JPS5945348A - Polyethylene terephthalate film for metallic thin film magnetic recording medium - Google Patents
Polyethylene terephthalate film for metallic thin film magnetic recording mediumInfo
- Publication number
- JPS5945348A JPS5945348A JP15583782A JP15583782A JPS5945348A JP S5945348 A JPS5945348 A JP S5945348A JP 15583782 A JP15583782 A JP 15583782A JP 15583782 A JP15583782 A JP 15583782A JP S5945348 A JPS5945348 A JP S5945348A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- polyethylene terephthalate
- magnetic recording
- thin film
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本臂明i1高密度磁気記録、ν11.体用、殊に金属薄
膜磁気記録媒体用のポリエチレンテレフタレートフィル
ムに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention i1 high-density magnetic recording, ν11. The present invention relates to a polyethylene terephthalate film for use in bodies, especially metal thin film magnetic recording media.
近年、高密度磁気記録用媒体として、バインダーを用い
ず、磁気記録塙としで金Mt薄膜を真空蒸着やスパッタ
リングのヌ【1きA空沈着法によって磁気羽村を非磁性
支持体であるポリエチレフタレートフイルム上に形成し
て、この強磁性金属を薄膜磁気記録材としたものが折率
されている。とのような蒸着、スパッタリング又はイオ
ングレーティング等の薄膜形成手段で金属薄膜を形成す
る場合、高熱に曝されるため非磁性支持体であるポリエ
チレンテレフタレートフィルムが熱変形されやすく、こ
れを回避すべくフィルムを冷却ドシムに密着せしめて吸
熱する方策が採用されている。そして、例えば7j=
k時に発生するのイオン熱(運動エネルギー、■凝縮潜
熱及び■輻射熱;スパッタリング時t(発生するイオン
熱;イオンプレーディング時に発生するのイオン熱、■
凝縮潜熱及び■輻射熱等は冷能である。もつとも、真空
下で金属がポリエチレンテレフタレートフィルム表面に
凝縮する際に、フィルムの表面は、極めて短時間である
が高温に曝され、ポリエチレンテレフタレートフィルム
内部よりポリエチレンテレフタレートのオリゴマー結晶
が、拡散析出し、磁性?W膜表面に微細な突起を形成す
ることが回避できない。In recent years, as a high-density magnetic recording medium, a thin film of Mt gold has been deposited as a magnetic recording layer without using a binder by vacuum deposition or sputtering. A thin film magnetic recording material made of this ferromagnetic metal is used as a refractive index material. When forming a metal thin film using thin film forming means such as vapor deposition, sputtering, or ion grating, the polyethylene terephthalate film, which is a non-magnetic support, is likely to be thermally deformed due to exposure to high heat. A method has been adopted in which heat is absorbed by bringing the cooling doshim into close contact with the cooling doshim. And, for example, 7j=
Ion heat generated during k (kinetic energy, ■ latent heat of condensation and ■ radiation heat; ion heat generated during sputtering; ionic heat generated during ion plating, ■
Condensation latent heat and radiant heat are cooling functions. However, when metal condenses on the surface of a polyethylene terephthalate film under vacuum, the surface of the film is exposed to high temperatures for a very short time, and polyethylene terephthalate oligomer crystals diffuse and precipitate from inside the polyethylene terephthalate film, causing magnetic properties. ? Formation of fine protrusions on the surface of the W film cannot be avoided.
このオリゴマー結晶による表面突起は、好ましくない電
磁変換特性やドロップアウトをもたらす原因となる。従
って、磁気記録媒体の表面が平滑であることが要求され
、かかるオリゴマー析出のないフィルムが要求される。Surface protrusions caused by the oligomer crystals cause unfavorable electromagnetic conversion characteristics and dropouts. Therefore, the surface of the magnetic recording medium is required to be smooth, and a film free of such oligomer precipitation is required.
本発明者は、かかる観点からオリゴマー析出のないポリ
エチレンテレフタレートフィルムについて鋭意検討した
結果、本発明に到達したものである。The present inventor has arrived at the present invention as a result of intensive studies on polyethylene terephthalate films free of oligomer precipitation from this viewpoint.
すなわち本発明は、
(1) ソルビタンエステルを0.001%〜0.2
%含有してなる金属薄膜磁気記録媒体用ポリエチレンテ
レフタレートフィルムである。That is, the present invention provides: (1) sorbitan ester in an amount of 0.001% to 0.2%;
This is a polyethylene terephthalate film for metal thin film magnetic recording media containing %.
