JPS5950458A - 静電潜像形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は静電潜像形成方法、更に詳しく言えばコロナ
；ｉＴ７電を必要としない静電潜像形成方法に関する。

従来の′は子写真方法においては、椿秦感光体２にコロ
ナイオンを与えて帯電したのち露光を行ない、￥Ｐ電Ｗ
Ｆ１？を形成している。ところが、コロナイオンを発生
させるコロナ帯電器はトナーによる汚れなどによって特
性が変化しゃす（、装置の信頼性を低下させる大きな要
因の一つと１、［っている。また、コロナ帯電時に発生
するオゾン〜やその他の活性化学種は人体に有害である
だけでなく、感光体表面の導電性を高め、画像のボケや
白ヌケの原因となっている。さらにコロトロンに印加す
る電圧は数ＫＶという高圧であり、電源のコストが高（
なるという欠点もある。

コロトロ／を用いない電子写真方式としては、特開ｔｌ
ｆｌ　５４−６１５３４号に記載されているエレクトロ
ダラフイー板を用いるものが公知であるが、この方式ヲ
ｒ、感光体の裏面から露光し、かつ現像と露光を同時に
行わなければならない等、構が乙が複雑という欠点があ
る。

本発明は上記の欠点を改良し、光学系、現像系の配置は
通常の電子写真方式と同じで、コロトロンを不用とした
新規な静Ｋ　ｉ　浬形成方法を提供したものである。

すなわち、本発明は導電性支持体と絶縁性層と帯状電極
と光導電性層からなる感光体の絶縁柱層を挾んで存在す
る導電性支持体とイｉＦ状屯極との間に電圧を印加する
ことによって帯状電極から光４′ｒ…ｆ１′、廣へ電荷
を注入し、次いで帯状電極と導電性支持体を同電位とし
て画（＠露光を行ない、静電潜［象を形成することを特
徴とするものである。

以Ｆ本発明の詳細を図面に従って説明する。

第１図は５本発明に用いる感光体の平面図である。ここ
でＡ、　　Ａ２．Ａ３、−−　Ａｎ−４，Ａｎ　−は平
行に並んだ帯状電４＠を示す。第２図は、感光体の断面
図である。図中１は導電性支持体であり、これに接して
絶縁性層２が設ゆられている。絶縁性層２の上に帯状電
極３がそれぞれ平行に設けられ、さらにその」二に光導
電性層４が設けられている。

この感光体σ）導電性支持体１としてレエ、金属や、グ
ラスチックフィルム表面に導電処理したもの等を広（使
用することができる。

絶縁性層２には、ポリニスデル、ポリカーボネート、ポ
リウレタン、アクリル樹脂、シリコン樹脂、テフロン樹
脂等の高分子樹脂を用いろことができ、その厚さは５〜
１００１１ｍが適当である。

’ｉ’：ｊ　：（Ｉｓ　’ｅ＝　（Ｍ　３　ｊＸ、Ａｔ
、　Ａ９、Ｃｒ、Ｎ（、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｕ等の各種金属
を蒸着したのち化学エツチング法により・；ｉＹ状パタ
ーンを形成するか、あるいは平行な帯状間［コ部を有す
るマスクを介して上記金属な絶縁性層に蒸着したのち、
マスクを除去することによって形成することができる。

この帯゛伏型）函０）　ｐ”Ｊさは５００　’ｈ〜５μ
ｍσ〕間が望ましい。

・１′１７状ｉ［Ｌ極の巾と間隔は画像の解ｆ象度と関
係するが一８ｔｐ／ｘの解１象度を実現するためにｆ工
、「１ｉＪＩ　ｌ１Ｊ３０〜８０　／’ｍ、電極間隔４
０〜１１００ｚｔ程度が望ましい。

