JPS5948450B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5948450B2 JPS5948450B2 JP16731579A JP16731579A JPS5948450B2 JP S5948450 B2 JPS5948450 B2 JP S5948450B2 JP 16731579 A JP16731579 A JP 16731579A JP 16731579 A JP16731579 A JP 16731579A JP S5948450 B2 JPS5948450 B2 JP S5948450B2
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- JP
- Japan
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- substrate
- gas
- ion source
- ionized
- ferromagnetic material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は強磁性金属薄膜層を記録層とする強磁性金属
薄膜型磁気記録媒体の製造方法に関し、その目的とする
ところは特に磁気特性に優れた強磁性金属薄膜型磁気記
録媒体の製造方法を提供することにある。
薄膜型磁気記録媒体の製造方法に関し、その目的とする
ところは特に磁気特性に優れた強磁性金属薄膜型磁気記
録媒体の製造方法を提供することにある。
強磁性金属薄膜型磁気記録媒体は、通常、プラスチック
フィルムまたは非磁性金属フィルムなどのフィルム状の
基板を真空蒸着装置内に取りつけた円筒状キヤンの周側
面に沿つて移動させ、この基板に強磁性材料を真空蒸着
することによつてつ５ くられており、磁気特性に優れ
た強磁性金属薄膜型磁気記録媒体を製造する場合には、
真空槽内に防着板等を設けて強磁性材料の蒸気を基板に
対して斜め方向に差し向ける斜め入射蒸着が行なわれて
いる。
フィルムまたは非磁性金属フィルムなどのフィルム状の
基板を真空蒸着装置内に取りつけた円筒状キヤンの周側
面に沿つて移動させ、この基板に強磁性材料を真空蒸着
することによつてつ５ くられており、磁気特性に優れ
た強磁性金属薄膜型磁気記録媒体を製造する場合には、
真空槽内に防着板等を設けて強磁性材料の蒸気を基板に
対して斜め方向に差し向ける斜め入射蒸着が行なわれて
いる。
１０ところが、このような斜め入射蒸着法では、磁気特
性が向上する反面蒸着効率が極めて悪く、強磁性材料の
蒸発源より発生する蒸気流のごく一部しか利用できない
難点がある。
性が向上する反面蒸着効率が極めて悪く、強磁性材料の
蒸発源より発生する蒸気流のごく一部しか利用できない
難点がある。
このためこれを改善する方法として、真空槽内に荷電粒
子源を配設置５ し、この荷電粒子源でもつて真空槽内
のガス等をイオン化して荷電粒子とするとともにこの荷
電粒子を強磁性材料の蒸気流とともに基板に差し向け、
蒸着する際の強磁性材料の蒸気流の入射方向をコントロ
ールして効率よくかつ強磁性材料の磁化容２０易軸がで
きるだけ膜面と平行になるように蒸着する方法が提案さ
れているが、この方法では真空槽内の真空度が１０−３
程度であればともかく、真空蒸着が可能な高真空雰囲気
下で、しかも荷電粒子漂白に導入されたガスではなく真
空槽全体に拡散２５されたガス等をイオン化しているた
めこのイオン化効率が極めて悪く、従つて強磁性材料の
蒸気流の入射方向をコントロールする荷電粒子のエネル
ギーが不充分となり、得られる磁気記録媒体の磁気特性
をいまひとつ向上させることができない。３０又、イオ
ン化されていないアルゴンガス等のガスを用いて前記方
法と同様に強磁性材料の蒸気流の入射方向をコントロー
ルする方法もあるが、イオン化されていないガスはエネ
ルギーが非常に小さいため、強磁性材料の蒸気流の入射
方向のコント３５ロールが前記方法よりさらに劣り、従
つてこの方法では得られる磁気記録媒体の磁気特性をそ
れほど向上できない。
子源を配設置５ し、この荷電粒子源でもつて真空槽内
のガス等をイオン化して荷電粒子とするとともにこの荷
電粒子を強磁性材料の蒸気流とともに基板に差し向け、
蒸着する際の強磁性材料の蒸気流の入射方向をコントロ
ールして効率よくかつ強磁性材料の磁化容２０易軸がで
きるだけ膜面と平行になるように蒸着する方法が提案さ