本発明にいうポリエチレンテレフタレートは、ホモポリ
マーのみならず、繰り返し単位の数の85チ以上がエチ
レンテレフタレート単位よりなり、残シが他の成分であ
るような共重合ポリエチレンテレフタレートを含む。The polyethylene terephthalate referred to in the present invention includes not only a homopolymer but also a copolymerized polyethylene terephthalate in which 85 or more of the repeating units are ethylene terephthalate units, and the remainder is other components.
本発明においてソルビタンエステルとは、ソルビタンと
炭素数8〜22の脂肪酸とからなるエステルであり、脂
肪酸の結合数から、モノ。In the present invention, sorbitan ester is an ester consisting of sorbitan and a fatty acid having 8 to 22 carbon atoms, and is mono-ester based on the number of bonds of the fatty acid.
ジ、トリによってオ7り成されるものをいう。このうち
ソルビタンエステルとしてトリエステルが耐熱性がよく
最も好ましい。It refers to something that is accomplished by a group of people. Among these, triesters are most preferred as sorbitan esters because they have good heat resistance.
ソルビタンエステルのポリエチレンテレフタレートへの
徐加方法としては、ポリエチレンテレフタレートとトラ
イブレンドし、押出機に投入して押出製膜する方法、あ
らかじめ両者を押出機等によって混線してマスターチッ
プを造シ、このチップをソルビタンエステルを含まない
ポリエチレンテレフタレートのベレットとブレンドして
押出製膜する方法勢があるが、これらの方法に限定され
るものではない。Methods for gradually adding sorbitan ester to polyethylene terephthalate include tri-blending it with polyethylene terephthalate, feeding it into an extruder, and extruding it to form a film. There is a method of blending the sorbitan ester with a pellet of polyethylene terephthalate containing no sorbitan ester to form a film by extrusion, but the method is not limited to these methods.
ソルビタンエステルの含有量は、o、oo1%〜0.2
ti%の範囲である。前述の如き方法でソルビタンエス
テル含有ポリエチレンテレフタレートは、例えばポリマ
ー熔融温度260〜320℃で、押出機内の滞留時間が
2〜20分間表なるφ件で押出成形する。ポリエチレン
テレフタレートを押出成形するにWし、ポリマーがチッ
プ状に固化したものを使用するJQ、合にti、予め1
20℃以上、一般には160へ一170℃の温度で少な
くとも約2時間乾灯結晶化してチップ水分率がOjl
O57jj f%1%以下としたもの全溶融押出するこ
とが好ましい。The content of sorbitan ester is o, oo1% to 0.2
It is in the range of ti%. The sorbitan ester-containing polyethylene terephthalate is extruded, for example, at a polymer melting temperature of 260 DEG to 320 DEG C. and a residence time in the extruder of 2 to 20 minutes using the method described above. In JQ, when polyethylene terephthalate is extruded and solidified into chips, the polymer is solidified into chips.
Dry lamp crystallization is carried out at a temperature of 20℃ or higher, generally 160 to 170℃ for at least about 2 hours, until the moisture content of the chips reaches Ojl.
It is preferable to carry out complete melt extrusion with an O57jj f% of 1% or less.
このようKして初られた未延伸ポリエチレンプレフタレ
ートフィルムを少なくとも一方向に2.5倍以上、’
6.041″7以丁に延伸する。延伸の方法u: 、例
えばポリエチレンテレフタレートのガラス転移点(Tg
)乃至(Tg−1−s O) ℃で氾1段の延伸を行
ない、続いてζItと肉色の方向にTg〜(Tg−4−
50)1::の温度で第2段の延伸をする。The unstretched polyethylene prephthalate film thus prepared is 2.5 times or more in at least one direction.
Stretch to 6.041″7 or more.Stretching method u: For example, the glass transition point (Tg) of polyethylene terephthalate
) to (Tg-1-s O) One step of stretching is carried out at ℃, followed by Tg~(Tg-4-
50) Perform the second stage of stretching at a temperature of 1::.
更に必要に応じて@1段のブ〕向に第3段延伸を施すこ
ともできる。一方向の延伸(N−小が2.5〜6.0倍
となるよう延伸ずれはよい。Furthermore, if necessary, a third-stage stretching can be performed in the direction of the first stage. Stretching deviation in one direction is good so that N-small is 2.5 to 6.0 times.
