JPS5942171A - 一方向凝固鋳型 - Google Patents

一方向凝固鋳型

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JPS5942171A
JPS5942171A JP58034300A JP3430083A JPS5942171A JP S5942171 A JPS5942171 A JP S5942171A JP 58034300 A JP58034300 A JP 58034300A JP 3430083 A JP3430083 A JP 3430083A JP S5942171 A JPS5942171 A JP S5942171A
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    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
    • B22D27/00—Treating the metal in the mould while it is molten or ductile ; Pressure or vacuum casting
    • B22D27/04—Influencing the temperature of the metal, e.g. by heating or cooling the mould
    • B22D27/045—Directionally solidified castings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22C—FOUNDRY MOULDING
    • B22C9/00—Moulds or cores; Moulding processes
    • B22C9/02—Sand moulds or like moulds for shaped castings
    • B22C9/04—Use of lost patterns
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/14—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
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  • Molds, Cores, And Manufacturing Methods Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、鋳造に係り、更に詳細には単結晶物品を一方
向凝固に−C製造づる方法及びそれに使用されるqh型
に係る。
一方向凝固法は、凝固界面を杼I瀾にて充!眞された鋳
型内を通して徐々に移動さけるべく制御された冷7Jl
 f7、を用い−U th造づる方法である。かかる−
h向凝固法の高度の実施例に於ては単結晶物品が≦’A
造される1、石川4T形状を右づる単結晶物品を鋳造づ
る方法は幾゛つか存在づる。それらの何れに於−(ム凝
固界面は鋳型内を通って移動4る。しかし所望の単結晶
組織とプる方法は種々のものが存在リル。米国特r1第
1 、793 、672号ニ/I/V(LJ、狭い通路
及び種結晶を″切用することが記載されている。本発明
は種結晶に関づるものではなく、複数の柱状晶にり一つ
の柱状晶を選定しそれを物品の単結晶組織どして伝播成
長さけるという前)小の米国特許に於て使用され現在で
は当技術分野に於’T−一般的に使用され−(いる原理
に基くものである1、一つの方法に於ては、鋳型は一つ
の結晶粒のみが成長により通過し得るJ:う小さくされ
た通路を右している。米国性r[第3,494.7’0
9号及び同第3.536.’+ 21@に於ては、鋳型
に段【)られたジクリ7り状の通路ににり複数の柱状晶
より一つの(1状晶が迅速に選定される改善されlch
法が記載されている。
より洗練された方法に於ては、米国特Fl第4゜111
、”252号及び同第4.133,368号に記載され
ている如く、通路の形状どして螺旋形状が使用される。
螺旋形状は商業的に広く使用されている。事実鋳型はデ
ルブレー1〜」ニに載置されたスタータキャビディ内 を有しζいる。加熱された鋳型が溶湯にて充填されると
、スタータキャビディ内に流入した溶湯はブルブしノー
【−に接触づる領域に於て瞬間的に凝固する。しかし鋳
