JPS5939346A - セラミツクハニカム触媒担体の製造方法 - Google Patents
セラミツクハニカム触媒担体の製造方法Info
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- JPS5939346A JPS5939346A JP57148778A JP14877882A JPS5939346A JP S5939346 A JPS5939346 A JP S5939346A JP 57148778 A JP57148778 A JP 57148778A JP 14877882 A JP14877882 A JP 14877882A JP S5939346 A JPS5939346 A JP S5939346A
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Landscapes
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は内燃機関より排出される有害成分を無害化ま
たは除去するだめの触媒の支持体として使われるセラミ
ツクツ・ニカム触媒坦体の製造方法に関するものである
。
たは除去するだめの触媒の支持体として使われるセラミ
ツクツ・ニカム触媒坦体の製造方法に関するものである
。
セラミツクツ・ニカム構造体はよく知られているように
その間孔率の高いことによる排気抵抗の小さいこと、粒
状触媒に比してケースの放熱が少ないため暖機特性が優
れていること、また構造上物理的摩耗がないため、振動
や排気の脈動の大きい内燃機関の排気ガス浄化用触媒の
坦体として好適なものである。
その間孔率の高いことによる排気抵抗の小さいこと、粒
状触媒に比してケースの放熱が少ないため暖機特性が優
れていること、また構造上物理的摩耗がないため、振動
や排気の脈動の大きい内燃機関の排気ガス浄化用触媒の
坦体として好適なものである。
しかしながらセラミックハニカム構造体は高熱な排気ガ
スに耐えるために通常コーディエライト、ムライト、α
−アルミナまたは窒化速素といった無機質で作られてお
シかかる耐火物をそのま壕触媒坦体として利用し表面に
触媒物質を担持させても実用上必要とされる性能は得ら
れないのが普通である。
スに耐えるために通常コーディエライト、ムライト、α
−アルミナまたは窒化速素といった無機質で作られてお
シかかる耐火物をそのま壕触媒坦体として利用し表面に
触媒物質を担持させても実用上必要とされる性能は得ら
れないのが普通である。
その理由はセラミックハニカム構造体を構成している耐
火物が所定の強度を得るために比較的高温で処理される
ので比表面積が小さくなり触媒金属の分散件が低下する
ためである。
火物が所定の強度を得るために比較的高温で処理される
ので比表面積が小さくなり触媒金属の分散件が低下する
ためである。
そこで一般に上記セラミックハニカム構造体の表面層に
アルミナ等の酸化物の被膜を形成することによシ触媒金
属としての白金(Pt)、パラジウム(Pd ) 、ロ
ジウム(Rh)などの貴金属を付着させ用いている。
アルミナ等の酸化物の被膜を形成することによシ触媒金
属としての白金(Pt)、パラジウム(Pd ) 、ロ
ジウム(Rh)などの貴金属を付着させ用いている。
このセラミックハニカム構造体に触媒的に有効な活性ア
ルミナのコーティング被膜を形成することによって良好
な触媒坦体に改質できることは、米国特許第3,565
,830号によυ開示されており、コーティング方法も
この米国特許明細書中に記載されている。この方法は(
イ)活性アルミナスラリー液中にセラミックハニカム構
造体を浸漬する方法、またはセラミ、クツ・ニカム構造
体に活性アルミナスラリー液を流しかける方法および(
ロ)セラミックハニカム構造体に真空容器中で活性アル
ミナスラリー液をコーティングする方法、である。これ
らの方法によシ活性アルミナスラリー液をセラミ、クツ
・ニカム構造体の表面層に塗布した後、圧縮空気によシ
余分なコーテイング液を吹き払う。しかる後に乾燥、焼
成を行い活性アルミナ被膜を形成する。
ルミナのコーティング被膜を形成することによって良好
な触媒坦体に改質できることは、米国特許第3,565
,830号によυ開示されており、コーティング方法も
この米国特許明細書中に記載されている。この方法は(
イ)活性アルミナスラリー液中にセラミックハニカム構
造体を浸漬する方法、またはセラミ、クツ・ニカム構造
体に活性アルミナスラリー液を流しかける方法および(