得られたフィルムl−J:、150〜250℃の温度で
1〜60秒熱固定する。フィルム厚みは3〜100μn
L %好ましくeよ5〜75μmのものが磁気記録媒体
用支持体として好適である。Obtained film l-J: Heat set at a temperature of 150 to 250°C for 1 to 60 seconds. Film thickness is 3-100 μn
L % Preferably e is 5 to 75 μm, which is suitable as a support for magnetic recording media.
上記の方法で得られたソルビタンエステル含有ポリエチ
レンテレフタレートフィルムハ、ソの窟!由は明らかで
はないが、驚くべきと七に、蒸着、スパッタリング、イ
オンブレーティング等の薄膜形成手段で金属薄膜を形成
する場合に高熱に@されるにもかかわらず、オリゴマー
の析出が見られず、表面平滑な金属薄膜磁気記録媒体が
得られる利点がある。The sorbitan ester-containing polyethylene terephthalate film obtained by the above method is a total disaster! The reason is not clear, but surprisingly, no oligomer precipitation is observed when metal thin films are formed using thin film forming methods such as evaporation, sputtering, and ion blating, even though they are exposed to high heat. This has the advantage that a metal thin film magnetic recording medium with a smooth surface can be obtained.
ソルビタンエステル添加邦が0.001if−Qチ未満
では、オリゴマーの析出を抑えることが出来々い。ソル
ビタンエステル添加量が0.2重邦、チを超えるとオリ
ゴマーの析出を抑えることは可能であるが、混線の仕方
によっては、ソルビタンエステルの痕跡と思われる凹み
がフィルム表面に頻繁に出現する。その大きさは+b
]、 O〜100 ptrH深さ0.05〜0.211
m程度であるが、稀に巾100μ?I+、深さ0.2p
mを超える大きい本のが出現する。If the amount of sorbitan ester added is less than 0.001 if-Q, precipitation of oligomers cannot be suppressed. If the amount of sorbitan ester added exceeds 0.2 mm, it is possible to suppress the precipitation of oligomers, but depending on the manner of crosstalk, dents that are thought to be traces of sorbitan ester often appear on the film surface. Its size is +b
], O~100 ptrH depth 0.05~0.211
It is about m, but in rare cases it is 100μ in width? I+, depth 0.2p
A book larger than m appears.
このようなフィルム表面に金pf4薄膜を形成して、金
属磁気記録〃す体とした1(11に、この痕跡である窪
はドiJッグアウト(■)10 )とスrるσ)で好甘
しくない。ソルビタン−「スプル添加h1σ>or−+
しイ11iI)、囲e、l、0.004〜L1.f+
2 71i 11i % テ:k・る。A gold pf4 thin film was formed on the surface of such a film to create a metal magnetic recording body. It's not right. Sorbitan-“Spru addition h1σ>or-+
11iI), box e, l, 0.004 to L1. f+
2 71i 11i % Te:k・ru.
<y h’+ ?’h 脱M 成ノ手p、l; &J、
A 空7j: it’t 法、 ス’ :yターメツ、
又はイ埼ングレーシイングfj、等が挙t)らJするが
、これらの力θ、についてのるτ来公知の−1−べての
力が、が本¥【゛、明に:+1にIJllてきる。<yh'+? 'h De-M Narinote p, l; &J,
A sky 7j: it't method, Su': y termets,
Or, there are gracing fj, etc., but these forces θ, since τ, all the known forces are -1 IJll will come.
A 5−1b /fl:法の場r’、 v(−+よ、I
(1’ −I 0−67artの真空−1・でタンゲ
ス)゛ンボートやアルミナノ・−ス中の黙着金机(Lも
(抗加熱、 11’:+周υ・スリ11杏!i 、 N
’、子ビーム加熱等により系、発させ、上記支14体十
に沈層せしめる。歇着付属としてl;i’、 Fe、
Nl 、 G。A 5-1b /fl: Law field r', v(-+yo, I
(1'-I 0-67 art vacuum-1) Tongues in the boat or aluminum nano-base
', the system is emitted by heating the sub-beam, etc., and the layer is deposited on the 14 supports. As an intermittent attachment, l;i', Fe,
Nl, G.
