JPS5939106A - 高周波発振回路 - Google Patents
高周波発振回路Info
- Publication number
- JPS5939106A JPS5939106A JP57150257A JP15025782A JPS5939106A JP S5939106 A JPS5939106 A JP S5939106A JP 57150257 A JP57150257 A JP 57150257A JP 15025782 A JP15025782 A JP 15025782A JP S5939106 A JPS5939106 A JP S5939106A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillation
- transistor
- resistor
- base
- circuit
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、例えばＩＣ化に好適するようにした高周波
発振回路に関する。
発振回路に関する。
従来、フラッグ発振回路扛例えば第１図に示されるよう
に構成されるものである。
に構成されるものである。
すなわち、ＮＰＮ形のトランジスタＴｒｌは、コイルＬ
Ｏおよびコ“ンデンサＣＯでなる並列共振回路１１がコ
ンデンサＣｘｋグトして接続されるもので、エミッタ抵
抗Ｒ１に発生する電圧がコンデンサＣ＊＋ＣＳにより適
宜ベースに正帰還がなされるようになっている。また、
抵抗Ｒ８はトランジスタＴｒ１のベースバイアス金電源
＋Ｖｃｃよシ与えるようになっておシ、トランジスタＴ
ｒｌのコレクタは電源＋Ｖｃｃ Ｉｌｌ、圧が供給され
るようになっている。
Ｏおよびコ“ンデンサＣＯでなる並列共振回路１１がコ
ンデンサＣｘｋグトして接続されるもので、エミッタ抵
抗Ｒ１に発生する電圧がコンデンサＣ＊＋ＣＳにより適
宜ベースに正帰還がなされるようになっている。また、
抵抗Ｒ８はトランジスタＴｒ１のベースバイアス金電源
＋Ｖｃｃよシ与えるようになっておシ、トランジスタＴ
ｒｌのコレクタは電源＋Ｖｃｃ Ｉｌｌ、圧が供給され
るようになっている。
この高周波発振回路の特徴は、コンデンサＣＩ、Ｃｓの
容ｓ′ヲ大きく定めると共に、コンデンサＣＩの容ｔｔ
−小さく定めトランジスタＴｒ１と並列共振回路１１と
の給合會疎にすることによυ、トランジスタＴｒｌの動
作状態が変化して、該トランジスタＴｒｌのベースおよ
びエミッタのインピーダンスが変化しても、発振周波数
の変動を可及的に少くすることができるものである。
容ｓ′ヲ大きく定めると共に、コンデンサＣＩの容ｔｔ
−小さく定めトランジスタＴｒ１と並列共振回路１１と
の給合會疎にすることによυ、トランジスタＴｒｌの動
作状態が変化して、該トランジスタＴｒｌのベースおよ
びエミッタのインピーダンスが変化しても、発振周波数
の変動を可及的に少くすることができるものである。
しかしながら、第１図の高周波４＠振回路は、並列共振
回路１１とトランジスタＴｒ１ との結合が疎であるた
め、並列共振回路１１の両端の電圧を小さく設定すると
発振が停止し易くなる問題がある。これに対して、並列
共振回路１ノの両端の′電圧を大きく設定し安定な発振
を得ようとすると、第１図の回路は不要な輻射が大きく
なシ、例えばラジオ受信機などに適用する場合に問題が
あった。
回路１１とトランジスタＴｒ１ との結合が疎であるた
め、並列共振回路１１の両端の電圧を小さく設定すると
発振が停止し易くなる問題がある。これに対して、並列
共振回路１ノの両端の′電圧を大きく設定し安定な発振
を得ようとすると、第１図の回路は不要な輻射が大きく
なシ、例えばラジオ受信機などに適用する場合に問題が
あった。
そして、この高周波発振回路ｆｌｃ（年積回路）化し、
コンデンサＣ，，Ｃ，をＩＣ内に実装する場合、各コン
デンサＣｍｒ Ｃ８の容量および種々の特性が制限され
るものであり、この高周波発振回路をラジオ受信機に適
用した場合、商い周波数では、コンデンサＣ１＊ ＣＭ
のＱが不足し、低い周波数では各コンデンサ’１＋ Ｃ
２の容量が不足して発振が停止し易くなるといった問題
があった。
コンデンサＣ，，Ｃ，をＩＣ内に実装する場合、各コン
デンサＣｍｒ Ｃ８の容量および種々の特性が制限され
