JPS5940285A - エックス線スペクトル測定方法 - Google Patents
エックス線スペクトル測定方法Info
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- JPS5940285A JPS5940285A JP15152482A JP15152482A JPS5940285A JP S5940285 A JPS5940285 A JP S5940285A JP 15152482 A JP15152482 A JP 15152482A JP 15152482 A JP15152482 A JP 15152482A JP S5940285 A JPS5940285 A JP S5940285A
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- Japan
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- ray
- detectors
- rays
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- detector
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/36—Measuring spectral distribution of X-rays or of nuclear radiation spectrometry
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明は、エックス線スペクトル測定装置に関する。
（ｂ）技術の背景
近時、高密度集積回路パターン形成時等におけるエック
ス線露光に用いるエックス線源としてガスプラズマ型の
°ものが注目されている。
ス線露光に用いるエックス線源としてガスプラズマ型の
°ものが注目されている。
これはガスプラズマ型のエックス線源が従来の電子衝撃
型のものに比べて１０倍程度高いエックス線発生効率を
有するためであり、換言すればガスプラズマ型によれば
小型化された経済性の高いエックス線源を提供できる可
能性があるためである。
型のものに比べて１０倍程度高いエックス線発生効率を
有するためであり、換言すればガスプラズマ型によれば
小型化された経済性の高いエックス線源を提供できる可
能性があるためである。
前記のようなエックス線露光においては、感光剤の感度
との関係から、照射エックス線の波長および線量の制御
が必要である。したがって、使用するエックス線源につ
いてのエックス線スペクトルの測定は、該エックス線源
の性能評価上ならびに工程管理上から重要となる。
との関係から、照射エックス線の波長および線量の制御
が必要である。したがって、使用するエックス線源につ
いてのエックス線スペクトルの測定は、該エックス線源
の性能評価上ならびに工程管理上から重要となる。
（Ｃ）従来技術と問題点
従来のエックス線スペクトル測定方法は、エックス線源
と検知器の間に、波長−吸収係数が既知の物質から成る
エックス線減衰膜の厚さの異なるものを１枚ずつ挿入し
、それぞれのエックス線減衰膜により減衰された透過エ
ックス線量を測定することによって求められていた。
と検知器の間に、波長−吸収係数が既知の物質から成る
エックス線減衰膜の厚さの異なるものを１枚ずつ挿入し
、それぞれのエックス線減衰膜により減衰された透過エ
ックス線量を測定することによって求められていた。
通常、ガスプラズマ型のエックス線源においては、エッ
クス線はパルス状に発生されるため、該パルス状エック
ス線間内で線量に変動があった場合には、従来の測定方
法では精確なスペクトルの測定が実質的に不可能となる
。
クス線はパルス状に発生されるため、該パルス状エック
ス線間内で線量に変動があった場合には、従来の測定方
法では精確なスペクトルの測定が実質的に不可能となる
。
また、上記従来の方法によれば、測定に要する手間と時
間が大きく、とくに測定結果を直ちに工程管理にフィー
ドバンクする必要のある場合に対しては適用できない欠
点があった。
間が大きく、とくに測定結果を直ちに工程管理にフィー
ドバンクする必要のある場合に対しては適用できない欠
点があった。
（ｄ）発明の目的
本発明は、上記従来の問題点を解決する新規なエックス
線スペクトル測定装置を提供することを目的とする。
線スペクトル測定装置を提供することを目的とする。
＜ｅ＞発明の構成
本発明は、エックス線源に対し複数の検知器を設け、該
エックス線源と該複数の検知器との間に、それぞれの検
知器ごとに厚さの異なるエックス線減衰膜を設けたこと
を特徴とする。
エックス線源と該複数の検知器との間に、それぞれの検
知器ごとに厚さの異なるエックス線減衰膜を設けたこと
を特徴とする。
（ｆ）発明の実施例
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
図は本発明によるエックス線スペクトル測定装置の主要
構成部分を示す図である。
構成部分を示す図である。
図において、エックス線源１に対向して複数の検知器２
１．２２．２３．、、．２ｎを設け、またエックス線源
１と検知器２１．２２．２３．、、．２ｎとの間にはそ
れぞれの検知器に対向する部分の厚さが異なるエックス
線減衰膜３が挿入されている。
