JPS5938693B2 - ガスホウデンパネルノ デンキヨクセイサクホウ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は誘電体層で被覆された電極をガス放電空間に対
面させてなる間接放電型ガス放電パネルの電極製作法、
具体的にはクロム−銅−クロムの三層構造に係る電極の
製作法に関する。

間接放電型のガス放電パネル（Ｐ、Ｄ、Ｐと称す）にお
いては、ガラス基板の面上に所定パターンの電極を形成
し、その上にガラス材の誘電体層（Ｉ。

Ｆと称す）を全面的に形成する。

この１．Ｆ層は、低融点ガラスペーストを全面に塗布し
て、これを焼成したものである。

この種電極には金とガラス材を含むペーストをスクリー
ン印刷法によりガス放電パネルのガラス基板面に塗布印
刷して所望のペーストパターンを形成し、このパターン
を焼成して電極パターンとする方法が従来ある。

しかしこの方法によれば、スクリーン印刷のため、ペー
ストパターンの細線化には限界があり、しかもペースト
の焼成でパターンかにじんで拡がる性向があるため、結
果としての電極パターンの精度の高い細線化は一層困難
である。

そこで、この問題を打開し、精度の高い細線電極を形成
するために次の方法が開発されている。

それはガラス基板面にクロム層、銅層及びクロム層を積
層して成る電極パターンを形成し、第３層のクロムを熱
処理して酸化クロムの被覆層とする方法である。

この方法によれば、第１層のクロム（Ｏｒ ）はガラス
基板と銅（Ｃｕ）とを密着させるように働き、第２層の
Ｃｕは電極の導電性母体となり、第３層のＯｒは酸化ク
ロム層を形成してＣｕの保護膜として働く。

この保護膜の必要性は、これがないと１． Ｆ層の焼成
に際し、導電母体のＣｕが酸化して導電機能が阻害され
ることと、電極パターンが酸化侵蝕で損なわれるためで
ある。

この方法では、０ｒＯｕ−Ｏｒの三層の電極パターンは
公知の蒸着法又はスパッタ法により全面に三層を積層し
、それを公知のホトエツチング法によって所定パターン
に成形することにより得られる。

従って、ホトエツチング法では精度の高い細線パターン
を形成し得るのでこの精度の点では前述の金ペーストの
スクリーン印刷による方法に較べ太いに改善される。

しかしながら、この方法には次のような問題がある。

前述のように保護膜により１．Ｆ層の焼成に際してＣｕ
の酸化は阻止されるが、この焼成に際し電極成分のＣｕ
が１．Ｆ層へ拡散する現象が生じる。

これは酸化クロムの保護膜では阻止し得ない。

この拡散現象により、電極が侵蝕される結果となり、電
極特性を劣化させ且つ１．Ｆ層の放電特性を悪くする危
険がある。

そこで、従来採られている対策は、第１層と第３層のＣ
ｒ層の層厚比を第２層のＣｕ層厚に対し１／１０以上に
なるように三層を構成し、これをフオーミングガス中で
熱処理を施こす方法である。

しかし、この方策を採るとしても、実用性を考慮すれば
Ｃｒ層厚は約２０００Å以下が限度である。

即ち、これ以上のＣｒ層厚になるとＣｒ層の内部応力が
有意に増大し、無数の亀裂を生じ、その結果この亀裂に
Ｃｕが拡散し、又電極がはく離したり欠損したりして電
極の特性が損われ、又この亀裂から気泡が１．Ｆ層に焼
成時に発生して１．Ｆ層の放電特性が損われる。

それ故に、０ｒ−Ｏｕ−Ｃｒ系の電極ではＣｕの層厚は
約１００００λ程度が上限となる。

しかし、この程度のＣｕ層厚では、電極抵抗を十分低く
抑えることのできない場合が生じる。

電極抵抗が高い場合、該電極に駆動電圧を印加したとき
電圧印加端部には印加電圧に近似した電圧が加わるけれ
ども、そこから離れた他端部に向うに従って漸減した電
圧がカロわることになる。

つまり、電極全長にわたり均一な電圧を加えることがで
きず、そのため放電にバラツキが生じ良好な表示品質を
呈することができない欠点がある。

そこで、本発明の目的は、上記問題を解決する細線化に
有効なＣｒ Ｏｕ Ｏｒの三層電極の製作法を実現
することにある。

要するに本発明によれば、ガラス基板上に層厚５００〜
１５００人のクロム（Ｏｒ）、層厚２００００〜５００
００λの銅（Ｃｕ）及び層厚５００〜１５００λのクロ
ム（Ｏｒ）の三層から成る電極パターンを蒸着法または
スパッタ法により形成し、このパターンの外部接続端子
領域となる一端部を除く電極領域に主として二酸化ケイ
素（８１０２）から成る被膜を被覆し、前記電極パター
ンの外部接続端子領域に金（Ａｕ）を印刷法により形成
し、この後基板を加熱して前記全端子層の焼成処理と二
酸化ケイ素被覆層の安定化処理を同時に施した後、前記
二酸化ケイ素被覆層上に上記誘電体層を被覆することを
特徴とするガス放電パネルの電極製作法が提供される。