型は高温状態にあるので、かかる溶湯の凝固はデルプレ
ー1〜より鋳型の長手方向に泊って短い距離の範囲内に
於てのみ進行りる。しかる後例えば鋳型を高温炉より引
き抜くことにより、温度勾配が鋳型の長さ方向に沿って
徐々に移動けしめられる。このことにより凝固界面がt
′tj型内を通して移動せしめられ、最初に凝固した金
属にリコ、ビラ4;シVル成長した柱状晶が形成される
、。
面心立りのニッケル超合金に於ては、[’0’01]方
位を’4’i 71る結晶は他の方位を右型る結晶より
も迅速に成長する。かくして[’OO11方位を右づる
(]状晶は他の方位を有J−る4]状晶より抜は出T 
。
スタータの最十部に於て螺旋通路内に侵入する。
典型的には凝固界面は物品の主軸線に沿つ−C移動ぜし
められ、従って[001]方位は主要な結晶学的方位と
呼ばれる。凝固界面が鋳型の螺旋状レクション内を移動
する際には、凝固界面は物品の主+1’lll線に垂直
な平面をなづ状態にて移1FJJ tJシめられる。か
くして螺旋通路は[’O’01]方位を右する多結晶状
態の柱状晶を単結晶凝固界面に転J!it!づる。この
ことに関しては、1982年1月27日付にて出願され
本願出願(人と同一の譲受人に譲渡された米国特許出願
第343,084号を参照されたい。凝固界面は螺旋通
路を通過し1=後物品キ亀・ビアイ内に侵入し、所望の
物品を形成すべく物品キVビデイ内に於(し凝固界面は
更に移動ぜしめられる。
一般に上述の如き構造をイjする鋳型も多結晶組織では
なく単結晶組織を生成する点に於−C良好に機能す゛る
。しかし螺旋状通路に関し富に困tlIな点が存イ[づ
る。例えば螺旋状部分を沫比較的脆弱であり、製造が困
難なものである。例えば前)ホの米国時ff第4.13
3.:368号及び同第11..111゜252号を参
照されたい。また螺旋管がレラミツク支持ロンドの周り
に巻き(=、I tJられることを開示している米国特
許第4.180.1 ’I ’−)弓を参照されたい。
かかる螺旋管を使用する一般的な目的は、スタータキV
ビフイ、螺tie t、@部分及びこれらに関連づるM
4造休の垂直力向高さを最小限に抑えることである。何
故ならば、鋳造後に廃棄されるゲーティングとは対照的
に、物品を郭定する鋳型(こC炉を充填することにより
炉の使用可能な垂直力向高さを効率的に使用することが
望ましいからである。しかしスタータキPヒデイ及び螺
旋状通路をコンパクトにし且チルブレー1−に近い(f
/置に保持層る場合には、これらの部材を加熱すること
に関し問題が発生する。例えば国際出願第0,03/1
,021号にはスタータキャビラーイ及び螺旋管の周り
に断熱材を使用することが記載されている、。
甲結晶技術がカスタービンエンジンの超合金製タービン
シレー1へやベーンの製造に於て良く知られたものにな
るにつれて、新たな発見がなされている。これらの発見
には旧来及び新たな問題の解決と同様、以前に【;ノ、
明白でなかった重要な点の認識が含まれ−(いる。nr
i iホの米国特許第3,494゜7092′Jには、
[’O’01 ]結晶軸が7ル−トの主@線即Jう長子
方向軸線に対し20’の範囲にて整合された石川な超合
金製甲結晶タービンブレードが記載されている。[’O
’01]軸はガスタービンブレードに付与されるクリー
プ強さ及び熱疲労性の相合けが優れたものになるのでり
rましい。しかし前述の米国時8′Fに記載されている
如き±20゜という広い範囲に比して[’001]軸が
部Hの主軸線とJ、り一層if: MCに整合している
ことが求めlうれることが多い。更に[’0 ’01 
]結晶軸の力位の変動により部材の機械的挙動の変動が
発生されることがある。従クーC鋳造金属のf、 ’0
01 ]軸又は他の結晶軸を部材の所定の軸線とより一
層正確に整合させることが一つの一般的’、* [目的
どなってさている。即ち従来より知られたスタータ及び
螺旋通路を使用して1qられる結晶軸ど部材の軸線との
整合の精度は更に一層改善される必要がある。
本発明の目的は、tR”lhされた物品の主軸線に対づ
る所望の結晶軸の整合の程度を改善づることCある。特
に本発明の目的は、ニラクル超合金部月の長手方向l軸
線(U造に際し凝固界面はこれに沿って移動けしめられ
た)よりの[’o Ol II M品軸のずれの程度を
低減することである。
本発明ににれば、凝固界面の形状(よぞれが鋳型のスタ
ータセクション内を通つ−(−移動する際に廿意深く制
御される。単結晶部材を一方向凝固にJ:って鋳造して