るものであり、この高周波発振回路をラジオ受信機に適
用した場合、商い周波数では、コンデンサＣ１＊ ＣＭ
のＱが不足し、低い周波数では各コンデンサ’１＋ Ｃ
２の容量が不足して発振が停止し易くなるといった問題
があった。
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、例えばＩ
Ｃ化に好適し、容易な構成で不要な輻射が少く安定に発
振し得るようにした良好な高周波発振回路を提供するこ
とケ目的とする。
Ｃ化に好適し、容易な構成で不要な輻射が少く安定に発
振し得るようにした良好な高周波発振回路を提供するこ
とケ目的とする。
この発明は、共振回路および発振用トランジスタを有し
てなる高周波発振回路においで、前記トランジスタのコ
レクタと電像間に介挿接続される抵抗とを具備し、不要
な輻射を少くし且つ安定に発振し得ること’ｔ−％徴と
するものである。
てなる高周波発振回路においで、前記トランジスタのコ
レクタと電像間に介挿接続される抵抗とを具備し、不要
な輻射を少くし且つ安定に発振し得ること’ｔ−％徴と
するものである。
以下図面を参照してこの発明の一実施例につき詳細に説
明する。
明する。
８ｔ！２図はこの発明による高周波発振回路を示すもの
で、前記トランジスタＴｒｌは、コレクタがＲｓ ｋ介
して電源＋Ｖｃｃに接続されるようになっている。但し
、第２図中、第３図と同一部分には同一符号？付してそ
の説明を省略するものとする。
で、前記トランジスタＴｒｌは、コレクタがＲｓ ｋ介
して電源＋Ｖｃｃに接続されるようになっている。但し
、第２図中、第３図と同一部分には同一符号？付してそ
の説明を省略するものとする。
すなわち、以上のように構成される高周波増幅回路は、
抵抗Ｒ３に発生する′電圧がトランジスタＴｒｌのペー
ス−コレクタ問答１（Ｃｂｃｉ弁して、トランジスタ１
゛ｒ１のベースに帰還されるものである。これによシ、
トランジスタＴｒＩのべ−７−エミッタ間の容量が等節
約に増加したようになｐ％第２図の回路は、第１図の回
路と比較して発振が停止しにくくなるものである。
抵抗Ｒ３に発生する′電圧がトランジスタＴｒｌのペー
ス−コレクタ問答１（Ｃｂｃｉ弁して、トランジスタ１
゛ｒ１のベースに帰還されるものである。これによシ、
トランジスタＴｒＩのべ−７−エミッタ間の容量が等節
約に増加したようになｐ％第２図の回路は、第１図の回
路と比較して発振が停止しにくくなるものである。
したがって、上ｉＣシたようにコンデンサＣ２。
Ｃ５ｔＩＣに実装した場合であっても、充分に安定した
発振を得ることができる。
発振を得ることができる。
また、第２図の回路は、発振を開始した状糾で何らかの
原因によυトランジスタ１゛「重 のベース電位が瞬間
的に上昇した場合、トランジスタＴ ｒ Ｈのコレクタ
電流が増加するが、これと共に抵抗Ｒ３の電圧降下が増
大するのでトランジスタＴｒｌの増幅率が低下する。こ
の結果、発揚の振幅は、Ｉ」＼さく抑えられ、上につて
並列共振回路１１両端の電圧が低状態に保つことができ
、不要な輻射を少くすることができ、ラジオ受信ｇ＆郷
に適用してもきわめて良好である。
原因によυトランジスタ１゛「重 のベース電位が瞬間
的に上昇した場合、トランジスタＴ ｒ Ｈのコレクタ
電流が増加するが、これと共に抵抗Ｒ３の電圧降下が増
大するのでトランジスタＴｒｌの増幅率が低下する。こ
の結果、発揚の振幅は、Ｉ」＼さく抑えられ、上につて
並列共振回路１１両端の電圧が低状態に保つことができ
、不要な輻射を少くすることができ、ラジオ受信ｇ＆郷
に適用してもきわめて良好である。
第８図１、第２図の回路においてエミッタ抵抗Ｒ１のか
わシにトランジスタ’Ｉ’ｒ＊を用いた回路である。こ
のトランジスタ１゛Ｉ８は、定電流＃ｔ１０およびダイ
オードＤ１によシベースバイアスが供給されるようにな
っている。但し、第３図中、第２図と同一部分には同一
符号を付してその説明全省略するものとする。
わシにトランジスタ’Ｉ’ｒ＊を用いた回路である。こ
のトランジスタ１゛Ｉ８は、定電流＃ｔ１０およびダイ
オードＤ１によシベースバイアスが供給されるようにな
っている。但し、第３図中、第２図と同一部分には同一
符号を付してその説明全省略するものとする。
すなわち、第３図の回路は、トランジスタＩｌｌ 、１
