JPS5941475A - 放電処理装置における放電状態監視装置 - Google Patents
放電処理装置における放電状態監視装置Info
- Publication number
- JPS5941475A JPS5941475A JP15171282A JP15171282A JPS5941475A JP S5941475 A JPS5941475 A JP S5941475A JP 15171282 A JP15171282 A JP 15171282A JP 15171282 A JP15171282 A JP 15171282A JP S5941475 A JPS5941475 A JP S5941475A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge
- devices
- detecting
- state
- output signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、スパッタ装置やエツチング装置等の放電処
理装置における放電を検出し、その状態を判定し、さら
にはその放電も制御できるようにした放１Ｌ状態監視装
置に関するものである。
理装置における放電を検出し、その状態を判定し、さら
にはその放電も制御できるようにした放１Ｌ状態監視装
置に関するものである。
従来、この種の放電処理装置において放電の発生したこ
とを確認するためには覗窓を通しての目視によるか或い
は整合のとれていることを確認するしか方法がなかった
。このため自動化された装置では放電発生の確認が重要
であるにもかかわらず、放電の確認をしないで次のシー
ケンスに移ることが行なわれてきた。
とを確認するためには覗窓を通しての目視によるか或い
は整合のとれていることを確認するしか方法がなかった
。このため自動化された装置では放電発生の確認が重要
であるにもかかわらず、放電の確認をしないで次のシー
ケンスに移ることが行なわれてきた。
そこでこの発明の目的は、従来用いられてきた視覚的な
手法に代って放電処理装置における放電状態を監視する
装置を提供し、特に自動化された装置における上記欠点
を解消できるようにすることにある。
手法に代って放電処理装置における放電状態を監視する
装置を提供し、特に自動化された装置における上記欠点
を解消できるようにすることにある。
この目的のためこの発明の一つの特徴によれば、スパッ
タ装置やエツチング装置等の放電処理ｉｆにおける放電
を検出する放電検出装置と、この放電検出装置の出力信
号を処理して放電処理装置内の放電状態を判定する回路
装置とから成る放電状態監視装置が提供される。
タ装置やエツチング装置等の放電処理ｉｆにおける放電
を検出する放電検出装置と、この放電検出装置の出力信
号を処理して放電処理装置内の放電状態を判定する回路
装置とから成る放電状態監視装置が提供される。
放電検出装置としては、放電処理装置内に設けられプラ
ズマ電位を検出するシングルまたはダブルプローブ、放
電処理装置から離れて位置しその内部におけるプラズマ
から発生する光を放電処理装置に設けた覗窓全通して検
出するフォトセンサ（光電池、フォトダイオードやフォ
トマル等）或いは放電印加電圧の直流分を検出するセル
７ノ々イアス検出器を用いることができる。
ズマ電位を検出するシングルまたはダブルプローブ、放
電処理装置から離れて位置しその内部におけるプラズマ
から発生する光を放電処理装置に設けた覗窓全通して検
出するフォトセンサ（光電池、フォトダイオードやフォ
トマル等）或いは放電印加電圧の直流分を検出するセル
７ノ々イアス検出器を用いることができる。
またこの発明の別の特徴によればスパッタ装置やエツチ
ング装置等の放電処理装置における放電を検出する複数
個の異なる放電検出装置と、これらの放電検出装置のう
ちの任意の一つを選択する切換装置と、選択された放電
検出装置からの出力信号を処理して放電処理装置内の放
電状態を判定する回路装置とから成る放電状態監視装置
が提供される。
ング装置等の放電処理装置における放電を検出する複数
個の異なる放電検出装置と、これらの放電検出装置のう
ちの任意の一つを選択する切換装置と、選択された放電
検出装置からの出力信号を処理して放電処理装置内の放
電状態を判定する回路装置とから成る放電状態監視装置
が提供される。
またこの発明のさらに別の特徴によれば、上記回路装置
の出力信号に基いて放電発生用トリガ電源の動作を制御
する制御装置が設けられる。
の出力信号に基いて放電発生用トリガ電源の動作を制御
する制御装置が設けられる。
以下この発明を添附図面を参照して実施例について説明
する。
する。
図面においてｌは放電処理装置の真空槽、その内部には
放電電極コ、３が示されている。放電電極コは整合回路
弘を介して几Ｆ電源ｊに接続されている。またｔはトリ
ガ電極で、放電発生用トリガ電源７に接続されている。
放電電極コ、３が示されている。放電電極コは整合回路
弘を介して几Ｆ電源ｊに接続されている。またｔはトリ
ガ電極で、放電発生用トリガ電源７に接続されている。
ｌは真空槽ｌ内に挿置嘔れ、プラズマ電位（数＋ボルト
）を検出するプローブであシ、りは真空槽／に設けられ
た覗窓で、それと対向した位置にはとの覗窓りを介して
プラズマから発生した光を検出するフォトセンサＩＯが
設けられている。／ｌは電極２と整合回路、≠とをｉぶ