いる間に、帖型内に於(jる熱伝達条件を制御゛するこ
とにより、凝固界面はそれが鋳型のスタータを通って移
動しけレフターセクション内に侵入する際により一層平
面に近付りにうにされる。本発明の好ましい実施例に於
ては、鋳型は段部を右し二つのサブセクションに分割さ
れたスタータセクションを右している。螺旋状のけレク
タ−1ごクショ]ンに近い第一のリブセクションはプル
プレー1−に当接する第二の(ノブセクションに比して
容積に対りる表面積の比が比較的高い。レレクターレク
ションの入口の幅は該廿しクターレクシ]ンに接続され
たスタータセクションの第一一のりブしクシコンの幅よ
りも小さいもの′Cな(プればならない。前述の鋳型の
り一層はクシコン間の容積関係は重要lあることが解っ
ている。第二の1)ブしクシコンの容積はスタータセク
ションの全容積の52〜%)8%、好ましくは75〜8
5%で’、> Itノれ[3工ならない。j二に第一の
リブセクションのl1qh i皇方向長さは第二のリブ
セクションの軸線方向長さJ2りも人さいことが好まし
い。
第二のり゛ブレクシコンはそれに流入する溶湯がスター
タセクションを充分に加熱し得るに充分な容積をスター
タセクションに与える。スタータヒクシ」ンの第一のリ
ブセクションの横断面積が小さいことによりより一層好
ましい熱伝達条件が可能にされ、第一のり゛ブレクシコ
ンを通過する凝固界面がより一層平面的なものにされる
。金属学的検査により、社状品成長は上述の如きスター
タはクシコンによってその性格が変化され、セレクター
はクシコンに到達する結晶粒4J容積が同一である横断
面積一定の従来のスタータセクションが使用された場合
にりも鋳型の長手)j同軸線により一層整合されること
が解っている。円錐形のスタータも使用されてよいが、
スタータは第一二のリブセクションの隣接覆る軸線方向
に延びる壁より測定しICC会合幅長さが少なくともQ
、(3cmである段部を有していることが好ましい。ニ
ラクル単用合金に゛ついては、スタータは約5cmの全
高を有していることが好ましく、第一のり一層セクショ
ンは1゜6−/amの高さをイjし−くいることが好J
、しく、第二のり一層セクションは1.6〜2.50m
の高さを有していることが好ましい。第一のサブセクシ
ョンの幅G;L0,6〜l、6cmであり、第二のザブ
セクションの幅は2.5〜5cmであることが好81:
シい。
本発明の構造を改善されたスタータは−での全高が実質
的に増大されていないの(゛効率的である。
結晶学的り位のずれは本JP明にJ、れば従来技術に於
L−Jる値の約半分に低減される。また改善されたスタ
ータは容易に旧単純に製)鐵され1qるものである。
jストに添(=Jの図を参照しつつ、本発明を実施例に
つい″′C訂細に説明づる。
これまり木光明を米国時W[第4,209,348号及
び同第4,222.794号に記載されIζ合金の如き
単結晶ニッケル超合金をレラミック鋳型内にて一方向凝
固にJ:すvt造づることに関し説明ηる。、シかし本
発明は1111の月利を@造づる場合にも適用可能なも
のである。一方向凝固の一般的千続さが例えば米国特γ
1第3./194.709弓、同第3,7633,92
6号、同第4,190.’094号の如き特11′1文
献や技術文献に広く記載されている。
−h1rjJ凝固法に於ては、凝固界面(本明細書に於
ては液相の等混線とほぼ形状が対応しCいるものとづる
)が、ジル−1ン、シリカ、アルミ−ノ、又はそれらの
混合物の如き耐火セラミックにC形成されIJ鋳型内を
移動(!シめられる。鋳造に際し−(は種結晶が使用さ
れても使用されなくでもよいが、本明細書に於ては種結
晶を使用しないで鋳造物品を形成する場合につい(説明
する。一般にvt型は凝固界面がJ:ず等軸晶成長し、
次いで柱状晶に゛C成長し、更に単結晶にで成長づるよ
う構成されている。結晶の形態変化は凝固界面の移動と
凝固界面が通過しなければならない鋳型の形状により達
成される。
第1図は間口端22を右する鋳型2oを示しており、鋳
型20は開口6N22にてプールプレー1・24に当接
し−Cいる。鋳型20は三つの主要なセクションよりな
っており、鋳型のベース部に於て(よデルプレート24
に近接したスタータはクシコン26を有している。スタ
ータセクション2Gにはセレクターセクション28が接
続され一’C’ d3す、セレクターセクション28は
螺旋状をなしでいる。
セレクターしクシコン28にtよ物品セクション30が
