JPS594206A - マイクロストリップ円偏波アンテナ - Google Patents
マイクロストリップ円偏波アンテナInfo
- Publication number
- JPS594206A JPS594206A JP11202682A JP11202682A JPS594206A JP S594206 A JPS594206 A JP S594206A JP 11202682 A JP11202682 A JP 11202682A JP 11202682 A JP11202682 A JP 11202682A JP S594206 A JPS594206 A JP S594206A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiating element
- strip lines
- dielectric substrate
- radiating elements
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
- H01Q9/04—Resonant antennas
- H01Q9/0407—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna
- H01Q9/0428—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna radiating a circular polarised wave
- H01Q9/0435—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna radiating a circular polarised wave using two feed points
Landscapes
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、誘電体基板上に設けられた導体膜によって放
射素子と給電用のストリップ線路を形成した、いわゆる
マイフロストリラグ構造の円偏波アンテナに関する。
射素子と給電用のストリップ線路を形成した、いわゆる
マイフロストリラグ構造の円偏波アンテナに関する。
従来のこの種のマイクロストリップ円偏波アンテナは、
一般に第1図(a) (b)に示すように構成されてい
る。即ち誘電体基板l上に方形状導体膜からなる放射素
子2と90°・・イプリッドカグラ4および2本のスト
リップ線路5.6が被着形成されており、90°ノ・イ
ブリ、ドカグラ4の一方の端子には無反射終端器8が取
付けられ、また90°ハイブリツドカプラ4の出力側と
ストvyfm路6.6との間に整合回路9が挿入されて
いる。なお、誘電体基板ノの裏面には接地導体膜7が被
着形成されている。
一般に第1図(a) (b)に示すように構成されてい
る。即ち誘電体基板l上に方形状導体膜からなる放射素
子2と90°・・イプリッドカグラ4および2本のスト
リップ線路5.6が被着形成されており、90°ノ・イ
ブリ、ドカグラ4の一方の端子には無反射終端器8が取
付けられ、また90°ハイブリツドカプラ4の出力側と
ストvyfm路6.6との間に整合回路9が挿入されて
いる。なお、誘電体基板ノの裏面には接地導体膜7が被
着形成されている。
このアンテナでは、給電端3から信号を入れルト90°
ハイブリッドカグラ4から振幅が等しく位相の90°ず
れた2つの出力が整合回路9を介してストリップ線路5
,6に供給されるが、それぞれのストvツノ線路5,6
は放射素子2の隣接した辺の中央部に接続されているた
め、放射素子2上にはストリップ線路5によシ励振され
る電流とストリップ線路6により励振される電流が互い
に直交して流れることにより、放射素子2上に円偏波が
励振される。
ハイブリッドカグラ4から振幅が等しく位相の90°ず
れた2つの出力が整合回路9を介してストリップ線路5
,6に供給されるが、それぞれのストvツノ線路5,6
は放射素子2の隣接した辺の中央部に接続されているた
め、放射素子2上にはストリップ線路5によシ励振され
る電流とストリップ線路6により励振される電流が互い
に直交して流れることにより、放射素子2上に円偏波が
励振される。
しかしながら、このような円偏波アンテナでは、放射素
子2およびストリップ線路5,6以外に90°ハイブリ
ツド力ノラ4、無反射終端器8、整合回路9等が必要と
なシ、1つの素子に対して必要とする面積が大きくなっ
てしまう。
子2およびストリップ線路5,6以外に90°ハイブリ
ツド力ノラ4、無反射終端器8、整合回路9等が必要と
なシ、1つの素子に対して必要とする面積が大きくなっ