ロ)セラミックハニカム構造体に真空容器中で活性アル
ミナスラリー液をコーティングする方法、である。これ
らの方法によシ活性アルミナスラリー液をセラミ、クツ
・ニカム構造体の表面層に塗布した後、圧縮空気によシ
余分なコーテイング液を吹き払う。しかる後に乾燥、焼
成を行い活性アルミナ被膜を形成する。
しかしながら上述の方法の欠点として、セラミックハニ
カム構造体の細孔内に活性アルミナスラリーが密接に入
シ込むため、セラミックノ−ニカム構造体と活性アルミ
ナ被膜との密着性が極度に高められている。したがって
、このような体を使用して熱衝撃試験を実施すると、セ
ラミックハニカム構造体の細孔内に入シ込んだ、一般的
にセラミックハニカム構造体を構成するセラミックより
熱膨張率の高い活性アルミナの影Vを受はセラミックハ
ニカム構造体に応力がかかシセラミックハニカム構造体
に亀裂を生じて割れ易くなることが指摘さオ[ている。
カム構造体の細孔内に活性アルミナスラリーが密接に入
シ込むため、セラミックノ−ニカム構造体と活性アルミ
ナ被膜との密着性が極度に高められている。したがって
、このような体を使用して熱衝撃試験を実施すると、セ
ラミックハニカム構造体の細孔内に入シ込んだ、一般的
にセラミックハニカム構造体を構成するセラミックより
熱膨張率の高い活性アルミナの影Vを受はセラミックハ
ニカム構造体に応力がかかシセラミックハニカム構造体
に亀裂を生じて割れ易くなることが指摘さオ[ている。
図面を用いて以上のことを説明すれd1第1図は前述の
コーティング方法を使用したセラミックハニカム触媒担
体の断面図である。セラミックハニカム構造体Iには細
孔2があり、活性アルミナ被膜3の一部3′は細孔2の
中に密接に入シ込んでいる。このため活性アルミナ被膜
3とセラミックハニカム構造体1とは密着性が良く活性
アルミナ被膜は剥離しにくくなっているが、熱衝撃試験
後のセラミックハニカム触媒坦体の断面図第2図ではセ
ラミックハニカム構造体1に亀裂4を生じセラミックハ
ニカム構造体Iは割れ易すくなっている。
コーティング方法を使用したセラミックハニカム触媒担
体の断面図である。セラミックハニカム構造体Iには細
孔2があり、活性アルミナ被膜3の一部3′は細孔2の
中に密接に入シ込んでいる。このため活性アルミナ被膜
3とセラミックハニカム構造体1とは密着性が良く活性
アルミナ被膜は剥離しにくくなっているが、熱衝撃試験
後のセラミックハニカム触媒坦体の断面図第2図ではセ
ラミックハニカム構造体1に亀裂4を生じセラミックハ
ニカム構造体Iは割れ易すくなっている。
この発明はこのような事情に鑑みてなされたものでその
目的は、熱衝撃を受けてもセラミックハニカム構造体に
亀裂を生ずることがなくかつ活性アルミナ被膜の密着性
の優れたセラミックハニカム触媒坦体を製造する方法を
提供することにある。
目的は、熱衝撃を受けてもセラミックハニカム構造体に
亀裂を生ずることがなくかつ活性アルミナ被膜の密着性
の優れたセラミックハニカム触媒坦体を製造する方法を
提供することにある。
この発明の方法は、セラミツクツ・ニカム構造体に活性
アルミナをコーティングして触媒坦体な製造する方法に
おいて、あらかじめ該構造体に有機高分子の被膜を形成
し、しかる後に活性アルミナをコーティングし、さらに
乾燥、焼成を行って活性アルミナ被膜を形成することを
特徴とするものである。
アルミナをコーティングして触媒坦体な製造する方法に
おいて、あらかじめ該構造体に有機高分子の被膜を形成
し、しかる後に活性アルミナをコーティングし、さらに
乾燥、焼成を行って活性アルミナ被膜を形成することを
特徴とするものである。
以下この発明の方法を詳細に説明する。
先ず有機高分子の溶液を調整する。使用する高分子とし
ては、ポリエチレン、ボリヌチレン、ポリゾロピレン、
ポリビニールアセタール 、1?リエステル、ポリアミ
ド樹脂、アクリル樹脂、スチロール樹脂、セルロール誘
導体、ポリビニルアルコール、ゴム等が用いられる。溶
媒は、使用する高分子に適汗させて用いるのが望ましい
。この高分子溶液の濃度はセラミツクツ・ニカム構造体
の種類によっても異なるが、一般に0.05〜20重量
%の範囲が望ましい。0.05重it%未満の濃度では
形成した高分子被膜によるセラミックハニカム構造体の
被膜が不十分であるため活性アルミナコーティング時に
活性アルミナスラリーがセラミツクツ・ニカム構造体の
細孔内に密接に入り込むので前記したように耐熱衝撃性
に劣る。高分子溶液の濃度が20重はチをこえる場合は