回路に接続され、放電印加電圧の直流分を検出するセル
フバイアス検出器である。プローブざ、フォトセンサｌ
Ｏ２よびセルフバイアス検出器／／はそれぞれ増幅器／
２．／３．／ＩＩを介して切換装置／ ｊに接続され、
この切換装置／ｊの出力側端子は比較器／６の一方の入
力に接続され、またこの比較器／６の他方の入力には基
準信号発生器１７が接続烙れている。この基準信号発生
器１７は発生する基準電圧を任意に設定できるように構
成されて′いる。比較器ｌ乙の出力はリレー駆動回路／
Ｉに接続され、このリレー駆動回路ｉｔは放電発生用ト
リガ電源７の動作を制御するよりに作用する。
）を検出するプローブであシ、りは真空槽／に設けられ
た覗窓で、それと対向した位置にはとの覗窓りを介して
プラズマから発生した光を検出するフォトセンサＩＯが
設けられている。／ｌは電極２と整合回路、≠とをｉぶ
回路に接続され、放電印加電圧の直流分を検出するセル
フバイアス検出器である。プローブざ、フォトセンサｌ
Ｏ２よびセルフバイアス検出器／／はそれぞれ増幅器／
２．／３．／ＩＩを介して切換装置／ ｊに接続され、
この切換装置／ｊの出力側端子は比較器／６の一方の入
力に接続され、またこの比較器／６の他方の入力には基
準信号発生器１７が接続烙れている。この基準信号発生
器１７は発生する基準電圧を任意に設定できるように構
成されて′いる。比較器ｌ乙の出力はリレー駆動回路／
Ｉに接続され、このリレー駆動回路ｉｔは放電発生用ト
リガ電源７の動作を制御するよりに作用する。
このように構成された装置の動作においては放電検出装
置を成すプローブＪ、７オトセンサ１゜およびセル７ノ
々イアス検出器ｉｉはそれぞれ真空４１ｉ１ ／内にお
ける数＋ボルトのプラズマ電位、プラズマ発光および放
電印加電圧の直流分を検出し、これらの検出信号はそれ
ぞれ組合さった増幅器／コ、／Ｊ、／≠で増幅され、そ
して図示実施例ではこの中から切換装置ｌｊで選択され
た検出信号が比較器１６へ送られ、基準信号発生器１７
からの基単電圧と比較され、放電処理装置の真空槽／内
の放電状態を判定する。この場合図示実施例では三つの
放電検出装置を用いているが、本質的には対象とする放
電処理装置の種類に応じてそれに最も適した放電検出装
置を少なくとも一つ設ければよいことが認められる。
置を成すプローブＪ、７オトセンサ１゜およびセル７ノ
々イアス検出器ｉｉはそれぞれ真空４１ｉ１ ／内にお
ける数＋ボルトのプラズマ電位、プラズマ発光および放
電印加電圧の直流分を検出し、これらの検出信号はそれ
ぞれ組合さった増幅器／コ、／Ｊ、／≠で増幅され、そ
して図示実施例ではこの中から切換装置ｌｊで選択され
た検出信号が比較器１６へ送られ、基準信号発生器１７
からの基単電圧と比較され、放電処理装置の真空槽／内
の放電状態を判定する。この場合図示実施例では三つの
放電検出装置を用いているが、本質的には対象とする放
電処理装置の種類に応じてそれに最も適した放電検出装
置を少なくとも一つ設ければよいことが認められる。
このように、この発明の装置によれば、放電処理装置内
における放電状態を確認することができるので、放電処
理装置の歩留シを向上させることができる。また放電発
生用トリガ電源の動作を検出結果に基いて制御できるよ
うにすることが可能なので、装置の自動化に役立ち、そ
して極部異常放電の検出等に用いて自動化のためのセン
サとして利用することができる。ζらに、プラズマ利用
装置に応用した場合にはプラズマ発生を確実に確認する
ことができるので、スパッタやエツチング装置以外にも
プラズマ０ＶＤ等の自動装置に使用することができる。
における放電状態を確認することができるので、放電処
理装置の歩留シを向上させることができる。また放電発
生用トリガ電源の動作を検出結果に基いて制御できるよ
うにすることが可能なので、装置の自動化に役立ち、そ
して極部異常放電の検出等に用いて自動化のためのセン
サとして利用することができる。ζらに、プラズマ利用
装置に応用した場合にはプラズマ発生を確実に確認する
ことができるので、スパッタやエツチング装置以外にも
プラズマ０ＶＤ等の自動装置に使用することができる。
図面はこの発明の一実施例を示すブロック線図である。
図中、ｌ・−・真空槽、ｌ・・・プローブ、ＩＯ・・・
フォトセンサ、ｌｌ・・・セルフバイアス検出器、／！
・・・切換装置、／４・・・比較器、／Ｉ・−・リレー
駆動回路。
フォトセンサ、ｌｌ・・・セルフバイアス検出器、／！
・・・切換装置、／４・・・比較器、／Ｉ・−・リレー
駆動回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ スパッタ装置やエツチング装置等の放電処理装置に
おける放電を検出する放電検出装置と、この放電検出装
置の出力信号を処理して放電処理装置内の放電状態を判
定する回路装置とを有することを特徴とする放電処理装
置における放電状態監視装置。 ２ 放電検出装置が、放電処理装置内に設けられプラズ
マ電位を検出するプローブから成る特許請求の範囲第１
項に、記載の装置。 ３、 放電検出装置が、放電処理装置から離れて位置し
該装置内におけるプラズマから発生する光を上記放電処
理装置の覗窓を通して検出するフォトセンサから成る特
許請求の範囲第１項に記載の装置。 弘 放電検出装置が放電印加電圧の直流分を検出するセ
ルフバイアス検出器から成る特許請求の範囲第１項に記
載の装置。 よ スパッタ装置やエツチング装置等の放電処理装置に