てしまう。
この結果、コスト高になるばかシでなく、損失が増大し
、良好な特性が得にくい。またアレイアンテナを構成す
る際に、放射素子の設計位置が大きな制約を受けてしま
う等の製作上の難点もあった。
、良好な特性が得にくい。またアレイアンテナを構成す
る際に、放射素子の設計位置が大きな制約を受けてしま
う等の製作上の難点もあった。
本発明の目的は、小型、安価で特性的にも良好で、さら
にアレイ化にも適したマイクロストリップ円偏波アンテ
ナを提供することである。
にアレイ化にも適したマイクロストリップ円偏波アンテ
ナを提供することである。
本発明は、給電端からT分岐を介して90°の位相差を
持つ電流が流れるように2本のストリップ線路を分岐さ
せ、これらのストリップ線路を放射素子の対向する2辺
に近接して形成して放射素子に分布結合させ、さらにこ
れらのストリップ線路の終端を誘電率を考慮した波長を
λyとしたとき、λg/4の長さの差を設けて開放させ
るか、もしくは一方の終端を短絡することによって、円
偏波が放射されるようにしたものである。
持つ電流が流れるように2本のストリップ線路を分岐さ
せ、これらのストリップ線路を放射素子の対向する2辺
に近接して形成して放射素子に分布結合させ、さらにこ
れらのストリップ線路の終端を誘電率を考慮した波長を
λyとしたとき、λg/4の長さの差を設けて開放させ
るか、もしくは一方の終端を短絡することによって、円
偏波が放射されるようにしたものである。
本発明によるマイクロストリップ円偏波アンテナでは、
誘電体基板上に設けられる要素は基本的に放射素子およ
びストリップ線路と簡単なT分岐のみでよく、また無反
射終端器も不要なので、小型かつ安価となる。また、こ
れに伴い電気的損失が少なくなり、特性の向上を図るこ
とができる。さらに、スペースファクタの向上により放
射素子の位置の制約が少なくなるので、アレイアンテナ
を実現する場合も製作上有利となる。
誘電体基板上に設けられる要素は基本的に放射素子およ
びストリップ線路と簡単なT分岐のみでよく、また無反
射終端器も不要なので、小型かつ安価となる。また、こ
れに伴い電気的損失が少なくなり、特性の向上を図るこ
とができる。さらに、スペースファクタの向上により放
射素子の位置の制約が少なくなるので、アレイアンテナ
を実現する場合も製作上有利となる。
第2図は本発明の一実施例を示すもので、誘電体基板1
ノ上に方形状導体膜からなる放射素子12とT分岐14
およびマイクロストリップm路15.16が被着形成さ
れている。ノ3は給電端である。まだ誘電体基板11の
裏面には、接地導体膜17が被着形成されている。
ノ上に方形状導体膜からなる放射素子12とT分岐14
およびマイクロストリップm路15.16が被着形成さ
れている。ノ3は給電端である。まだ誘電体基板11の
裏面には、接地導体膜17が被着形成されている。
ストリップ線路15.16は放射素子12の対向する辺
に近接して形成され、放射素子12と分布結合している
。ここでストリップ線路15.16の終端は、使用周波
数において誘電体基板1ノの誘電率を考直した波長、つ
まり誘電率により与えられる波長短縮率を考慮した波・
長を2gとしたとき、λg/4の長さだけずらせて開放
されている。またストリップ線路15゜16のT分岐1
4から放射素子12までの部分の長さは誘電体基板1ノ
の誘電率を考慮して、両ストリクグの線路15.16を
流れる電流の位相差が90°になるように異ならせであ
る。また、放射素子12の形状は一辺の長さをλg/2
とする正方形となっている。
に近接して形成され、放射素子12と分布結合している
。ここでストリップ線路15.16の終端は、使用周波
数において誘電体基板1ノの誘電率を考直した波長、つ
まり誘電率により与えられる波長短縮率を考慮した波・
長を2gとしたとき、λg/4の長さだけずらせて開放
されている。またストリップ線路15゜16のT分岐1
4から放射素子12までの部分の長さは誘電体基板1ノ
の誘電率を考慮して、両ストリクグの線路15.16を
流れる電流の位相差が90°になるように異ならせであ
る。また、放射素子12の形状は一辺の長さをλg/2
とする正方形となっている。
この円偏波アンテナの動作を説明する。給電端13より
入った入力信号は、T分岐14によp等振幅が同相で・
ストリップ線路15 +、 16に分配される。ここで
ストリップ線路ノ5側においては、点Fから放射素子1
2側を児だインピーダンスがT分岐14側を見たインピ
ーダンスと整合するように放射素子ノ2とストリップ線
路15との間の間隔およびストリッツ線路ノ5の幅を選
ぶと、ストリップ線路15と放射素子12との結合が誘