れているが、この方法では真空槽内の真空度が１０−３
程度であればともかく、真空蒸着が可能な高真空雰囲気
下で、しかも荷電粒子漂白に導入されたガスではなく真
空槽全体に拡散２５されたガス等をイオン化しているた
めこのイオン化効率が極めて悪く、従つて強磁性材料の
蒸気流の入射方向をコントロールする荷電粒子のエネル
ギーが不充分となり、得られる磁気記録媒体の磁気特性
をいまひとつ向上させることができない。３０又、イオ
ン化されていないアルゴンガス等のガスを用いて前記方
法と同様に強磁性材料の蒸気流の入射方向をコントロー
ルする方法もあるが、イオン化されていないガスはエネ
ルギーが非常に小さいため、強磁性材料の蒸気流の入射
方向のコント３５ロールが前記方法よりさらに劣り、従
つてこの方法では得られる磁気記録媒体の磁気特性をそ
れほど向上できない。
この発明はかかる欠点を改善するため種々検討した結果
なされたもので、真空槽内に、円筒状キヤンの周側面に
沿つて移動する基板と、この基板の移動方向に沿つて順
次に基板と対向する強磁性材料蒸発源と真空槽外からガ
スをイオン化して導入するイオン源とを配設するととも
に、イオン源と前記基板間にイオン化されたガスを収束
して基板に導く電極を配設し、真空雰囲気下で強磁性材
料の蒸気流とイオン源からの高エネルギーのイオン化さ
れたガスとを同時に前記基板に差し向けることによつて
蒸着効率を向上するとともに得られる磁気記録媒体の磁
気特性を向上させたものである。
なされたもので、真空槽内に、円筒状キヤンの周側面に
沿つて移動する基板と、この基板の移動方向に沿つて順
次に基板と対向する強磁性材料蒸発源と真空槽外からガ
スをイオン化して導入するイオン源とを配設するととも
に、イオン源と前記基板間にイオン化されたガスを収束
して基板に導く電極を配設し、真空雰囲気下で強磁性材
料の蒸気流とイオン源からの高エネルギーのイオン化さ
れたガスとを同時に前記基板に差し向けることによつて
蒸着効率を向上するとともに得られる磁気記録媒体の磁
気特性を向上させたものである。
この発明によれば、電極等を内設することによつて内部
に導入されたガスを高真空雰囲気下でイオン化すること
のできるイオン源を真空槽内に配設し、このイオン源に
よつて真空槽外から供給されるガスをイオン化して円筒
状キヤンの周側面務こ沿つて移動する基板に差し向けて
いるため、真空槽内のガス等をイオン化する従来の方法
とは異なり、イオン源によつて得られた高エネルギーの
イオン化されたガスが基板に差し向けられ、この高エネ
ルギーのイオン化されたガスによつて蒸着する際の強磁
性材料の蒸気流の入射方向がコントロールされる。
に導入されたガスを高真空雰囲気下でイオン化すること
のできるイオン源を真空槽内に配設し、このイオン源に
よつて真空槽外から供給されるガスをイオン化して円筒
状キヤンの周側面務こ沿つて移動する基板に差し向けて
いるため、真空槽内のガス等をイオン化する従来の方法
とは異なり、イオン源によつて得られた高エネルギーの
イオン化されたガスが基板に差し向けられ、この高エネ
ルギーのイオン化されたガスによつて蒸着する際の強磁
性材料の蒸気流の入射方向がコントロールされる。
そしてさらにイオン源と円筒状キヤンの周側面に沿つて
移動する基板との間に、イオン化されたガスを収束して
基板に導く電極が配設されているため、強磁性材料の蒸
気流の入射方向は一段と良好にコントロールされる。従
つて強磁性材料の蒸気流の入射方向は容易かつ充分にコ
ントロールされ、強磁性材料の磁化容易軸をできるだけ
膜面と平行になるように蒸着することができるばかりで
なく蒸着効率も向上し、得られる磁気記録媒体の磁気特
性を一段と向上することができる。以下、図面を参照し
ながらこの発明について説明する。
移動する基板との間に、イオン化されたガスを収束して
基板に導く電極が配設されているため、強磁性材料の蒸
気流の入射方向は一段と良好にコントロールされる。従
つて強磁性材料の蒸気流の入射方向は容易かつ充分にコ
ントロールされ、強磁性材料の磁化容易軸をできるだけ
膜面と平行になるように蒸着することができるばかりで
なく蒸着効率も向上し、得られる磁気記録媒体の磁気特
性を一段と向上することができる。以下、図面を参照し
ながらこの発明について説明する。
第１図は真空蒸着装置の断面図を示したものであり、１
は真空槽でこの真空槽１の内部は排気系２により真空に
保持される。
は真空槽でこの真空槽１の内部は排気系２により真空に
保持される。