、高分子被膜によるセラミックハニカム構造体の被覆が
極度に進みセラミックハニカム(14造体の表面は完全
に高分子被膜で伽われる。このことはセラミツクツ・ニ
カム構造体の吸水量がほとんど無くなること、あるいは
電子顕微鯉写真によっても確認されている。従って活性
アルミナ被膜はセラミツクツ・ニカム構造体表面上にほ
とんど接することが不可能になるはかシでなく、セラミ
ック/・ニカム構造体表面上と空隙を持って形成される
ため耐剥離性に劣シ活性アルミナ被膜が容易に剥離脱落
する。
ては、ポリエチレン、ボリヌチレン、ポリゾロピレン、
ポリビニールアセタール 、1?リエステル、ポリアミ
ド樹脂、アクリル樹脂、スチロール樹脂、セルロール誘
導体、ポリビニルアルコール、ゴム等が用いられる。溶
媒は、使用する高分子に適汗させて用いるのが望ましい
。この高分子溶液の濃度はセラミツクツ・ニカム構造体
の種類によっても異なるが、一般に0.05〜20重量
%の範囲が望ましい。0.05重it%未満の濃度では
形成した高分子被膜によるセラミックハニカム構造体の
被膜が不十分であるため活性アルミナコーティング時に
活性アルミナスラリーがセラミツクツ・ニカム構造体の
細孔内に密接に入り込むので前記したように耐熱衝撃性
に劣る。高分子溶液の濃度が20重はチをこえる場合は
、高分子被膜によるセラミックハニカム構造体の被覆が
極度に進みセラミックハニカム(14造体の表面は完全
に高分子被膜で伽われる。このことはセラミツクツ・ニ
カム構造体の吸水量がほとんど無くなること、あるいは
電子顕微鯉写真によっても確認されている。従って活性
アルミナ被膜はセラミツクツ・ニカム構造体表面上にほ
とんど接することが不可能になるはかシでなく、セラミ
ック/・ニカム構造体表面上と空隙を持って形成される
ため耐剥離性に劣シ活性アルミナ被膜が容易に剥離脱落
する。
このことを図面を用いて説明すれば、第3図は20重量
%をこえた濃度の高分子溶液によυ高分子被膜を形成し
た後、活性アルミナ被膜をコーティングしたセラミック
ハニカム触媒担体の断面図である。細孔2の中に活性ア
ルミナ被膜3が全く入シ込まず、しかもセラミックハニ
カム構造体1との間に空隙5を生じている。このため剥
離試験において活性アルミナ被膜が剥離してしまい触媒
担体として不適当で牟る。
%をこえた濃度の高分子溶液によυ高分子被膜を形成し
た後、活性アルミナ被膜をコーティングしたセラミック
ハニカム触媒担体の断面図である。細孔2の中に活性ア
ルミナ被膜3が全く入シ込まず、しかもセラミックハニ
カム構造体1との間に空隙5を生じている。このため剥
離試験において活性アルミナ被膜が剥離してしまい触媒
担体として不適当で牟る。
次に高分子溶液をセラミックハニカム構造体にコーティ
ングする方法について述べる。コーティング方法は、前
述の(イ)、(ロ)いずれの方法でもよい。高分子溶液
をセラミックハニカム構造体の表面層にコーティングし
た後、圧縮空気により、余分な高分子溶液を吹き払う。
ングする方法について述べる。コーティング方法は、前
述の(イ)、(ロ)いずれの方法でもよい。高分子溶液
をセラミックハニカム構造体の表面層にコーティングし
た後、圧縮空気により、余分な高分子溶液を吹き払う。
ついで温風をセラミックハニカム構造体に通風して乾燥
する。このようにしてセラミツクツ・ニカム構造体表面
上に高分子被膜を形成する。
する。このようにしてセラミツクツ・ニカム構造体表面
上に高分子被膜を形成する。
次に活性アルミナスラリーを前述の(イ)あるいは(ロ
)の方法によυコーティングし、セラミックハニカム構
造体を乾燥、焼成して活性アルミナ被膜を形成する。活
性アルミナ被膜を形成する際には触媒として有効な貴金
属の白金(pt)、パラジウム(Pd)、ロジウム(R
h)等をあらかじめ活性アルミナスラリー中に添加する
か、あるいは活性アルミナ被膜形成後に、触媒担体を貴
金属溶液中に浸漬し、乾燥、焼成して融媒を形成する。
)の方法によυコーティングし、セラミックハニカム構
造体を乾燥、焼成して活性アルミナ被膜を形成する。活
性アルミナ被膜を形成する際には触媒として有効な貴金
属の白金(pt)、パラジウム(Pd)、ロジウム(R
h)等をあらかじめ活性アルミナスラリー中に添加する
か、あるいは活性アルミナ被膜形成後に、触媒担体を貴
金属溶液中に浸漬し、乾燥、焼成して融媒を形成する。
第4図はこの発明のコーティング方法を使用して形成し
たセラミックハニカム触媒坦体の断面図で、セラミック
ハニカム構造体1には細孔2があシ活性アルミナ被膜3
