JPS5935471A - Ｐｎｐトランジスタの製造方法 - Google Patents
Ｐｎｐトランジスタの製造方法Info
- Publication number
- JPS5935471A JPS5935471A JP57146537A JP14653782A JPS5935471A JP S5935471 A JPS5935471 A JP S5935471A JP 57146537 A JP57146537 A JP 57146537A JP 14653782 A JP14653782 A JP 14653782A JP S5935471 A JPS5935471 A JP S5935471A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- region
- emitter region
- treated
- low temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 6
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910015845 BBr3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 8
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/34—Bipolar devices
- H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）技術分野
本発明はＩ’ＮＰ ）ランリスタの製造方法の改良に関
する、 （ロ）従来技術 従来のブレーナ型ＰＮＰ）ランリスタでは第１図Ａに示
す如く、Ｎ型ベース領域（１）表面に選択的にＰ型エミ
ッタ領域（２）をボロンの拡散により形成していた。ボ
ロンの不純物源としてはＢＢｒｓ 、ＢＮなどを用い、
約１１００℃以上の高温処Ｉｌｌ！ ｔ、ていた、この
結果、エミッタ領域（２）表面には５ｉｘＢｙＮ２ な
どで示される弗酸系エッチャントに不溶なステン膜（３
）が約１０００工が１以上と厚く形成されていた。この
ステン膜（３）はアルミニウムとシリコンの間に介在し
、シリコンとアルミニウムの合金を防害し、コンタクト
不良を発生させていた。
する、 （ロ）従来技術 従来のブレーナ型ＰＮＰ）ランリスタでは第１図Ａに示
す如く、Ｎ型ベース領域（１）表面に選択的にＰ型エミ
ッタ領域（２）をボロンの拡散により形成していた。ボ
ロンの不純物源としてはＢＢｒｓ 、ＢＮなどを用い、
約１１００℃以上の高温処Ｉｌｌ！ ｔ、ていた、この
結果、エミッタ領域（２）表面には５ｉｘＢｙＮ２ な
どで示される弗酸系エッチャントに不溶なステン膜（３
）が約１０００工が１以上と厚く形成されていた。この
ステン膜（３）はアルミニウムとシリコンの間に介在し
、シリコンとアルミニウムの合金を防害し、コンタクト
不良を発生させていた。
このステン膜を除去するためにボロン拡散後第１図Ｂの
如く、エミッタ領域（２）表面を酸化して熱酸化膜（４
）を形成し、ＳｉアＢｙＮ、を５ｉｎ２、Ｂ２０．など
弗酸に可溶な膜に変えていた、そして第１図Ｃの如く、
この熱酸化膜（４）を弗酸系エッチャントでエツチング
してコンタクト孔（５）を形成し、ステン膜（３）を除
去しアルミニウムによる・良好なコンタクト（６）を形
成していた。
如く、エミッタ領域（２）表面を酸化して熱酸化膜（４
）を形成し、ＳｉアＢｙＮ、を５ｉｎ２、Ｂ２０．など
弗酸に可溶な膜に変えていた、そして第１図Ｃの如く、
この熱酸化膜（４）を弗酸系エッチャントでエツチング
してコンタクト孔（５）を形成し、ステン膜（３）を除
去しアルミニウムによる・良好なコンタクト（６）を形
成していた。
しかし斯上の方法ではエミッタ領域（２）表面が酸化さ
れ、ボロンが熱酸化膜（４）中に取りこまれるので、第
３図に示す如くエミッタ領域（２）表面の不純物濃度が
低下してデプレッション層が生じる。この結果陽イオン
や界面準位の影響を受は易く電流増巾率が低下する欠点
があった。
れ、ボロンが熱酸化膜（４）中に取りこまれるので、第
３図に示す如くエミッタ領域（２）表面の不純物濃度が
低下してデプレッション層が生じる。この結果陽イオン
や界面準位の影響を受は易く電流増巾率が低下する欠点
があった。
（ハ）発明の開示
本発明は斯る欠点に鑑みてなされ、従来の欠点を完全に
除去したＰＮＰ）ランリスタの製造方法を提供するもの
である。本発明はＰ型’−ミッタ領域表面にデプレッシ
ョン層を発生することを防止することに特徴を有し、低
温によるボロン拡散とＣＶＤ法による酸化膜による被覆
から構成されている。
除去したＰＮＰ）ランリスタの製造方法を提供するもの
である。本発明はＰ型’−ミッタ領域表面にデプレッシ
ョン層を発生することを防止することに特徴を有し、低
温によるボロン拡散とＣＶＤ法による酸化膜による被覆
から構成されている。
に）実施例
本発明の第１の工程は、第２図Ａの如く、ベース領域０
１）表面にエミッタ領域αりを低温処理できるボロン不
純物源により拡散形成することにある。
１）表面にエミッタ領域αりを低温処理できるボロン不
純物源により拡散形成することにある。
具体的方法として、ボロンプラス（Ｂ２０．の板状体）
をＢＮに代って不純物源として拡散する場合、ボロンイ
オンをイオン注入する場合、ボロンドープしたＣＶＤ法
による酸化膜を付着する場合である。いずれも従来のＢ
ＢｒｓやＢＮを不純物源として用いた場合に比べて低温
で処理ができ、スλ テン膜も２〜３０ ｏ７ ときわめて薄い。
をＢＮに代って不純物源として拡散する場合、ボロンイ
オンをイオン注入する場合、ボロンドープしたＣＶＤ法
による酸化膜を付着する場合である。いずれも従来のＢ
ＢｒｓやＢＮを不純物源として用いた場合に比べて低温
で処理ができ、スλ テン膜も２〜３０ ｏ７ ときわめて薄い。
本発明の第２の工程は第２図Ｂの如（、エミッタ領域０
り表面をＣＶＤ法による酸化膜（１３）で被覆すること
にある。ＣＶＤ法による酸化膜０唱ま約ス ５０００〜６００ ｏ、？厚に形成され、熱酸化膜と異
なりエミッタ領域（Ｉｚの表面不純物濃度は低下しない
８ 本発明の第３の工程は第２図Ｃに示す如く、ＣＶＤ法に
よる酸化膜ａ（８）にコンタクト孔０４）を設け、アル
ミニウムの電極（１句を形成する。本工程ではステン膜
が従来に比べて薄いため、アルミニウムとシリコンの合
金を容易に行なえ良好なコンタクトを形成できる。
り表面をＣＶＤ法による酸化膜（１３）で被覆すること
にある。ＣＶＤ法による酸化膜０唱ま約ス ５０００〜６００ ｏ、？厚に形成され、熱酸化膜と異
なりエミッタ領域（Ｉｚの表面不純物濃度は低下しない
８ 本発明の第３の工程は第２図Ｃに示す如く、ＣＶＤ法に
よる酸化膜ａ（８）にコンタクト孔０４）を設け、アル
ミニウムの電極（１句を形成する。本工程ではステン膜
が従来に比べて薄いため、アルミニウムとシリコンの合
金を容易に行なえ良好なコンタクトを形成できる。
（ホ）効果
本発明に依ればステン膜の形成をきわめて薄く抑えるこ
とができ、熱酸化によるステン膜の除去工程を不要にで
きる。またエミッタ領域（１２１表面はＣＶＤ法による
酸化膜ａ□□□で被覆するのでエミッタ領域へ４表面は
酸化性雰囲気にさらされず、エミッタ領域αりのボロン
の不純物濃度が低下することもない。この結果第４図に
示す如く、エミッタ領域０２表面にはデプレッション層
が形成されず、ｈ。