１．２２．２３．、、．２ｎを設け、またエックス線源
１と検知器２１．２２．２３．、、．２ｎとの間にはそ
れぞれの検知器に対向する部分の厚さが異なるエックス
線減衰膜３が挿入されている。
検知器２１．２２．２３．、、．２ｎの出力は演算回路
４に入力され、後述する式に従って波区−線量の関係が
求められ、この演算結果がモニター装置５に出力される
。
４に入力され、後述する式に従って波区−線量の関係が
求められ、この演算結果がモニター装置５に出力される
。
ざて、それぞれの検知器に対向する部分にお４Ｊるエッ
クス線減衰膜の厚さをｔｌ、ｔ２、ｔ３９０．、ｔｎと
すると、検知器２１．２２．２３．、、．２ｎの個々が
検知する総線量Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３．、、、Ｆｎは次式で
表わされる。
クス線減衰膜の厚さをｔｌ、ｔ２、ｔ３９０．、ｔｎと
すると、検知器２１．２２．２３．、、．２ｎの個々が
検知する総線量Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３．、、、Ｆｎは次式で
表わされる。
Ｆｌ−１１ｅｘｐ （−μｌ ｔｌ） ＋Ｔ２ ｅｘｐ
（−／７２ ｔｌ）＋Ｉ３ ｅｘｐ （−Ｉ３ ｔｌ
） ４．．．．１ｍ ｅｘｐ （−，１７ｍ １１）Ｆ
２＝１１ ｅｘｐ （−μｍ ｔ２＞ ＋Ｉ２ ｅｘｐ
（−Ｉ２ ｔ２）＋１３ ｅｘｐ （−１１３ｔ２）
４．．．．１ｍ ｅｘｐ （−１１ｍ ｔ２）Ｐ３＝
ｒｌ ｅｘｐ （−μｌ ｔ３） ＋Ｉ２ ｅｘｐ （
−／７２ ｔ３）＋ １３ ｅｘｐ （−Ｉ３ ｔ３）
＋ 、、、、Ｉｍ ｅｘｐ （−ｐ ｍ ｔ３）Ｐｎ
＝ ＩＩ ｅｘｐ （−μｍ ｔｎ） ＋ Ｉ２ ｅｘ
ｐ （１１２ｔｎ）＋ ＋３ ｅｘｐ （−Ｉ３ ｔ
ｎ） ４．．．．１ｍ ｅｘｐ （−μｍ ｔｎ）
ここで、１１、Ｉ２、＋３・・・１ｍおよびμｍ、Ｉ２
、／７３．、、、μｍはそれぞれ一定幅の波長帯におけ
るエックス線量および前記エックス線減衰膜のその波長
帯における吸収係数である。
（−／７２ ｔｌ）＋Ｉ３ ｅｘｐ （−Ｉ３ ｔｌ
） ４．．．．１ｍ ｅｘｐ （−，１７ｍ １１）Ｆ
２＝１１ ｅｘｐ （−μｍ ｔ２＞ ＋Ｉ２ ｅｘｐ
（−Ｉ２ ｔ２）＋１３ ｅｘｐ （−１１３ｔ２）
４．．．．１ｍ ｅｘｐ （−１１ｍ ｔ２）Ｐ３＝
ｒｌ ｅｘｐ （−μｌ ｔ３） ＋Ｉ２ ｅｘｐ （
−／７２ ｔ３）＋ １３ ｅｘｐ （−Ｉ３ ｔ３）
＋ 、、、、Ｉｍ ｅｘｐ （−ｐ ｍ ｔ３）Ｐｎ
＝ ＩＩ ｅｘｐ （−μｍ ｔｎ） ＋ Ｉ２ ｅｘ
ｐ （１１２ｔｎ）＋ ＋３ ｅｘｐ （−Ｉ３ ｔ
ｎ） ４．．．．１ｍ ｅｘｐ （−μｍ ｔｎ）
ここで、１１、Ｉ２、＋３・・・１ｍおよびμｍ、Ｉ２
、／７３．、、、μｍはそれぞれ一定幅の波長帯におけ
るエックス線量および前記エックス線減衰膜のその波長
帯における吸収係数である。
上式の各項におけるｅｘｐ （−μｌ ｔｉ） 、ただ
しｊ＝１．２．３．、、、 ｍＸｉ ＝ １．２．３．
、、、、ｎ 。
しｊ＝１．２．３．、、、 ｍＸｉ ＝ １．２．３．
、、、、ｎ 。
は既知数であるのでｍ−ｎの場合には上式より１１、Ｉ
２．１３．、、、Ｉｍを求めることができる。すなわち
、波長帯の分割の詳しさに応じて、必要の数の検知器と
エックス線減衰膜とを設けることにより、スペクトル分
布を求めることができるわけである。
２．１３．、、、Ｉｍを求めることができる。すなわち
、波長帯の分割の詳しさに応じて、必要の数の検知器と
エックス線減衰膜とを設けることにより、スペクトル分
布を求めることができるわけである。
したがって、あらかじめ前記演算回路４にμｌおよびｔ
ｉの値を与えておき、各検知器の出力信号を入力すれば
各波長帯ごとのエックス線量■１、Ｉ２、＋３．、、、
ｌ＋ｎが自動的に求められモニター装ｗ５に出力される
。
ｉの値を与えておき、各検知器の出力信号を入力すれば
各波長帯ごとのエックス線量■１、Ｉ２、＋３．、、、
ｌ＋ｎが自動的に求められモニター装ｗ５に出力される
。
なお、モニター装置５としてはディスプレイあるいはプ
リンターのいずれでもよく、またディジタル表示あるい
は波長帯−線量のグラフ表示のいずれでもよい。
リンターのいずれでもよく、またディジタル表示あるい
は波長帯−線量のグラフ表示のいずれでもよい。
また、検知器として半導体検知器を用いる場合には、複
数の検知器をアレイ状に集積し、それらのエックス線入
射側表面に厚さの異なる、例えばニッケル等の膜を形成
することにより、小型の検知器とエックス線減衰膜とが
一体化された検知器を構成することができる。
数の検知器をアレイ状に集積し、それらのエックス線入
射側表面に厚さの異なる、例えばニッケル等の膜を形成
することにより、小型の検知器とエックス線減衰膜とが
一体化された検知器を構成することができる。
（ｇ）発明の効果
本発明によれば、ガスプラズマ型のエックス線源のよう
に、エックス線がパルス状に発生される場合においても
精確なエックス線スペクトルを測定することができる。
に、エックス線がパルス状に発生される場合においても
精確なエックス線スペクトルを測定することができる。
また、エックス線スペクトル測定を短時間に、かつ容易
に自動化して行うことが可能となり、高密度集積回路の
製造におけるエックス線露光等の実用化を促進できる効
果がある。
に自動化して行うことが可能となり、高密度集積回路の