は細孔2の一部に3′として入シ込んでいる。このため
剥離試験を行っても活性アルミナ被膜3はセラミックハ
ニカム構造体1から剥離脱落しないものとなっている。
たセラミックハニカム触媒坦体の断面図で、セラミック
ハニカム構造体1には細孔2があシ活性アルミナ被膜3
は細孔2の一部に3′として入シ込んでいる。このため
剥離試験を行っても活性アルミナ被膜3はセラミックハ
ニカム構造体1から剥離脱落しないものとなっている。
第5図はこの発明のコーティング方法を使用して形成し
たセラミックハニカム触媒担体の熱衝撃試験後の断面図
で、活性アルミナ被膜 3に亀裂6が生じても、空隙
5があるため亀裂がセラミックハニカム構造体1に拡が
ることはなく耐熱性良好なセラミックハニカム触媒坦体
となっている。
たセラミックハニカム触媒担体の熱衝撃試験後の断面図
で、活性アルミナ被膜 3に亀裂6が生じても、空隙
5があるため亀裂がセラミックハニカム構造体1に拡が
ることはなく耐熱性良好なセラミックハニカム触媒坦体
となっている。
次にこの発明の実施例、比較例、および参考例について
述べる。
述べる。
実施何重ないし実施例3
Iリビニルアルコール(PVA ) 25 #を水50
0m1と混合しこの溶液を撹拌下栓々に加熱し、液温か
80〜95℃になるよう調節する。
0m1と混合しこの溶液を撹拌下栓々に加熱し、液温か
80〜95℃になるよう調節する。
PVAが完全に溶解したのを確認して加熱を停止し、攪
拌を続けながら室温まで徐々に冷却した。
拌を続けながら室温まで徐々に冷却した。
さらに蒸発、飛散した水を補って約4.8重液チのPV
A溶液を調整した。次に市販のコーディエライト質ハニ
カム構造体を上記溶液に浸漬し引き上げた後、細孔内に
詰まった過剰液をまず圧カグーゾ圧0.5 kvcrn
2の圧縮空気で吹き払い、さらに逆方向よυ吹き払って
全ての細孔に目詰シがないようにした。ここで使用した
セラミックハニカム構造体は、直径113+m、長さ1
00門の円筒形で壁厚約1.5謹の正方形の細孔が40
0個An2(約62個/6n2)縦方向に平行な流路を
有しているものである。PVA溶液により湿潤したセラ
ミックハニカム構造体の流路に80℃に熱した空気を3
0分通風して乾燥を行った。同様の操作を9.1車廠チ
のPVA溶液(実施例2)、13.0重1a−% 77
) PVA溶液(実施例3)についても実施した。各実
施例における高分子被朕祉は第1表に示す通りであった
。さらにあらかじめ調整した活性アルミナ懸濁液中に上
記高分子被膜を形成したセラミツクツ1ニカム構造体を
浸漬し、引き上げた後細孔内に詰まった過剰懸濁液を空
気流で吹き払った。コーテイング後のセラミックハニカ
ム構造体の流路に80℃に熱した空気を30分通風して
乾燥し、さらに230℃に熱した空気を1時間通風した
後、電気炉に入れ2時間で700℃まで昇温しこの温度
でさらに1時間焼成を続けたのち、徐々に冷却して電気
炉から取9出しだ。セラミツクツ・ニカム構造体へのこ
の活性アルミナコーティング操作をそれぞれ2度行い、
セラミツクツ・ニカム構造体への活性アルミナのコーテ
イング量を約172〜178#/個とした。このコーテ
ィング被膜の比表面積をBET法によυ測定した結果9
8 m /Iであった。
A溶液を調整した。次に市販のコーディエライト質ハニ
カム構造体を上記溶液に浸漬し引き上げた後、細孔内に
詰まった過剰液をまず圧カグーゾ圧0.5 kvcrn
2の圧縮空気で吹き払い、さらに逆方向よυ吹き払って
全ての細孔に目詰シがないようにした。ここで使用した
セラミックハニカム構造体は、直径113+m、長さ1
00門の円筒形で壁厚約1.5謹の正方形の細孔が40
0個An2(約62個/6n2)縦方向に平行な流路を
有しているものである。PVA溶液により湿潤したセラ
ミックハニカム構造体の流路に80℃に熱した空気を3
0分通風して乾燥を行った。同様の操作を9.1車廠チ
のPVA溶液(実施例2)、13.0重1a−% 77
) PVA溶液(実施例3)についても実施した。各実
施例における高分子被朕祉は第1表に示す通りであった
。さらにあらかじめ調整した活性アルミナ懸濁液中に上
記高分子被膜を形成したセラミツクツ1ニカム構造体を
浸漬し、引き上げた後細孔内に詰まった過剰懸濁液を空
気流で吹き払った。コーテイング後のセラミックハニカ
ム構造体の流路に80℃に熱した空気を30分通風して
乾燥し、さらに230℃に熱した空気を1時間通風した
後、電気炉に入れ2時間で700℃まで昇温しこの温度
でさらに1時間焼成を続けたのち、徐々に冷却して電気