導性結合になシ、スl−IJタッグ路15の放射素子J
2との結合部分の中央Aが電流最大となる。このとき第
3図(a)に示すようにストリッツ線路J5と平行な方
向の電流11が放射素子12上に励振され、電界は放射
素子12のストリップ線路15と直交している辺と接地
導体膜17間に発生する。
入った入力信号は、T分岐14によp等振幅が同相で・
ストリップ線路15 +、 16に分配される。ここで
ストリップ線路ノ5側においては、点Fから放射素子1
2側を児だインピーダンスがT分岐14側を見たインピ
ーダンスと整合するように放射素子ノ2とストリップ線
路15との間の間隔およびストリッツ線路ノ5の幅を選
ぶと、ストリップ線路15と放射素子12との結合が誘
導性結合になシ、スl−IJタッグ路15の放射素子J
2との結合部分の中央Aが電流最大となる。このとき第
3図(a)に示すようにストリッツ線路J5と平行な方
向の電流11が放射素子12上に励振され、電界は放射
素子12のストリップ線路15と直交している辺と接地
導体膜17間に発生する。
一方、ストリップ線路モ
リップ線路ノロがストリップ線路J5の開放端に対応す
る点Gから放射素子12より遠ざかる方向にλ&/4延
長した点で開放になっている7tめストリップ線路15
の開放端に対応する点Gで電流最大になる。したがって
、ストリップ線路16の放射素子12との結合している
部分の中央Bが電圧最大となる。このときストリップ線
路ノロと放射素子12との結合は容量結合となるため、
第3図(b)に示すようにス) IJッゾ線路16と直
交する方向の電流工2が放射素子12上に励振され、電
界は放射素子12のストリップ線路ノロと平行な辺と接
地導体膜17間に発生する。そしてこの電界は、ストリ
ップ線路ノロのT分岐14からの距離が位相90°に和
尚する長さだけストリップ線路15より長くなっている
ので、その位相が第2図(a)での電界より90°遅れ
ている。このようにストリップ線路15.16によって
放射素子ノコ上に励振される電流はそれぞれ方向が直交
し、また振幅が等しく、位相が90°ずれているので、
放射素子ノ2から円偏波が放射されることになる。
る点Gから放射素子12より遠ざかる方向にλ&/4延
長した点で開放になっている7tめストリップ線路15
の開放端に対応する点Gで電流最大になる。したがって
、ストリップ線路16の放射素子12との結合している
部分の中央Bが電圧最大となる。このときストリップ線
路ノロと放射素子12との結合は容量結合となるため、
第3図(b)に示すようにス) IJッゾ線路16と直
交する方向の電流工2が放射素子12上に励振され、電
界は放射素子12のストリップ線路ノロと平行な辺と接
地導体膜17間に発生する。そしてこの電界は、ストリ
ップ線路ノロのT分岐14からの距離が位相90°に和
尚する長さだけストリップ線路15より長くなっている
ので、その位相が第2図(a)での電界より90°遅れ
ている。このようにストリップ線路15.16によって
放射素子ノコ上に励振される電流はそれぞれ方向が直交
し、また振幅が等しく、位相が90°ずれているので、
放射素子ノ2から円偏波が放射されることになる。
本発明は種々変形して実施が可能で、例えばストリップ
線路15と16にλ/l/4の長さの差を設ける代りに
、両線路を同じ長さとし、一方の線路の終端を短絡して
も全く同様の結果が得られる。
線路15と16にλ/l/4の長さの差を設ける代りに
、両線路を同じ長さとし、一方の線路の終端を短絡して
も全く同様の結果が得られる。
また、本発明をアレイアンテナに適用する場合は、例え
ば放射素子を2本のス) IJツブ線路の間に誘電体基
板のλIの間隔で配置すればよいO勿論ストリップ線路
を3本以上平行に配列し、それらの間に放射素子を配置
してもよい。
ば放射素子を2本のス) IJツブ線路の間に誘電体基
板のλIの間隔で配置すればよいO勿論ストリップ線路
を3本以上平行に配列し、それらの間に放射素子を配置
してもよい。
第1図(&) (b)は従来のマイクロストリップ円偏
波アンテナの平面図およびx −x’矢視断面図、第2
図(a) (b)は本発明の一実施例に係るマイクロス
トリップ円偏波アンテナの平面図およびX−X′矢視断
面図、第3図(a) (b)は同実施例の動作を説明す
るための各ストリップ線路に対応する放射素子上の電流
方向を示す図である。 11・・・誘゛亀体基板、12・・・放射素子、13・
・・給電端、14・・・T分岐、15・・・ストリップ
線路、16・・・ストリップ線路、17・・・接地導体
膜。 第1図 □−1 第2図 (a) J (b)
波アンテナの平面図およびx −x’矢視断面図、第2
図(a) (b)は本発明の一実施例に係るマイクロス