及びイ゛れらの合金が通′小用いらj[る。また、本発
明にQ」0□雰囲気中で10(c足3;tさ一壮醒化鉄
71す膜をイ11る反応蒸着法も適用できる。イオンプ
レー戸イング法では、10 ’ 〜] 0−3Torr
の不活性ガスを生成とする雰囲気中で1)Cグロー放−
:、RFグロー放電を起し、族1.中で金部を蒸発さす
。and their alloys are commonly used. In addition, the present invention can also be applied to a reactive vapor deposition method in which a film of 10 (c foot 3; 0-3 Torr
1) C glow emission in an atmosphere that generates an inert gas of
:, generates RF glow discharge, Group 1. Evaporate the metal inside.
不活性ガスとしては通常Arが用いられる。スパする雰
囲気中でグロー放電、を起し、生じたArイオンでター
ゲット表面の原子をたたき出す。グロー放電を起す方法
として直流2極、3極スノくツタ法及び高周波スパッタ
θ、がある。又、マグネトロン放電を利用したマグネト
ロンスノシツタ法もある。Ar is usually used as the inert gas. A glow discharge is generated in a spa atmosphere, and the generated Ar ions knock out atoms on the target surface. Methods for generating glow discharge include direct current two-pole, three-pole snowdrop method, and high-frequency sputtering θ. There is also a magnetron sensor method that uses magnetron discharge.
磁気薄膜の厚さは高密度磁気記録媒体として充分な48
号出力を提供するものでなりれdならない。従って磁気
薄膜の厚さくハ)薄膜形成法、用途によって異なるが、
一般に0.02〜1 、511m(200〜1sooo
X )の間にある。The thickness of the magnetic thin film is 48 mm, which is sufficient for high-density magnetic recording media.
It must be something that provides signal output. Therefore, the thickness of the magnetic thin film c) varies depending on the thin film formation method and application.
Generally 0.02~1,511m (200~1sooo
It is between X).
オーティオ、ビデオ、コンピュータ等の長手記録用磁気
薄膜の形成法としてVよ、蒸yA(熱蒸着、電子ビーム
蒸着等)、スパッタリング(2極直流スパツタリング、
高周波スパッタリング等)等の方法が挙げられる。蒸着
の場合磁化容易軸をテープ水平方向に発現するようCO
等の強磁性体金属を非磁性のプラスチック支持体に対し
連続的に斜方蒸着を行ない、繰り返し積層す心ことによ
って、結晶磁気異方性、形状異方性をテープ水平方向に
発現させるものである。従ッテトータルとしテノ金N!
、?llr膜1vさld:、 0.02〜0.5μm(
200〜5000ス)相関であるOまた、」二連の如き
オーディオ、ビデメ、コンピューター等の長手配録用の
他に、高密度デジタル記録がt=J能な方法としてPC
M、 フレキシブルディスク用に、磁化容易軸を非磁
性支持体の垂直方向に発現するよう、例えばCOにCr
を適当梱混人(10〜20%)して、発生する減磁界を
抑えて垂直方向に磁化容易軸を発現させ、基熊面に対し
垂直方向に記録を行なう垂直磁気記録法も適用できる。Methods for forming magnetic thin films for longitudinal recording such as audio, video, and computers include V, evaporation (thermal evaporation, electron beam evaporation, etc.), sputtering (dipolar DC sputtering,
Examples include methods such as high frequency sputtering, etc.). In the case of vapor deposition, CO is used so that the axis of easy magnetization appears in the horizontal direction of the tape.
By continuously obliquely depositing ferromagnetic metals such as ferromagnetic metals on a non-magnetic plastic support and repeatedly laminating them, magnetocrystalline anisotropy and shape anisotropy are developed in the horizontal direction of the tape. be. Total follow-up and ten-no-gold N!
,? llr membrane 1v ld:, 0.02-0.5 μm (
In addition to long-distance recording such as audio, video, and computers, PCs are also a method that enables high-density digital recording.
M. For flexible disks, for example, Cr is added to CO so that the axis of easy magnetization is developed in the perpendicular direction of the non-magnetic support.
It is also possible to apply a perpendicular magnetic recording method in which recording is performed in the direction perpendicular to the base plane by appropriately mixing (10 to 20%) the demagnetizing field to suppress the generated demagnetizing field and to develop an axis of easy magnetization in the perpendicular direction.