炉から取9出しだ。セラミツクツ・ニカム構造体へのこ
の活性アルミナコーティング操作をそれぞれ2度行い、
セラミツクツ・ニカム構造体への活性アルミナのコーテ
イング量を約172〜178#/個とした。このコーテ
ィング被膜の比表面積をBET法によυ測定した結果9
8 m /Iであった。
実施例4
ポリビニルアルコール(PVA ) ヲエチルセルロー
スに換えて、実施例1と同様な操作を行った。エチルセ
ルロース粉末i 5 、vヲs o omtmトノトル
エン中散溶解し3.3亀量チのエチルセルロース溶液を
調整した。この溶液中に実施例1で示したセラミツクツ
・ニカム構造体を浸漬し引き上げた後、細孔に詰まった
過剰液を圧カグージ圧0.5 kg/cm2の圧縮空気
で吹き払い、さらに逆方向より吹き払って全ての細孔に
目詰まりがないようにした。上記湿潤したセラミックハ
ニカム構造体の流路に80℃に熱した空気を20分間通
風して乾燥を行なった結果表1に示す様に4.3117
個のエチルセルロース被膜を得た。以下活性アルミナコ
ーティング操作を実施例1で示した方法によシ実施し、
セラミックハニカム構造体への活性アルミナのコーテイ
ング量を17597個とした。
スに換えて、実施例1と同様な操作を行った。エチルセ
ルロース粉末i 5 、vヲs o omtmトノトル
エン中散溶解し3.3亀量チのエチルセルロース溶液を
調整した。この溶液中に実施例1で示したセラミツクツ
・ニカム構造体を浸漬し引き上げた後、細孔に詰まった
過剰液を圧カグージ圧0.5 kg/cm2の圧縮空気
で吹き払い、さらに逆方向より吹き払って全ての細孔に
目詰まりがないようにした。上記湿潤したセラミックハ
ニカム構造体の流路に80℃に熱した空気を20分間通
風して乾燥を行なった結果表1に示す様に4.3117
個のエチルセルロース被膜を得た。以下活性アルミナコ
ーティング操作を実施例1で示した方法によシ実施し、
セラミックハニカム構造体への活性アルミナのコーテイ
ング量を17597個とした。
実施例5
エチルセルロース粉末をポリスチレン粉末に換えた以外
は全〈実施例4と同様な操作を行い第1表に示す様に3
.9 & 7個のポリスチレン被膜を得た。以下、活性
アルミナコーティング操作を実施例1で示した方法によ
り実施し、セラミックハニカム構造体への活性アルミナ
のコーティング畑を175#/個とした。
は全〈実施例4と同様な操作を行い第1表に示す様に3
.9 & 7個のポリスチレン被膜を得た。以下、活性
アルミナコーティング操作を実施例1で示した方法によ
り実施し、セラミックハニカム構造体への活性アルミナ
のコーティング畑を175#/個とした。
比較例1
従来のコーティング方法と同様に実施例1の方法におい
て^分子被膜をあらかじめ形成しない方法を実施した。
て^分子被膜をあらかじめ形成しない方法を実施した。
即ち第1表に示すように、活性アルミナ被膜形成の前処
理として高分子溶液t(よるコーティングtしない以外
は実施例1と回し方法で実施しセラミックハニカム触媒
坦体ヲ得た。このセラミックハニカムh=p媒坦体にお
ける活性アルミナのコーテイング量は174I/個であ
った。
理として高分子溶液t(よるコーティングtしない以外
は実施例1と回し方法で実施しセラミックハニカム触媒
坦体ヲ得た。このセラミックハニカムh=p媒坦体にお
ける活性アルミナのコーテイング量は174I/個であ
った。
参考例1および2
実施例1の方法において第1表に示すようにPVA溶液
の濃度を変えた以外は実施例1と同じ方法で実施しセラ
ミックハニカム触媒担体を得た。このセラミックハニカ
ム触媒担体における活性アルミナのコーテイング量は1
77g/個であった。
の濃度を変えた以外は実施例1と同じ方法で実施しセラ
ミックハニカム触媒担体を得た。このセラミックハニカ
ム触媒担体における活性アルミナのコーテイング量は1
77g/個であった。
熱衝撃試験結果
第1表で示したセラミックハニカム触媒坦体について熱
衝撃試験を行なった。試験方法は600〜900℃の所
定の温度に保持した電気炉に試料を入れ30分加熱後室
温の空気中に取シ出す。各所定温度で室温−加熱−室温
を1サイクルとして3サイクル繰シ返す。各サイクル毎
に打音、ルー凋、目視等による検査を行い亀裂の観察さ
れた具体数と電気炉温度の関係を調べた。その結果を第
2表に示す。
衝撃試験を行なった。試験方法は600〜900℃の所
定の温度に保持した電気炉に試料を入れ30分加熱後室
温の空気中に取シ出す。各所定温度で室温−加熱−室温
