JPS5949697B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5949697B2
JPS5949697B2 JP54159954A JP15995479A JPS5949697B2 JP S5949697 B2 JPS5949697 B2 JP S5949697B2 JP 54159954 A JP54159954 A JP 54159954A JP 15995479 A JP15995479 A JP 15995479A JP S5949697 B2 JPS5949697 B2 JP S5949697B2
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JP
Japan
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space
sealing material
semiconductor element
hermetically sealed
semiconductor device
Prior art date
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Expired
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JP54159954A
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English (en)
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JPS5683048A (en
Inventor
隆 近藤
世見之 山
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS5949697B2 publication Critical patent/JPS5949697B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/10—Containers or parts thereof
    • H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
    • H10W76/15—Containers comprising an insulating or insulated base
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Casings For Electric Apparatus (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置、特にパッケージ型半導体装置に関
するものである。
従来この種の半導体装置を第１図に示して説明する。
すなわち、パッケージ基体１はセラミックなどの一体物
からなつており、このパッケージ基体１上には半導体素
子２が装着されると共に、この半導体素子２を大気から
保護するために、その周囲に素子空間４を残して蓋３に
より包持させ、この蓋３をシール材５によりシールして
、素子空間４を気密封止するようにしている。この場合
、前記シール材５としては半田などの金属、ガラス、セ
ラミック等の無機材料、樹脂等の有機材料があてられ、
各々に要求される品質やコストなどにより選択して使用
されている。し力化、上記構造の半導体装置において、
シール材が金属材料によるときは比較的気密度を高く保
持できるものの、メタライズの必要性があり、かつ封止
に特別の高温炉を必要とするばかりか、材料自体も高価
でしかも徐々に外気中の水分が拡散浸透して素子特性の
劣化を招く虞れがあつた。また、無機および有機材料は
安価でかつ容易に封止でき、特に樹脂シールには加熱も
不要にできる利点があるが、一般に気密度が悪くて高信
頼度のものには適用できないなどの不都合があつた。本
発明は従来のこのような実情に鑑み、半導体素子を内外
２重の密閉空間により保護させるとともに、内、外の圧
力差を零あるいは陽圧にすることにより、信頼性の向上
をはかり、しかも容易にかつ安価な半導体装置を提供す
ることを目的とするものである。
以下本発明にかかる装置の実施例につき、第２図を参照
して詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す断面図であり、同図に
おいて第１図と同一部分は同一符号を用いてある。
この実施例では、パッケージ基体１上に上記従来例と同
様にして半導体素子２を装着した後、この半導体素子２
を包持するように内部に素子空間４を残して内蓋６を施
し、この内蓋６を内部シール材□によりパッケージ基体
１に固着させる。そして、前記内蓋６を包持するように
これらの間に絶縁空間１０を残して外蓋８を施し、この
外蓋８を外部シール材９により同様にパッケージ基体１
に固着させることにより、前記半導体素子２を第１の素
子空間４と第２の絶縁空間１０とによつて大気から２重
に気密封止する構造としたものである。この場合、前記
内部シール材７と外部シール材９はそれぞれ異なつた凝
固温度をもつ材料からなる。ここで、前記内蓋６を封止
する温度より外蓋８を封止する温度を少し高くすること
により、素子空間４より絶縁空間１０に残留封止される
ガスの圧力を低くすることができ、素子空間４への圧力
差によるガス浸入を防止している。
また、内部シール材７と外部シール材９に同一凝固温度
を有する材料を用いた場合においても素子空間４と絶縁
空間１０の間の圧力差はなくすことができる。
したがつて、上記実施例の半導体装置では、半導体素子
２を内蓋６と外蓋８とによる第１の素子空間４および第
２の絶縁空間１０の２重空間によつて気密封止され、そ
のうえ素子空間４は絶縁空間１０より陽圧あるいは等圧
に保持されているから、素子空間４への大気中の水蒸気
等の不純ガスの浸入速度を著るしく低減できるので、内
部および外部の各シール材７，９に樹脂材料を用いても
、半導体素子２を充分に保護することができる。
以上詳述したように本発明によれば、極めて簡単な構成
によつて半導体素子を大気から保護することができると
ともに、高信頼性でしかも容易にかつ安価な半導体装置
を提供することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のパツケージ型半導体装置の一例を示す断
面図、第２図は本発明にかかる半導体装置の一実施例を
示す断面図である。 １・・・・・・パツケージ基体、２・・・・・・半導体
素子、４・・・・・・素子空間、６・・・・・・内蓋、
７・・・・・・内部シール材、８・・・・・・外蓋、９
・・・・・・外部シール材、１０・・・・・・絶縁空間
。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 半導体素子を設けたパッケージ基体上に、前記半導
    体素子を包囲するように内蓋を施して気密封止された第
    １の素子空間と、前記内蓋を包囲するように外蓋を施し
    て気密封止された第２の絶縁空間とにより前記半導体素
    子を２重に気密封止する構造とし、前記内蓋を気密封止
    する内部シール材の凝固温度を、前記外蓋を気密封止す
    る外部シール材の凝固温度よりも低くもしくは同じに選
    択したことを特徴とする半導体装置。
JP54159954A 1979-12-10 1979-12-10 半導体装置 Expired JPS5949697B2 (ja)

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JPS5683048A JPS5683048A (en) 1981-07-07
JPS5949697B2 true JPS5949697B2 (ja) 1984-12-04

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