JPS5936409A - 弾性表面波フイルタの電極幅測定方法 - Google Patents
弾性表面波フイルタの電極幅測定方法Info
- Publication number
- JPS5936409A JPS5936409A JP14609382A JP14609382A JPS5936409A JP S5936409 A JPS5936409 A JP S5936409A JP 14609382 A JP14609382 A JP 14609382A JP 14609382 A JP14609382 A JP 14609382A JP S5936409 A JPS5936409 A JP S5936409A
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
を発明の対象〕
本発明は弾性表面波フィルタ（「表面弾性波フィルタ」
ともいう。）の素子評価方法に係シ、特にフィルタ応答
特性の中心周波数に影響する交差指電極幅の測定方法に
関する。
ともいう。）の素子評価方法に係シ、特にフィルタ応答
特性の中心周波数に影響する交差指電極幅の測定方法に
関する。
を従来技術〕
弾性表面波フィルタは圧電基板上に設けた薄膜電極によ
多構成される。低損失化を目的とした共振型フィルタの
基本的な構成例は、第１図に示すような交差指トランス
デユーサ１．２と導体スト２イグ列の反射器３，４から
なる二開ロ共振器である。フィルタの中心周波数は圧電
基板の音速と交差指電極の電極ピッチで定まシ、ＬｉＴ
ａｏ３３６°Ｙ−Ｘ板では中心周波数Ｉ ＧＨ２のとき
波長λは約４μｍとなシ、電極幅（／ｌ／４ ）は１ｉ
ｔｍである。
多構成される。低損失化を目的とした共振型フィルタの
基本的な構成例は、第１図に示すような交差指トランス
デユーサ１．２と導体スト２イグ列の反射器３，４から
なる二開ロ共振器である。フィルタの中心周波数は圧電
基板の音速と交差指電極の電極ピッチで定まシ、ＬｉＴ
ａｏ３３６°Ｙ−Ｘ板では中心周波数Ｉ ＧＨ２のとき
波長λは約４μｍとなシ、電極幅（／ｌ／４ ）は１ｉ
ｔｍである。
しかし、表面波の伝搬速度が自由表面と導体膜面とで異
なるために、素子作成の電極エツチング工程においてサ
イドエツチングにょシミ部幅が変動すると、波の伝搬速
度に影響しフィルタの中心周波数も変動する。電極幅比
（導体部幅と自由面部幅との比］と中心周波数の関係を
第２図に示す。
なるために、素子作成の電極エツチング工程においてサ
イドエツチングにょシミ部幅が変動すると、波の伝搬速
度に影響しフィルタの中心周波数も変動する。電極幅比
（導体部幅と自由面部幅との比］と中心周波数の関係を
第２図に示す。
第２図において、Ｗは電極部ｐおよび自由面部Ｆの幅、
ΔＷはサイドエツチング量である。
ΔＷはサイドエツチング量である。
前記サイドエツチング量は、電極の膜厚、ホトレジスト
工程およびエツチング条件等によって異なってくる。こ
のため、フィルタ素子の中心周波数が基板間あるいは基
板内でばらつくという問題が生じた。
工程およびエツチング条件等によって異なってくる。こ
のため、フィルタ素子の中心周波数が基板間あるいは基
板内でばらつくという問題が生じた。
従来は適当な検査方法がなく素子化が完了した後に、応
答特性から判定していたため、周波数変動によシ仕様を
外れた基板も最終工程まで流れることになり素子の歩留
りが著しく低下する欠点があった。
答特性から判定していたため、周波数変動によシ仕様を
外れた基板も最終工程まで流れることになり素子の歩留
りが著しく低下する欠点があった。
（発明の目的〕
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、従来の弾性表面波フィルタの検査におけ
る上述の如き欠点を除去し、エツチング工程の直後に電
極幅を測定することにより良品の判定を行うことを可能
とする弾性表面波フィルタの電極幅測定方法を提供する
ことにある。
するところは、従来の弾性表面波フィルタの検査におけ
る上述の如き欠点を除去し、エツチング工程の直後に電
極幅を測定することにより良品の判定を行うことを可能
とする弾性表面波フィルタの電極幅測定方法を提供する
ことにある。
本発明の上記目的は、圧電基板上に設けた薄膜導体の交
差指電極で励振する弾性表面波を用いるフィルタ素子に
おいて、フィルタを構成する電極パターン内に、前記交
差指電極と幅およびピッチが等しい複数本の導体ストラ
イブの並列抵抗と、該複数本ストライブの電極幅の総和
に等しい電極幅を有する１本の導体ストライプの抵抗と
が測定できる検査用電極パターンを付加し、電極エツチ
ング工程の後で前記検査用電極の抵抗値を測定し、この
結果から交差指電極の幅を求めることを特徴とする弾性
表面波フィルタの電極幅測定方法によって達成される。
差指電極で励振する弾性表面波を用いるフィルタ素子に
おいて、フィルタを構成する電極パターン内に、前記交