通常スパッタ法でl;l:0.2〜l 、 571m埋
みのCO〜Cr合金が用いられる。この時非磁性支持体
と、垂直方向に磁化容易軸を有する磁気記録層の間にパ
ーマロイ(Fe−Ni)、スーパーマロイ等の高透磁率
月料からなる磁束集束体薄膜を配することができる。磁
束集束体としての高透磁車羽村はスパッタリングによっ
て形成され、膜厚は0.1〜xpm(tooo 〜5O
OOOX)(7)低保磁力(500(l以下)薄膜1幌
である。このときの磁気記録層のCo”−Cr膜Hは、
0.2〜1.5μr++(2000〜15000λ)程
度に形成する。Usually, a CO to Cr alloy with a thickness of 0.2 to 1 and a depth of 571 m is used by sputtering. At this time, a magnetic flux concentrator thin film made of a high magnetic permeability material such as permalloy (Fe-Ni) or supermalloy can be disposed between the nonmagnetic support and the magnetic recording layer having an axis of easy magnetization in the perpendicular direction. . The high magnetic permeability wheel as a magnetic flux concentrator is formed by sputtering, and the film thickness is 0.1~xpm (too~5O
OOOX) (7) Low coercive force (500 (l or less)) 1 ton of thin film.The Co''-Cr film H of the magnetic recording layer at this time is
It is formed to have a thickness of about 0.2 to 1.5 μr++ (2000 to 15000 λ).
このように蒸Stl スパッター等の手段で形成される
金属薄膜厚さは最大1.511mと薄く、非磁性プラス
チック支持体の不拘S■な表面状態がそのまま、または
フィルム内部より析出したオリゴマーが磁件膜tこ凹凸
を形成して表面状態を乱し、磁気記録媒体としての、電
(J3変換特性Rζ化の原因となる。In this way, the metal thin film formed by means such as steam sputtering is as thin as 1.511 m at maximum, and the unrestricted surface state of the non-magnetic plastic support remains as it is, or the oligomers precipitated from inside the film become magnetic. The film forms irregularities, disturbs the surface condition, and causes the electric (J3 conversion characteristic Rζ) of the magnetic recording medium.
電磁変換特性態化の観点から非磁性プラスチック支持体
の表面が平滑であり、しかも加熱によってオリゴマーの
析出のないフィルムであることが必要である。From the viewpoint of electromagnetic conversion characteristics, it is necessary that the surface of the nonmagnetic plastic support is smooth and that the film does not precipitate oligomers when heated.
かかる意味において本jM発明のフィルム七j1真空蒸
着法、スパッター法、イオングレーティング法といった
金属薄膜形成の手段を用いて高温に曝して金属+M71
i!を形成してもオリゴマー析出のない金属尚膜磁気記
録媒材を作製することが出来る利点を備えている。In this sense, the film 7j1 of the present jM invention is formed by exposing it to high temperature using a metal thin film forming method such as a vacuum evaporation method, a sputtering method, or an ion grating method.
i! It has the advantage that it is possible to produce a metal film magnetic recording medium material without oligomer precipitation even when it is formed.
以下に本発明のフイルノ、物f4°a11定法を示す。The Firno f4°a11 method of the present invention is shown below.
中 オリゴマー析出状況の観察
l)蒸着テープ: C,o−N1強磁性金属を斜方蒸着
した蒸着iN+を走査型電子
顕微鏡でX 51) O0倍に拡大
し1、オリゴマー析出状況を
ブランクフィルムと比較す
る。Observation of oligomer precipitation status l) Vapor deposition tape: Deposited iN+ with C, o-N1 ferromagnetic metal obliquely deposited using a scanning electron microscope. do.
2)スパッタードブ:Co−Cr強磁性金属をスパッタ
ーL、 frスパッター面を走
★゛型称子詔1徴穀で同様
X50QOイ1Sに拡大し2、オリ
ゴマー析出すメコ況をブランク
フィルムと比較する。2) Sputter dove: Co-Cr ferromagnetic metal is sputtered on the sputter L and fr sputter surfaces with a ★゛ type 1 grain and enlarged to 50 QO 1 S in the same manner. .
71− リコマー析出の状況をL−、L下の如く分類す
る:
×:オリゴマーが全面に析出1、イφ用に11えない。71- The situation of lycomer precipitation is classified as L- and L-lower: ×: Oligomer is precipitated on the entire surface 1, and 11 is not present for Aφ.
○:羽りゴマ−の析出が若干観察されるが、使用可能で
ある。◯: A slight amount of sesame precipitation is observed, but it can be used.
◎:ニオリボマー析出が殆んどなく、問題なく使用でき
る。◎: There is almost no precipitation of niolibomer and it can be used without any problem.