３は真空槽１の中央部６こ配設された円筒状キヤンであ
り、プラスチツクフイルム等の基板４は原反ロール５よ
りガイドローラ６を介してこの円筒状キヤン３の周側面
に沿つて移動し、ガイドローラ７を介して捲き取りロー
ル８ｔこ捲き取られる。
り、プラスチツクフイルム等の基板４は原反ロール５よ
りガイドローラ６を介してこの円筒状キヤン３の周側面
に沿つて移動し、ガイドローラ７を介して捲き取りロー
ル８ｔこ捲き取られる。
この間円筒状キヤン３の周側面に沿つて移動する基板４
に対向して真空槽１の鴇ζ配設された強磁性材料蒸発源
９で強磁性材料１０が加熱蒸発され、蒸気流Ａが基板４
ｆζ差し向けられて蒸着されるが、このとき同時に円筒
状キヤン３の周側面に沿つて移動する基板４に対向して
真空槽１の左側内壁に配設されたイオン源１１からガス
がイオン化されて導入され、イオン源１１と基板４間に
配設されたリング状電極１２により収束されて矢印Ｂで
示されるように基板４に差し向けられる。なお１３は絶
縁導入端子、１４はリング状電極１２の電源である。イ
オン源１１は第２図に示すように、カソード１５を内装
しかつコイル１６を外周に配設したゲート１７と、ゲー
ト１７のノズル状先端に近接して配設されたプラズマ拡
張口１８を有するアノード１９と、さらにアノード１９
の前方に配設された案内用電極２０とから構成されて成
り、ゲート１７の後端に取りつけたガス導入口２１から
ガスが導入されると、このガスを高真空雰囲気下でカソ
ード１５のフイラメントでもつてイオン化し、アノード
１９で引き出して矢印Ｂに示すように案内用電極２０を
介して真空槽１内に導入する。このようなイオン源１１
によつてイオン化されたガスは数百エレクトロンボルト
の高エネルギーを有し、これが前記したようにリング状
電極１２により収束されて矢印Ｂで示されるように基板
４ｆζ差し向けられるため、０．１エレクトロンボルト
程度の蒸着エネルギーを有する強磁性材料の蒸気流Ａの
入射方向は容易かつ充分にコントロールされる。なおイ
オン化されたガスを収束する電極１２はリング状のもの
に限らず網状のものを使用してもよい。このような収束
用電極１２がイオン源１１と基板４間に配設されている
と、イオン源１１によつて導入されるイオン化されたガ
スが収束されてイオン密度が高くなるため、蒸気流Ａの
入射方向のコントロールは一段と容易になる。このよう
にこの発明においては、イオン源１１によつて真空槽１
外からガスがイオン化されて導入され、このイオン化さ
れたガスによつて強磁性材料の蒸気流Ａの入射方向をコ
ントロールしているため、従来の斜め入射蒸着法よりも
はるかに効率のよい真空蒸着を行なうことができ、また
蒸気流Ａの入射方向のコントロールは高エネルギーのイ
オン化されたガスによつて行なわれ、しかも収束用電極
により、イオン化されたガスが収束されてイオン密度の
高いガスが差し向けられるため充分にコントロールされ
て磁気特性に優れた強磁性金属薄膜型磁気記録媒体が得
られる。
に対向して真空槽１の鴇ζ配設された強磁性材料蒸発源
９で強磁性材料１０が加熱蒸発され、蒸気流Ａが基板４
ｆζ差し向けられて蒸着されるが、このとき同時に円筒
状キヤン３の周側面に沿つて移動する基板４に対向して
真空槽１の左側内壁に配設されたイオン源１１からガス
がイオン化されて導入され、イオン源１１と基板４間に
配設されたリング状電極１２により収束されて矢印Ｂで
示されるように基板４に差し向けられる。なお１３は絶
縁導入端子、１４はリング状電極１２の電源である。イ
オン源１１は第２図に示すように、カソード１５を内装
しかつコイル１６を外周に配設したゲート１７と、ゲー
ト１７のノズル状先端に近接して配設されたプラズマ拡
張口１８を有するアノード１９と、さらにアノード１９
の前方に配設された案内用電極２０とから構成されて成
り、ゲート１７の後端に取りつけたガス導入口２１から
ガスが導入されると、このガスを高真空雰囲気下でカソ
ード１５のフイラメントでもつてイオン化し、アノード
１９で引き出して矢印Ｂに示すように案内用電極２０を
介して真空槽１内に導入する。このようなイオン源１１
によつてイオン化されたガスは数百エレクトロンボルト
の高エネルギーを有し、これが前記したようにリング状
電極１２により収束されて矢印Ｂで示されるように基板
４ｆζ差し向けられるため、０．１エレクトロンボルト
程度の蒸着エネルギーを有する強磁性材料の蒸気流Ａの
入射方向は容易かつ充分にコントロールされる。なおイ
