JPS5939367A - 自動回転塗布機 - Google Patents
自動回転塗布機Info
- Publication number
- JPS5939367A JPS5939367A JP15037482A JP15037482A JPS5939367A JP S5939367 A JPS5939367 A JP S5939367A JP 15037482 A JP15037482 A JP 15037482A JP 15037482 A JP15037482 A JP 15037482A JP S5939367 A JPS5939367 A JP S5939367A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist
- nozzle
- coating
- sea
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は自動回転塗布機に係り、とくに液ぼてを起こさ
ない（塗布液が被塗布物に一旦塗布された後、塗布液が
被塗布物上に滴下しない）ように、可動塗布液ノズルを
有する自動回転塗布機に関するものである。
ない（塗布液が被塗布物に一旦塗布された後、塗布液が
被塗布物上に滴下しない）ように、可動塗布液ノズルを
有する自動回転塗布機に関するものである。
以下に半導体ウニノー−プロセス・フォトレジスト工程
のレジスト塗布を例として具体的に述べる。
のレジスト塗布を例として具体的に述べる。
半導体はそのウェノ１−プロセスにおいて、Ｓ１ウエハ
ーの片面あるいｔま両面の所定位置に所定形状寸法のＰ
型あるいはＮ型不純物を拡散する工程を有し、これは通
常次のように行う。
ーの片面あるいｔま両面の所定位置に所定形状寸法のＰ
型あるいはＮ型不純物を拡散する工程を有し、これは通
常次のように行う。
始めにウェハー全面に熱酸化等により所足厚のＳ ｉ
Ｏ＊膜を形成する。欠いでＳｉウェハーの不純物拡散面
金ＩＩＩｊだレジストを塗布し、ソフトベーク露光、現
像、ハードベーク、５ｉｆｔ膜エツチ、レジスト除去の
フォトレジスト工程全行い、Ｓｉウェハーの不純物拡散
面の所定位置の７５ｉ定形状寸法のＳｉＯ＊Ｎを除去す
る。その後このＳｉウェハー勿不純物拡散炉に挿入して
所定の不純物拡１Ｆｉｒ行い、Ｓｉウェハーの７オトレ
ジストエ程でｓｔｏｗ膜の除去された箇７５ｒにのみ不
純物を拡散する。。
Ｏ＊膜を形成する。欠いでＳｉウェハーの不純物拡散面
金ＩＩＩｊだレジストを塗布し、ソフトベーク露光、現
像、ハードベーク、５ｉｆｔ膜エツチ、レジスト除去の
フォトレジスト工程全行い、Ｓｉウェハーの不純物拡散
面の所定位置の７５ｉ定形状寸法のＳｉＯ＊Ｎを除去す
る。その後このＳｉウェハー勿不純物拡散炉に挿入して
所定の不純物拡１Ｆｉｒ行い、Ｓｉウェハーの７オトレ
ジストエ程でｓｔｏｗ膜の除去された箇７５ｒにのみ不
純物を拡散する。。
このフォトレジスト工程の中のレジスト塗布は、第１図
に示すようなフォトレジスト自動塗布機を１吏用して次
のように行う。レジスト塗布面が上になるようにＳｉウ
ェノ’−１ｔ−収納したキャリア２をローダ部３にセッ
トすると％Ｓ１ウェハー１がキャリア２中からスピンコ
ータ部４ヘゴムベルト５により搬出される。スピンコー
タ部４で、トランスフォームメカニズムアーム６（以下
ＴＲＭアームと称する）ｌＣより、Ｓｉウェハー１はウ
ェハーチャック７上に載置され、吸着固定される。
に示すようなフォトレジスト自動塗布機を１吏用して次
のように行う。レジスト塗布面が上になるようにＳｉウ
ェノ’−１ｔ−収納したキャリア２をローダ部３にセッ
トすると％Ｓ１ウェハー１がキャリア２中からスピンコ
ータ部４ヘゴムベルト５により搬出される。スピンコー
タ部４で、トランスフォームメカニズムアーム６（以下
ＴＲＭアームと称する）ｌＣより、Ｓｉウェハー１はウ
ェハーチャック７上に載置され、吸着固定される。
次いでウェハーチャック７を回転することによりＳｌウ
ェハーｌ′ｆｔ回転しながら、ウェハーチャツク７上部
に位置するレジストノズル８かうＳｉウェハー１上にレ