(11) 総合評価
優:オリゴマーの析出が殆んどなく、ドロップアウト数
も少なく、問題ないレベ
ルO
良;オリゴマーの析出が若干観察され、ドロップアウト
数もや\多いが、使用riJ能。(11) Overall evaluation: Excellent: There is almost no precipitation of oligomers, the number of dropouts is small, and there is no problem at the level O. Good: Some precipitation of oligomers is observed, and the number of dropouts is a little high, but the usable RIJ ability is good.
悪:オリゴマーの析出が多く、ドロップアウト数も多く
便用に耐えないもの。Bad: There is a lot of oligomer precipitation and a large number of dropouts, making it unsuitable for toilet use.
以下に実施例で説明するが、これらの方法に限定される
ものではない。Examples will be described below, but the method is not limited to these methods.
実施例1〜3及び比較例1〜2
実施例1〜3及び比較例1〜2は、いずれもジエチルテ
レフタレート100部及びエチレングリコール70部に
、触媒として酢酸亜鉛0.023部(0,020モル係
対ジメチルテレブタンート)を加え、150〜240℃
で4時間メタノールを留去しつつエステル交換反応を行
ない、一旦?:(温壕で冷却後、安7に剤(05化合物
のグリコール溶液)をトリメチルホスフェ−) 換n
−co、014部派加する。次に、小縮合触媒古して、
0.04部の三酸化アンチモンを添j+IJ L、、1
m8g以下の高真空で4時間1縮合反応え行ない、固
有粘度(1,65(o−クロロフェノール溶〃v、。Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 2 In each of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 2, 0.023 parts (0,020 mol) of zinc acetate was added to 100 parts of diethyl terephthalate and 70 parts of ethylene glycol as a catalyst. Add dimethyl terebutanate) and heat to 150-240℃
The transesterification reaction was carried out while distilling methanol off for 4 hours, and once... : (After cooling in a hot trench, the agent (glycol solution of compound 05) was added to A7 with trimethyl phosphate)
-co, 014 section added. Next, using a small condensation catalyst,
Added 0.04 parts of antimony trioxide j+IJ L,,1
One condensation reaction was carried out for 4 hours in a high vacuum of 8 g or less, and the intrinsic viscosity was 1.65 (o-chlorophenol soluble).
25℃測定)のポリエチレンテレフタl/ −) ライ
ブ た。Polyethylene terephthalate (measured at 25°C) was used live.
実施例1,2.3及び比較例1は、ソルビタントリステ
アlノート憂そノし−Pi1(]、o 01重隈チ。Examples 1, 2.3 and Comparative Example 1 are Sorbitan Tristea l Note Yusonoshi-Pi1(], o 01 Jukuma Chi.
0.02重、混チ、0.2東部%ジび()、3重量チポ
リエチレンデレフタレートをトライブレンドL押出機に
投入したものであZ、1、才だ比較f’lJ 2 tよ
、ソルピタントリステアレートヲ添加しないで、j 4
011mの未延伸フィルJ、 fτ!M 、i’hi
L % 桁方向に90℃で3.5倍、横方向に1()5
℃で4.0イZ′;。0.02 weight, mixed mixture, 0.2% eastern polyethylene derephthalate, 3 weight polyethylene derephthalate were charged into the Triblend L extruder. Do not add solpitan tristearate, j 4
011m unstretched fill J, fτ! M,i'hi
L % 3.5 times at 90℃ in the digit direction, 1()5 in the horizontal direction
4.0 iZ' at ℃.
逐次二軸延伸を行ない、更に210℃で30秒間熱固定
を施し、厚さ10111Hのフィルムを製造した。Successive biaxial stretching was performed, and heat setting was further performed at 210° C. for 30 seconds to produce a film with a thickness of 10111H.
なお、二軸延伸フィルムは熱固定前に次の組成の塗液を
フィルムの片面に9布した。In addition, before the biaxially stretched film was heat-set, nine coats of a coating liquid having the following composition were applied to one side of the film.
塗液の組成;
塗布量はウェットで約2.2り/−であり、固形分とし
て約0.0126 ? / m’である。Composition of the coating liquid: The coating amount is approximately 2.2 l/- in wet form, and the solid content is approximately 0.0126? / m'.
とのようにして得られたフィルムの滑り性は良好であり
、ブロッキングも発生せず、良好に捲き取れた。The film obtained in the above manner had good slipperiness, no blocking occurred, and could be easily rolled up.