オン化されたガスを収束する電極１２はリング状のもの
に限らず網状のものを使用してもよい。このような収束
用電極１２がイオン源１１と基板４間に配設されている
と、イオン源１１によつて導入されるイオン化されたガ
スが収束されてイオン密度が高くなるため、蒸気流Ａの
入射方向のコントロールは一段と容易になる。このよう
にこの発明においては、イオン源１１によつて真空槽１
外からガスがイオン化されて導入され、このイオン化さ
れたガスによつて強磁性材料の蒸気流Ａの入射方向をコ
ントロールしているため、従来の斜め入射蒸着法よりも
はるかに効率のよい真空蒸着を行なうことができ、また
蒸気流Ａの入射方向のコントロールは高エネルギーのイ
オン化されたガスによつて行なわれ、しかも収束用電極
により、イオン化されたガスが収束されてイオン密度の
高いガスが差し向けられるため充分にコントロールされ
て磁気特性に優れた強磁性金属薄膜型磁気記録媒体が得
られる。
イオン源１１によつてイオン化され真空槽１内に導入さ
れて基板４に差し向けられるガスとしては、たとえばア
ルゴンガス、ヘリウムガス、ネオンガス、キセノンガス
、窒素ガス等の他アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス
およびアルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス等が好適な
ものとして用いられ、特にアルゴンガスと酸素ガスとを
混合したガスは強磁性材料を微粒子化し、粒界に酸化物
を形成することにより、保磁力を所定の値にＦ５ｌ脚す
る働きがあるためより好適なものとして使用される。
れて基板４に差し向けられるガスとしては、たとえばア
ルゴンガス、ヘリウムガス、ネオンガス、キセノンガス
、窒素ガス等の他アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス
およびアルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス等が好適な
ものとして用いられ、特にアルゴンガスと酸素ガスとを
混合したガスは強磁性材料を微粒子化し、粒界に酸化物
を形成することにより、保磁力を所定の値にＦ５ｌ脚す
る働きがあるためより好適なものとして使用される。
またイオン源１１によつてこれらのガスをイオン化する
際のイオン源１１内の真空度は１０−３トールより低く
すると、この真空雰囲気下でイオン化されたガスを基板
４に差し向けたとき良好な強磁性金属薄膜を形成するこ
とができず、１０−６トールより高くするとガスをイオ
ン化し難いため１０−３ 〜１０− ６トールの範囲内
に保持するのが好ましく、１０−５〜１０−６トールの
範囲内に保持するのがより好ましい。なお、アルゴンガ
スと酸素ガスとの混合ガスを用いるときは酸素ガスの分
圧を１×１０−４トールより低くするのが好ましい。ま
た、イオン源１１から基板４に差し向けられるイオン化
されたガスは、強磁性材料１０の基板４に対する蒸気線
Ｃに対しての入射角αが４５゜〜９０゜の範囲となるよ
うにして差し向けるのが好ましく、入射角αが４５゜よ
り小さい場合には所期の効果が得られず、９０゜より大
きくなると円筒状キヤンによりイオン化されたガスがさ
えぎられ所定の効果を充分に発揮できなくなる恐れがあ
る。基板としては、ポリエステル、ポリイミド、ポリア
ミド等一般に使用されている高分子成形物からなるプラ
スチツクフイルムおよび銅などの非磁性金属からなる金
属フイルムが使用され、また強磁性金属薄膜層を形成す
る強磁性材料としては、コバルト、ニツケル、鉄などの
金属単体の他、これらの合金あるいは酸化物およびＣＯ
−Ｐ，ＣＯ一Ｎｉ−Ｐなど一般に真空蒸着に使用される
強磁性材料が使用される。
際のイオン源１１内の真空度は１０−３トールより低く
すると、この真空雰囲気下でイオン化されたガスを基板
４に差し向けたとき良好な強磁性金属薄膜を形成するこ
とができず、１０−６トールより高くするとガスをイオ
ン化し難いため１０−３ 〜１０− ６トールの範囲内
に保持するのが好ましく、１０−５〜１０−６トールの
範囲内に保持するのがより好ましい。なお、アルゴンガ
スと酸素ガスとの混合ガスを用いるときは酸素ガスの分
圧を１×１０−４トールより低くするのが好ましい。ま
た、イオン源１１から基板４に差し向けられるイオン化
されたガスは、強磁性材料１０の基板４に対する蒸気線
Ｃに対しての入射角αが４５゜〜９０゜の範囲となるよ