製造におけるエックス線露光等の実用化を促進できる効
果がある。
図は本発明に係るエックス線スペクトル測定装置の概要
を示す図である。 図において、１はエックス線源、２１．２２．２３．。 １．２ｎは検知器、３はエックス線減衰膜、４は演算回
路、５はモニター装置、６はエックス線である。 ４９９−
を示す図である。 図において、１はエックス線源、２１．２２．２３．。 １．２ｎは検知器、３はエックス線減衰膜、４は演算回
路、５はモニター装置、６はエックス線である。 ４９９−
Claims (1)
- エックス線源に対し複数の検知器を設け、該エックス線
源と該複数の検知器との間に、それぞれの検知器ごとに
厚さの異なるエックス線減衰膜を設けたことを特徴とす
るエックス線スペクトル測定装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15152482A JPS5940285A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | エックス線スペクトル測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15152482A JPS5940285A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | エックス線スペクトル測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5940285A true JPS5940285A (ja) | 1984-03-05 |
| JPH0515996B2 JPH0515996B2 (ja) | 1993-03-03 |
Family
ID=15520394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15152482A Granted JPS5940285A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | エックス線スペクトル測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5940285A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998038530A1 (en) * | 1997-02-28 | 1998-09-03 | Gammex-Rmi Limited | Measuring the energy output of x-ray sources |
| GB2337112A (en) * | 1997-02-28 | 1999-11-10 | Gammex Rmi Limited | Measuring the energy output of x-ray sources |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56151377A (en) * | 1980-04-26 | 1981-11-24 | Toshiba Corp | Semiconductor radiation detector |
| JPS5763464A (en) * | 1980-07-29 | 1982-04-16 | Bikutoriin Inc | Radiant energy measuring apparatus |
-
1982
- 1982-08-31 JP JP15152482A patent/JPS5940285A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56151377A (en) * | 1980-04-26 | 1981-11-24 | Toshiba Corp | Semiconductor radiation detector |
| JPS5763464A (en) * | 1980-07-29 | 1982-04-16 | Bikutoriin Inc | Radiant energy measuring apparatus |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998038530A1 (en) * | 1997-02-28 | 1998-09-03 | Gammex-Rmi Limited | Measuring the energy output of x-ray sources |
| GB2337112A (en) * | 1997-02-28 | 1999-11-10 | Gammex Rmi Limited | Measuring the energy output of x-ray sources |
| GB2337112B (en) * | 1997-02-28 | 2000-12-13 | Gammex Rmi Ltd | Measuring the energy output of x-ray sources |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0515996B2 (ja) | 1993-03-03 |
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