接続されて(13す、物品はクシコン30は所望の物品
形状を郭定づる形状を有している。本明細出に於てtJ
、説明の目的で′、物品セクション30はセレクターセ
クション28よりも上方の部分全体をいうものとする。
この定義は説明を簡明化覆るためのらのである。何故な
らば、ロレクターセクシ=1ン263よりも上方の部分
は通常遷移レクシ円ン32及び押湯セクション34を含
んでいるかうである。遷移セクション32は物品セクシ
ョン30に侵入した単結晶が横方向に膨張して成長する
ことを可能ならしめるlcめのちのであり、押湯セクシ
ョン34はvi造工程中に溶湯のためのリザーバを与え
るためのものである。一般に押湯セクション34を経て
加熱された鋳型内に導入された溶湯liL物品しクショ
ン30及びけレクタ−しクシコン28を経てスタータセ
クション26内へ流入し、該セレクターしクシコン内に
於てデルプレート24と接触づる。溶湯の一部はチルブ
レー1・24ど接触して非常に迅速に凝固づる。しかる
後鋳型がそれを収容する炉に対し相対的に移動ししめら
れ、これにより鋳型の長手方向軸線に冶っ゛(温度勾配
が移動され、これによりスタータセクション26内に於
C柱状品が生成される。柱状晶の成長界面はスタータセ
クション26よりセレクターセクション28内へ移動す
る。セレクターセクション28内に於ては凝固界面の速
度ベクトルはZ軸に沿って移動しつつ、それがZ軸の方
向に垂直な平面に投影してみた場合Z@の周りに回転す
る。
セレクターセクション28の螺旋形状により惹起こされ
るかかる運動により柱状晶成長より単結晶成長に転換さ
れる。この点については、1982年1月27日付にて
出願され本願出願人ど同一の■受入に譲渡された米国時
γ(出願第343,084号を参照されたい。
111純な円筒形のスタータを右W ?)鋳型を用い−
c1参考写真1に示されている如き多数の柱状物品が従
来技術によって形成された。面心立りのニッケル超合金
が一方向凝固にて鋳造される場合には、[001]結晶
軸は結晶成長の方向にほぼ平行であるか、叉【よ第1図
に示された鋳型の場合には物品の7軸にほぼ平行である
。しかし調査により、多数の鋳型にて#h造を行った結
果によれば、結晶軸と結晶成長方向との間の整合には変
動があることが解った。かかる変動が生じる質囚は明白
ひはイ丁い1、しかし本発明により得られた知見によれ
ば、方位のずれた、即j5傾斜された柱状晶も螺旋状の
レレクターレクシ、−jン内に侵入づることができ、セ
レクターセクションを経て成長して方位のずれた柱状の
甲結晶が形成されることは明らかである。
かくして問題はしレフターセクション内に於て生じる(
1状晶の方位の変動を如何に低減するがということにな
った。
第1図は結晶学内方1イlのす゛れを低減ηる階段構造
を右づるスタータセクションを示している。スタータセ
クション26は第2図に詳細に示され−Cいる如く、第
一のサブセクション36とデルプレー 1−2 /Iの
近1チフに位置し第一のり”ブセクションより大ぎいサ
ブセクション38とよりなっている。
スタータレクレヨン26内には二つの4j−JL!クシ
ョンの接合部に段部48が存在する。段部48は軸線に
垂直な鋳型の一部をなしくおり、該段部は第二の奢ナブ
セクション38の外壁39より半径方向内方へ距離1に
C延イlしている。。
鋳造物品が第1図及び第2図に示された構造の鋳型を用
いて製造された場合には、実質的な改善が認めIEI)
れた。このことは下記のデータにJ、り示され−Cいる
。本願発明者等は、直径約3.2’cm、高さ/1.c
mの直線円筒形のスタータを用いで形成されIC物品を
、l軸り向の全長11が約4cm’+:あり、長さ(−
(1が約2.5C…であり直径が約1,3cIIlであ
る第一のサブセクション36と長ざ112が約1゜(3
0mFあり直径が約3.2cmである第二の畳ナプセク
ション38とを右向る本発明の一つの好ましいスタータ
を用いて形成された物品と比較した。各スタータには6
二つの巻回よりなる螺り、を状のヒレフタが取(t L
:Jられており、螺旋状のセレクタは前述の米国特許出
願第343.0848に記載されている如く、約1cm
の螺旋直径を右し、約2cmのピッチを右し、約0.7
0mの通路同径を右りる−しのCあった。
米国特i′1第1I、222.79/I号型の合金鋳造
物品の結晶学的15位が、J−aue X線回折法を使
用しく物品の中心近傍の横断平面の中心(こ於1M11
定された。方位は[001]結晶軸と物品のl軸との間