うにして差し向けるのが好ましく、入射角αが４５゜よ
り小さい場合には所期の効果が得られず、９０゜より大
きくなると円筒状キヤンによりイオン化されたガスがさ
えぎられ所定の効果を充分に発揮できなくなる恐れがあ
る。基板としては、ポリエステル、ポリイミド、ポリア
ミド等一般に使用されている高分子成形物からなるプラ
スチツクフイルムおよび銅などの非磁性金属からなる金
属フイルムが使用され、また強磁性金属薄膜層を形成す
る強磁性材料としては、コバルト、ニツケル、鉄などの
金属単体の他、これらの合金あるいは酸化物およびＣＯ
−Ｐ，ＣＯ一Ｎｉ−Ｐなど一般に真空蒸着に使用される
強磁性材料が使用される。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例 １約９μ厚のポリエステルベースフイルムに表
面処理（アルゴンガス、ホンパート処理）を施こした後
、これを第１図に示す真空蒸着装置に装填し、真空蒸着
装置内を約１０−Jャgールにまで真空排気した。
面処理（アルゴンガス、ホンパート処理）を施こした後
、これを第１図に示す真空蒸着装置に装填し、真空蒸着
装置内を約１０−Jャgールにまで真空排気した。
次いでコバルト金属の蒸着を開始すると同時に、真空蒸
着装置内に配設したイオン源により１×１０−５トール
の真空雰囲気下でイオン化したアルゴンガスを、コバル
トの蒸気線に対して入射角８０゜でポリエステルベース
フイルムに差し向け、コバルト金属を０．３μの膜厚に
なるように蒸着して強磁性金属薄膜層を形成し、これを
所定の巾に裁断して磁気テープをつくつた。実施例 ２ 実施例１において、イオン源でイオン化するガスをアル
ゴンガスからアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス（酸
素ガスの分圧３×１０−５トール）に代えた以外は実施
例１と同様にして磁気テープをつくつた。
着装置内に配設したイオン源により１×１０−５トール
の真空雰囲気下でイオン化したアルゴンガスを、コバル
トの蒸気線に対して入射角８０゜でポリエステルベース
フイルムに差し向け、コバルト金属を０．３μの膜厚に
なるように蒸着して強磁性金属薄膜層を形成し、これを
所定の巾に裁断して磁気テープをつくつた。実施例 ２ 実施例１において、イオン源でイオン化するガスをアル
ゴンガスからアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス（酸
素ガスの分圧３×１０−５トール）に代えた以外は実施
例１と同様にして磁気テープをつくつた。
実施例 ３
実施例１において、イオン源でイオン化するガスをアル
ゴンガスからアルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス（窒
素ガスの分圧３×１０−５トール）に代えた以外は実施
例１と同様にして磁気テープをつくつた。
ゴンガスからアルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス（窒
素ガスの分圧３×１０−５トール）に代えた以外は実施
例１と同様にして磁気テープをつくつた。
比較例 １
実施例１において、イオン源からアルゴンガスをイオン
化せずに真空蒸着装置内に導入した以外は実施例１と同
様にして磁気テープをつくつた。
化せずに真空蒸着装置内に導入した以外は実施例１と同
様にして磁気テープをつくつた。
比較例 ２実施例１において真空蒸着装置内に予めアル
ゴンガスを導入しておき、イオン源に代えて真空蒸着装
置内に荷電粒子源を配設し、この荷電粒子源により真空
蒸着装置内のアルゴンガスをイオン化してポリエステル
ベースフイルムに差し向けた以外は実施例１と同様にし
て磁気テープをつくつた。
ゴンガスを導入しておき、イオン源に代えて真空蒸着装
置内に荷電粒子源を配設し、この荷電粒子源により真空
蒸着装置内のアルゴンガスをイオン化してポリエステル
ベースフイルムに差し向けた以外は実施例１と同様にし
て磁気テープをつくつた。
各実施例および各比較例で得られた磁気テープにっいて
保磁力（Ｈｃ）および角型（Ｂｒ／Ｂｍ）を測定した。
次表はその結果である。
保磁力（Ｈｃ）および角型（Ｂｒ／Ｂｍ）を測定した。
次表はその結果である。
上表から明らかなように、この発明の製造方法によつて
得られた磁気テープ（実施例１〜３）は、従来の製造方
法ｌζよつて得られた磁気テープ（比較例１および２）