を1サイクルとして3サイクル繰シ返す。各サイクル毎
に打音、ルー凋、目視等による検査を行い亀裂の観察さ
れた具体数と電気炉温度の関係を調べた。その結果を第
2表に示す。
剥離試験結果
第1表に示した各試料について活性アルミナ被膜の密着
性を試験するため風量6017secの通風下における
活性アルミナの剥離量の測定を行った。まず200℃に
保持された乾燥機へ試料を20分間入れた後、取シ出し
て重量を測定し乾燥重相とした。続いて試料を触媒コン
バータに装着して通風を30分行い再び200℃に保持
された乾燥機へ試料を20分間入れた後取り出して重量
を測定した。結果を全活性アルミナ被膜量に対する剥離
活性アルミナ量の重量百分率として第3表に示す。
性を試験するため風量6017secの通風下における
活性アルミナの剥離量の測定を行った。まず200℃に
保持された乾燥機へ試料を20分間入れた後、取シ出し
て重量を測定し乾燥重相とした。続いて試料を触媒コン
バータに装着して通風を30分行い再び200℃に保持
された乾燥機へ試料を20分間入れた後取り出して重量
を測定した。結果を全活性アルミナ被膜量に対する剥離
活性アルミナ量の重量百分率として第3表に示す。
第3表
上記第2表および第3表から解るようにこの発明によシ
得られた試料(実施例1〜5)は、熱衝撃試験において
従来の試料(比較例1)に比らべ150〜200℃優わ
ており、また耐剥離性についても問題が無いことが解る
。また参考例1にみもれるように高分子被膜量の少ない
ものについては、活性アルミナ被膜が、セラミックハニ
カム構造体細孔内に密接に入り込んでいるため耐熱衝撃
性に劣っている。また参考例2でみられるように高分子
被膜量の多いものについては、活性アルミナ被膜が、セ
ラミックハニカム構造体細孔内にほとんど入っていない
ため耐熱衝撃性は従来の試料(比較例1)に比べ優わて
いるにもかかわらず、耐剥離を性において劣っている。
得られた試料(実施例1〜5)は、熱衝撃試験において
従来の試料(比較例1)に比らべ150〜200℃優わ
ており、また耐剥離性についても問題が無いことが解る
。また参考例1にみもれるように高分子被膜量の少ない
ものについては、活性アルミナ被膜が、セラミックハニ
カム構造体細孔内に密接に入り込んでいるため耐熱衝撃
性に劣っている。また参考例2でみられるように高分子
被膜量の多いものについては、活性アルミナ被膜が、セ
ラミックハニカム構造体細孔内にほとんど入っていない
ため耐熱衝撃性は従来の試料(比較例1)に比べ優わて
いるにもかかわらず、耐剥離を性において劣っている。
したがってこれら2つの試料(参考例1および2)につ
いては触媒担体として不十分である。
いては触媒担体として不十分である。
第1図は従来のコーティング方法によるセラミックハニ
カム触媒担体の断面図、卯、2図は従来のコーティング
方法によるセラミックハニカム触媒坦体の熱衝撃試験後
の断面図、第3図は20重量%をこえた一度の高分子溶
液によシ高分子被膜を形成させた後、活性アルミナをコ
ーティングしたセラミックハニカム触媒担体(参考例2
)の断面図、第4図はこの発明のコーティング方法を使
用したセラミックハニカム触媒担体の断面図、および第
5図はこの発明のコーティング方法を使用したセラミッ
クハニカム触媒担体の熱衝撃試験後の断【81図である
。 I・・・セラミックハニカム構造体、3.3’・・・活
性アルミナ被膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 第3図
カム触媒担体の断面図、卯、2図は従来のコーティング
方法によるセラミックハニカム触媒坦体の熱衝撃試験後
の断面図、第3図は20重量%をこえた一度の高分子溶
液によシ高分子被膜を形成させた後、活性アルミナをコ
ーティングしたセラミックハニカム触媒担体(参考例2
)の断面図、第4図はこの発明のコーティング方法を使
用したセラミックハニカム触媒担体の断面図、および第
5図はこの発明のコーティング方法を使用したセラミッ
クハニカム触媒担体の熱衝撃試験後の断【81図である
。 I・・・セラミックハニカム構造体、3.3’・・・活
性アルミナ被膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- セラミックハニカム構造体に活性アルミナをコーティン
グして触媒坦体を製造する方法において、有機高分子を
含有する溶液をあらかじめ該構造体にコーティングして
有機高分子被膜を形成した後、活性アルミナをコーティ