ジストが所足量簡下され、そのｆｆ１ｓｉウエハーｌが
所定の速度で回転し、レジストが８１ウ工ハー１全面に
均一に塗布される。塗布後、Ｓ１ウエハー１はＴＲＭア
ーム６により、ウェハーチャック７上からゴムベルト９
に載せられ、次いでゴムベルト９によりアンローダ部１
゜のキ、Ｙリアｌｌ中に搬入される。以上のレジスト塗
布において、従来の方法でに次のような欠点を有してい
た。ｔなわち、従来の７オトレジスト自動塗布機ではレ
ジストノズルが固定なので、Ｓｉウェハーにレジストが
一旦塗布された後レジスト液ぼてが起こると、液ぼて箇
所およびその近辺のレジスト厚が厚＜ｆｘ、ｔ＞、この
箇所はソフトベーク工程でのソ７トベーク不足、および
露光工程での露光部露光不足ケきたし、後の現像工程で
の紅九部しジスト溶Ｍ＝、Ｆｅ潤、あるいはパターン切
れ不良を引き起こす。
ェハーｌ′ｆｔ回転しながら、ウェハーチャツク７上部
に位置するレジストノズル８かうＳｉウェハー１上にレ
ジストが所足量簡下され、そのｆｆ１ｓｉウエハーｌが
所定の速度で回転し、レジストが８１ウ工ハー１全面に
均一に塗布される。塗布後、Ｓ１ウエハー１はＴＲＭア
ーム６により、ウェハーチャック７上からゴムベルト９
に載せられ、次いでゴムベルト９によりアンローダ部１
゜のキ、Ｙリアｌｌ中に搬入される。以上のレジスト塗
布において、従来の方法でに次のような欠点を有してい
た。ｔなわち、従来の７オトレジスト自動塗布機ではレ
ジストノズルが固定なので、Ｓｉウェハーにレジストが
一旦塗布された後レジスト液ぼてが起こると、液ぼて箇
所およびその近辺のレジスト厚が厚＜ｆｘ、ｔ＞、この
箇所はソフトベーク工程でのソ７トベーク不足、および
露光工程での露光部露光不足ケきたし、後の現像工程で
の紅九部しジスト溶Ｍ＝、Ｆｅ潤、あるいはパターン切
れ不良を引き起こす。
以″ＦＶｃこれを詳述する。フォトレジスト自動塗布機
でのＳｉウェハーへのレジスト塗３１ｉの概１ＩＩｉ！
！は前述の通りであるが、その中で核心であるスピンナ
カップ都でのＳｉウェハーへのレジストγ丙下からレジ
スト塗４１完了までのシーフェンスは辿常次のようにな
っている。第２図のように、ｓｉウェハーｌがウェハー
チャ、り７上に吸着・固定された後、まず、Ｓｉウェハ
ーｌを低速（数百ｒｐｍ ）で回転しながらレジストノ
ズル８よりレジストがハ［定量滴下される。（シーフェ
ンス１）次いテｓｌウェハー１回転速度が中速（約２ｏ
ｏＯｒｐｍ）に上がり、ｌ九足時曲回転してレジストが
Ｓｉウェハーｌ全面に広がる（シーフェンス２）。すＧ
ｙＶｃｓｉウェハー１回転速度が高速（３５００〜４０
００ｒｐｍ）にな９、所定時間回転し、塗布レジスト厚
がＳｌウェハーｌ全面にわたって均一となる（シーフェ
ンス３）最後にＳｌウェハー１の回転が止まり、静止す
る（シーフェンス４）。以上のシークエ。
でのＳｉウェハーへのレジスト塗３１ｉの概１ＩＩｉ！
！は前述の通りであるが、その中で核心であるスピンナ
カップ都でのＳｉウェハーへのレジストγ丙下からレジ
スト塗４１完了までのシーフェンスは辿常次のようにな
っている。第２図のように、ｓｉウェハーｌがウェハー
チャ、り７上に吸着・固定された後、まず、Ｓｉウェハ
ーｌを低速（数百ｒｐｍ ）で回転しながらレジストノ
ズル８よりレジストがハ［定量滴下される。（シーフェ
ンス１）次いテｓｌウェハー１回転速度が中速（約２ｏ
ｏＯｒｐｍ）に上がり、ｌ九足時曲回転してレジストが
Ｓｉウェハーｌ全面に広がる（シーフェンス２）。すＧ
ｙＶｃｓｉウェハー１回転速度が高速（３５００〜４０
００ｒｐｍ）にな９、所定時間回転し、塗布レジスト厚
がＳｌウェハーｌ全面にわたって均一となる（シーフェ
ンス３）最後にＳｌウェハー１の回転が止まり、静止す
る（シーフェンス４）。以上のシークエ。
ス中とくにシーフェンス３、あるいはシーフェンス４で
、レジスト液ぼてが起ζると、第４図、第５図のよ５ｉ
ＣｊＲ下箇所およびその近辺のレジスト厚が非常に厚く
なる。そしてこのレジスト厚が厚くなった所にソフトベ
ーク工程でのソフトベーク不足、）露光工程での露光部