差指電極と幅およびピッチが等しい複数本の導体ストラ
イブの並列抵抗と、該複数本ストライブの電極幅の総和
に等しい電極幅を有する１本の導体ストライプの抵抗と
が測定できる検査用電極パターンを付加し、電極エツチ
ング工程の後で前記検査用電極の抵抗値を測定し、この
結果から交差指電極の幅を求めることを特徴とする弾性
表面波フィルタの電極幅測定方法によって達成される。
を発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第３図（ａ）、Φ）は、本発明の一実施例を示す電極幅
測定用パターンであ、？、（ａ）は交差指電極と’ＰＭ
１ピツチ（それぞれλ／４．λ／２）が等しい複数本
（１本）のｋｔ導体ストライプ列の並列抵抗測定用パタ
ーン５、（ｂ）は（ａ）のストライプ幅の総和に等しい
幅Ｗ（λ／４ｘｎ）を有する１本のＡｔ導体ストライブ
の抵抗測定用パターン６を示すものである。なお、スト
ライブの長さは、（ａ）、υ）同じである。上記測定用
パターン５，６と、Ａｔ電極膜の抵抗率、膜厚は等しい
と考えてよいので、サイドエツチング量ΔＷによっての
み抵抗値に差異を生ずる。このような測定パターンをフ
ィルタパターンの近傍におくことによシ、フィルタ素子
と同等のＡｔ膜の状態およびエツチング状態の下での測
定が可能となる。
測定用パターンであ、？、（ａ）は交差指電極と’ＰＭ
１ピツチ（それぞれλ／４．λ／２）が等しい複数本
（１本）のｋｔ導体ストライプ列の並列抵抗測定用パタ
ーン５、（ｂ）は（ａ）のストライプ幅の総和に等しい
幅Ｗ（λ／４ｘｎ）を有する１本のＡｔ導体ストライブ
の抵抗測定用パターン６を示すものである。なお、スト
ライブの長さは、（ａ）、υ）同じである。上記測定用
パターン５，６と、Ａｔ電極膜の抵抗率、膜厚は等しい
と考えてよいので、サイドエツチング量ΔＷによっての
み抵抗値に差異を生ずる。このような測定パターンをフ
ィルタパターンの近傍におくことによシ、フィルタ素子
と同等のＡｔ膜の状態およびエツチング状態の下での測
定が可能となる。
前記サイドエツチング量ΔＷによる電極幅の減少量は（
ａ）では２・Δｗ−ｎ、Φ）では２・ΔＷである。
ａ）では２・Δｗ−ｎ、Φ）では２・ΔＷである。
（ａ）の測定抵抗値がＲ１（Ω） 、 （ｂ）の測定値
がＲ２（Ω）のとき、上記条件よシΔＷは、 ΔＷ＝ （Ｒ１−Ｒ２）Ｗ／２ （口Ｒ１−Ｒ２）
・・・（１）となる。したがって、抵抗値の増加幅とサ
イドエツチング量の関係が得られる。
がＲ２（Ω）のとき、上記条件よシΔＷは、 ΔＷ＝ （Ｒ１−Ｒ２）Ｗ／２ （口Ｒ１−Ｒ２）
・・・（１）となる。したがって、抵抗値の増加幅とサ
イドエツチング量の関係が得られる。
エツチング後の線幅りは
Ｌ＝λ／４−ΔＷ ・・・（２）と
なる。また、電極幅とフィルタの中心周波数の関係は前
述の如く、第２図より得られるので、フィルタの仕様を
考慮して良品判定を行うことができる。
なる。また、電極幅とフィルタの中心周波数の関係は前
述の如く、第２図より得られるので、フィルタの仕様を
考慮して良品判定を行うことができる。
電極幅の基板内ばらつきの程度を知るためには上記の測
定パターンをホトマスク内に分布させればよい。実際的
な例としては、第４図のようにフィルタパターンのワイ
ヤーボンディング用ノくラドの一部に測定用パターン７
．８を挿入し、フィルタパターンと共に、ホトマスク内
にリピートする方法がある。特に高周波帯では電極ピッ
チが小さくなり交差指電極部の占める割合が小さくなる
ために、検査パターンを付加してもチップサイズには特
に影響しない利点がある。
定パターンをホトマスク内に分布させればよい。実際的
な例としては、第４図のようにフィルタパターンのワイ
ヤーボンディング用ノくラドの一部に測定用パターン７
．８を挿入し、フィルタパターンと共に、ホトマスク内
にリピートする方法がある。特に高周波帯では電極ピッ
チが小さくなり交差指電極部の占める割合が小さくなる
ために、検査パターンを付加してもチップサイズには特
に影響しない利点がある。
また、本実施例の測定方法は例示しだ以外の構造のフィ
ルタにも適用可能であることは言うまでもない。
ルタにも適用可能であることは言うまでもない。
以上のように、本実施例によれば、弾性表面波フィルタ
の素子評価をＡｔエツチング工程の直後に行うことによ
り、良品と判定した基板のみを後工程に流すことができ
るという効果がある。
の素子評価をＡｔエツチング工程の直後に行うことによ
り、良品と判定した基板のみを後工程に流すことができ
るという効果がある。
以上述べた如く、本発明によれば、圧電基板上に設けた
薄膜導体の交差指電極で励振する弾性表面波を用いるフ
ィルタ素子において、フィルタを構成する電極パターン
内に、前記交差指電極と幅およびピッチが等しい複数本
の導体ストライプの並列抵抗と、該複数本ストライブの
電極幅の総和に等しい電極幅を有する１本の導体ストラ
