となし端子５
４及び５８を短絡する。端子５４及び５８を電気的に相
互接続すると、トランジスタ５０のベース．エミツタ、
ダイオード５６及び抵抗器５２は閉回路となり、トラン
ジスタ５０のベース．エミツタ間の充電電荷が放電した
後トランジスタ５０は非導通となる。
装置を用いて端子５４及び５８間を電気的に相互接続す
る。この場合には、通常非導通状態であるトランジスタ
のコレクタ．エミツタ間を端子５４，５８に適当に接続
し、そのベースにコンピユータ等からの制御信号を加え
て所望期間中このトランジスタを導通状態となし端子５
４及び５８を短絡する。端子５４及び５８を電気的に相
互接続すると、トランジスタ５０のベース．エミツタ、
ダイオード５６及び抵抗器５２は閉回路となり、トラン
ジスタ５０のベース．エミツタ間の充電電荷が放電した
後トランジスタ５０は非導通となる。
それと共にトランジスタ４８のベース電圧は増加し、ト
ランジスタ４８は非導通となる。従つて、上述のクラン
プ回路は遮断され、この後第３巻線３４からの電流は抵
抗器４４を通つて流れる。この電流路は高インピーダン
スであるので、第３巻線３４の第１巻線１６からの磁束
吸収量は減少する。第１巻線１６から第２巻線２４に供
給される磁束は増加し、第２巻線２４の電圧はトライア
ツク２２を導通させ負荷２０に電力が供給される。端子
５４及び５８が電気的に接続されている限り、ＳＣＲの
ようなスイツチは導通状態であり負荷２０には電力が供
給され続ける。加えて、ブリツジ整流回路の出力電圧を
給電開始又は給電検知等に応用することができる。従つ
て、本発明による電子スイツチでは、交流電源に負荷２
０及びスイツチ手段２２を直列接続し、これらから絶縁
された制御部によりスイツチ手段２２の導通及び非導通
を選択して負荷への電力供給を制御できる。
ランジスタ４８は非導通となる。従つて、上述のクラン
プ回路は遮断され、この後第３巻線３４からの電流は抵
抗器４４を通つて流れる。この電流路は高インピーダン
スであるので、第３巻線３４の第１巻線１６からの磁束
吸収量は減少する。第１巻線１６から第２巻線２４に供
給される磁束は増加し、第２巻線２４の電圧はトライア
ツク２２を導通させ負荷２０に電力が供給される。端子
５４及び５８が電気的に接続されている限り、ＳＣＲの
ようなスイツチは導通状態であり負荷２０には電力が供
給され続ける。加えて、ブリツジ整流回路の出力電圧を
給電開始又は給電検知等に応用することができる。従つ
て、本発明による電子スイツチでは、交流電源に負荷２
０及びスイツチ手段２２を直列接続し、これらから絶縁
された制御部によりスイツチ手段２２の導通及び非導通
を選択して負荷への電力供給を制御できる。
この制御部は、変圧器の第３巻線３４、この第３巻線の
端子に整流回路を介して接続した２個のトランジスタ４
８及び５０、並びに抵抗器４４，４６を含み、端子５４
及び５８から電圧を供給できる構成である。従つて、制
御部を付勢するための制御素子を端子５４及び５８間に
接続することにより制御素子用の電源が不要となるとい
う顕著な効果がある。以上は本発明の好適な実施例につ
いて図示し且つ詳述したが、本発明の要旨を逸脱するこ
となく種々の変更及び変形と成し得ることは当業者にと
つて明らかであろう。
端子に整流回路を介して接続した２個のトランジスタ４
８及び５０、並びに抵抗器４４，４６を含み、端子５４
及び５８から電圧を供給できる構成である。従つて、制
御部を付勢するための制御素子を端子５４及び５８間に
接続することにより制御素子用の電源が不要となるとい
う顕著な効果がある。以上は本発明の好適な実施例につ
いて図示し且つ詳述したが、本発明の要旨を逸脱するこ
となく種々の変更及び変形と成し得ることは当業者にと
つて明らかであろう。
また巻線１６及び２４はタップ付きの単一巻線を用いて
もよい。従つて前記した特許請求の範囲は本発明の真の
精神及び範囲内のそのようなすべての変更を含むもので
ある。
もよい。従つて前記した特許請求の範囲は本発明の真の
精神及び範囲内のそのようなすべての変更を含むもので
ある。
図は本発明の電子スイツチの一実施例を示す接続図であ
る。 １０は変圧器、１６は第１巻線、１８は第１抵抗器、２
０は負荷、２２はスイツチ手段、２４は第２巻線、３４
は第３巻線、３６，３８，４０及び４２は整流回路を構
成するダイオード、４４は第３抵抗器、４６は第２抵抗
器、４８及び５０は夫々第１及び第２トランジスタを示
す。
る。 １０は変圧器、１６は第１巻線、１８は第１抵抗器、２
０は負荷、２２はスイツチ手段、２４は第２巻線、３４
は第３巻線、３６，３８，４０及び４２は整流回路を構
成するダイオード、４４は第３抵抗器、４６は第２抵抗
器、４８及び５０は夫々第１及び第２トランジスタを示
す。
Claims (1)
- １ 負荷を介して交流電源に接続されたスイッチ手段及
び該スイッチ手段の導通、非導通を制御する制御手段を
有する電子スイッチにおいて、上記制御手段は、両端を
第１抵抗器を介して上記交流電源に接続した第１巻線、
上記スイッチ手段を制御する第２巻線及び両端を整流回
路の入力端に接続した第３巻線を有する変圧器と、上記
整流回路の出力端の一方にエミッタを接続すると共に第
２抵抗器を介してベースを接続した第１トランジスタと
、該第１トランジスタのベース及びコレクタに夫々コレ
クタ及びベースを接続し且つエミッタを上記整流回路の
出力端の他方に接続した上記第１トランジスタと異なる