露光不足となるために、後の現像工程でｗ！元部レジス
トの溶解、膨閥、るるいはパターン切れ不良等が起仁る
。
、レジスト液ぼてが起ζると、第４図、第５図のよ５ｉ
ＣｊＲ下箇所およびその近辺のレジスト厚が非常に厚く
なる。そしてこのレジスト厚が厚くなった所にソフトベ
ーク工程でのソフトベーク不足、）露光工程での露光部
露光不足となるために、後の現像工程でｗ！元部レジス
トの溶解、膨閥、るるいはパターン切れ不良等が起仁る
。
不発明の目的は従来の欠点葡除去したｇ、はてのｌいレ
ジスト塗布方法を提供することにあυ、その特徴は５Ｊ
動レジストノズルを廟する７第１・レジスト自動塗布機
を使用することＩｃある。
ジスト塗布方法を提供することにあυ、その特徴は５Ｊ
動レジストノズルを廟する７第１・レジスト自動塗布機
を使用することＩｃある。
以下図面によシ粁細に説明する。第６図は本発明の実施
例１に係るフォトレジスト自動塗布機１機・スピンナカ
ップ１１部の略平面図でめり、レジストノズル８はウェ
ハーチャ、り７上とＳ１ウェノ１−１上外との間で可動
となっており、これはレジストが８１ウエハー１上にｒ
Ｍ下される時（シーフェンス１）のみＳｉウェハーｌ上
に移動し、その他のシーフェンスではＳｔウェノ′−−
１上外に位置する構造となっている０第７図のようにＳ
ｉウヱノＳ−１がスピンナカップ１１部に搬送されてき
てウェハ−チャ、り７に吸着・固定され、レジストノズ
ル８がＳｉウェハー１上に移動した後、Ｓｌウェノ為−
１が低速（数百ｒｐｍ）で回転しながら、レジストノズ
ル８よりレジストが所定！滴下される。レジスト滴下後
レジストノズル８は３ｉウエノＳ−１上外へ移動する０
以後前記シークエンス２〜シークエンス４と同様にシー
フェンスが進行し、Ｓｌｌウニ−１にレジストが塗布さ
れる。レジストノズル８はレジスト誦下後Ｓｔウェハー
１上外へ移動するので、Ｓｌウェハー１上に液ぼてを起
こすことはなく、シたがって現像工程での露光部レジス
トの溶解、膨潤、あるいはパターン切れ不良等は発生し
ない。
例１に係るフォトレジスト自動塗布機１機・スピンナカ
ップ１１部の略平面図でめり、レジストノズル８はウェ
ハーチャ、り７上とＳ１ウェノ１−１上外との間で可動
となっており、これはレジストが８１ウエハー１上にｒ
Ｍ下される時（シーフェンス１）のみＳｉウェハーｌ上
に移動し、その他のシーフェンスではＳｔウェノ′−−
１上外に位置する構造となっている０第７図のようにＳ
ｉウヱノＳ−１がスピンナカップ１１部に搬送されてき
てウェハ−チャ、り７に吸着・固定され、レジストノズ
ル８がＳｉウェハー１上に移動した後、Ｓｌウェノ為−
１が低速（数百ｒｐｍ）で回転しながら、レジストノズ
ル８よりレジストが所定！滴下される。レジスト滴下後
レジストノズル８は３ｉウエノＳ−１上外へ移動する０
以後前記シークエンス２〜シークエンス４と同様にシー
フェンスが進行し、Ｓｌｌウニ−１にレジストが塗布さ
れる。レジストノズル８はレジスト誦下後Ｓｔウェハー
１上外へ移動するので、Ｓｌウェハー１上に液ぼてを起
こすことはなく、シたがって現像工程での露光部レジス
トの溶解、膨潤、あるいはパターン切れ不良等は発生し
ない。
本発明による可動塗布液ノズルを有するフォトレジスト
自動塗布機を使用することにより、半導、体を歩留よく
製造することができる。
自動塗布機を使用することにより、半導、体を歩留よく
製造することができる。
＠１図はフォトレジスト自動塗布機の略平面図′である
。第２図は従来の７オトレジスト自動塗布機スピンナカ
ヴグ部略平面図である。第３図は同略断ｌ１図である０
第４図は従来のレジストノズル使用によりレジスト塗布
を行った時に発生するレジスト液ぼて全示す略平面図で
ある。第５図は同略断面図である０第６図は不発明によ
る可動レジストノズルを有するフォトレジスト自動塗布
機スピンナ力、グ部の、可動レジストノズルがＳｔウェ
ハー上外に位置しているのを示す略平面図である。第７
図は同じく可動レジストノズルがＳｌウェハー上に位置
しているのを示す略平面図である。
。第２図は従来の７オトレジスト自動塗布機スピンナカ