とができ、熱酸化によるステン膜の除去工程を不要にで
きる。またエミッタ領域（１２１表面はＣＶＤ法による
酸化膜ａ□□□で被覆するのでエミッタ領域へ４表面は
酸化性雰囲気にさらされず、エミッタ領域αりのボロン
の不純物濃度が低下することもない。この結果第４図に
示す如く、エミッタ領域０２表面にはデプレッション層
が形成されず、ｈ。
の小電流時における低下を防止できる。
第１図Ａ−Ｂ−Ｃは従来例を説明する断面図、第２図Ａ
−Ｂ−Ｃは本発明を説明する断面図、第３図および第４
図は従来および本発明のＰＮＰ）ランリスタの不純物濃
度プロファイル図である、（＋１）はベース領域、０渇
はエミッタ領域、０３）はＣＶＤ法による酸化膜、（１
４）はコンタクト孔、０５）は電極である。 ゛、訂１′ 第１図
−Ｂ−Ｃは本発明を説明する断面図、第３図および第４
図は従来および本発明のＰＮＰ）ランリスタの不純物濃
度プロファイル図である、（＋１）はベース領域、０渇
はエミッタ領域、０３）はＣＶＤ法による酸化膜、（１
４）はコンタクト孔、０５）は電極である。 ゛、訂１′ 第１図
Claims (1)
- １、 エミッタ領域を低温処理できるボロン不純物源に
より拡散形成し、該エミッタ領域表面をＣＶＤ法による
酸化膜で被覆することを特徴とするＰＮＰ）ランリスタ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57146537A JPS5935471A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | Ｐｎｐトランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57146537A JPS5935471A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | Ｐｎｐトランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5935471A true JPS5935471A (ja) | 1984-02-27 |
Family
ID=15409887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57146537A Pending JPS5935471A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | Ｐｎｐトランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5935471A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4933555A (ja) * | 1972-07-26 | 1974-03-28 | ||
| JPS5127773A (en) * | 1974-09-02 | 1976-03-08 | Nippon Electric Co | Kakusanso no keiseiho |
-
1982
- 1982-08-23 JP JP57146537A patent/JPS5935471A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4933555A (ja) * | 1972-07-26 | 1974-03-28 | ||
| JPS5127773A (en) * | 1974-09-02 | 1976-03-08 | Nippon Electric Co | Kakusanso no keiseiho |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3477886A (en) | Controlled diffusions in semiconductive materials | |
| GB947520A (en) | Improvements in the manufacture of semiconductor devices and in transistors made thereby | |
| GB1060303A (en) | Semiconductor element and device and method of fabricating the same | |
| US4408387A (en) | Method for producing a bipolar transistor utilizing an oxidized semiconductor masking layer in conjunction with an anti-oxidation mask | |
| US4210689A (en) | Method of producing semiconductor devices | |
| JPS5935471A (ja) | Ｐｎｐトランジスタの製造方法 | |
| GB1177320A (en) | Improvements in or relating to the Production of Planar Semiconductor Components | |
| JPS6446937A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP3039646B1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5522879A (en) | Insulation gate type field effect semiconductor device | |
| JPS5886768A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5939901B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6482668A (en) | Manufacture of bipolar transistor | |
| JPS6222451A (ja) | 半導体基板のｐｎ接合アイソレ−シヨン方法 | |
| GB920306A (en) | Fabrication method for semiconductor devices | |
| JPS5830735B2 (ja) | ハンドウタイソウチノ セイゾウホウホウ | |
| JPH0579186B2 (ja) | ||
| GB940931A (en) | Improvements in the manufacture of germanium semi-conductor devices | |
| JPS60149125A (ja) | 半導体基板への不純物添加方法 | |
| JPS583395B2 (ja) | 感温半導体素子 | |
| JPH0343779B2 (ja) | ||
| JPS57180165A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| JPS61207050A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58165331A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6213033A (ja) | 半導体装置の製造方法 |