の角度を測定りることによって法定された。
1aue法に通じた人には解る如く、×及びy方向のザ
゛れが測定され、ぞれらの値が角度値じ)に転換される
。第3図に示されたデータは本発明ににれり、r /’
j位の変動が大きく低減されることを示し【いる。また
結晶学的方位のメジアンが約9°から約4,5°へより
一層Oに近いずれに修正される。参考写真1Gは従来技
術のスタータ内にて凝固した物品に典型的な結晶粒組織
を腐食して示して43す、この参考写真1より、図示の
相様は粗く概ね重油に延在しくいることが解る。これに
対し参考写真2は本考案のスタータ内にて凝固した物品
の結晶粒組織を示している。この参考写真2より。
より大きい第二のリーブセクシ三1ン内にて形成されノ
〔れ34品粒1g+織はその底面より同一の距離に於け
る参考写真1の結晶粒組織と同様であるが、直径の小さ
い第一のりブヒクション内にて形成された結晶粒組織は
はるかに洗練されIおり狙垂直に延在していることが解
る。
第4図は段部を有するスタータ1にクション内にて凝固
した金属の中火縦断面を示してJ3す、本発明によれば
如何に結晶学的改善がなされるかを理解する手助けとな
るものぐある。図に於Cは結晶粒組織が示され(おり、
これは結晶学的組織とは異なるものであるが、面心立方
のニッケル合金の場合tこは[00’1 ]結晶軸は実
質的に結晶成長方向と整合していることが経験的に解っ
ている。第4図に於て、デルブレー1〜2/Iに接触し
IC金属40は実質的に等軸晶組織を右しでいることが
解る。
第二のリプセクション38内に於C凝固した金属/12
は、等軸晶40より成長を開始しく#R型内の溶湯を通
し゛(湿度勾配を移動させること(こよって形成された
り勤向的な杓状晶である。柱状晶金属を2内に於てはよ
り一層迅速に成長づる[ 001 ]の結晶が好ましく
ない方位、即ち[001]以外の方位よりI友Gノ出て
いる。線$1は凝固界面が第一のリブセクション338
内を移動しCいる際に川われる凝固界面の名目的な形状
を示している。第4図J、す、凝固界面は名目的な半径
R1を有する窪み形であることが解る。凝固界面の形状
は81紳(米国持g+1第11.190,094弓参照
)によっ(も、また凝v1界而に対し実質的に垂直な(
↑状晶成長パターンによっても決定され1qる。[1状
品は、す10クシヨン38内の金属42の半径方向外り
部に於ては半径lJ向内方へ傾斜し−(いる。チルブレ
ー1−2 /1近傍に於りる熱伝達現象は複雑であるの
−C゛、凝固界面の形状に1厳密には解らない場合が多
い。凝固界面はリガ型的なスタータ内の1ツジに於て」
−りへ湾曲しく、j3す、filJら凝区(界面のTツ
ジは(4状晶が中央へ向けて傾斜し又いることより解る
如くその平均高さJこりも高い。しかし内部はより一層
複雑な構造である。本発明の原理は鋳造結束に反映りる
の又、本明細ii;に於−(は本願光明者等の理解する
ところを最も良く反映した−っの単llTlな例を〒示
して本発明の詳細な説明覆る。
直径の小さい第一のナブ廿りション36内の金属44の
結晶粒組織は異なった外観を有しくいる。
結晶粒は鋳型のl軸とにリ一層整合しており、このこと
はスタータの直径の大ぎい第二のリーブはクレヨン38
内に於りる凝固界面よりもより一層甲面に近い凝固界面
S2と対応している。
凝固界面の凹状形状は主に鋳型の外面Jζり熱が除去さ
れる一方向凝固率の高い鋳造に特徴的なことである。従
って本発明による改良されたスタータにより1りられた
結果の分析にJ、れば、第一の91セクシヨン゛3Gの
l!i径を小さくすることによりJ、り一層平面的な1
疑固シヤ而を生成さ」県、これにJ:り凝固界面がしレ
フター廿りシ1ン28の孔/′I6に侵入Jる際にh”
 (−Jる結晶学的り位を7軸にJ:リ一層整合させる
ことがCきる。
本発明の一般的なし−Fに於ては、凝固界面はそれがセ
レクターしクシコン28内に侵入Jる前により一層平面
的仔ものにされる。凝固界面が平面的になればなる稈柱
状晶の[001Jの方(i’、Iはl軸により一層整合
覆る。本発明に於てはこのことは熱伝達条件をより一層
好ましい条件にし、セレクタ−セクションに接続された
部分に於けるスタータヒフシコンの直径を低減すること
によって達成される。熱伝達を変化さぜJ:た凝固界面
がセレクターセクション内を移動する際に於ける凝固界
面の形状を変化ざぜる他のh法も考慮されてよい。
本願発明者等は本発明にかかる段部を右する円筒形l?