ングすることを4?徴とするセラミツクツ・二カム触媒
坦体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57148778A JPS5939346A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | セラミツクハニカム触媒担体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57148778A JPS5939346A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | セラミツクハニカム触媒担体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5939346A true JPS5939346A (ja) | 1984-03-03 |
Family
ID=15460452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57148778A Pending JPS5939346A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | セラミツクハニカム触媒担体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5939346A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5895700A (en) * | 1996-05-17 | 1999-04-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Honeycomb structural body |
| JP2009513338A (ja) * | 2005-10-27 | 2009-04-02 | コーニング インコーポレイテッド | 表面保護および触媒塗膜を備えた多孔質セラミックフィルタのためのマイクロ波処理方法 |
| WO2016111311A1 (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-14 | 住友化学株式会社 | ハニカムフィルタの製造方法 |
| WO2017094640A1 (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | 住友化学株式会社 | ハニカムフィルタ中間体、ハニカムフィルタ、及び、これらの製造方法 |
| US10281008B2 (en) | 2015-05-25 | 2019-05-07 | Thk Co., Ltd. | Speed reduction or speed increasing apparatus |
-
1982
- 1982-08-27 JP JP57148778A patent/JPS5939346A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5895700A (en) * | 1996-05-17 | 1999-04-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Honeycomb structural body |
| JP2009513338A (ja) * | 2005-10-27 | 2009-04-02 | コーニング インコーポレイテッド | 表面保護および触媒塗膜を備えた多孔質セラミックフィルタのためのマイクロ波処理方法 |
| WO2016111311A1 (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-14 | 住友化学株式会社 | ハニカムフィルタの製造方法 |
| US10281008B2 (en) | 2015-05-25 | 2019-05-07 | Thk Co., Ltd. | Speed reduction or speed increasing apparatus |
| WO2017094640A1 (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | 住友化学株式会社 | ハニカムフィルタ中間体、ハニカムフィルタ、及び、これらの製造方法 |
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