JPS593931A - 薄膜の形成方法 - Google Patents

薄膜の形成方法

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Publication number
JPS593931A
JPS593931A JP57113704A JP11370482A JPS593931A JP S593931 A JPS593931 A JP S593931A JP 57113704 A JP57113704 A JP 57113704A JP 11370482 A JP11370482 A JP 11370482A JP S593931 A JPS593931 A JP S593931A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
substrate
wafer
thin film
film
Prior art date
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Pending
Application number
JP57113704A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshimi Shiotani
喜美 塩谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS593931A publication Critical patent/JPS593931A/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H10P14/6923—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
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    • H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）　　発明の技術分野 本発明はシリコン基板のような半導体基板上における薄
膜の形成方法に関するものである。
（′ｂ）技術の背景 ＩＣ，Ｔ、Ｓｌ等の半導体装置の製造において半導体素
子を形成したシリコン（Ｓｉ、）基板上には、大気中の
ナトリウム（Ｎａ）原子等の不純物原子ａ８１基板表面
への侵入を防止するために、燐硅酸ガフス（ＰＣＧ）膜
が化学蒸着（ＣＶＤ）法等によって被着されている。
ところでこのＩ）　Ｓ　Ｇ膜は保ご膜や層間絶縁膜とし
て広く使用されている。
（Ｃ）　　従来技術と問題点 ところで従来このような保ご膜や層間絶縁膜の形成方法
として一般に周知のＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法がとら
れてきた。
然しＣＶＤ法は拡散炉等、プラズマＣＶＤ法は発振器お
よび加熱機構等の比較的大がかりな装置が必要である。
（ｄ）　　発明の目的 本発明は大がかりな装置を必要とせず短時間で容易に半
導体素子を形成したシリコン（Ｓｌ）基板上に任意の薄
膜を形成し得るような新規な薄膜の形成方法Ω提供を目
的とするものである。
（ｅ）　　発明の構成 かかる目的を達成するための本発明の薄膜の形成方法は
処理室内へ半導体基−板と光線を照射する光源とを設置
し、鴫処理室内を排気したのち、該処理室内へ該半導体
基板の成分原子を含む反応ガスを導入し、該光源上り光
線を反応ガスに照射せしめて該反応ガスを加熱し、光化
学反応を生じさせ、該反応によって形成される化合物膜
を該半導体基板上に付着させるようにしたことを特徴と
するものである。
（ｆ）　　発明の実施例 以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明す
る。
図は本発明の薄膜の形成方法に用いる装置の概略図であ
る。
図示するように例えば半導体素子を形成した５ｉｆｙｘ
バー１をテフロン製のウエハーカセツ）２Ａに収納する
。その後耐熱ゴム製のべ／Ｌ／　）　８　Ａを用いてウ
ェハー１を１枚づつ運搬しアルシミニウム製の処理室４
の近傍にウェハーｌが近付いた時点でゲートパルプ５Ａ
を開いてウェハー１をアルシミニウム製等の処理室４内
のベル）８Ｂの耐熱性のサセプタ６上に導入する。次い
でゲートノ＜μプ５．ＡＪを閉じて処理室４の排気孔７
よシ排気ポンプ（図示せず）等を用いて処理室４内部を
１０−２〜１ｏ−３Ｔｏｒｒ程度の真空度になるまで排
気する。その後力゛ヌ導入孔８よシモノシラン（ＳｉＨ
４）ガスとホスフィン（ＰＨａ）ガスと亜酸化窒素（Ｎ
　、　Ｏ）ガスとの混合ガスをＩ　ＴＯｒｒの真空度に
なるまで導入する。次いで処理室４内に設けたキセノン
ランプ９よりなる光源を用いスリットを設けた石英板Ｉ
Ｏを介して紫外線を照射して１０分程度保つ。そして導
入された混合ガスを光化学反応によってｐ’；ａ膜に変
化させ形成されたＰＳＧ膜をＳ１ウエハー１上に厚さ数
１０００オングストローム（人）程の状態で付着させる
ようにする。
このようにすれば光による加熱のみで短時間で容易にＳ
ｉ基板１上にＰＳＧ膜が被着するようになるので、比較
的容易に半導体素子を形成したＳｉ基板を処理すること
ができる。
その後このようにＰＳＧ膜を形成したＳｉウェハー１を
ゲートバルブ５Ｂを開いてベル）ａＣ上に取り出しカセ
ツ）２Ｂに収容するようにする。
ここで光源に用いるキセノンランプの代わシにブロムラ
ンプ等の紫外線を照射するランプを用いてもよい。また
レーザ光を照射するアルゴンガスレーザ装置等を光源の
代わシに処理室５内に設置してもよい。
また基板として用いる材料として８１０代わシにガリウ
ム砒素（ＧａＡｓ）等の化合物半導体結晶を用いてもよ
い。
（２）発明の効果 以上述べたように本発明の半導体装置の製造方法によれ
ば簡単な方法で半導体素子を形成した基板上にＰＳＧｌ
ｌｌｆが形成され、このような方法で薄膜を形成すれば
半導体装置の製造コストが低下する利点を生じる。
【図面の簡単な説明】
図において１はＳ１ウエハー、２Ａ、２ＢｉｌＪセツト
、８Ａ、８Ｂ、８０はベルト、４は処理室、５Ａ、５Ｂ
はゲートパルプ、６はサセプタ、７は排気孔、８はガス
導入孔、９はキセノンランプ、ＩＯは石英板を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 処理室内へ半導体基板と光線を照射する光源とを設置し
    、該処理室内を排気したのち、該処理室内へ該半導体基
    板の成分原子を含む反応ガスを導入し、該光源よシ光線
    を反応ガスに照射せしめて該反応ガスを加熱し光化学反
    応を生じさせ、該反応によって形成される化合物膜を該
    半導体基板上に付着させるようにしたことを特徴とする
    薄膜の形成方法。
JP57113704A 1982-06-29 1982-06-29 薄膜の形成方法 Pending JPS593931A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61271819A (ja) * 1985-05-27 1986-12-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜形成方法
US4887548A (en) * 1987-05-15 1989-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film manufacturing system
US5112647A (en) * 1986-11-27 1992-05-12 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for the preparation of a functional deposited film by means of photochemical vapor deposition process
US5364667A (en) * 1992-01-17 1994-11-15 Amtech Systems, Inc. Photo-assisted chemical vapor deposition method
JPH07176499A (ja) * 1994-06-21 1995-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光照射装置
US6261372B1 (en) * 1999-04-15 2001-07-17 Tokyo Electron Limited Vacuum process system

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