I!造が最も単純で最も優れた構造であると考える。ス
タータの第一のり一プレクションこ36の容積に対づる
表面積の比が第二のリブセクション38の容積に対りる
表面積の比よりも大きい限り8、本発明の鋳型構造とは
異なる鋳型構造によっても木51明の[1的を達成Jる
ことがl′□きる。尚ここに表面積とは鋳型の内壁の円
周にイのセクションの単位長さを乗じた(1「1を意味
する。また容積どは中位長さの部分の内容積を意味Jる
。
本発明に於て使用し得る円筒形スタータの比率についC
は既に説明した。第2図に於て、仝高ト1は4〜5cn
+でなりればならない。この全高よりも大きいスタータ
も機能づるが、そのようなスタータは一1二連の如く望
ましいものて′はない。第二のリブセクション38の高
さト12.は約1,6〜2.5CI11、好ましくはl
、Qcmでな(プればならり゛、第一のリブセクション
36の高さト(1は約1.6へ・4C111、好ましく
は2.5CII+でな(ノればならない。第二の丈ブセ
クション38の直径W2は約2.5〜5cn+、好まし
くは3.2cmでなければならない。
この直径W2は上述の値よりも大きいものであってもよ
いが、直径が大きくなるとスタータの横方向寸法が一般
的な物品の横方向寸法に比しではるかに大きい実際的な
限界に近付く3.鋳造に要する金属を低減Jるという点
からは直径W2は小さい方が好ましい。第一のリブしク
シ三1ン36の直径W1は人き過ぎ−Cはならず、直径
W1は約0.6〜1.(3cm、好J、しくは′1,3
cmでなりればならない。直径W1が大き過ぎると、結
晶学的組織に関し所望の改善を得ることができない。逆
に直径W1が小さ過ぎると、鋳型が跪弱になり、追加の
支持装置が使用されな番ノればならない。直径W1が1
C01又はそれ以FT:ある場合には、理由は不明であ
るが結晶粒の方位が幾分が不適当なものになる。更にヒ
レフタ−セクション28の通路の横方向jJ法は、該セ
レクターセクション内に侵入づる(1状晶の数をできる
だり少なくして結晶学的品質を史に改善覆るためには、
スタータの第一のサブセクション36の横方向=J法よ
りも小さいものでな(〕ればならない。この要!lによ
り第一のリブセクション3Gの1径W1の最zlいJ法
が更に制限される。何故ならば、実際にはセレクターセ
クション28の直径は一般に少なくともQ、5cmはな
ければ4Tらないからである。
スタータの第一のザブセクション36と第二のりプレシ
ジヨン38との間の容積関係は重要である。実際の如何
イ蒙る状況に於ても、Mi型のスタータはクシ1ン26
は鋳型の他の部分よりも平均的に見てより低調である。
鋳型を溶湯に(充填リ−る際にスタータはクシ三]ンに
流れ込んだ溶湯にJ:す、スタータセクションに顕然が
匈えられる。かかる理由から、スタータは過剰の溶湯を
受りるに充分な容積を有していなければならず、それ故
従来の円筒形のスタータは必然的に2.5cm又はイれ
以上の高さ及び直径を有していた。横力向の寸法が一様
で小さいスタータはそれが充分に長く形成されたもので
ない限り効率的には機能しない。しかし炉の有用性が低
減されまた鋳型が脆弱になるという点に於て、幅が小さ
く高さが大きいスタータは非効率的である。
本発明による段部を右するスタータに於て所要の容積と
ずべく1ナブセクシヨンを大きくしたのは−V述の如き
理由による。本発明によれば、スタータの容積は少なく
とも約6.4111m’である。第二のサブセクション
3Bの容積はスタータの全容積の52〜98%、好まし
くは75〜85%でなければならない、、第ニーの→リ
ブセクションが11常に大きく旧長い極端な場合には、
第一のザブはクションの直径及び長さは小さく、第一の
ザブセクションの容積はスタータの全容積の98%にも
なる。
ミラ2%の値は」−)ボのJ:うな\1法条1′1の場
合には悪い状態を表わしている。当然の結果として、第
一の1ノブピクシヨン36の容積はスタータキャビディ