光導電性層４としては、Ｓｅ、　５ｅＴｅ−ＳｅＡ＋＋
、５ｅＡｓＴｅ等σつ蒸着膜や、プラズマＣＶＤによっ
て形成したアモルファスＳｉ：Ｈ等の（１ハ、ＣｄＳや
ＺｎＯの無機光導電粉末を結着樹脂中に分散したもの等
を用いることができろ６さらに、−光導電性層を電荷発
生層と心待輸送層の二層として形成１ろことも可能であ
る。この−場合電荷発生層としては、」二層の光導電体
の他に、フタロノアニン、シーｒ、二ン、メロ７アニン
、ビリリウノ、塩等の有機光シ、ダ７ガ体を用いること
ができる。また、電を１輸送層には、可視光に対してほ
ぼ透明な有機半導体が適している。例えばポリビニルカ
ルバゾール（ＰＶＫ）等の高分子有機半導体、あるいは
低分子電子供与性物質をポリカーボネートやポリニスプ
ル等の樹脂中に分子分数させたものを用いろことができ
る。低分子電子供与性物質としては、アントラセン、２
，６−ジメテルーｒントラセン、７エナントレン、−ピ
レン、コロネン等の縮合多ＪＲ式化合物、ジフェニルア
ミン、シナ７チルアミン、トリフェニルアミン、トリー
ルートリ／し’７ミ７、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラフ
ェニル−１，３（及び−１，４）−７エニレンジ′アミ
ン、Ｎ　、　Ｎ　、　Ｎ’、　Ｎ’−テトラベンジル−
１，３（及び−１，４）−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ
、Ｎ’、Ｎ’−テトラ〔２−メチルベノジル）　−１，
３（及ＣＦ−１，４）　−フェニレンジアミン、　Ｎ、
Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラ〔４−クロルベンジル］　−１
，３（及び−１，４）−７エニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、
Ｎ’、Ｎ’−テトラフェニル−〔１，１−ピフェニル〕
−４，４’−ジアミン、Ｎ　、　Ｎ’−ジフェニル−Ｎ
　、　Ｎ’−ビス−〔３−メチルフェニル］−［１，１
’−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン、４，４′−ビ
ス−（Ｎ、Ｎ−ンエアルアミノ〕テトラフェニルメタン
等の芳香族アミン化合物、２−　［４’−ジメチル゛ｒ
ミノフェニル］−５−フェニル−オキサゾール等のオキ
サゾール誘導体、２−　［４’−ジメチルアミンフェニ
ルクーベンズチアゾール等ノチアソ−ルｉＪ　導体、２
−　［４’−クロロフェニル］　−４，５−ジフェニル
ーイミグゾール等のイミダゾール誘導体、１．３．５−
　）リフェニルピンゾリ／、ｌ−フェニル−３−（４’
−ジメチルアミノスチリル〕−５−（４“−ジメチルア
ミノフェニルクーピラゾリン、１−フェニル−３−［４
’−ジエチルアミノスチリル］−５−（４“−ジエチル
アミノフェニル〕−ピラゾリン等のピラゾリノ誘υを体
、２，５−ビス−〔４′−ジメチルアミノフェニル３−
１゜３．４−オキナシアゾール、２，５−ビス−〔４′
−ジエチル−ｒミノフェニル：］　−］１．３．４−オ
ギザンアゾールのオキーリジアゾール誘導体、カルバゾ
ール及びＮ−エチルカルバソール、Ｎ−イソグロビル力
ルバゾール、Ｎ−フェニルカルバゾール、ベンズカルバ
ゾール等のカルバゾール誘導体を用いることができる。

光導電性層の厚さは５〜８０μｍの間であることが望ま
しい。

次に本発明の静′屯沿鐵形成方法の説、明を行なう。第
３図に示すように、ｎｉ、　、ｒ貝Ｖ１：支持体１と各
帯状１１Ｌ極（ここで（まＡｌ、Ａ２、Ａ３とする）と
の間に電圧を印加する。これにより、帯状電極から光導
電性層への電荷注入が生じろ。この゛電荷注入は電極材
料の選択によって容易に実現され、光導電旧科と電極材
料との仕事関数の関係により所望の電荷注入を生じさせ
ることができる。

即ち、光導′ル拐料の仕事関数より大きな仕事関数を有
する電極材料を用いれば正孔の注入を、また逆に光導′
ｍ材料の仕事関数より小さな仕事関数を有する′東極祠
科を用いれば電子の注入を行うことができる。

ここでは帯状電極に正正正を印加し、正市荷が注入する
場合を考える。注入されｊこ電荷は光尋′准柱層の表面
に達してここでトラ、グされろ。

そこで・；■大電極と導電性支持体を四屯位に設定すれ
げ、第４図に示すように正のコロナ帯電を行なったのと
同様な状、態が実現する。次に感光体表面に１而［ψ露
光を与えることにより、光入射部分では表「Ｍの′電荷
が中和され、静電ｉ’ｆｌ四が形成されろ。この過程を
第５図及び・８６図に示す。

この静上ｍｒψ（で対し、通常の電子写真方法と同ト羽
にして現像・転′・７・定着工程を実施することにより
、最終的な記録＋ｌｉｉ　ｒ象を？４Ｊることかできろ
。

次（ｆこ、本発明の実施例について１悦明する。Ａｔ板
上に厚す２５μのポリニス尤ルフイルムをエボヤシ系の
接うＲ剤にて接着し、これに１肩ロ巾６０ｔｔ、ピッチ
１２０μの帯状の開口ｊ５Ｘを有するメタルマスクを重
ねあわせ、これＫＮｉを約０．５　ｌｌの厚さに蒸着し
た後メタルマスクを取り除き、帯状べ極を得た。この上
に抵抗加熱方式の蒸着源を用いてＳｅを３０μの厚さに
蒸着した。

次に導電性支持体を接地し、各帯状電極に＋６００　Ｖ
を約０．５秒間印加したのち、各帯状電極を接地した。

次いで感光体表面に画像露光を行った後、負ｊＣｆｊ７
　′市したトナーで現噸し、感光体表面にトナーｆψを
得た。このトナー像を記録紙に転写、定着したところ良
好な両１＠が得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図は木と１−明シて用いる感）Ｙ１体の平面図、！
−ｂ２図は同じ（感光体の断面図、第３図〜第６図は本
発明方法の説、四国である。 図中符号： １・・・導１ｉ（ｒ、性支持体：２・・・絶縁性層；３
・・・・１７状１１し４＜　　；　　４　−　　：）Ｙ
：　；、’ｉ　　ｒｉ工件ハ号。 第　　１　　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ２ｈ”）！’ｒ、　Ｐ−１：支持体−Ｌ　ＩＣｔ、！縁
   性ＩＮ、５と帯状電極と光導電性層とを順次設けてなる
   感光体の絶縁性層を挾Ｘ７で存在する導電性支持体と帯
   状電極との間に市、１１三な印加ｌ−で帯状電極から光
   導電性層へ電荷を注入した後、ノ、ト１γ１１．性支持
   体と帯状電極を同電位として画像露光を行うことを特徴
   とする静電ｍ像形成方法。