本発明によれば、５ｉ０２の被膜はガラス（基板や１．
Ｆ層の）への密着性に優れ、又耐湿性、透明性及び絶縁
性に優れているので、既述のＣｒ−Ｃｕ−０ｒ電極の問
題点となる酸化侵蝕並びに１゜Ｆ層への拡散を有効に阻
止する。

しかも本発明によれば、フォーミングガス雰囲気での既
述のような熱処理工程は省略されるので、その点でも製
作上有利である。

次に本発明をその実施例により詳細に説明する。

（１）先ずＰ、Ｄ、Ｐのガラス基板を次のように洗浄す
る。

クロム混酸液に２〜３時間浸漬し、流水中で洗浄し、そ
の後でアルコール処理と乾燥処理を施こす。

（２）次に洗浄ガラス基板面にＯｒ −０ｕ−Ｏｒの三
層電極の細線パターンを形成する。

これは先ず蒸着法或いはスパッタ法により、基板面の全
域に順次積層する。

第１層と第３層のＯｒの層厚は各々５００〜１５００人
に又第２層のＯｕの層厚は２００００〜５００００人と
既述の限界を大きく越えた値にすることができる。

それから通常のホトレジスト法により、三層の上に細線
群のホトレジストパターンを形成し、それから化学エツ
チング処理により細線群の電極パターンを形成する。

このエツチング液には、例えばＣｒ層には約３０％−Ｈ
０Ｉ水溶液を用い、Ｃｕ層には約２０％−Ｆ ｅ ０１
ｇ水溶液を用いるとよい。

ところで、第１図及び第２図は本発明方法によって形成
された電極を有するガス放電パネルの基板構造を示す平
面説明図と断面説明図であり、図において、１０がガラ
ス基板であり、２０が第１クロム層２１、第２銅層２２
、及び第３クロム層２３から成る三層電極パターンであ
る。

（３）次にＳｉＯ２の被覆膜を形成する。

ＳｉＯ２を蒸着法、ヌパツタ法或いは化学蒸着法（Ｃ，
Ｖ、Ｄ法）により、第１図の点線領域Ａに２０００〜５
０００人の膜厚で被覆する。

第２図において、３０は当該ＳｉＯ２被覆膜を示す。

このＳｉＯ２は単に電極パターンの表面に限らず、その
空隙の基板面部にも被覆する。

しかし後に述べる外部端子に接続する電極パターンの１
端部はＳｉＯ２を被覆せずに露出させておく。

（４）次に金の外部端子のパターンを形成する。

金とガラスを成分にしたペーストで、第１図の２４で示
すように、電極パターンの露出した部分を覆うように形
成される。

これはスクリーン印刷法により行なう。

（５）次に余端子の焼成処理と５ｉ０２被覆の安定化処
理を大気中で基板面を加熱することにより同時に行なう
。

Ｃｒ−０ｕ−Ｃｒの三層電極に金の端子部を設けるのは
電極端から酸化侵蝕されるのを防止し且つ外部接続端子
部の高信頼化を企図するためである。

以上によりガラス基板に電極が形成されたが、この電極
面上には第２図に示すような１．Ｆ層４０を低融点ガラ
スのペースト塗布（スクリーン印刷による）及びその焼
成により第１図の領域Ｂに積層する。

この場合、全端子部２４は１部分■。Ｆ層により覆われ
る。

上記方法によって製作された基板積層構造によれば、Ｓ
ｉＯ□膜が有効に働き、Ｃｕ層がＯｒ層＆＆較して可成
りな層厚であるにも拘わらず、１．Ｆ層の放電特性、電
極特性を何ら阻害されなかった。

【図面の簡単な説明】

第１図と第２図は本発明に係る電極をそなえた基板構造
を示す平面説明図と断面説明図である。 図において、１０はガラス基板、２０は三層電極パター
ン、２１は第１のＣｒ層、２２は第２のＣｕ層、２３は
第３のＣｒ層、２４は金の外部端子、３０はＳｉＯ□被
覆膜、４０は１．Ｆ層を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 誘電体層で被覆された電極をガス放電空間に対面さ
   せてなるガス放電パネルにおいて、ガラス基板上に層厚
   ５００〜１５００人のクロム（Ｏｒ）、層厚２００００
   〜５００００人の銅（Ｏｕ）及び層厚５００〜１５００
   人のクロム（Ｏｒ ）の三層から成る電極パターンを蒸
   着法またはスパッタ法により形成し、このパターンの外
   部接続端子領域となる一端部を除く電極領域に主として
   二酸化ケイ素（８１０２）から成る被膜を被覆し、前記
   電極パターンの外部接続端子領域に金（Ａｕ）を印刷法
   により形成し、この後基板を加熱して前記全端子層の焼
   成処理と二酸化ケイ素被覆層の安定化処理を同時に施し
   た後、前記二酸化ケイ素被覆層上に上記誘電体層を被覆
   するようにしたことを特徴とするガス放電パネルの電極
   製作法。