の全容積の2−・48%でなりればなら4工いどいえる
。
断面形状が正方形、長方形、楕円、又は他の形状Cある
鋳型も使用されてよい。Cれらの鋳型も円1Ij)形の
スタータについて上述した平均寸法を有しCいることが
好ましい。チルプレート54に接触する端部52より先
細り状をなす第5図に示されている如き円錐形のスター
タセクション50にJ、っCも改善されIc v3果を
得ることができるものと思われる。しかし、この場合4
qられる改善は上)ボした本gし明の好ましい実施例に
よる場合より゛し小さかった。デーパ状のスタータセク
ション56にも第1図に示されCいる如き横り向に延在
Jる部分/I8a、即ら段部を設けることが重要である
。
スタータの外周縁、特にデルプレート近傍の特旨Jの壁
面58に於ては、一般にかなりの核(その成長は第1図
に於て符842にて示されている如く典型的な柱状晶よ
りのエピタキシャル成長ではない)が発生づる。スター
タが段部をイjしない円錐形である場合には、かなりの
数の結晶核がセレクターセクションヘ向()゛C伝播成
長しようどづる。
本願発明者等が行った実験によれば、直線的な側壁を右
Jるスタータの幅は、l軸に垂′@なt1径り向に測定
して(第2図に於てLにて示されでいる)少なくとも9
.6cmでなりればならない。
本明細書に於て示された一ブ)向凝固に於りる一般的な
熱力学的IJ?i狸は単結晶が必要どけされていない柱
状晶成長鋳造物品に於Cも有用である。またそれらの原
理は本発明の方法にJ:れば任意の凝固界面に於tJる
結晶学的変動を低減するという点に於て、種結晶を使用
覆る場合に−b′4]用である。
以上に於ては本発明を特定の実施例について詳細に説明
したが、本発明はかがる実施例に限定されるものではな
く、本発明の範囲内にて種々の実施例が可能であること
は当業者にどって明らが−(あろう。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による鋳型の縦断面図である、。 第2図は第1図に示された鋳型のスタータセクジョンを
示づ拡大部分縦断面図である。 第3図は本発明を(、″L来技(むと対比して結晶学的
方位のデータを示すグラフである。 第4図は参考写真2に示されている如き鋳造物。 品が鋳型内に配置された状態のままにてその縦断面の結
晶学的組織を示す第2図と同様の11断面図である。 第55図は円錐形のスタータセクションを示J第2図と
同様の縦断面図である。 第0図は水平方向の段部を41覆る円錐形のスタータセ
クションを示す第5図と同様の縦断面図である。 参考写真1は従来技術の鋳型のスタータJ:り取出され
柱状晶を示すべく腐食された鋳造された金属体を示す′
り真である。 参考′l)′真2は木琵明による昌ハ1シのスタータよ
り取出された金属鋳造体を承り参考写真1と同様の写真
である。 20・・・鋳型、22・・・開目端、24・・・デルシ
レー1−.26・・・スタータセクション228・・・
セレクター1クション、30・・・物品セクション、3
2・・・遷移セクション、34・・・押湯セクション、
36・・・第一のザブセクション、38・・・第二のザ
ブセクション、39・・・外壁、40・・・等軸品、4
2.44・・・金属、46・・・孔、48・・・段部、
50・・・スタータセクション、52・・・端部、54
・・・デルプレー1〜,56・・・スタータセクション
、58・・・壁面特W1出願人  二しナイテッド・ブ
クノ[」シーズ・二1−ボレイション 代  理  人    弁  理  士    明  
イコ  昌  毅図面の浄(!](内容に変更なし) F/G6 (方 式)(自 発) 手続補正門 1、小イ′1の表示 11j(相58)目!f:j1 
m+h> 03 /1300 月2、光明の名称 一方面凝固法及び#Jf!v! 3、?l+l1il−をJる省 事1′1どの関係  特Y1出願人 11  所  アメリカ合衆Iη丁1ネブカツi〜州、