に比しいずれも保磁カカ塙くて角型も大きく、このこと
からこの発明の製造方法によつて得られた磁気テープは
磁気特性が優れていることがわかる。
得られた磁気テープ（実施例１〜３）は、従来の製造方
法ｌζよつて得られた磁気テープ（比較例１および２）
に比しいずれも保磁カカ塙くて角型も大きく、このこと
からこの発明の製造方法によつて得られた磁気テープは
磁気特性が優れていることがわかる。
第１図はこの発明の製造方法を実施するために使用する
蒸着装置の概略断面図、第２図は蒸着装置内に配設した
イオン源の拡大断面図である。 １・・・・・・真空槽、３・・・・・・円筒状キヤン、
４・・・・・・基板、９・・・・・・強磁性材料蒸発源
、１０・・・・・・強磁性材料、１１・・・・・・イオ
ン源、１２・・・・・・電極、Ａ・・・・・・強磁性材
料の蒸気流。
蒸着装置の概略断面図、第２図は蒸着装置内に配設した
イオン源の拡大断面図である。 １・・・・・・真空槽、３・・・・・・円筒状キヤン、
４・・・・・・基板、９・・・・・・強磁性材料蒸発源
、１０・・・・・・強磁性材料、１１・・・・・・イオ
ン源、１２・・・・・・電極、Ａ・・・・・・強磁性材
料の蒸気流。
Claims (1)
- １ 真空槽内に、円筒状キヤンの周側面に沿つて移動す
る基板と、この基板の移動方向に沿つて順次に基板と対
向する強磁性材料蒸発源と真空槽外からガスをイオン化
して導入するイオン源とを配設するとともに、イオン源
と前記基板間にイオン化されたガスを収束して基板に導
く電極を配設し、真空雰囲気下で強磁性材料の蒸気流と
イオン源からのイオン化されたガスとを同時に前記基板
に差し向けて基板上に強磁性金属薄膜層を形成すること
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16731579A JPS5948450B2 (ja) | 1979-12-22 | 1979-12-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16731579A JPS5948450B2 (ja) | 1979-12-22 | 1979-12-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5690432A JPS5690432A (en) | 1981-07-22 |
| JPS5948450B2 true JPS5948450B2 (ja) | 1984-11-27 |
Family
ID=15847463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16731579A Expired JPS5948450B2 (ja) | 1979-12-22 | 1979-12-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948450B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5812317A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-24 | Sony Corp | 薄膜磁気媒体の製法 |
| JPS59213033A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-01 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体の製造法 |
| JPS59201228A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6085439A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-14 | Nippon Mining Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1979
- 1979-12-22 JP JP16731579A patent/JPS5948450B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5690432A (en) | 1981-07-22 |
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