導電型の第２トランジスタと、上記整流回路の上記一方
の出力端及び上記第１トランジスタのコレクタ間に接続
した第３抵抗器と、上記第１トランジスタのコレクタ及
び上記整流回路の上記他方の出力端を短絡又は開放する
制御素子とを具えた電子スイッチ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US000000786000 | 1977-04-11 | ||
| US05/786,000 US4121113A (en) | 1977-04-11 | 1977-04-11 | Electric switch |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53127663A JPS53127663A (en) | 1978-11-08 |
| JPS5934068B2 true JPS5934068B2 (ja) | 1984-08-20 |
Family
ID=25137300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53037431A Expired JPS5934068B2 (ja) | 1977-04-11 | 1978-03-30 | 電子スイツチ |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4121113A (ja) |
| JP (1) | JPS5934068B2 (ja) |
| CA (1) | CA1102872A (ja) |
| DE (1) | DE2814904C3 (ja) |
| FR (1) | FR2387554A1 (ja) |
| GB (1) | GB1591757A (ja) |
| NL (1) | NL7802594A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4370564A (en) * | 1980-06-04 | 1983-01-25 | Ricoh Company, Ltd. | AC Switching device |
| DE3225873A1 (de) * | 1982-07-10 | 1984-01-12 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Verfahren zur herstellung einer elektrochemischen speicherzelle |
| US4507569A (en) * | 1983-12-30 | 1985-03-26 | Conservolite, Inc. | Electrical control system and driver |
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Family Cites Families (6)
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|---|---|---|---|---|
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| DE1588296C3 (de) * | 1967-08-21 | 1975-04-30 | Eaton Corp., Cleveland, Ohio (V.St.A.) | Vorrichtung zur Synchronisierung des Einschalt-Augenblickes eines steuerbaren, elektronischen Schalters mit den Nulldurchgängen der Netzwechselspannung |
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-
1977
- 1977-04-11 US US05/786,000 patent/US4121113A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
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- 1978-02-09 CA CA296,542A patent/CA1102872A/en not_active Expired
- 1978-03-09 NL NL7802594A patent/NL7802594A/xx not_active Application Discontinuation
- 1978-03-30 JP JP53037431A patent/JPS5934068B2/ja not_active Expired
- 1978-03-31 FR FR7810344A patent/FR2387554A1/fr active Granted
- 1978-04-06 DE DE2814904A patent/DE2814904C3/de not_active Expired
Also Published As
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|---|---|
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