ヴグ部略平面図である。第３図は同略断ｌ１図である０
第４図は従来のレジストノズル使用によりレジスト塗布
を行った時に発生するレジスト液ぼて全示す略平面図で
ある。第５図は同略断面図である０第６図は不発明によ
る可動レジストノズルを有するフォトレジスト自動塗布
機スピンナ力、グ部の、可動レジストノズルがＳｔウェ
ハー上外に位置しているのを示す略平面図である。第７
図は同じく可動レジストノズルがＳｌウェハー上に位置
しているのを示す略平面図である。
Claims (1)
- 自動回転塗布機において、塗布液ノズルが塗布液滴下シ
ーフェンス時のみ被塗布物上にあり、その他のシーフェ
ンス時は被塗布物上外にあることを特徴と−する自動回
転塗布機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15037482A JPS5939367A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 自動回転塗布機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15037482A JPS5939367A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 自動回転塗布機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5939367A true JPS5939367A (ja) | 1984-03-03 |
Family
ID=15495590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15037482A Pending JPS5939367A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 自動回転塗布機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5939367A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61141619A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-28 | Dowa Mining Co Ltd | ジルコニア微粉体の製造法 |
| JPS6283305A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-16 | Okamura Seiyu Kk | 透明性金属酸化物の製造方法 |
| JPS62197152A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-08-31 | Sumitomo Cement Co Ltd | 触媒関連材料の作成方法 |
-
1982
- 1982-08-30 JP JP15037482A patent/JPS5939367A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61141619A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-28 | Dowa Mining Co Ltd | ジルコニア微粉体の製造法 |
| JPS6283305A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-16 | Okamura Seiyu Kk | 透明性金属酸化物の製造方法 |
| JPS62197152A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-08-31 | Sumitomo Cement Co Ltd | 触媒関連材料の作成方法 |
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