トリップ円偏波アンテナの平面図およびX−X′矢視断
面図、第3図(a) (b)は同実施例の動作を説明す
るための各ストリップ線路に対応する放射素子上の電流
方向を示す図である。 11・・・誘゛亀体基板、12・・・放射素子、13・
・・給電端、14・・・T分岐、15・・・ストリップ
線路、16・・・ストリップ線路、17・・・接地導体
膜。 第1図 □−1 第2図 (a) J (b)
Claims (1)
- 誘電体基板上に方形状導体膜からなる放射素子を形成す
るとともに、給電端がらT分岐を介して90°の位相差
を持つ電流が流れるように分岐された2本のストリップ
線路を前記放射素子の対向する2辺に近接して形成して
放射素子に分布結合させ、これらのストVツノ線路の終
端を前記誘電体基板の誘電率を考慮した波長を2gとし
たときλg/4の長さの差を設けて開放させるか、もし
くは一方の終端を短絡したこと金゛特徴とするマイクロ
ストリップ円偏波アンテナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11202682A JPS594206A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | マイクロストリップ円偏波アンテナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11202682A JPS594206A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | マイクロストリップ円偏波アンテナ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS594206A true JPS594206A (ja) | 1984-01-11 |
| JPH0363241B2 JPH0363241B2 (ja) | 1991-09-30 |
Family
ID=14576134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11202682A Granted JPS594206A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | マイクロストリップ円偏波アンテナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS594206A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS645620A (en) * | 1987-06-27 | 1989-01-10 | Furukawa Aluminium | Production of seamless extruding hollow stock |
| US6292140B1 (en) * | 1999-11-03 | 2001-09-18 | Hypres, Inc. | Antenna for millimeter-wave imaging and bolometer employing the antenna |
| CN102877831A (zh) * | 2012-10-23 | 2013-01-16 | 淮南润成科技股份有限公司 | 矿用钻孔深度监测装置 |
-
1982
- 1982-06-29 JP JP11202682A patent/JPS594206A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS645620A (en) * | 1987-06-27 | 1989-01-10 | Furukawa Aluminium | Production of seamless extruding hollow stock |
| US6292140B1 (en) * | 1999-11-03 | 2001-09-18 | Hypres, Inc. | Antenna for millimeter-wave imaging and bolometer employing the antenna |
| CN102877831A (zh) * | 2012-10-23 | 2013-01-16 | 淮南润成科技股份有限公司 | 矿用钻孔深度监测装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0363241B2 (ja) | 1991-09-30 |
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