イプの抵抗とが測定できる検査用電極パターンを付加し
、電極エツチング工程の後で前記検査用電極の抵抗値を
測定し、この結果から交差指電極の幅を求めるようにし
たので、素子評価を製造工程の中間段階で行うことがで
きるため、良品のみを後工程に送るようにすることが可
能となり、大きな経済的効果を奏するものである。
薄膜導体の交差指電極で励振する弾性表面波を用いるフ
ィルタ素子において、フィルタを構成する電極パターン
内に、前記交差指電極と幅およびピッチが等しい複数本
の導体ストライプの並列抵抗と、該複数本ストライブの
電極幅の総和に等しい電極幅を有する１本の導体ストラ
イプの抵抗とが測定できる検査用電極パターンを付加し
、電極エツチング工程の後で前記検査用電極の抵抗値を
測定し、この結果から交差指電極の幅を求めるようにし
たので、素子評価を製造工程の中間段階で行うことがで
きるため、良品のみを後工程に送るようにすることが可
能となり、大きな経済的効果を奏するものである。
第１図は共振型フィルタの電極構造図、第２図はサイド
エツチング量と中心周波数変動量との関係を示す図、第
３図は本発明による電極幅測定用パターンを示す図、第
４図はフィルタパターンと測定パターンとを一体化した
実施例を示す図である。 器、５〜８・・・検査用抵抗測定用パターン。 第 １ 図 第 ２ 図 一σ・２ づ・／ ρ ρ／ ρ・２ ４３４
′％ア Ｙ ３ 口 第 ４− 図 ７ ご
エツチング量と中心周波数変動量との関係を示す図、第
３図は本発明による電極幅測定用パターンを示す図、第
４図はフィルタパターンと測定パターンとを一体化した
実施例を示す図である。 器、５〜８・・・検査用抵抗測定用パターン。 第 １ 図 第 ２ 図 一σ・２ づ・／ ρ ρ／ ρ・２ ４３４
′％ア Ｙ ３ 口 第 ４− 図 ７ ご
Claims (1)
- 圧電基板上に設けた薄膜導体の交差指電極で励振する弾
性表面波を用いるフィルタ素子において、フィルタを構
成する電極パターン内に、前記交差指電極と幅およびピ
ッチが等しい複数本の導体ストライプの並列抵抗と、該
複数本ストライプの電極幅の総和に等しい電極幅を有す
る１本の導体ストライプの抵抗とが測定できる検査用電
極パターンを付加し、電極エツチング工程の後で前記検
査用電極の抵抗値を測定し、この結果から交差指電極の
幅を求めることを特徴とする弾性表面波フィルタの電極
幅測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14609382A JPS5936409A (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | 弾性表面波フイルタの電極幅測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14609382A JPS5936409A (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | 弾性表面波フイルタの電極幅測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5936409A true JPS5936409A (ja) | 1984-02-28 |
Family
ID=15399971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14609382A Pending JPS5936409A (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | 弾性表面波フイルタの電極幅測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5936409A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61170111A (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-31 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 音波により作動する電気フイルタとその製法 |
-
1982
- 1982-08-25 JP JP14609382A patent/JPS5936409A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61170111A (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-31 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 音波により作動する電気フイルタとその製法 |
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