このようにして得られたポリエチレンテレフタレートフ
ィルムを走行させながら、電液塗布面の反対面に3.5
X 10 ’ Torrの酸素気中で1Co、 N1
(Co80 %、 Nl 10チ)を蒸着(膜厚0.1
μnr +基盤移動速度1on/m)I、た。このよう
鈍してイクられた磁気記録媒体を1/2〃Pにスリット
しテープと(7て0.3μnrのギャップ長のリングヘ
ッドを用いて14.3 msr+ / l+ecのスピ
ード(相対スピード3.75 m/sec ) 、中心
記録波長0.83μmで記録再生し、ドロップアウト(
40μs716 dB )を測定した。While running the polyethylene terephthalate film obtained in this way, 3.5
1Co, N1 in oxygen atmosphere at X 10' Torr
(80% Co, 10% Nl) was deposited (thickness 0.1
μnr + substrate moving speed 1 on/m) I, ta. The magnetic recording medium thus blunted and ejaculated was slit into 1/2〃P and the tape (7) was slit at a speed of 14.3 msr+/l+ec (relative speed 3. 75 m/sec), recording/reproduction is performed at a center recording wavelength of 0.83 μm, and dropout (
40 μs 716 dB) was measured.
この結果を表1に示す。The results are shown in Table 1.
以上の結果から、比較例1〜2はオリゴマーの析出が多
く、ドロップアウト数も多く、特性が劣るのに対して本
発明の1:、施例1〜3は、オリゴマー析出が殆んどな
く、ドロップアウト数も少なく格段に性能が優れること
が理解される。From the above results, Comparative Examples 1 and 2 have a large amount of oligomer precipitation, a large number of dropouts, and inferior properties, whereas Examples 1 and 3 of the present invention have almost no oligomer precipitation. It is understood that the number of dropouts is small and the performance is significantly superior.
実施例4〜6.及び比較例1〜3
実施例4〜6及び比較例3〜4は、実施例1〜3比較例
1〜2で得ら・れたポリエチレンテレフタレートフィル
ムの塗液そ布面の反対1rnに、それぞれ次の順序で金
属薄j関を形成せしめたものである。Examples 4-6. and Comparative Examples 1 to 3 Examples 4 to 6 and Comparative Examples 3 to 4 were applied to the polyethylene terephthalate film obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 2, respectively, on the opposite side of the coating solution. A thin metal layer was formed in the following order.
■MO−低O−力バーマロイ層、続いて当該パーマロイ
層に■Co−Cr垂直磁化膜を以下の方法て薄WAを形
成した。(2) MO-low O-force vermalloy layer, then (2) Co--Cr perpendicular magnetization film was formed on the permalloy layer by the following method to form a thin WA.
■ λり0−パーマロイ層:1常ml”f’のMO−パ
ーマロイターゲット(N178%、Fe18%、M。■ λ-0-permalloy layer: 1 ml f' MO-permalloy target (N178%, Fe18%, M.
4φ)を使用し、DCマグネトロンスパッタ法でI X
10 ” T’orrの人r(qq、9g%)中で5
0OA/分の堆積速度0.57oys厚の膜を作製した
。得られた膜の面内方向の保磁力は約20e (ニスグ
ルデッド)であった。4φ) using the DC magnetron sputtering method.
10” 5 in T’orr’s person r (qq, 9g%)
A 0.57 oys thick film was produced at a deposition rate of 0 OA/min. The obtained film had a coercive force in the in-plane direction of about 20e (nisgurdead).
@ Co−Cr Jm : 4 mm厚のCo−Cr
合金ターゲット(Crl 7 wtφ)を使用し、DC
マグネトロンスパッタ法でI X 10 Torrの
Ar(99,99%)中で、5ooX/分の堆積速度で
0.5μm厚のCo−Cr合金膜を得た。@Co-Cr Jm: 4 mm thick Co-Cr
Using an alloy target (Crl 7 wtφ), DC
A Co--Cr alloy film with a thickness of 0.5 μm was obtained by magnetron sputtering in Ar (99.99%) at I×10 Torr at a deposition rate of 5ooX/min.
このようにして得られた磁気記録媒体を174′It]
にスリットしテープとして、0.3μ?Flのギャップ
長のリングヘッドを用いて9.5 cm / seeの
スピードで記録再生し、1「、磁変換特性(デジタルの
記録密度特性)を評価した。The magnetic recording medium thus obtained is 174'It]
Slit it and use it as a tape, 0.3μ? Recording and reproduction were performed at a speed of 9.5 cm/see using a ring head with a gap length of Fl, and the magnetic conversion characteristics (digital recording density characteristics) were evaluated.