バー1−フィード、フィノーンシ1シル・ブラザ 1 名 称  コライテッド・テ//、/ r+ジーX゛・
:1−ポレイション4、代理人 居 所  〒1()4東京都中央区新川1丁目5番19
号茅鴨町艮岡ビル3階 電話55L−4171(方 式
)  特開昭59−42171<9)1、事件の表示 
昭和5851特許願第034300弓2、発明の名称 一方向凝固法及び鋳型 3、補正をする者 事件どの関係  特誇出願人 住 所  アメリカ合衆国=1ネブノJット州、バー1
−フA−ド、フィナンシレル・ブラザ 1 名 称  二しナイデッド・デクノロシース′・=1−
ボレイション4、代理人 居 所  〒104東京都中央区新川1丁115番19
号茅場町長岡ビル3階 電話551−4171昭和58
年8月10日(lli(和58年8月3 ’01”:i
発送)(1)明細内の下記の部分の1′参考写真1」を
「第7図」と補正づる(6箇所)。 第14頁 第17行 第17頁 第13行、i15行 第18頁 第1行 第27頁 第13行、第17行 (2)明wI用の下記の部分の「参考写真2」をV第8
図」と補正づる(4箇所)。 第17貞 第16行へ・第17行、第18行第27頁 
第4行、第16行 (3)明細内の下記の部分の「写真」を「外観図」と補
正覆る(2i所)。 第27頁 第15行、iI!1ε3行 </I)参考写真1及び参考写真2を添付の第7図及び
第ε)図1こでれぞれ補正する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (”I ) −一方向凝固される鋳造物品の長手方向軸
    線に対づるその結晶方位を改善する方法であって。 スタータセクションJ二り物品レクションまで凝固界面
    を鋳型内を通して前記長手方向軸線に沿って連続的に移
    動されることを含む方法に於て、前記鋳型の前記スター
    タはクシコン内へ溶湯を注湯することと、前記鋳型内に
    て前記溶湯をデルブレー1−に当接さけて凝固ざUるこ
    とと、凝固界面をデル化されlご表面J:り前記スター
    タセクション内を通して移動さけて第一の形状を右づる
    界面にて結晶成長さけることと、前記界面が前記スター
    タセクションの端部に近イ1くとき熱伝達条件を変化さ
    tIC前FjL界面に第二の形状を付与し、これにより
    前記第二の形状を前記第一の形状に比してより一層平面
    に近い形状にでることと、前記界面を前記鋳型の前記物
    品セクションを通して移動さけることとを含/υでいる
    ことを特徴とする方法。 (2)単結晶物品を鋳造覆るだめの鋳型で゛あって、前
    記物品を郭定する物品セクションと、前記物品レクショ
    ンに接続され柱状晶成長を単結晶成長に転換さけ゛るた
    めのけレフターセクションと、前記しレフターセクショ
    ンに接続されl〔第一の端部及び溶湯丙に柱状晶の成長
    を行わける第二の間口端を右するスタータセクションと
    を自す゛る鋳型に於て、前記スタータセクション及び前
    記レレクターしクションの長さh向は前記鋳型の長手方
    向軸線に沿って、13す、前記セレクタ−ロクションは
    該セレクターセクションに当接する前記スタータセクシ
    ョンの横方向1法よりも横方向寸法の小さい通路を有し
    ており、前記スタータセクションは前記第一の端部に設
    (Jられた第一の1ナブセクシヨンと前記第二の開【=
    1端に設りられた第二のリーブはクションとを有し、前
    記第一のザブレクションは前記第二のりプレクションよ
    りも容積に対重る表面積の比が大きいことを特徴とする
    鋳型。
JP58034300A 1982-03-01 1983-03-01 一方向凝固鋳型 Granted JPS5942171A (ja)

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