おける放電を検出する複数個の異なる放電検出装置と、
これらの放電検出装置のうちの任意の一つを選択する切
換装置と、選択された放電検出装置からの出力信号を処
理して放電処理装置内の放電状態を判定する回路装置と
を■することを特徴とする放電処理装置における放電状
態監視装置。 乙、 スパッタ装置やエツチング装置等の放電処理装置
における放電を検出する放電検出装置と、この放電検出
装置の出力信号を処理して放電処理装置内の放電状態を
判定する回路装置と、この回路装置の出力信号に基いて
放電発生用トリガ電源を制御する制御装置とを肩するこ
とを特徴とする放電処理装置における放電状態監視装置
。 Ｚ スパッタ装置やエツチング装置等の放電処理装置に
おける放電を検出する複数個の異なる放電検出装置と、
これらの放電検出装置のうちの任意の一つを選択する切
換装置と、選択された放電検出装置からの出力信号を処
理して放電処理装置内の放電状態を判定する回路装置と
、この回路装置の出力信号に基いて放電発生用トリが電
源を制御する制御装置とを有することを特徴とする放電
処理装置における放電１状態監視装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15171282A JPS5941475A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 放電処理装置における放電状態監視装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15171282A JPS5941475A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 放電処理装置における放電状態監視装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5941475A true JPS5941475A (ja) | 1984-03-07 |
Family
ID=15524620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15171282A Pending JPS5941475A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 放電処理装置における放電状態監視装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5941475A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5969965U (ja) * | 1982-11-02 | 1984-05-12 | 日本電子株式会社 | グロ−放電発生装置 |
| US5160402A (en) * | 1990-05-24 | 1992-11-03 | Applied Materials, Inc. | Multi-channel plasma discharge endpoint detection method |
| US5198072A (en) * | 1990-07-06 | 1993-03-30 | Vlsi Technology, Inc. | Method and apparatus for detecting imminent end-point when etching dielectric layers in a plasma etch system |
| JPH05230652A (ja) * | 1991-01-30 | 1993-09-07 | Shibaura Eng Works Co Ltd | スパッタリング装置 |
| WO1994014183A1 (de) * | 1992-12-17 | 1994-06-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur durchführung von stabilen niederdruck-glimmprozessen |
| JP2001262355A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-26 | Applied Materials Inc | プラズマｃｖｄ装置およびその異常検出方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5231985A (en) * | 1975-09-08 | 1977-03-10 | Ulvac Corp | Apparatus of detecting generation of glow electric discharge and indic ating alignment state |
-
1982
- 1982-09-02 JP JP15171282A patent/JPS5941475A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5231985A (en) * | 1975-09-08 | 1977-03-10 | Ulvac Corp | Apparatus of detecting generation of glow electric discharge and indic ating alignment state |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5969965U (ja) * | 1982-11-02 | 1984-05-12 | 日本電子株式会社 | グロ−放電発生装置 |