評価基準としては、10 KBPI 記録再生時の8
/N(dB)比及び10 KBPI 記録再生時の出
力に対する5 0 KDPI 記録再生時の出力の低
下率によυ、高密度記録特性、的にノイズレベルの大き
さを評価した。The evaluation criteria is 10 KBPI, 8 during recording and playback.
/N (dB) ratio and the reduction rate of the output during 50 KDPI recording and reproducing with respect to the output during 10 KBPI recording and reproducing, the high density recording characteristics and the noise level were evaluated.
この結果を表2に示す。The results are shown in Table 2.
以上の結果から比較例3.〜4の再生出力の低下カ大き
く、ノイズレベルが劣るのに対し、本発明の実施例4〜
6の磁気記録媒体のS/N(dl’l )比は大きく、
かつノズルレベル日、格段に優れることが理Mされる。From the above results, Comparative Example 3. In contrast to Examples 4 to 4 of the present invention, the reduction in playback output was large and the noise level was inferior.
The S/N (dl'l) ratio of the magnetic recording medium No. 6 is large;
Moreover, it is believed that the nozzle level is significantly superior.
Claims (2)
1ft%を含イ〕して々る金属薄膜磁気記録媒体用ポリ
エチレンテレフタレートフィルム。(1) A polyethylene terephthalate film for metal thin film magnetic recording media containing 0.001% to 0.2% by weight of norbitane ester.
,02スJ知−カ含イ)してなる七訃訂j求のヰ′11
μJ1第1項に記載のポリエチレンテレフタレートフィ
ルム。(2) Sorbitan ester 0. (+ (14~0
, 02 (including knowledge and knowledge)
The polyethylene terephthalate film described in μJ1 item 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15583782A JPS5945348A (en) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | Polyethylene terephthalate film for metallic thin film magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15583782A JPS5945348A (en) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | Polyethylene terephthalate film for metallic thin film magnetic recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5945348A true JPS5945348A (en) | 1984-03-14 |
| JPH0149173B2 JPH0149173B2 (en) | 1989-10-23 |
Family
ID=15614576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15583782A Granted JPS5945348A (en) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | Polyethylene terephthalate film for metallic thin film magnetic recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5945348A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61126165A (en) * | 1984-11-26 | 1986-06-13 | Toray Ind Inc | Polyethylene terephthalate film |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764516A (en) * | 1980-10-07 | 1982-04-19 | Teijin Ltd | Smothened polyester film |
-
1982
- 1982-09-09 JP JP15583782A patent/JPS5945348A/en active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764516A (en) * | 1980-10-07 | 1982-04-19 | Teijin Ltd | Smothened polyester film |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61126165A (en) * | 1984-11-26 | 1986-06-13 | Toray Ind Inc | Polyethylene terephthalate film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0149173B2 (en) | 1989-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01252766A (en) | Production of x-ray amorphous aluminum nitride or aluminum silicon nitride thin layer on surface | |
| JPS6079525A (en) | Magnetic recording medium | |
| JPS61145724A (en) | Magnetic recording flexible disk | |
| US5976668A (en) | Base film for magnetic recording medium and magnetic recording medium using same | |
| JPS5945348A (en) | Polyethylene terephthalate film for metallic thin film magnetic recording medium | |
| JP2953060B2 (en) | High density magnetic recording media | |
| JPH0263256B2 (en) | ||
| JPS5945327A (en) | Polyethylene terephthalate film for metallic thin film magnetic recording medium | |
| JPS60133530A (en) | Magnetic recording medium | |
| TWI290714B (en) | Optical recording medium | |
| JPS59108028A (en) | Manufacture of polyester film for magnetic recording medium | |
| JPS6335619A (en) | Optical disk | |
| JPS60150227A (en) | Magnetic recording medium | |
| JP2763913B2 (en) | Magnetic film and method of manufacturing the same | |
| JPH053655B2 (en) | ||
| JPH0311531B2 (en) | ||
| JPS59191129A (en) | Magnetic recording medium | |
| JPH03260908A (en) | Magnetic recording medium | |
| JPH0249228A (en) | Recording media, optical discs and optical cards | |
| JPS5898843A (en) | Manufacture of magnetic recording medium | |
| JPS6138530B2 (en) | ||
| JPS62112742A (en) | Spectral reflectance variable alloy | |
| JPH0660448A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPS58171722A (en) | Manufacture of metallic thin film type magnetic recording medium | |
| JPS58116707A (en) | Magnetic recording medium |