が抵抗Ｒ３の電圧降下を略一定とするもので、電源＋Ｖ
ｃｃ′ｉｔ圧が変動しても発揚出力の振幅が変動する欠
点を除去するようになっているものであり、また第２図
と同様の効果を有することは熱論である。
が抵抗Ｒ３の電圧降下を略一定とするもので、電源＋Ｖ
ｃｃ′ｉｔ圧が変動しても発揚出力の振幅が変動する欠
点を除去するようになっているものであり、また第２図
と同様の効果を有することは熱論である。
またこの発明は上記実施例のクラップ発振回路のみに適
用されるものではなくハートレー発振回路、コルピッツ
発根回路などにも適用することが可能である。
用されるものではなくハートレー発振回路、コルピッツ
発根回路などにも適用することが可能である。
その他、種々の変形や適用はこの発明の要旨を逸脱しな
い純白で可能であることは官う迄もない。
い純白で可能であることは官う迄もない。
以上詳述したようにこの発明によれは、例えはＩＣ化に
好適し、容易な構成で不要な輻射が少く且つ安定に発振
し得るようにした良好な高周波発根回路を提供すること
ができるものである。
好適し、容易な構成で不要な輻射が少く且つ安定に発振
し得るようにした良好な高周波発根回路を提供すること
ができるものである。
第１図は従来の高周汲発振回路を示す回路内、第２図は
この発明に係る尚ζ波発振回路の一実施例を示す回路図
、第３図は他の実姉例を示す回路図である。 Ｔ ’Ｉ＋ Ｔ ｒ＄ ＋４ランジスタ、Ｃｏ 、ＣＩ
。 ”２ｅＣ８・・・コンデンサ％ＬＯ・・・コイル、１１
・・・並列共振回路、［）１・・・ダイオード、Ｉｏ・
・・電流源、Ｃｂｃ・・・ベース−コレクタ間容量。
この発明に係る尚ζ波発振回路の一実施例を示す回路図
、第３図は他の実姉例を示す回路図である。 Ｔ ’Ｉ＋ Ｔ ｒ＄ ＋４ランジスタ、Ｃｏ 、ＣＩ
。 ”２ｅＣ８・・・コンデンサ％ＬＯ・・・コイル、１１
・・・並列共振回路、［）１・・・ダイオード、Ｉｏ・
・・電流源、Ｃｂｃ・・・ベース−コレクタ間容量。
Claims (1)
- 共振回路および発振用のトランジスタを有してなる高周
波発振回路において、前記トランジスタのコレクタと電
源間に介挿接続される抵抗を具備し、不要な輻射金少く
し且つ安定に発振し得ることｔ−特徴とする高周波発振
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57150257A JPS5939106A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 高周波発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57150257A JPS5939106A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 高周波発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5939106A true JPS5939106A (ja) | 1984-03-03 |
Family
ID=15492982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57150257A Pending JPS5939106A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 高周波発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5939106A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5619907B2 (ja) * | 1976-09-14 | 1981-05-11 |
-
1982
- 1982-08-30 JP JP57150257A patent/JPS5939106A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5619907B2 (ja) * | 1976-09-14 | 1981-05-11 |
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