| US5160402A (en) * | 1990-05-24 | 1992-11-03 | Applied Materials, Inc. | Multi-channel plasma discharge endpoint detection method |
| US5198072A (en) * | 1990-07-06 | 1993-03-30 | Vlsi Technology, Inc. | Method and apparatus for detecting imminent end-point when etching dielectric layers in a plasma etch system |
| JPH05230652A (ja) * | 1991-01-30 | 1993-09-07 | Shibaura Eng Works Co Ltd | スパッタリング装置 |
| WO1994014183A1 (de) * | 1992-12-17 | 1994-06-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur durchführung von stabilen niederdruck-glimmprozessen |
| JP2001262355A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-26 | Applied Materials Inc | プラズマｃｖｄ装置およびその異常検出方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110491767B (zh) | 具有高动态范围操作的多打拿极倍增器的质谱仪 | |
| JPH0628141B2 (ja) | イオン注入のための注入量の測定及び均一性のモニタリング装置 | |
| KR101120350B1 (ko) | 오류 검출 및 처리 제어를 위한 플라즈마 이온 주입모니터링 시스템 | |
| JP3211388B2 (ja) | ストレー光検出システム | |
| US3488675A (en) | Method and apparatus for control of high voltage corona discharge in electrostatic dust separators | |
| JP4206598B2 (ja) | 質量分析装置 | |
| HK17387A (en) | Automatic kinescope biasing system with increased interference immunity | |
| US4123775A (en) | Apparatus and method for adjusting the color temperature of a television receiver | |
| US12224168B2 (en) | Mass spectrometer and mass spectrometry method | |
| JP2000357487A (ja) | 質量分析装置 | |
| FR2380556A1 (fr) | Procede et appareillage de controle de circuits electroniques par faisceau d'electrons | |
| GB752971A (en) | Improvements in and relating to control systems responsive to x-ray emission | |
| US3003065A (en) | Electron multiplier tube circuits | |
| US4722006A (en) | Clamp circuit for a video signal processor | |
| KR100804557B1 (ko) | 유기이엘 디스플레이의 평가장치 및 평가방법 | |
| JPH0455329B2 (ja) | ||
| GB2184851A (en) | Alternator phase signal detecting device | |
| JPH09133567A (ja) | マルチセレクト水位検知装置 | |
| US4084090A (en) | Automated mass spectrometer analysis system | |
| JP3154831B2 (ja) | 誘導結合プラズマ質量分析装置 | |
| JPH0991557A (ja) | 光電式煙感知器 | |
| JPH0611445A (ja) | 光強度測定装置 | |
| JPS61147524A (ja) | 電子ビ−ム露光装置のブランキング回路 | |
| JPH0216558A (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
| JPH0666292B2 (ja) | プラズマ処理制御方法及び装置 |